CN111090353A - 显示装置 - Google Patents

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Abstract

公开了一种显示装置。所述显示装置包括：显示面板以及输入传感器，输入传感器设置在显示面板上并包括布置在布线区域中的信号线组以及设置在感测区域中的第一感测电极和第二感测电极，第一感测电极和第二感测电极中的每个具有电连接到相应的信号线的一端，其中，第二感测电极具有比第一感测电极的长度大的长度，信号线组包括分别电连接到第一感测电极和第二感测电极的第一信号线组和第二信号线组，第一感测电极中的每个包括第一桥接图案，第一桥接图案与第二感测电极叠置并与第二感测电极设置在不同的层上，并且第一感测电极和第二感测电极中的一个被构造为接收正弦信号。

Description

显示装置
技术领域
发明的示例性实施例总体涉及一种显示装置，更具体地，涉及一种包括输入传感器的显示装置。
背景技术
正在开发用在多媒体装置(诸如，电视机、移动电话、平板计算机、导航仪、游戏机等)中的各种显示装置。显示装置的输入器件通常包括键盘、鼠标等。此外，显示装置可包括作为输入器件的触摸面板。
在该背景技术部分中公开的以上信息仅用于理解发明构思的背景，因此，它可包含不构成现有技术的信息。
发明内容
根据发明的示例性实施例构造的显示装置包括具有提高的灵敏度的输入传感器。
发明构思的附加特征将在下面的描述中阐述，并且部分地将通过该描述而明显，或者可通过发明构思的实践来获知。
根据示例性实施例的显示装置包括显示面板和输入传感器，输入传感器设置在显示面板上并包括感测区域和位于感测区域外的布线区域，输入传感器包括布置在布线区域中的信号线组以及设置在感测区域中的第一感测电极和第二感测电极，第一感测电极和第二感测电极中的每个具有电连接到信号线组中的相应的信号线的一端，其中，第二感测电极具有比第一感测电极的长度大的长度，信号线组包括电连接到第一感测电极的第一信号线组和电连接到第二感测电极的第二信号线组，第一感测电极中的每个包括第一桥接图案，第一桥接图案与第二感测电极叠置并与第二感测电极设置在不同的层上，并且第一感测电极和第二感测电极中的一个被构造为接收正弦信号。
第一感测电极和第二感测电极中的另一个可被构造为向感测电路提供与正弦信号对应的感测信号。
第二感测电极中的每个可具有一体的形状。
显示面板可包括与感测区域对应的显示区域以及与布线区域对应的非显示区域，显示区域可包括发光区域和非发光区域，并且第一感测电极中的每个可具有与发光区域对应的开口。
信号线组中的相应的信号线的至少一部分可与第二感测电极设置在同一层上。
输入传感器还可包括绝缘层，绝缘层设置在第一桥接图案与第二感测电极之间并覆盖感测区域。
第一信号线组可包括第一侧信号线和第二侧信号线，第一侧信号线电连接到第一感测电极之中的奇数编号的感测电极，第二侧信号线电连接到第一感测电极之中的偶数编号的感测电极，并且第一侧信号线和第二侧信号线可沿第一感测电极的延伸方向彼此分隔开，并且感测区域位于第一侧信号线与第二侧信号线之间。
输入传感器还可包括：第一虚设图案，分别布置在第一感测电极内；以及第二虚设图案，分别布置在第二感测电极内。
输入传感器还可包括连接第一虚设图案的第二桥接图案。
第一虚设图案中的至少一个可包括中心部和延伸部，延伸部沿第一感测电极的延伸方向布置在中心部的两侧上，并且延伸部中的每个可连接到第二桥接图案之中的相应的第二桥接图案。
第一桥接图案和第二桥接图案可设置在同一层上。
第二桥接图案可被布置为与第一桥接图案对应，并且第二桥接图案可具有比第一桥接图案之中的相应的第一桥接图案的长度大的长度。
输入传感器还可包括虚设信号线，虚设信号线连接到第一虚设图案之中的沿第一感测电极的延伸方向的最外侧的第一虚设图案。
输入传感器还可包括第三桥接图案，第三桥接图案与虚设信号线相交叉并且与虚设信号线绝缘，并且第三桥接图案可连接第一感测电极和第一信号线组的信号线。
所述显示装置还可包括在平面图中向内凹进的凹口区域。
显示面板可包括基体层、设置在基体层上的电路元件层、设置在电路元件层上的显示元件层以及设置在显示元件层上的上绝缘层，显示装置还可包括信号传输区域，在信号传输区域中基体层、电路元件层、显示元件层和上绝缘层中的至少一部分被去除。
根据另一示例性实施例的显示装置包括：显示面板以及设置在显示面板上的输入传感器，输入传感器包括第一感测电极以及第二感测电极，第二感测电极与第一感测电极相交叉并具有比第一感测电极的长度大的长度，其中，第一感测电极包括与第二感测电极设置在同一层上的传感器部和与第二感测电极设置在不同层上的桥接图案，桥接图案中的至少一个与第二感测电极叠置，并且第一感测电极和第二感测电极中的一个被构造为通过第一感测电极和第二感测电极中的一个的一端接收正弦信号。
根据又一示例性实施例的显示装置包括显示面板以及设置在显示面板上的输入传感器，输入传感器包括绝缘层、第一感测电极以及第二感测电极，第二感测电极与第一感测电极相交叉，具有比第一感测电极的长度大的长度，并具有一体的形状，其中，第一感测电极包括第一部分和第二部分，第一部分设置在绝缘层上，第二部分设置在绝缘层下方并通过穿透绝缘层的接触孔连接到第一部分，并且第一感测电极和第二感测电极中的一个被构造为通过第一感测电极和第二感测电极中的一个的一端接收正弦信号。
第二感测电极可设置在绝缘层上。
第二感测电极的第一端可连接到信号线，并且第二感测电极的第二端被电隔离。
将理解的是，前面的概括性描述和以下的详细描述二者都是示例性的和说明性的，并且意在提供对如所要求的发明的进一步说明。
附图说明
附图示出了发明的示例性实施例并与描述一起用于解释发明构思，附图被包括以提供对发明的进一步理解并且被并入本说明书中并构成本说明书的一部分。
图1是根据发明构思的示例性实施例的显示装置的透视图。
图2A、图2B、图2C和图2D是根据发明构思的示例性实施例的显示装置的剖视图。
图3A和图3B是根据发明构思的示例性实施例的显示面板的剖视图。
图4是根据发明构思的示例性实施例的显示面板的平面图。
图5A是根据发明构思的示例性实施例的图3A的显示面板的放大剖视图。
图5B是根据发明构思的示例性实施例的上绝缘层的放大剖视图。
图6A是根据发明构思的示例性实施例的输入感测层的剖视图。
图6B是根据发明构思的示例性实施例的输入感测层的平面图。
图6C和图6D是根据发明构思的示例性实施例的输入感测层的局部剖视图。
图6E是图6B的区域AA的放大平面图。
图7A是根据发明构思的示例性实施例的感测单元的平面图。
图7B是根据发明构思的示例性实施例的感测单元的交叉区域的放大平面图。
图7C是根据发明构思的示例性实施例的输入传感器的等效电路图。
图7D是示出根据发明构思的示例性实施例的驱动信号的波形的曲线图。
图7E是示出由于输入传感器的结构引起的1分贝带宽特性的曲线图。
图8A是根据发明构思的示例性实施例的输入传感器的平面图。
图8B是根据发明构思的示例性实施例的输入传感器的局部平面图。
图8C是根据发明构思的示例性实施例的输入传感器的交叉区域的放大平面图。
图8D是根据发明构思的示例性实施例的输入传感器的平面图。
图9A是根据发明构思的示例性实施例的输入传感器的平面图。
图9B是根据发明构思的示例性实施例的输入传感器的局部剖视图。
图9C是根据发明构思的示例性实施例的输入传感器的等效电路图。
图10A是根据发明构思的示例性实施例的显示模块的透视图。
图10B是根据发明构思的示例性实施例的输入感测层的平面图。
图11A是根据发明构思的示例性实施例的显示模块的透视图。
图11B是根据发明构思的示例性实施例的输入感测层的平面图。
具体实施方式
