CN111095497B - 等离子体处理装置以及控制其高频电源的方法 - Google Patents

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Abstract

一个实施方式所涉及的等离子体处理装置具备腔室、基板支承台、高频电源以及控制部。基板支承台设置于腔室内，包括下部电极。高频电源向下部电极供给偏置高频电力。在基板支承台上以包围基板的方式搭载有聚焦环。控制部使用偏置高频电力的电力水平与通过向下部电极供给偏置高频电力而产生的聚焦环的直流电位之间的关系、来确定与聚焦环的直流电位的指定值对应的偏置高频电力的电力水平。控制部控制高频电源，以向下部电极供给具有确定出的电力水平的偏置高频电力。

Description

等离子体处理装置以及控制其高频电源的方法
技术领域
本公开的例示性的实施方式涉及一种等离子体处理装置以及控制等离子体处理装置的高频电源的方法。
背景技术
在电子器件的制造中对基板执行等离子体蚀刻。使用等离子体处理装置来执行等离子体蚀刻。等离子体处理装置具备腔室、支承台以及高频电源。支承台设置于腔室内，包括下部电极。高频电源构成为向下部电极供给偏置高频电力。例如在专利文献1和专利文献2中记载了这样的等离子体处理装置。
在等离子体蚀刻中，利用偏置高频电力的电力水平来调整从等离子体被吸引至基板的离子的能量。因而，利用偏置高频电力的电力水平来调整蚀刻速率。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2014-186994号公报
专利文献2：日本特开2003-124201号公报
发明内容
发明要解决的问题
期望在等离子体蚀刻中提高蚀刻速率的控制性。
用于解决问题的方案
在一个例示性的实施方式中，提供一种等离子体处理装置。等离子体处理装置具备腔室、基板支承台、高频电源以及控制部。基板支承台设置于腔室内，包括下部电极。高频电源构成为向下部电极供给偏置高频电力。控制部构成为控制高频电源。在基板支承台上以包围基板的方式搭载有聚焦环。控制部使用规定偏置高频电力的电力水平与通过向下部电极供给偏置高频电力而产生的聚焦环的直流电位之间的关系的表或函数、来确定与聚焦环的直流电位的指定值对应的偏置高频电力的电力水平。在腔室内生成等离子体的期间，控制部控制高频电源，以向下部电极供给具有确定出的电力水平的偏置高频电力。
发明的效果
根据一个例示性的实施方式所涉及的等离子体处理装置，提高蚀刻速率的控制性。
附图说明
图1是概要性地表示一个例示性的实施方式所涉及的等离子体处理装置的图。
图2是一个例示性的实施方式所涉及的等离子体处理装置的支承台与聚焦环的局部放大截面图。
图3是表示一个例示性的实施方式所涉及的控制等离子体处理装置的高频电源的方法的流程图。
图4是表示偏置高频电力的电力水平与蚀刻速率之间的关系的一例的曲线图。
图5是表示聚焦环的直流电位与蚀刻速率之间的关系的一例的曲线图。
图6是表示偏置高频电力的电力水平与通过向下部电极供给偏置高频电力而产生的聚焦环的直流电位之间的关系的一例的曲线图。
图7是表示一个例示性的实施方式所涉及的、规定聚焦环的直流电位与偏置高频电力的电力水平之间的关系的表或函数的制作方法的流程图。
具体实施方式
下面，对各种例示性的实施方式进行说明。
在一个例示性的实施方式中提供一种等离子体处理装置。等离子体处理装置具备腔室、基板支承台、高频电源以及控制部。基板支承台设置于腔室内，包括下部电极。高频电源构成为向下部电极供给偏置高频电力。控制部构成为控制高频电源。在基板支承台上以包围基板的方式搭载有聚焦环。控制部构成为使用表或函数来确定与聚焦环的直流电位的指定值对应的偏置高频电力的电力水平。表或函数规定偏置高频电力的电力水平与通过向下部电极供给偏置高频电力而产生的聚焦环的直流电位之间的关系。在腔室内生成等离子体的期间，控制部控制高频电源，以向下部电极供给具有确定出的电力水平的偏置高频电力。
蚀刻速率根据偏置高频电力的电力水平的增加而上升。偏置高频电力的电力水平相对于蚀刻速率具有非线性的关系。另一方面，在等离子体的生成期间通过供给偏置高频电力而产生的聚焦环的直流电位为与基板的直流电位大致相同的电位，与蚀刻速率处于大致线性的比例关系。在一个例示性的实施方式所涉及的等离子体处理装置中，基于与蚀刻速率具有大致线性的比例关系的聚焦环的直流电位来决定偏置高频电力的电力水平。因而，根据该等离子体处理装置，能够提高蚀刻速率的控制性。
在一个例示性的实施方式中，等离子体处理装置可以还具备测定电路。测定电路构成为获取表示聚焦环的直流电位的测定值。在腔室内生成等离子体的期间，控制部调整偏置高频电力的电力水平，以减少指定值与根据测定值决定出的聚焦环的直流电位之间的差。即使对下部电极提供具有同一电力水平的偏置高频电力，由于例如等离子体处理装置的状态的变化，聚焦环的直流电位也会发生变化。根据该实施方式，调整偏置高频电力的电力水平，以减小根据测定值得到的聚焦环的实际的直流电位与指定值之差。因而，高精度地实现期望的蚀刻速率。
在一个例示性的实施方式中，等离子体处理装置可以还具备构成为选择性地与聚焦环连接的直流电源。根据本实施方式，能够向聚焦环施加直流电压。另外，在测定测定值的情况下，能够将直流电源与聚焦环电切离。
在一个例示性的实施方式中，等离子体处理装置可以为电容耦合型的等离子体处理装置。
在其它例示性的实施方式中，提供一种控制等离子体处理装置的高频电源的方法。该方法包括确定与聚焦环的直流电位的指定值对应的偏置高频电力的电力水平的工序。使用规定偏置高频电力的电力水平与通过向基板支承台的下部电极供给偏置高频电力而产生的聚焦环的直流电位之间的关系的表或函数、来确定偏置高频电力的电力水平。基板支承台设置于等离子体处理装置的腔室内，聚焦环以包围基板的方式搭载于基板支承台上。该方法还包括在腔室内生成等离子体的期间控制高频电源、以向下部电极供给具有确定出的电力水平的偏置高频电力的工序。
在一个例示性的实施方式中，方法还包括在腔室内生成等离子体的期间调整偏置高频电力的电力水平的工序。调整偏置高频电力的电力水平，以减少指定值与根据表示聚焦环的直流电位的测定值决定出的聚焦环的直流电位之间的差。
下面，参照附图来详细地说明各种例示性的实施方式。此外，在各附图中对相同或相当的部分标注相同的标记。
图1是概要性地表示一个例示性的实施方式所涉及的等离子体处理装置的图。图1所示的等离子体处理装置1为电容耦合型的等离子体处理装置。等离子体处理装置1具备腔室10。腔室10在其内提供内部空间10s。在一个实施方式中，腔室10包括腔室主体12。腔室主体12具有大致圆筒形状。在腔室主体12内提供内部空间10s。腔室主体12例如由铝构成。腔室主体12电接地。在腔室主体12的内壁面、即划分内部空间10s的壁面形成有具有耐等离子体性的膜。该膜能够为通过阳极氧化处理形成的膜或由氧化钇形成的膜之类的陶瓷制的膜。
在腔室主体12的侧壁形成有通路12p。在内部空间10s与腔室10的外部之间搬送基板W时，该基板W通过通路12p。沿着腔室主体12的侧壁设置有闸阀12g，以打开和关闭该通路12p。
在内部空间10s内设置有基板支承台、即支承台16。支承台16设置于腔室10内。支承台16构成为支承被载置于其上的基板W。支承台16被支承部15支承。支承部15从腔室主体12的底部向上方延伸。支承部15具有大致圆筒形状。支承部15由石英之类的绝缘材料形成。
支承台16能够具有下部电极18和静电吸盘20。支承台16可以还具有电极板21。电极板21由铝之类的导电性材料形成，具有大致圆盘形状。下部电极18设置于电极板21上。下部电极18由铝之类的导电性材料形成，具有大致圆盘形状。下部电极18与电极板21电连接。