在下面的描述中，出于解释的目的，阐述了许多特定细节以提供对发明的各种示例性实施例或实施方式的彻底的理解。如在此使用的，“实施例”和“实施方式”是可互换的词，“实施例”和“实施方式”是采用在此公开的一个或更多个发明构思的装置或方法的非限制性示例。然而，明显的是，可在没有这些特定细节或者具有一个或更多个等同布置的情况下来实践各种示例性实施例。在其他情况下，以框图形式示出了公知的结构和装置，以避免使各种示例性实施例不必要地模糊。此外，各种示例性实施例可以是不同的，但不必是排他性的。例如，在不脱离发明构思的情况下，示例性实施例的特定形状、构造和特性可在另一示例性实施例中使用或实施。
除非另外说明，否则示出的示例性实施例将被理解为提供其中可在实践中实现发明构思的一些方式的不同细节的示例性特征。因此，除非另外说明，否则在不脱离发明构思的情况下，各种实施例的特征、组件、模块、层、膜、面板、区域和/或方面等(在下文中，单独地或统称为“元件”)可另外地组合、分离、互换和/或重新布置。
通常提供附图中的交叉影线和/或阴影的使用来阐明相邻元件之间的边界。这样，除非说明，否则交叉影线或阴影的存在或不存在都不传达或指示对元件的具体材料、材料性质、尺寸、比例、示出的元件之间的共性和/或任何其他特性、属性、性质等的任何偏好或要求。此外，在附图中，出于清楚和/或描述的目的，可夸大元件的尺寸和相对尺寸。当可不同地实施示例性实施例时，可与描述的顺序不同地执行特定的工艺顺序。例如，可基本同时执行或以与描述的顺序相反的顺序执行两个连续描述的工艺。此外，同样的附图标记表示同样的元件。
当元件或层被称为“在”另一元件或层“上”、“连接到”或“结合到”另一元件或层时，该元件或层可直接在所述另一元件或层上、直接连接到或直接结合到所述另一元件或层，或者可存在中间元件或层。然而，当元件或层被称为“直接在”另一元件或层“上”、“直接连接到”或“直接结合到”另一元件或层时，不存在中间元件或层。为此，术语“连接”可表示在存在或不存在中间元件的情况下的物理连接、电连接和/或流体连接。此外，DR1轴、DR2轴和DR3轴不限于直角坐标系的三个轴(诸如x轴、y轴和z轴)，而是可以以更宽泛的含义来解释。例如，DR1轴、DR2轴和DR3轴可彼此垂直，或者可表示彼此不垂直的不同方向。出于本公开的目的，“X、Y和Z中的至少一个(种/者)”和“从由X、Y和Z组成的组选择的至少一个(种/者)”可被解释为仅X、仅Y、仅Z，或者X、Y和Z中的两个或更多个的任意组合，诸如以XYZ、XYY、YZ和ZZ为例。如在此使用的，术语“和/或”包括相关所列项中的一个或更多个的任意组合和所有组合。
尽管术语“第一”、“第二”等在此可用于描述各种类型的元件，但是这些元件不应被这些术语限制。这些术语用于将一个元件与另一元件区分开。因此，在不脱离公开的教导的情况下，下面讨论的第一元件可被称为第二元件。
出于描述的目的，在此可使用诸如“在……之下”、“在……下方”、“在……下”、“下”、“在……上方”、“上”、“在……之上”、“较高的”、“侧”(例如，如在“侧壁”中)等的空间相对术语，由此来描述如附图中示出的一个元件与另外的元件的关系。除了附图中描绘的方位之外，空间相对术语意图包含设备在使用、操作和/或制造中的不同方位。例如，如果附图中的设备被翻转，则被描述为“在”其他元件或特征“下方”或“之下”的元件随后将被定位为“在”所述其他元件或特征“上方”。因此，示例性术语“在……下方”可包括上方和下方两种方位。此外，设备可被另外定位(例如，旋转90度或在其他方位处)，这样，相应地解释在此使用的空间相对描述语。
在此使用的术语是为了描述具体实施例的目的，而不是意图进行限制。如在此使用的，除非上下文另外清楚地指出，否则单数形式“一个”、“一种”和“该(所述)”也意图包括复数形式。此外，当术语“包括”及其变型和/或“包含”及其变型用在本说明书中时，说明存在陈述的特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组，但是不排除存在或添加一个或更多个其他特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。还注意的是，如在此使用的，术语“基本”、“大约”和其他类似术语用作近似术语而不是用作程度术语，这样被用来解释将由本领域普通技术人员认可的测量值、计算值和/或提供值的固有偏差。
在此参照作为理想化的示例性实施例和/或中间结构的示意图的剖视图和/或分解图来描述各种示例性实施例。这样，将预期例如由制造技术和/或公差导致的图示的形状的变化。因此，在此公开的示例性实施例应不必被解释为限于区域的具体示出的形状，而是将包括由例如制造导致的形状的偏差。以这种方式，附图中示出的区域本质上可以是示意性的，并且这些区域的形状可不反映装置的区域的实际形状，并且这样不必意图进行限制。
除非另外定义，否则在此使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开是其一部分的领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。除非在此明确地如此定义，否则术语(诸如在通用词典中定义的术语)应被解释为具有与它们在相关领域的上下文中的含义一致的含义，而不应以理想化或过于正式的含义来进行解释。
图1是根据发明构思的示例性实施例的显示装置DD的透视图。
如图1中所示，显示装置DD可通过显示表面DD-IS显示图像IM。显示表面DD-IS基本平行于通过第一方向轴DR1和第二方向轴DR2限定的平面。显示表面DD-IS的法线方向(例如，显示装置DD的厚度方向)通过第三方向轴DR3指示。
以下描述的每个构件或单元的前表面(或顶表面)和后表面(或底表面)通过第三方向轴DR3来限定。然而，第一方向轴DR1至第三方向轴DR3仅是示例性的，并且可在一些示例性实施例中被改变。在下文中，由第一方向轴DR1至第三方向轴DR3指示的第一方向至第三方向由相同的附图符号表示。
在示例性实施例中，显示装置DD被示出为具有平坦的显示表面DD-IS，但是发明构思不限于此。例如，显示装置DD可包括弯曲显示表面或三维显示表面。三维显示表面可包括指示不同方向的多个显示区域，并且可包括例如多边形柱型显示表面。
显示装置DD可以是刚性显示装置。然而，发明构思不限于此，并且在一些示例性实施例中，显示装置DD可以是柔性显示装置DD。柔性显示装置DD可包括部分地弯曲的可弯曲显示装置或可折叠显示装置。
例如，根据示出的示例性实施例的显示装置DD被示出为可应用于蜂窝电话。尽管未示出，但是安装在主板上的电子模块、相机模块、电源模块等可与显示装置DD一起布置在支架/壳体等中，以提供蜂窝电话。此外，在一些示例性实施例中，显示装置DD可被应用于大型电子装置(诸如，电视机、监视器等)或者小型或中型电子装置(诸如，平板计算机、车辆导航仪、游戏机、智能手表等)。
如图1中所示，显示表面DD-IS包括其中显示有图像IM的图像区域DD-DA以及与图像区域DD-DA相邻的边框区域DD-NDA。边框区域DD-NDA中不显示图像。图1示出图标图像作为图像IM的示例。
如图1中所示，图像区域DD-DA可以是大体上矩形。如在此使用的，术语“大体上矩形”表示几何矩形形状以及在其顶点区域(或角区域)中具有弯曲边界的矩形形状。
边框区域DD-NDA可围绕图像区域DD-DA。然而，发明构思不限于此，可相对地设计图像区域DD-DA的形状和边框区域DD-NDA的形状。
图2A至图2D是根据发明构思的示例性实施例的显示装置DD的剖视图。图2A至图2D示出了通过第二方向轴DR2和第三方向轴DR3限定的剖面。图2A至图2D示例性地示出了呈现根据示例性实施例的包括在显示装置DD中的功能构件的层叠结构的剖面。
根据发明构思的示例性实施例的显示装置DD可包括显示面板、输入传感器、防反射器和窗。显示面板、输入传感器、防反射器和窗中的至少一些元件可通过连续工艺形成，或者可使用粘合构件彼此结合。图2A至图2D示例性地示出了作为粘合构件的光学透明粘合剂OCA。粘合构件可包括典型的粘合剂或可去除的粘合剂。在发明构思的示例性实施例中，防反射器和窗可被其他元件替换或者可被省略。