在下部电极18内形成有流路18f。流路18f为换热介质用的流路。作为换热介质，使用液体状的制冷剂、或通过其气化来冷却下部电极18的制冷剂(例如氟利昂)。流路18f与换热介质的循环装置(例如冷却单元)连接。该循环装置设置于腔室10的外部。从循环装置经由配管23a来向流路18f供给换热介质。被供给至流路18f的换热介质经由配管23b返回循环装置。
静电吸盘20设置于下部电极18上。在内部空间10s内处理基板W时，将该基板W载置于静电吸盘20上，由静电吸盘20进行保持。静电吸盘20具有主体和电极。静电吸盘20的主体由电介质形成。静电吸盘20的主体具有大致圆盘形状。静电吸盘20的电极设置于静电吸盘20的主体内，为膜状的电极。静电吸盘20的电极与直流电源电连接。当从直流电源对静电吸盘20的电极施加电压时，在静电吸盘20与基板W之间产生静电引力。通过产生的静电引力，使基板W吸引于静电吸盘20，由静电吸盘20进行保持。
等离子体处理装置1能够还具备气体供给管线25。气体供给管线25向静电吸盘20的上表面与基板W的背面(下表面)之间供给来自气体供给机构的传热气体、例如He气体。
等离子体处理装置1能够还具备筒状部28和绝缘部29。筒状部28从腔室主体12的底部向上方延伸。筒状部28沿支承部15的外周延伸。筒状部28由导电性材料形成，具有大致圆筒形状。筒状部28电接地。绝缘部29设置于筒状部28上。绝缘部29由具有绝缘性的材料形成。绝缘部29例如由石英之类的陶瓷形成。绝缘部29具有大致圆筒形状。绝缘部29沿电极板21的外周、下部电极18的外周以及静电吸盘20的外周延伸。
下面，参照图1和图2。图2是一个例示性的实施方式所涉及的等离子体处理装置的支承台与聚焦环的局部放大截面图。支承台16具有搭载区域20r。在搭载区域20r上搭载有聚焦环FR。在一例中，搭载区域20r为静电吸盘20的外周区域。聚焦环FR具有大致环状板形状。聚焦环FR具有导电性。聚焦环FR例如由硅或碳化硅(SiC)形成。基板W具有圆盘形状，配置在静电吸盘20上且由聚焦环FR包围的区域内。即，聚焦环FR包围被载置于支承台16上的基板W的边缘。
如图1所示，等离子体处理装置1还具备上部电极30。上部电极30设置于支承台16的上方。上部电极30与构件32一同关闭腔室主体12的上部开口。构件32具有绝缘性。上部电极30经由该构件32支承于腔室主体12的上部。
上部电极30包括顶板34和支承体36。顶板34的下表面划分内部空间10s。在顶板34形成有多个气体喷出孔34a。多个气体喷出孔34a的各个气体喷出孔沿板厚度方向(铅垂方向)贯通顶板34。该顶板34例如由硅形成，但不被限定。或者，顶板34能够具有在铝制的构件的表面设置有耐等离子体性的膜的构造。该膜能够为通过阳极氧化处理形成的膜或由氧化钇形成的膜之类的陶瓷制的膜。
支承体36将顶板34支承为装拆自如。支承体36例如由铝之类的导电性材料形成。在支承体36的内部设置有气体扩散室36a。多个气体孔36b从气体扩散室36a向下方延伸。多个气体孔36b与多个气体喷出孔34a分别连通。在支承体36形成有气体导入端口36c。气体导入端口36c与气体扩散室36a连接。气体导入端口36c与气体供给管38连接。
气体源组40经由阀组41、流量控制器组42以及阀组43来与气体供给管38连接。气体源组40、阀组41、流量控制器组42以及阀组43构成气体供给部。气体源组40包括多个气体源。阀组41和阀组43分别包括多个阀(例如开闭阀)。流量控制器组42包括多个流量控制器。流量控制器组42的多个流量控制器分别为质量流量控制器或压力控制式的流量控制器。气体源组40的多个气体源分别经由阀组41中的对应的阀、流量控制器组42中的对应的流量控制器以及阀组43中的对应的阀来与气体供给管38连接。等离子体处理装置1能够将来自从气体源组40的多个气体源中选择出的一个以上的气体源的气体以单独地调整后的流量供给至内部空间10s。
在筒状部28与腔室主体12的侧壁之间设置有挡板48。挡板48例如能够通过对铝制的构件覆盖氧化钇等陶瓷来构成。在该挡板48形成有大量的贯通孔。在挡板48的下方，排气管52与腔室主体12的底部连接。该排气管52与排气装置50连接。排气装置50具有自动压力控制阀之类的压力控制器、以及涡轮分子泵等真空泵，能够对内部空间10s内的压力进行减压。
在一个实施方式中，等离子体处理装置1能够还具备高频电源61。高频电源61为产生等离子体生成用的高频电力HF的电源。高频电力HF具有27～100MHz的范围内的频率、例如40MHz或60MHz的频率。高频电源61经由匹配器63及电极板21来与下部电极18连接，以向下部电极18供给高频电力HF。匹配器63具有用于使高频电源61的输出阻抗与负载侧(下部电极18侧)的阻抗匹配的匹配电路。此外，高频电源61可以不与下部电极18电连接，可以经由匹配器63来与上部电极30连接。
等离子体处理装置1还具备高频电源62。高频电源62为产生用于向基板W吸引离子的偏置高频电力、即高频电力LF的电源。高频电力LF的频率比高频电力HF的频率低。高频电力LF的频率为400kHz～13.56MHz的范围内的频率，例如为400kHz。高频电源62经由匹配器64及电极板21来与下部电极18连接，以向下部电极18供给高频电力LF。匹配器64具有用于使高频电源62的输出阻抗与负载侧(下部电极18侧)的阻抗匹配的匹配电路。
在该等离子体处理装置1中，向内部空间10s供给气体。然后，供给高频电力HF和高频电力LF、或高频电力LF，由此在内部空间10s中激励气体。其结果，在内部空间10s内生成等离子体。通过来自所生成的等离子体的离子和/或自由基之类的化学物种来对基板W进行处理。
在一个实施方式中，等离子体处理装置1能够还具备测定电路70。测定电路70具有电压传感器70v。测定电路70经由高频电力LF的供电线及电极板21来与下部电极18电连接。如图2所示，下部电极18经由导体22来与聚焦环FR电连接。此外，测定电路70可以不经由高频电力LF的供电线、电极板21以及下部电极18中的一个以上地与聚焦环FR电连接。例如，测定电路70可以经由其它电气路径来与聚焦环FR连接。
测定电路70具有电压传感器70v。测定电路70可以还具有电流传感器70i。在一个实施方式中，测定电路70具有分压电路。在一例中，分压电路为电阻分压电路。电压传感器70v与电阻分压电路的两个电阻之间的节点连接。电压传感器70v构成为获取该节点处的电压的测定值、即表示聚焦环FR的直流电位的测定值(下面称作“电位测定值”)。由电压传感器70v获取到的电位测定值被发送到后述的控制部MC。
测定电路70能够还具有电流传感器70i。电流传感器70i构成为获取流过电气路径的电流的测定值(下面称作“电流测定值”)，该电气路径为连接聚焦环FR和测定电路70的路径。由电流传感器70i获取到的电流测定值被发送到控制部MC。
在一个实施方式中，等离子体处理装置1能够还具备直流电源72。直流电源72构成为向聚焦环FR施加负极性的直流电压。通过从直流电源72向聚焦环FR施加负极性的直流电压，来调整处于聚焦环FR的上方的鞘层(等离子体鞘层)的厚度。其结果，调整离子向基板W的边缘入射的入射方向。