针对图2A至图2D，在输入传感器、防反射器和窗之中，与另一元件通过连续工艺形成的任何一个元件被称为“层”。在输入传感器、防反射器和窗之中，通过粘合构件结合到另一元件的任何一个元件被称为“面板”。面板包括提供基体表面的基体层(例如，合成树脂膜、复合材料膜、玻璃基底等)，但“层”可不被提供有基体层。具体地，被称为“层”的单元布置在由另一单元提供的基体表面上。
输入传感器、防反射器和窗可分别被称为输入感测面板ISP、防反射面板RPP和窗面板WP，或者可分别被称为输入感测层ISL、防反射层RPL和窗层WL。
如图2A中所示，显示装置DD可包括显示面板DP、输入感测层ISL、防反射面板RPP和窗面板WP。输入感测层ISL可直接设置在显示面板DP上。如在此使用的，术语元件B“直接设置”在元件A上可表示元件A与元件B之间没有设置另外的粘合层/粘合构件。例如，在元件A被形成之后，可在由元件A提供的基体表面上通过连续工艺来形成元件B。
显示面板DP和直接设置在显示面板DP上的输入感测层ISL可被限定为显示模块DM。光学透明粘合剂OCA设置在显示模块DM与防反射面板RPP之间以及防反射面板RPP与窗面板WP之间。
显示面板DP生成图像，输入感测层ISL获得外部输入(例如，触摸事件)的坐标信息。根据发明构思的示例性实施例的显示模块DM还可包括设置在显示面板DP下方的保护构件。保护构件和显示面板DP可通过粘合构件接合。下面描述并在图2B至图2D中示出的显示装置DD也可包括保护构件。
根据发明构思的示例性实施例的显示面板DP可以是发光显示面板，但是发明构思不限于此。例如，显示面板DP可以是有机发光显示面板或量子点发光显示面板。有机发光显示面板的发射层可包括有机发光材料。量子点发光显示面板的发射层可包括量子点、量子棒等。在下文中，显示面板DP将被描述为有机发光显示面板。
防反射面板RPP降低入射在窗面板WP上方的外部光的反射率。根据发明构思的示例性实施例的防反射面板RPP可包括相位延迟器和偏振器。相位延迟器可以是膜型或液晶涂覆型，并且可包括λ/2相位延迟器和/或λ/4相位延迟器。偏振器可以是膜型或液晶涂覆型。膜型可包括拉伸合成树脂膜，液晶涂覆型可包括以预定形式排列的液晶。相位延迟器和偏振器还可包括保护膜。相位延迟器和偏振器或包括其保护膜的相位延迟器和偏振器可用作防反射面板RPP的基体层。
根据发明构思的示例性实施例的防反射面板RPP可包括滤色器。滤色器可具有预定布置。可考虑从包括在显示面板DP中的像素发射的光的颜色来确定滤色器的布置。防反射面板RPP还可包括与滤色器相邻的黑色矩阵。
根据发明构思的示例性实施例的防反射面板RPP可包括相消干涉结构。例如，相消干涉结构可包括布置在不同层上的第一反射层和第二反射层。从第一反射层和第二反射层反射的第一反射光和第二反射光可彼此相消干涉，从而降低外部光的反射率。
根据发明构思的示例性实施例的窗面板WP包括基体层WP-BS和遮光图案WP-BZ。基体层WP-BS可包括玻璃基底和/或合成树脂膜。基体层WP-BS不限于单层。例如，基体层WP-BS可包括通过粘合构件接合的两个或更多个膜。
遮光图案WP-BZ与基体层WP-BS部分地叠置。遮光图案WP-BZ可设置在基体层WP-BS的后表面上，并且可基本限定显示装置DD的边框区域DD-NDA。未设置有遮光图案WP-BZ的区域可限定显示装置DD的图像区域DD-DA。在窗面板WP中，设置有遮光图案WP-BZ的区域可被限定为窗面板WP的遮光区域，未设置有遮光图案WP-BZ的区域可被限定为窗面板WP的透射区域。
遮光图案WP-BZ可具有多层结构。多层结构可包括着色层和黑色遮光层。着色层和黑色遮光层可通过沉积工艺、印刷工艺或涂覆工艺形成。窗面板WP还可包括设置在基体层WP-BS的前表面上的功能涂层。功能涂层可包括防指纹层、防反射层、硬涂层等。在图2B至图2D中，简单地示出了窗面板WP和窗层WL，而没有将基体层WP-BS和遮光图案WP-BZ进行区分。
如图2B和图2C中所示，显示装置DD可包括显示面板DP、输入感测面板ISP、防反射面板RPP和窗面板WP。在一些示例性实施例中，可改变输入感测面板ISP和防反射面板RPP的堆叠顺序。
如图2D中所示，显示装置DD可包括显示面板DP、输入感测层ISL、防反射层RPL和窗层WL。与图2A的显示装置DD相比，根据示出的示例性实施例的显示装置DD未提供有粘合构件，并且可通过连续工艺在由显示面板DP提供的基体表面上形成输入感测层ISL、防反射层RPL和窗层WL。在一些示例性实施例中，可改变输入感测层ISL和防反射层RPL的堆叠顺序。
图3A和图3B是根据发明构思的示例性实施例的显示面板DP的剖视图。
如图3A中所示，根据示例性实施例的显示面板DP包括基体层BL以及设置在基体层BL上的电路元件层DP-CL、显示元件层DP-OLED和上绝缘层TFL。可在显示面板DP中限定分别与图1中示出的图像区域DD-DA和边框区域DD-NDA对应的显示区域DP-DA和非显示区域DP-NDA。如在此使用的，当区域被称为与另一区域对应时，这些区域彼此叠置但不必具有相同的面积/形状。
基体层BL可包括至少一个塑料膜。基体层BL可包括塑料基底、玻璃基底、金属基底、有机/无机复合材料基底等。
电路元件层DP-CL包括电路元件和至少一个绝缘层。绝缘层可包括至少一个无机膜和至少一个有机膜。电路元件包括信号线、像素驱动电路等，这将在下面更详细地描述。
显示元件层DP-OLED可包括至少一个有机发光二极管。显示元件层DP-OLED还可包括有机膜，诸如像素限定膜。
上绝缘层TFL包括多个薄膜。一部分薄膜被设置为提高光学效率，并且另一部分薄膜被设置为保护有机发光二极管。下面将更详细地描述上绝缘层TFL。
如图3B中所示，根据示例性实施例的显示面板DP包括基体层BL、布置在基体层BL上的电路元件层DP-CL、显示元件层DP-OLED和封装基底ES以及用于将基体层BL(例如电路元件层DP-CL)和封装基底ES接合的密封剂SM。封装基底ES可与显示元件层DP-OLED分隔开，并且封装基底ES与显示元件层DP-OLED之间具有预定间隙GP。基体层BL和封装基底ES可包括塑料基底、玻璃基底、金属基底、有机/无机复合材料基底等。密封剂SM可包括有机粘合构件、玻璃料等。密封剂SM可与电路元件层DP-CL接触，然而，发明构思不限于此。例如，电路元件层DP-CL的一部分可被去除，并且密封剂SM可接触基体层BL。
图4是根据发明构思的示例性实施例的显示面板DP的平面图。图5A是图3A的显示面板DP的放大剖视图。图5B是根据发明构思的示例性实施例的上绝缘层TFL的放大剖视图。
如图4中所示，显示面板DP可包括驱动电路GDC、多条信号线SGL(在下文中被称为“信号线”)、多个信号垫(pad，或被称为焊盘)DP-PD(在下文中被称为“信号垫”)和多个像素PX(在下文中被称为“像素”)。
显示区域DP-DA可被限定为其中布置有像素PX的区域。每个像素PX可包括有机发光二极管和连接到有机发光二极管的像素驱动电路。驱动电路GDC、信号线SGL、信号垫DP-PD和像素驱动电路可包括在图3A和图3B中示出的电路元件层DP-CL中。
驱动电路GDC可包括扫描驱动电路。扫描驱动电路生成多个扫描信号(在下文中被称为“扫描信号”)，并顺序地将扫描信号输出到多条扫描线GL(在下文中被称为“扫描线”)，稍后将对其更详细地描述。扫描驱动电路还可将另外的控制信号输出到像素PX的驱动电路。
扫描驱动电路可包括多个薄膜晶体管，多个薄膜晶体管可通过与用于形成像素PX的驱动电路的工艺(例如，低温多晶硅(LTPS)工艺或低温多晶氧化物(LTPO)工艺)基本相同的工艺形成。
信号线SGL包括扫描线GL、数据线DL、电源线PL和控制信号线CSL。扫描线GL分别连接到相应的像素PX，数据线DL分别连接到相应的像素PX。电源线PL连接到像素PX。控制信号线CSL可向扫描驱动电路提供控制信号。
信号线SGL与显示区域DP-DA和非显示区域DP-NDA叠置。信号线SGL可包括垫单元和线单元。线单元与显示区域DP-DA和非显示区域DP-NDA叠置。垫单元设置在线单元的端部处。垫单元设置在非显示区域DP-NDA中，并且与信号垫DP-PD之中的相应的信号垫叠置。非显示区域DP-NDA的其中布置有信号垫DP-PD的部分可被限定为垫区域DP-PA。电路基底可连接到垫区域DP-PA。
大体上连接到像素PX的线单元可形成更大部分的信号线SGL。线单元连接到像素PX的晶体管T1和T2(见图5A)。线单元可具有单层结构或多层结构，并且可呈一体或具有至少两个部分。所述至少两个部分可布置在不同的层上，并且可经由穿透设置在所述至少两个部分之间的绝缘层的接触孔彼此连接。
图5A是显示面板DP的与晶体管T1和T2以及有机发光二极管OLED对应的局部剖视图。设置在基体层BL上的电路元件层DP-CL包括电路元件和至少一个绝缘层。电路元件包括信号线、像素驱动电路等。电路元件层DP-CL可经由通过涂覆、沉积等形成绝缘层、半导体层和导电层的工艺以及通过光刻使绝缘层、半导体层和导电层图案化的工艺来形成。
根据示例性实施例的电路元件层DP-CL可包括缓冲膜BFL、第一无机膜10、第二无机膜20以及有机膜30。缓冲膜BFL可包括多个层叠无机膜。图5A示例性地示出了形成开关晶体管T1和驱动晶体管T2的第一半导体图案OSP1、第二半导体图案OSP2、第一控制电极GE1、第二控制电极GE2、第一输入电极DE1、第一输出电极SE1、第二输入电极DE2和第二输出电极SE2的布置。还示例性地示出了第一通孔CH1、第二通孔CH2、第三通孔CH3和第四通孔CH4。
显示元件层DP-OLED可包括有机发光二极管OLED。显示元件层DP-OLED包括像素限定膜PDL。例如，像素限定膜PDL可以是有机层。
第一电极AE设置在有机膜30上。第一电极AE经由穿透有机膜30的第五通孔CH5连接到第二输出电极SE2。在像素限定膜PDL中限定有开口OP。像素限定膜PDL的开口OP使第一电极AE的至少一部分暴露。像素限定膜PDL的开口OP被称为“发光开口”，以将开口OP与其他开口区分开。
如图5A中所示，显示区域DP-DA可包括发光区域PXA和与发光区域PXA相邻的非发光区域NPXA。非发光区域NPXA可围绕发光区域PXA。在示出的发明构思的示例性实施例中，发光区域PXA被限定为对应于第一电极AE的通过发光开口OP暴露的部分区域。
空穴控制层HCL可公共地设置在发光区域PXA和非发光区域NPXA中。空穴控制层HCL可包括空穴传输层，并且还可包括空穴注入层。发射层EML设置在空穴控制层HCL上。发射层EML可设置在与发光开口OP对应的区域中。更具体地，可在每个像素PX中单独地形成发射层EML。发射层EML可包括有机材料和/或无机材料。发射层EML可生成预定颜色的光。
电子控制层ECL设置在发射层EML上。电子控制层ECL可包括电子传输层，并且还可包括电子注入层。空穴控制层HCL和电子控制层ECL可使用开口掩模共同形成在多个像素PX中。第二电极CE设置在电子控制层ECL上。第二电极CE呈一体并且公共地设置在多个像素PX中。
如图5A和图5B中所示，上绝缘层TFL设置在第二电极CE上。上绝缘层TFL可包括多个薄膜。根据示例性实施例的上绝缘层TFL可包括覆盖层CPL和薄膜封装层TFE。薄膜封装层TFE可包括第一无机层IOL1、有机层OL和第二无机层IOL2。
覆盖层CPL设置在第二电极CE上并接触第二电极CE。覆盖层CPL可包括有机材料。第一无机层IOL1设置在覆盖层CPL上并接触覆盖层CPL。有机层OL设置在第一无机层IOL1上并接触第一无机层IOL1。第二无机层IOL2设置在有机层OL上并接触有机层OL。
覆盖层CPL保护第二电极CE免受后续工艺(例如，溅射工艺)的影响，并且提高有机发光二极管OLED的发光效率。覆盖层CPL可具有比第一无机层IOL1的折射率大的折射率。
第一无机层IOL1和第二无机层IOL2保护显示元件层DP-OLED免受湿气/氧的影响，有机层OL保护显示元件层DP-OLED免受异物(诸如灰尘颗粒)的影响。第一无机层IOL1和第二无机层IOL2可以是氮化硅层、氮氧化硅层和氧化硅层中的任何一种。在发明构思的示例性实施例中，第一无机层IOL1和第二无机层IOL2还可包括氧化钛层、氧化铝层等。有机层OL可包括丙烯酸有机层，但不限于此。
在示例性实施例中，还可在覆盖层CPL与第一无机层IOL1之间设置无机层(例如LiF层)。LiF层可提高有机发光二极管OLED的发光效率。
图6A是根据发明构思的示例性实施例的输入感测层ISL的剖视图。图6B是根据发明构思的示例性实施例的输入感测层ISL的平面图。图6C和图6D是根据发明构思的示例性实施例的输入感测层ISL的局部剖视图，具体地，图6C是沿图6B中的线I-I'截取的剖视图，图6D是沿图6B中的线II-II'截取的剖视图。图6E是图6B的区域AA的放大平面图。图6A至图6E示例性地示出了输入感测层ISL作为输入传感器。
如图6A中所示，输入感测层ISL可包括第一绝缘层IS-IL1、第一导电层IS-CL1、第二绝缘层IS-IL2、第二导电层IS-CL2以及第三绝缘层IS-IL3。第一绝缘层IS-IL1可直接设置在上绝缘层TFL上。在发明构思的示例性实施例中，可省略第一绝缘层IS-IL1。
第一导电层IS-CL1和第二导电层IS-CL2中的每个可具有单层结构，或者可具有沿第三方向轴DR3层叠的多层结构。多层导电层可包括透明导电层和金属层之中的至少两个层。多层导电层可包括包含不同金属的金属层。透明导电层可包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟锡锌(ITZO)、PEDOT、金属纳米线、石墨烯。金属层可包括钼、银、钛、铝及其合金。例如，第一导电层IS-CL1和第二导电层IS-CL2中的每个可具有金属三层结构，例如，钛/铝/钛的三层结构。
第一导电层IS-CL1和第二导电层IS-CL2中的每个包括多个导电图案。在下文中，第一导电层IS-CL1被描述为包括第一导电图案，第二导电层IS-CL2被描述为包括第二导电图案。第一导电图案和第二导电图案中的每个可包括感测电极和连接到感测电极的信号线。
第一绝缘层IS-IL1至第三绝缘层IS-IL3中的每个可包括无机材料或有机材料。在发明构思的示例性实施例中，第一绝缘层IS-IL1和第二绝缘层IS-IL2可以是包括无机材料的无机膜。无机膜可包括氧化铝、氧化钛、氧化硅、氧氮化硅、氧化锆和氧化铪中的至少一种。第三绝缘层IS-IL3可包括有机膜。有机膜可包括丙烯酸树脂、甲基丙烯酸树脂、聚异戊二烯、乙烯基类树脂、环氧类树脂、氨基甲酸乙酯类树脂、纤维素树脂、硅氧烷类树脂、聚酰亚胺类树脂、聚酰胺类树脂和苝类树脂中的至少一种。
在发明构思的示例性实施例中，第二绝缘层IS-IL2可覆盖稍后将描述的感测区域IS-DA。具体地，第二绝缘层IS-IL2可与感测区域IS-DA基本叠置。在一些示例性实施例中，第二绝缘层IS-IL2可包括多个绝缘图案。多个绝缘图案可布置在感测单元SU的每个交叉区域处，以使第一感测电极IE1至IE1-10与第二感测电极IE2-1至IE2-8绝缘。
如图6B中所示，输入感测层ISL可包括分别与显示面板DP的显示区域DP-DA和非显示区域DP-NDA对应的感测区域IS-DA和布线区域IS-NDA。感测区域IS-DA可被限定为其中布置有第一电极组EG1和第二电极组EG2的区域。