测定电路70和直流电源72构成为选择性地与聚焦环FR连接。因此，等离子体处理装置1具备一个以上的开关元件。在一个实施方式中，等离子体处理装置1具备开关元件70s和开关元件72s，以选择性地使测定电路70和直流电源72中的一方与聚焦环FR连接。开关元件70s和开关元件72s分别例如能够为场效应晶体管。当开关元件70s变为导通状态时，测定电路70的分压电路的与地相反的一侧的端部与聚焦环FR连接。当开关元件72s变为导通状态时，直流电源72与聚焦环FR连接。开关元件70s和开关元件72s被控制部MC控制为，在开关元件70s和开关元件72s中的一方处于导通状态时，开关元件70s和开关元件72s中的另一方变为非导通状态。
等离子体处理装置1能够还具备高频截止滤波器74。高频截止滤波器74是为了防止向测定电路70和直流电源72流入高频电力而设置的。高频截止滤波器74例如具有电容器。高频截止滤波器74的电容器的一端同聚焦环FR与测定电路70的分压电路之间、且聚焦环FR与直流电源72之间的电气路径连接。高频截止滤波器74的电容器的另一端接地。
等离子体处理装置1还具备控制部MC。控制部MC为具备处理器、存储装置、输入装置、显示装置等的计算机，控制等离子体处理装置1的各部。具体地说，控制部MC执行存储装置中存储的控制程序，基于该存储装置中存储的制程数据来控制等离子体处理装置1的各部。通过控制部MC的控制，等离子体处理装置1能够执行通过制程数据指定的工艺。另外，通过控制部MC的控制，等离子体处理装置1能够执行各种实施方式所涉及的方法。
下面，参照图3来说明一个例示性的实施方式所涉及的控制等离子体处理装置的高频电源的方法。另外，对由控制部MC对等离子体处理装置1的各部的控制进行说明。图3是表示一个例示性的实施方式所涉及的控制等离子体处理装置的高频电源的方法的流程图。
图3所示的方法MT以工序ST1开始。在工序ST1中，控制部MC使用表或函数来确定与聚焦环FR的直流电位的指定值对应的高频电力LF的电力水平。可以由操作者对控制部MC输入聚焦环FR的直流电位的指定值。或者，可以将聚焦环FR的直流电位的指定值作为制程数据的一部分存储于控制部MC的存储装置。由控制部MC使用的表或函数规定高频电力LF的电力水平与通过向下部电极18供给高频电力LF而产生的聚焦环FR的直流电位之间的关系。表或函数预先被提供给控制部MC。在后文叙述规定聚焦环FR的直流电位与高频电力LF的电力水平之间的关系的表或函数的制作方法。
在方法MT中，在工序ST2和工序ST3的执行期间，将测定电路70与聚焦环FR连接，并将直流电源72与聚焦环FR电切离。在工序ST2中，生成等离子体。在工序ST2中，由控制部MC控制气体供给部，以向腔室10内供给气体。在工序ST2中，控制排气装置50，以将腔室10内的压力设定为指定的压力。在工序ST2中，由控制部MC控制高频电源62，以向下部电极18供给具有在工序ST1中确定出的电力水平的高频电力LF。在工序ST2中，可以由控制部MC控制高频电源61，以向下部电极18(或上部电极30)供给高频电力HF。
在等离子体的生成期间执行接下来的工序ST3。在工序ST3中，能够从工序ST2起持续地生成等离子体。在工序ST3中，由测定电路70获取表示聚焦环FR的直流电位的电位测定值。在工序ST3中，由控制部MC控制高频电源62，来调整高频电力LF的电力水平，以减少指定值与根据电位测定值决定出的聚焦环FR的直流电位之间的差。
下面，参照图4～图6。图4是表示偏置高频电力的电力水平与蚀刻速率之间的关系的一例的曲线图。在图4中，横轴表示偏置高频电力(高频电力LF)的电力水平，纵轴表示蚀刻速率。图5是表示聚焦环的直流电位与蚀刻速率之间的关系的一例的曲线图。在图5中，横轴表示聚焦环FR的直流电位，纵轴表示蚀刻速率。图6是表示偏置高频电力的电力水平与通过向下部电极供给偏置高频电力而产生的聚焦环的直流电位之间的关系的一例的曲线图。