输入感测层ISL包括第一电极组EG1、第二电极组EG2以及连接到第一电极组EG1和第二电极组EG2的信号线组。图6B示出了根据示例性实施例的包括两个信号线组SG1和SG2的输入感测层ISL。第一信号线组SG1和第二信号线组SG2布置在布线区域IS-NDA中。
在发明构思的示例性实施例中，输入感测层ISL可以是电容式触摸传感器。第一电极组EG1和第二电极组EG2中的一个可接收驱动信号，并且另一个可输出第一电极组EG1与第二电极组EG2之间的电容的变化作为感测信号。
第一电极组EG1包括多个第一感测电极IE1-1至IE1-10。图6B示出了第一电极组EG1包括例如10个第一感测电极IE1-1至IE1-10。第一感测电极IE1-1至IE1-10具有基本沿第二方向DR2延伸的形状。第一感测电极IE1-1至IE1-10在第一方向DR1上沿远离垫区域PA1(例如垫区域PA1-1和PA1-2)和PA2(或如图9A中的垫区域PA1、PA2和PA3)的方向上布置。
第二电极组EG2包括多个第二感测电极IE2-1至IE2-8。图6B示出了第二电极组EG2包括例如8个第二感测电极IE2-1至IE2-8。第二感测电极IE2-1至IE2-8具有基本沿第一方向DR1延伸的形状。第二感测电极IE2-1至IE2-8可具有比第一感测电极IE1-1至IE1-10的长度大的长度。
第一信号线组SG1可包括与第一感测电极IE1-1至IE1-10的数量相同数量的第一信号线。第一信号线可仅连接到第一感测电极IE1-1至IE1-10的两端中的一端。另一端可被电隔离而不连接到另外的导电结构。因此，当输入感测层ISL操作时，不会形成从第一感测电极IE1-1至IE1-10的一端流到另一端的电流路径。在下文中，信号线与感测电极之间的这种连接关系被称为“单路由结构”。
第二信号线组SG2可包括与第二感测电极IE2-1至IE2-8的数量相同数量的第二信号线。第二信号线可仅连接到第二感测电极IE2-1至IE2-8的两端中的一端。第二信号线组SG2和第二感测电极IE2-1至IE2-8可具有单路由结构。图6B示出了分别连接到第二感测电极IE2-1至IE2-8的一个下端的第二信号线组SG2的八条信号线。
在发明构思的示例性实施例中，第一信号线可被分成两组。组中的一组可被限定为一侧信号线组SG1-1，另一组可被限定为另一侧信号线组SG1-2。一侧信号线组SG1-1连接到第一感测电极IE1-1至IE1-10的一部分，并且另一侧信号线组SG1-2连接到第一感测电极IE1-1至IE1-10的另一部分。一侧信号线组SG1-1在第二方向DR2上与另一侧信号线组SG1-2分隔开并且感测区域IS-DA位于一侧信号线组SG1-1与另一侧信号线组SG1-2之间。由于第一信号线分开布置在两侧上，所以可减小布线区域IS-NDA的宽度。
例如，一侧信号线组SG1-1可电连接到第一感测电极IE1-1至IE1-10之中的奇数编号的感测电极或偶数编号的感测电极。另一侧信号线组SG1-2可连接到未与一侧信号线组SG1-1连接的感测电极。在示出的发明构思的示例性实施例中，一侧信号线组SG1-1的五条信号线被示出为分别连接到偶数编号的第一感测电极的一个右端。
第一信号线组SG1的信号线(在下文中被称为“第一信号线”)和第二信号线组SG2的信号线(在下文中被称为“第二信号线”)可包括垫单元PD和线单元LP。设置在垫区域PA1和PA2中的垫单元PD是连接到电路板的部分。连接到垫区域PA1和PA2的电路板可安装有感测电路，或者可连接到安装有感测电路的电路板。
第一感测电极IE1-1至IE1-10和第二感测电极IE2-1至IE2-8可彼此交叉，同时彼此绝缘。桥接图案(在下文中被称为“第一桥接图案”)布置在交叉区域中。在发明构思的示例性实施例中，第一桥接图案可形成具有相对短的长度的第一感测电极IE1-1至IE1-10的一部分。由于第一桥接图案形成在第一感测电极IE1-1至IE1-10中，因此可减小输入感测层ISL的等效电阻，从而提高感测灵敏度。稍后将提供相关的详细描述。
第一感测电极IE1-1至IE1-10中的每个可包括多个第一传感器部SP1和多个第一连接部CP1。第一传感器部SP1基本沿第二方向DR2布置。每个第一连接部CP1连接第一传感器部SP1之中的两个相邻的第一传感器部。
第二感测电极IE2-1至IE2-8中的每个包括多个第二传感器部SP2和多个第二连接部CP2。第二传感器部SP2基本沿第一方向DR1布置。每个第二连接部CP2连接第二传感器部SP2之中的两个相邻的第二传感器部。
图6B示出了根据示例性实施例的第一连接部CP1与第二连接部CP2相交叉。在示出的发明构思的示例性实施例中，第一连接部CP1可对应于第一桥接图案。
如图6C中所示，多个第一连接部CP1可由第一导电层IS-CL1形成，多个第一传感器部SP1、多个第二传感器部SP2和多个第二连接部CP2可由第二导电层IS-CL2形成。第一传感器部SP1和第一连接部CP1可通过穿透第二绝缘层IS-IL2的接触孔CNT-I连接。
根据示出的示例性实施例，多个第一连接部CP1和多个第二连接部CP2被示出为彼此交叉，然而，发明构思不限于此。例如，第一连接部CP1中的每个可具有弯曲形状(诸如，“∧”和/或“∨”)，以不与第二连接部CP2叠置。在这种情况下，具有弯曲形状的第一连接部CP1可在平面图中与第二传感器部SP2叠置。
返回参照图6B，感测区域IS-DA可被划分为多个感测单元SU。
多个感测单元SU可具有相同的面积。多个感测单元SU中的每个包括第一感测电极IE1至IE1-10与第二感测电极IE2-1至IE2-8之间的交叉区域之中的相应的交叉区域。交叉区域是其中布置有第一桥接图案的区域。图6B示例性地示出了划分为呈8×10矩阵的感测单元SU的感测区域IS-DA。
图6D示出了第一信号线组SG1的两条信号线SG1-14和SG1-15。第一信号线组SG1的信号线和第二信号线组SG2的信号线包括与第二感测电极IE2-1至IE2-8布置在同一层上的至少一部分。第一信号线组SG1的信号线和第二信号线组SG2的信号线可由第二导电层IS-CL2(见图6A)形成。
在一些示例性实施例中，第一信号线组SG1的信号线和第二信号线组SG2的信号线还可包括由第一导电层IS-CL1(见图6A)形成的部分。由第二导电层IS-CL2形成的部分和由第一导电层IS-CL1形成的部分可通过穿透第二绝缘层IS-IL2的接触孔连接。该双层信号线可具有低电阻。
第一感测电极IE1-1至IE1-10和第二感测电极IE2-1至IE2-8可具有网格形状。图6E示例性地示出了具有网格形状的第一传感器部SP1。
在第一传感器部SP1中限定三种类型的开口OP-MG、OP-MR和OP-MB。三种类型的开口OP-MG、OP-MR和OP-MB可对应于三种类型的发光开口OP-G、OP-R和OP-B。三种类型的发光开口OP-G、OP-R和OP-B以与图5A中示出的像素限定膜PDL的发光开口OP相同的方式限定。
三种类型的发光开口OP-G、OP-R和OP-B可通过它们的开口尺寸来限定，并且第一类型发光开口OP-G、第二类型发光开口OP-R和第三类型发光开口OP-B的面积与相应的像素的发光面积成比例。
图7A是根据发明构思的示例性实施例的感测单元SU的放大平面图。图7B是根据发明构思的示例性实施例的感测单元SU的交叉区域SU-CA的放大平面图。图7C是根据发明构思的示例性实施例的输入传感器的等效电路图。图7D是示出根据发明构思的示例性实施例的驱动信号的波形的曲线图。图7E是示出由于输入传感器的结构引起的1分贝(db)带宽特性的曲线图。将省略与以上参照图1至图6E描述的构造和元件基本相同的构造和元件的重复描述以避免冗余。
图7A的感测单元SU可对应于图6B的感测单元SU。感测单元SU包括第一传感器部SP1和另一第一传感器部SP1，并且第一连接部CP1位于第一传感器部SP1与另一第一传感器部SP1之间。感测单元SU包括第二传感器部SP2和另一第二传感器部SP2，并且第二连接部CP2位于第二传感器部SP2与另一第二传感器部SP2之间。如图7A中所示，可布置两个第一连接部CP1。两个第一连接部CP1中的每个可以是第一桥接图案。
参照图7B，两个第一连接部CP1连接两个分离的第一传感器部SP1。第一连接区域CNT-A1至第四连接区域CNT-A4形成在两个第一连接部CP1与两个第一传感器部SP1之间。
在第一连接区域CNT-A1至第四连接区域CNT-A4中可分别形成四个接触孔CNT-I。第一连接区域CNT-A1和第二连接区域CNT-A2可围绕第二发光区域PXA-B形成，第三连接区域CNT-A3和第四连接区域CNT-A4可围绕第一发光区域PXA-R形成。
第一连接部CP1与第二传感器部SP2的网格线相交叉。第一连接部CP1可在交叉点中部分地代替第二传感器部SP2的网格线。除了在交叉点中之外，第一连接部CP1的网格线和第二传感器部SP2的网格线可彼此不叠置。第一连接部CP1的网格线和第二传感器部SP2的网格线可限定替换第一开口OP-MR、第二开口OP-MB和第三开口OP-MG的开口。
图7C示出了根据示例性实施例的驱动电路210与感测电路220之间的输入传感器的等效电路。图7C示出了基于一个第一感测电极与一个第二感测电极之间的交叉区域中形成的参考电容Cse的等效电路。此外，在示出的发明构思的示例性实施例中，通过第二信号线将驱动信号Sdr施加到第二感测电极。在图7C中示例性地示出了第二信号线的垫单元PD2和第一信号线的垫单元PD1。
驱动电路210可顺序地将驱动信号Sdr提供给第二感测电极IE2-1至IE2-8(见图6B)。与已经经过参考电容Cse的驱动信号Sdr对应的感测信号Sse通过第一感测电极IE1-1至IE1-10输出。该感测信号Sse被输入到感测电路220。
感测电路220放大、转换并处理感测信号Sse，并且根据放大、转换和信号处理的结果检测外部输入。感测电路220可包括感测通道222、模数转换器(ADC)224和处理器(或MPU)226。可针对第一感测电极IE1-1至IE1-10中的每个形成感测通道222。多个感测通道222可连接到同一ADC 224。
在示出的发明构思的示例性实施例中，感测通道222可包括放大器AMP1，诸如运算放大器。放大器AMP1的第一输入端子IN1(例如，运算放大器的反相输入端子)可接收感测信号Sse。此外，放大器AMP1的第二输入端子IN2(例如，运算放大器的非反相输入端子)是参考电势端子，并且可接收参考电压(诸如地(GND)电压)。电容器CC和复位开关SW可在放大器AMP1的第一输入端子IN1与输出端子OUT1之间并联连接。
ADC 224将从感测通道222输出的模拟信号转换为数字信号。处理器226处理来自ADC 224的转换信号(数字信号)，并根据信号处理的结果检测触摸输入。例如，处理器226可综合地分析经由多个感测电极中的每个的感测通道222和ADC 224输入的信号(放大并转换的感测信号Sse)，以检测外部输入的发生及其位置。在示例性实施例中，处理器226可被实现为微处理器MPU。在这种情况下，感测电路220还可包括驱动处理器226所需的存储器。在发明构思的示例性实施例中，处理器226可被实现为微控制器。
尽管驱动电路210和感测电路220被示出为是分离的，但是发明构思不限于此。例如，驱动电路210和感测电路220可被集成到单个芯片中。
参照图7C，第一电阻器R-L2和第二电阻器R-E2在第二信号线的垫单元PD2与参考电容Cse之间串联连接。第一电阻器R-L2具有第二信号线的等效电阻，第二电阻器R-E2具有第二感测电极的等效电阻。第一寄生电容C-L2和第二寄生电容C-E2连接在第二信号线的垫单元PD2与参考电容Cse之间。第一寄生电容C-L2是第二信号线与第二电极CE(见图5A)之间的电容，第二寄生电容C-E2是第二感测电极与第二电极CE之间的电容。
此外，第三电阻器R-L1和第四电阻器R-E1在第一信号线的垫单元PD1与参考电容Cse之间串联连接。第三电阻器R-L1具有第一信号线的等效电阻，第四电阻器R-E1具有第一感测电极的等效电阻。第三寄生电容C-L1和第四寄生电容C-E1连接在第一信号线的垫单元PD1与参考电容Cse之间。第三寄生电容C-L1是第一信号线与第二电极CE(见图5A)之间的电容，第四寄生电容C-E1是第一感测电极与第二电极CE之间的电容。
当触摸事件发生时，可改变相应位置的参考电容Cse。由于触摸事件的发生，生成与参考电容Cse并联连接的触摸电容。处理器226可从感测信号Sse测量在触摸事件的发生之后生成的电容变化(ΔCm)。可通过感测感测信号Sse的电流的改变来测量电容变化(ΔCm)。
图7D示出了作为驱动信号的正弦信号的波形。图7E示出了从与图7D中示出的驱动信号对应的感测信号测量的1分贝带宽特性。在图7E中，第一曲线GP1表示根据示例性实施例的输入传感器的1分贝带宽特性，第二曲线GP2表示根据比较示例的输入传感器的1分贝带宽特性。图7E的x轴以对数标度示出。
对具有布置在感测单元行中的八个感测单元SU(见图6B)和布置在感测单元列中的17个感测单元的输入传感器测量1分贝带宽特性。根据示出的发明构思的示例性实施例，如图6B至图7B中所示，第二感测电极具有一体的形状，并且第一桥接图案布置在第一感测电极中。根据比较示例，第一感测电极具有一体的形状，并且第一桥接图案布置在第二感测电极中。
基于图7C的等效电路，示出的示例性实施例包括8个第一桥接图案，比较示例包括17个第一桥接图案。根据示出的示例性实施例的第二电阻器R-E2和第四电阻器R-E1的总电阻被测量为大约649欧姆，根据比较示例的第二电阻器R-E2和第四电阻器R-E1的总电阻被测量为大约692欧姆。由于更少的具有高接触电阻的第一桥接图案，因此与比较示例相比，示出的示例性实施例具有相对低的总电阻。在示出的示例性实施例和比较示例中，第一电阻器R-L2、第三电阻器R-L1以及第一寄生电容C-L2、第二寄生电容C-E2、第三寄生电容C-L1和第四寄生电容C-E1基本相同。
第一曲线GP1的1分贝带宽被测量为约340k，第二曲线GP2的1分贝带宽被测量为约290k。与比较示例相比，示出的发明构思的示例性实施例具有相对低的总电阻，并且因此具有优异的1分贝带宽特性和更宽的交流(AC)信号带宽。宽的交流信号宽带可提高使用正弦信号作为驱动信号的输入传感器的灵敏度。
图8A是根据发明构思的示例性实施例的输入传感器IS的平面图。图8B是图8A的局部区域的放大平面图。图8C是根据发明构思的示例性实施例的交叉区域SU-CA的放大平面图。图8D是根据发明构思的示例性实施例的输入传感器IS的平面图。将省略与以上参照图6A至图7E描述的构造和元件基本相同的构造和元件的重复描述以避免冗余。
如图8A中所示，输入传感器IS还可包括布置在第一传感器部SP1内并且与第一传感器部SP1绝缘的第一虚设图案FP1，以及布置在第二传感器部SP2内并且与第二传感器部SP2绝缘的第二虚设图案FP2。第一虚设图案FP1和第二虚设图案FP2可减小输入传感器IS与显示面板DP(例如，见图6A)之间的寄生电容(例如，图7C的第二寄生电容C-E2和第四寄生电容C-E1)。以这种方式，由于减小的寄生电容，可提高输入传感器IS的灵敏度。
输入传感器IS还可包括连接第一虚设图案FP1的桥接图案BP(在下文中被称为“第二桥接图案”)。第二桥接图案BP可由图6A中示出的第一导电层IS-CL1形成。第二桥接图案BP布置为与交叉区域对应。第二桥接图案BP可与第二传感器部SP2叠置。第二桥接图案BP可与第一桥接图案CP1(见图7B)布置在同一层上。
如图8A中所示，输入传感器IS还可包括虚设信号线GSL。虚设信号线GSL可接收预定偏置电压，例如地电压。虚设信号线GSL可连接到第一虚设图案FP1。虚设信号线GSL可由图6A中示出的第二导电层IS-CL2形成。