为了得到图4和图5所示的曲线图，在将高频电力LF的电力水平设定为各种值中的各个值的状态下，使用等离子体处理装置1来执行针对氧化硅膜的等离子体蚀刻。高频电力LF的频率为13MHz。在等离子体蚀刻中，向腔室10内供给氟碳气体，将腔室10内的压力设定为20mTorr(2.7Pa)。另外，在等离子体蚀刻中，将高频电力HF的频率、电力水平分别设定为40MHz、500W。然后，求出高频电力LF的电力水平与氧化硅膜的蚀刻速率之间的关系。图4表示所求出的高频电力LF的电力水平与氧化硅膜的蚀刻速率之间的关系。另外，在等离子体蚀刻的执行期间，使用测定电路70的电压传感器70v来求出聚焦环FR的直流电位。然后，求出聚焦环FR的直流电位与氧化硅膜的蚀刻速率之间的关系。另外，求出高频电力LF的电力水平与聚焦环FR的直流电位之间的关系。图5表示所求出的聚焦环FR的直流电位与氧化硅膜的蚀刻速率之间的关系。图6表示所求出的高频电力LF的电力水平与聚焦环FR的直流电位之间的关系。
如图4所示，蚀刻速率根据偏置高频电力、即高频电力LF的电力水平的增加而上升。如图4所示，高频电力LF的电力水平相对于蚀刻速率具有非线性的关系。另一方面，在等离子体的生成期间通过供给高频电力LF而产生的聚焦环FR的直流电位为与基板W的直流电位大致相同的电位，如图5所示，与蚀刻速率处于大致线性的比例关系。在等离子体处理装置1中，使用图6所示那样的表示聚焦环FR的直流电位与高频电力LF的电力水平之间的关系的表或函数、来决定在等离子体的生成时设定的高频电力LF的电力水平。即，在等离子体处理装置1中，基于与蚀刻速率具有大致线性的比例关系的聚焦环FR的直流电位来决定在等离子体的生成时设定的高频电力LF的电力水平。因而，根据等离子体处理装置1，能够提高蚀刻速率的控制性。
此外，即使向下部电极18提供具有同一电力水平的高频电力LF，由于例如等离子体处理装置1的状态的变化，聚焦环FR的直流电位也会发生变化。在一个实施方式中，在等离子体的生成期间，调整高频电力LF的电力水平，以减少根据测定电路70的电位测定值得到的聚焦环FR的实际的直流电位与指定值之差。因而，高精度地实现期望的蚀刻速率。
另外，在一个实施方式中，能够选择性地将直流电源72与聚焦环FR连接。根据该实施方式，能够向聚焦环FR施加直流电压。另外，在测定聚焦环FR的直流电位的电位测定值的情况下，能够将直流电源72与聚焦环FR电切离。
下面，对规定聚焦环FR的直流电位与高频电力LF的电力水平之间的关系的表或函数的制作方法进行说明。图7是表示一个例示性的实施方式所涉及的、规定聚焦环的直流电位与偏置高频电力的电力水平之间的关系的表或函数的制作方法的流程图。
图7所示的制作方法(下面称作“方法MTF”)以工序ST11开始。在工序ST11中，在腔室10内生成等离子体。在工序ST11中，向腔室10内供给的气体、腔室10内的压力、高频电力HF的电力水平之类的条件与方法MT的工序ST2及工序ST3中的条件相同。在工序ST11中，将高频电力LF的电力水平设定为从多个电力水平中依次选择出的一个电力水平。
在接下来的工序ST12中，根据测定电路70的电位测定值来确定聚焦环FR的直流电位。在工序ST12中，获取包括确定出的聚焦环FR的直流电位与在工序ST11中设定的高频电力LF的电力水平的一个数据集。
在接下来的工序ST13中，判定是否满足停止条件。在针对上述的多个电力水平的全部电力水平已经执行了工序ST11的情况下满足停止条件。在工序ST13中判定为不满足停止条件的情况下，再次执行工序ST11和工序ST12。在工序ST11中，将高频电力LF的电力水平设定为多个电力水平中的未选择的一个电力水平。另一方面，在工序ST13中判定为满足停止条件的情况下，处理转移到工序ST14。
在工序ST14中，使用通过反复进行包括工序ST11和工序ST12的序列(sequence)得到的多个数据集、来制作表示聚焦环FR的直流电位与高频电力LF的电力水平之间的关系的表或函数。如上所述，由控制部MC使用通过方法MTF制作出的表或函数，以根据指定值来决定高频电力LF的电力水平。