在发明构思的示例性实施例中，虚设信号线GSL可连接到感测电路220(见图7C)。虚设信号线GSL可电连接到放大器AMP1的第二输入端子IN2(见图7C)。在这种情况下，第一虚设图案FP1可具有噪声检测功能。这样，可处理感测信号Sse以反映影响第一虚设图案FP1的噪声。
图8B示出了根据示例性实施例的四个第一感测电极IE1-2至IE1-5和最右侧第二感测电极IE2-8的一部分的放大视图。虚设信号线GSL可电连接到布置在奇数编号的第一感测电极IE1-3和IE1-5内的第一虚设图案FP1。虚设信号线GSL可直接连接到第一虚设图案FP1之中的基本上在第二方向DR2上的最外侧的第一虚设图案FP1。在发明构思的示例性实施例中，虚设信号线GSL可通过桥接图案连接到第一虚设图案FP1。
如图8B中所示，第一虚设图案FP1中的至少一个可包括基本上沿第二方向DR2布置在中心部FP1-10的两侧上的延伸部FP1-20和FP1-30。延伸部FP1-20和FP1-30中的每个连接到相应的第二桥接图案BP。第一虚设图案FP1中的沿第二方向DR2布置在两端上的一些第一虚设图案FP1可具有与其他第一虚设图案FP1的形状不同的形状。例如，布置在两端上的第一虚设图案FP1可包括中心部和设置在中心部的一侧上的一个延伸部。
如图8B中所示，输入传感器IS还可包括可与虚设信号线GSL相交叉并且与虚设信号线GSL绝缘的桥接图案BP-S(在下文中被称为“第三桥接图案”)。第三桥接图案BP-S可将第一感测电极IE1-2和IE1-4与信号线SG1-11和SG1-12连接。第三桥接图案BP-S可由图6A中示出的第一导电层IS-CL1形成。
图8C是根据发明构思的示例性实施例的一个交叉区域SU-CA的放大视图。图8C中示出的区域对应于图7B中示出的区域。与图8A和图8B不同，图8C示出了根据示例性实施例的两个桥接图案BP布置在交叉区域SU-CA中。第二桥接图案BP可被布置为与第一桥接图案CP1对应。
两个第二桥接图案BP可布置在两个第一桥接图案CP1的外侧。第二桥接图案BP可具有比第一桥接图案CP1的长度大的长度。四个连接区域可形成在两个第二桥接图案BP与两个第一虚设图案FP1之间。可分别在四个连接区域中布置四个接触孔CNT-I。
如图8D中所示，可设置多条虚设信号线GSL。在示出的示例性实施例中，可布置与第一感测电极IE1-1至IE1-10的数量相同数量的虚设信号线GSL。每条虚设信号线GSL可连接到与相应的第一感测电极IE1-1至IE1-10相邻的第一虚设图案FP1。虚设信号线GSL可连接到与第一感测电极IE1-1至IE1-10对应的感测通道222以及放大器AMP1的第二输入端子IN2。
图9A是根据发明构思的示例性实施例的输入感测层ISL的平面图。图9B是根据发明构思的示例性实施例的输入感测层ISL的局部剖视图，具体地，图9B是沿图9A中的线I-I'截取的剖视图。图9C是根据发明构思的示例性实施例的输入感测层ISL的等效电路图。将省略与以上参照图1至图8D描述的构造和元件基本相同的构造和元件的重复描述以避免冗余。
与图6B的输入感测层ISL相比，根据示出的发明构思的示例性实施例的输入感测层ISL还包括第三信号线组SG3。此外，与图6B的输入感测层ISL的第一电极组EG1和第二电极组EG2与第一信号线组SG1和第二信号线组SG2之间的连接关系相比，根据示出的发明构思的示例性实施例的输入感测层ISL具有不同的第一电极组EG1和第二电极组EG2与第一信号线组SG1和第二信号线组SG2之间的连接关系。
具体地，第一感测电极IE1-1至IE1-10的一个右端连接到第一信号线组SG1的信号线。第二感测电极IE2-1至IE2-8的一个下端连接到第二信号线组SG2的信号线。第二感测电极IE2-1至IE2-8的一个上端连接到第三信号线组SG3的信号线。这样，根据示例性实施例，第二感测电极IE2-1至IE2-8的两端连接到信号线。信号线与感测电极之间的这种连接关系被称为双路由结构。
此外，根据发明构思的示例性实施例，第一桥接图案被应用于具有更大长度的第二感测电极IE2-1至IE2-8。具体地，第二连接部CP2可对应于第一桥接图案。第一感测电极IE1-1至IE1-10中的每个可具有一体形状。
图9B示出了第一电极组EG1的第五第一感测电极IE1-5。如图9B中所示，第一传感器部SP1和第一连接部CP1可布置在同一层上，并且可形成为一体。第一传感器部SP1和第一连接部CP1可通过基本相同的工艺由图6A的第二导电层IS-CL2形成。第二连接部CP2可通过穿透第二绝缘层IS-IL2的接触孔CNT-I连接第二传感器部SP2。
参照图9C的等效电路，通过第二信号线和第三信号线组SG3的信号线(在下文中被称为“第三信号线”)将驱动信号Sdr提供给第二感测电极的两端。
双路由结构的第二电阻器R-E21具有比图7C的第二电阻器R-E2的电阻低的电阻。这是因为第二电阻器R-E21对应于第二感测电极的一部分。然而，双路由结构还包括与第一电阻器R-L2和第二电阻器R-E21并联连接的第五电阻器R-L3和第六电阻器R-E22。第五电阻器R-L3具有第三信号线的等效电阻。第六电阻器R-E22对应于第二感测电极的一部分，并且第二电阻器R-E21和第六电阻器R-E22的总电阻对应于图7C的第二电阻器R-E2的总电阻。
在图9C中，第五寄生电容C-L3是第三信号线与第二电极CE(见图5A)之间的电容，第六寄生电容C-E22是第二感测电极的一部分与第二电极CE之间的电容。第二寄生电容C-E21是第二感测电极的另一部分与第二电极CE之间的电容，因此第二寄生电容C-E21小于图7C的第二寄生电容C-E2。
在图9C中，可期望第二电阻器R-E21和第六电阻器R-E22具有相对大的值，使得第二信号线的垫单元PD2与参考电容Cse之间的总电阻具有低的值。如图9A和图9B中所示，通过将第一桥接图案应用于第二连接部CP2，可相对增大第二电阻器R-E21的值和第六电阻器R-E22的值。此外，由于第一感测电极具有一体的形状，因此可减小第四电阻器R-E1的值。这样，通过降低整体的总电阻，可改善具有双路由结构的输入感测层ISL的带宽特性。
图10A是根据发明构思的示例性实施例的显示模块DM的透视图。图10B是根据发明构思的示例性实施例的输入感测层ISL的平面图。图11A是根据发明构思的示例性实施例的显示模块DM的透视图。图11B是根据发明构思的示例性实施例的输入感测层ISL的平面图。将省略与以上参照图1至图9C描述的构造和元件基本相同的构造和元件的重复描述以避免冗余。
参照图10A，显示模块DM可包括在平面图中向内凹进的凹口区域NTA。凹口区域NTA可被限定在显示面板DP和输入感测层ISL中的每个中，但是凹口区域NTA可相同或可不相同。凹口区域NTA可被限定在沿第二方向DR2的中心区域中。在一些示例性实施例中，凹口区域NTA可不设置在精确的中心区域中。
如图10B中所示，第一电极组EG1和第二电极组EG2的形状可由于凹口区域NTA而改变。第一信号线组SG1和第二信号线组SG2的位置和布置可与图6B的输入感测层ISL的第一信号线组SG1和第二信号线组SG2的位置和布置基本相同。
如图10B中所示，第十第一感测电极IE1-10可由于凹口区域NTA而被分成两部分。这两部分可通过虚设连接线DSL连接。第二电极组EG2的第四第二感测电极IE2-4至第六第二感测电极IE2-6可具有比其他感测电极的长度短的长度。
如图11A中所示，根据示例性实施例的显示模块DM可在平面图中包括信号传输区域HA。可通过部分地或完全地去除显示面板DP和输入感测层ISL的部分区域来限定信号传输区域HA。信号传输区域HA可被分成具有第一透射率的区域和具有比第一透射率低的第二透射率的另一区域。例如，可在具有第二透射率的区域中去除显示面板DP或输入感测层ISL，并且可在具有第一透射率的区域中去除显示面板DP和输入感测层ISL二者。例如，可在具有第二透射率的区域中部分地去除显示面板DP的发光元件，并且可在具有第一透射率的区域中完全地去除显示面板DP的发光元件。