以上，对各种例示性的实施方式进行了说明，但不限定于上述的例示性的实施方式，可以进行各种省略、置换和变更。另外，能够组合不同的实施方式中的要素来形成其它实施方式。
例如，在其它实施方式中，等离子体处理装置可以为与电容耦合型的等离子体处理装置不同的任意类型的等离子体处理装置。作为这样的等离子体处理装置，能够例示电感耦合型的等离子体处理装置、使用微波之类的表面波来生成等离子体的等离子体处理装置。
根据以上的说明，应理解的是，对于本公开的各种实施方式，出于说明的目的在本说明书中进行了说明，能够不脱离本公开的范围和主旨地进行各种变更。因而，本说明书所公开的各种实施方式并不意图进行限定，真正的范围和主旨通过所附的权利要求书来示出。
附图标记说明
1：等离子体处理装置；10：腔室；16：支承台；18：下部电极；62：高频电源；MC：控制部。

Claims (6)

1.一种等离子体处理装置，具备：
腔室；
基板支承台，其设置于所述腔室内，包括下部电极；
高频电源，其构成为向所述下部电极供给偏置高频电力；以及
控制部，其构成为控制所述高频电源，
其中，在所述基板支承台上以包围基板的方式搭载有聚焦环，
所述控制部使用规定所述偏置高频电力的电力水平与通过向所述下部电极供给该偏置高频电力而产生的所述聚焦环的直流电位之间的关系的表或函数、来确定与所述聚焦环的直流电位的指定值对应的所述偏置高频电力的电力水平，
在所述腔室内生成等离子体的期间，所述控制部控制所述高频电源，以向所述下部电极供给具有确定出的所述电力水平的所述偏置高频电力。
2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，
还具备测定电路，所述测定电路构成为获取表示所述聚焦环的直流电位的测定值，
在所述腔室内生成等离子体的期间，所述控制部调整所述偏置高频电力的电力水平，以减少所述指定值与根据所述测定值决定出的所述聚焦环的直流电位之间的差。
3.根据权利要求1或2所述的等离子体处理装置，其特征在于，
还具备直流电源，所述直流电源构成为选择性地与所述聚焦环连接。
4.根据权利要求1或2所述的等离子体处理装置，其特征在于，
所述等离子体处理装置为电容耦合型的等离子体处理装置。
5.一种控制等离子体处理装置的高频电源的方法，所述方法包括以下工序：
使用规定偏置高频电力的电力水平与通过向基板支承台的下部电极供给该偏置高频电力而产生的聚焦环的直流电位之间的关系的表或函数、来确定与所述聚焦环的直流电位的指定值对应的偏置高频电力的电力水平，其中，所述基板支承台设置于所述等离子体处理装置的腔室内，所述聚焦环以包围基板的方式搭载于该基板支承台上；以及
在所述腔室内生成等离子体的期间，控制所述高频电源，以向所述下部电极供给具有确定出的所述电力水平的偏置高频电力。
6.根据权利要求5所述的控制等离子体处理装置的高频电源的方法，其特征在于，
还包括以下工序：在所述腔室内生成等离子体的期间，调整所述偏置高频电力的电力水平，以减少所述指定值与根据表示所述聚焦环的直流电位的测定值决定出的该聚焦环的该直流电位之间的差。
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SE01 Entry into force of request for substantive examination
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GR01 Patent grant
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