显示面板DP的信号传输区域HA和输入感测层ISL的信号传输区域HA可相同或可不相同。信号传输区域HA可以是光信号的传输通道。可在显示模块DM中限定多个信号传输区域HA。
通过去除基体层BL、设置在基体层BL上的电路元件层DP-CL、显示元件层DP-OLED和上绝缘层TFL中的至少一部分，来形成显示面板DP的信号传输区域HA。可从输入感测层ISL的信号传输区域HA去除传感器部SP1和SP2。
如图11B中所示，第一电极组EG1和第二电极组EG2的形状可由于信号传输区域HA而改变。第一信号线组SG1和第二信号线组SG2的位置和布置可与图6B的输入感测层ISL的第一信号线组SG1和第二信号线组SG2的位置和布置基本相同。
输入感测层ISL的信号传输区域HA可设置在第一电极组EG1与第二电极组EG2之间的交叉区域中。这里，虚设连接线可设置在输入感测层ISL的信号传输区域HA周围。例如，虚设连接线可绕过信号传输区域HA，以连接第一电极组EG1和第二电极组EG2的分离的电极。
根据发明构思的示例性实施例，连接部(或桥接图案)相对于传感器部的位置根据信号线和感测电极的连接结构而改变。具体地，根据信号线和感测电极的连接结构，桥接图案设置在第一感测电极或第二感测电极中。
根据发明构思的示例性实施例，由于输入传感器的电阻减小，因此可改善AC带宽特性。由于感测信号的带宽增大，因此可提高感测灵敏度。
尽管在此已描述了特定示例性实施例和实施方式，但是通过该描述其他实施例和修改将是明显的。因此，发明构思不限于这样的实施例，而是限于所附权利要求以及如对于本领域普通技术人员将是明显的各种明显的修改和等同布置的更宽的范围。

Claims (20)

1.一种显示装置，所述显示装置包括：
显示面板；以及
输入传感器，设置在所述显示面板上，并包括感测区域和位于所述感测区域外的布线区域，所述输入传感器包括：信号线组，布置在所述布线区域中；以及第一感测电极和第二感测电极，设置在所述感测区域中，所述第一感测电极和所述第二感测电极中的每个具有电连接到所述信号线组中的相应的信号线的一端，
其中，所述第二感测电极具有比所述第一感测电极的长度大的长度；
所述信号线组包括电连接到所述第一感测电极的第一信号线组和电连接到所述第二感测电极的第二信号线组；
所述第一感测电极中的每个包括第一桥接图案，所述第一桥接图案与所述第二感测电极叠置并与所述第二感测电极设置在不同的层上；并且
所述第一感测电极和所述第二感测电极中的一个被构造为接收正弦信号。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一感测电极和所述第二感测电极中的另一个被构造为向感测电路提供与所述正弦信号对应的感测信号。
3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第二感测电极中的每个具有一体的形状。
4.根据权利要求1所述的显示装置，其中：
所述显示面板包括与所述感测区域对应的显示区域以及与所述布线区域对应的非显示区域；
所述显示区域包括发光区域和非发光区域；并且
所述第一感测电极中的每个具有与所述发光区域对应的开口。
5.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述信号线组中的所述相应的信号线的至少一部分与所述第二感测电极设置在同一层上。
6.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述输入传感器还包括绝缘层，所述绝缘层设置在所述第一桥接图案与所述第二感测电极之间并覆盖所述感测区域。
7.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一信号线组包括：
第一侧信号线，电连接到所述第一感测电极之中的奇数编号的感测电极；以及
第二侧信号线，电连接到所述第一感测电极之中的偶数编号的感测电极；并且
所述第一侧信号线和所述第二侧信号线沿所述第一感测电极的延伸方向彼此分隔开，并且所述感测区域位于所述第一侧信号线与所述第二侧信号线之间。
8.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述输入传感器还包括：
第一虚设图案，分别布置在所述第一感测电极内；以及
第二虚设图案，分别布置在所述第二感测电极内。
9.根据权利要求8所述的显示装置，其中，所述输入传感器还包括连接所述第一虚设图案的第二桥接图案。
10.根据权利要求9所述的显示装置，其中：
所述第一虚设图案中的至少一个包括中心部和延伸部，所述延伸部沿所述第一感测电极的延伸方向布置在所述中心部的两侧上；并且
所述延伸部中的每个连接到所述第二桥接图案之中的相应的第二桥接图案。
11.根据权利要求9所述的显示装置，其中，所述第一桥接图案和所述第二桥接图案设置在同一层上。
12.根据权利要求9所述的显示装置，其中：
所述第二桥接图案被布置为与所述第一桥接图案对应；并且
所述第二桥接图案具有比所述第一桥接图案之中的相应的第一桥接图案的长度大的长度。
13.根据权利要求9所述的显示装置，其中，所述输入传感器还包括虚设信号线，所述虚设信号线连接到所述第一虚设图案之中的沿所述第一感测电极的延伸方向的最外侧的第一虚设图案。
14.根据权利要求13所述的显示装置，其中：
所述输入传感器还包括第三桥接图案，所述第三桥接图案与所述虚设信号线相交叉并且与所述虚设信号线绝缘；并且
所述第三桥接图案连接所述第一感测电极和所述第一信号线组的信号线。
15.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述显示装置还包括在平面图中向内凹进的凹口区域。
16.根据权利要求1所述的显示装置，其中：
所述显示面板包括基体层、设置在所述基体层上的电路元件层、设置在所述电路元件层上的显示元件层以及设置在所述显示元件层上的上绝缘层；并且
所述显示装置还包括信号传输区域，在所述信号传输区域中所述基体层、所述电路元件层、所述显示元件层和所述上绝缘层中的至少一部分被去除。
17.一种显示装置，所述显示装置包括：
显示面板；以及
输入传感器，设置在所述显示面板上，所述输入传感器包括：第一感测电极；以及第二感测电极，与所述第一感测电极相交叉，并具有比所述第一感测电极的长度大的长度，
其中，所述第一感测电极包括：传感器部，与所述第二感测电极设置在同一层上；以及桥接图案，与所述第二感测电极设置在不同的层上，所述桥接图案中的至少一个与所述第二感测电极叠置；并且
所述第一感测电极和所述第二感测电极中的一个感测电极被构造为通过所述第一感测电极和所述第二感测电极中的所述一个感测电极的一端接收正弦信号。
18.一种显示装置，所述显示装置包括：
显示面板；以及
输入传感器，设置在所述显示面板上，所述输入传感器包括：绝缘层；第一感测电极；以及第二感测电极，与所述第一感测电极相交叉，具有比所述第一感测电极的长度大的长度，并具有一体的形状，
其中，所述第一感测电极包括第一部分和第二部分，所述第一部分设置在所述绝缘层上，所述第二部分设置在所述绝缘层下方并通过穿透所述绝缘层的接触孔连接到所述第一部分；并且
所述第一感测电极和所述第二感测电极中的一个感测电极被构造为通过所述第一感测电极和所述第二感测电极中的所述一个感测电极的一端接收正弦信号。
19.根据权利要求18所述的显示装置，其中，所述第二感测电极设置在所述绝缘层上。
20.根据权利要求18所述的显示装置，其中，所述第二感测电极的第一端连接到信号线，并且所述第二感测电极的第二端被电隔离。
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