CN111090199B - 一种tft阵列基板和显示面板 - Google Patents

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Abstract

本申请公开了一种TFT阵列基板和显示面板，TFT阵列基板包括呈阵列分布的多个子像素区；在目标方向上任意相邻的两个所述子像素区包括第一子像素区和第二子像素区，所述第一子像素区和所述第二子像素区之间设有走线区，所述第一子像素区和所述走线区之间形成有第一间隙区，所述第二子像素区和所述走线区之间形成有第二间隙区；所述第一子像素区设有第一色阻，所述第二子像素区设有第二色阻，所述第一色阻和所述第二色阻在所述第一间隙区、所述走线区和所述第二间隙区内交叠设置。本申请可以降低第一间隙区和第二间隙区的暗态漏光亮度，有利于提高显示面板的显示对比度。

Description

一种TFT阵列基板和显示面板
技术领域
本申请涉及显示面板技术领域，尤其涉及一种TFT阵列基板和显示面板。
背景技术
液晶显示装置(Liquid Crystal Display，LCD)具有机身薄、省电、无辐射等众多优点，得到了广泛的应用，液晶面板是液晶显示器的核心组成部分。
液晶面板的结构主要是由薄膜晶体管阵列(Thin Film Transistor Array，TFTArray)基板、彩色滤光片(Color Filter，CF)基板以及配置于两基板间的液晶层(LiquidCrystal Layer)所构成，其工作原理是通过在两片玻璃基板上施加驱动电压来控制液晶层的液晶分子的旋转，将背光模组的光线折射出来产生画面。
COA(Color filter on Array，彩色滤光片在阵列侧)技术是一种将彩色滤光层即红(R)、绿(G)、蓝(B)色阻直接制作在TFT阵列基板上的集成技术。目前在COA技术之上，DBS(Data BM saving，数据线上无黑色矩阵)的像素设计也越来越多的被采用，即在位于TFT阵列基板走线区的数据线上方覆盖ITO(氧化铟锡)材料的DBS电极，DBS电极的宽度略宽于数据线；其中，走线区位于相邻的两个子像素区(即发光区)之间，且每个子像素区和走线区之间均形成有间隙区，每个子像素区均对应的设有子像素电极；且DBS电极位于相邻的两个子像素电极之间，为了防止相邻的子像素间串扰混色，DBS电极与公共电极(COM)在电位上通常设置成等电位，在显示面板正常工作时，DBS电极与公共电极形成的电场可以使对应的液晶分子保持不偏转的状态，从而起到遮光的目的。
但是，在显示面板正常工作时，与子像素电极对应的液晶需要偏转控制，受DBS电极的影响，子像素区和走线区(子像素电极和DBS电极)之间的间隙区对应的液晶状态不理想(液晶效率低)，且间隙区既没有物理遮光，也没有类似DBS电极的电场遮光，使得间隙区在暗态时易出现漏光现象，且间隙区的宽度大小直接影响到子像素区最终的暗态亮度大小，从而影响到显示面板的显示对比度。
发明内容
本申请实施例提供一种TFT阵列基板和显示面板，以提高显示面板的显示对比度。
本申请实施例提供了一种TFT阵列基板，包括呈阵列分布的多个子像素区；在目标方向上任意相邻的两个所述子像素区包括第一子像素区和第二子像素区，所述第一子像素区和所述第二子像素区之间设有走线区，所述第一子像素区和所述走线区之间形成有第一间隙区，所述第二子像素区和所述走线区之间形成有第二间隙区；
所述第一子像素区设有第一色阻，且所述第一色阻自所述第一子像素区延伸至所述第二间隙区内；所述第二子像素区设有第二色阻，所述第二色阻自所述第二子像素区延伸至所述第一间隙区内；所述第一色阻和所述第二色阻在所述第一间隙区、所述走线区和所述第二间隙区内交叠设置。
在一实施例中，所述第一色阻在所述第一间隙区、所述走线区和所述第二间隙区内设有挖空部；所述第二色阻与所述第一色阻交叠的部分填充在所述挖空部中。
在一实施例中，所述第一色阻和所述第二色阻的交叠部分在所述目标方向上的长度小于或等于所述第一间隙区、所述走线区和所述第二间隙区在所述目标方向上的总长度。
在一实施例中，所述第一色阻在所述第二间隙区的延伸长度大于或等于所述第二间隙区在所述目标方向上的长度的二分之一。
在一实施例中，所述第二色阻在所述第一间隙区的延伸长度大于或等于所述第一间隙区在所述目标方向上的长度的二分之一。
在一实施例中，所述第一色阻包括红色色阻、绿色色阻和蓝色色阻中的任意一种，所述第二色阻包括所述红色色阻、所述绿色色阻和所述蓝色色阻中不同于所述第一色阻的任意一种。
在一实施例中，所述走线区对应设有数据线和DBS电极；所述第一色阻和所述第二色阻位于所述数据线和所述DBS电极之间；
所述第一间隙区设有第一屏蔽电极，所述第一屏蔽电极位于所述第一色阻远离所述DBS电极的一侧；所述第二间隙区设有第二屏蔽电极，所述第二屏蔽电极位于所述第二色阻远离所述DBS电极的一侧；
所述第一屏蔽电极与所述第一子像素区在所述目标方向上的间距小于或等于所述第二色阻与所述第一子像素区在所述目标方向上的间距；且所述第二屏蔽电极与所述第二子像素区在所述目标方向上的间距小于或等于所述第一色阻与所述第二子像素区在所述目标方向上的间距。
在一实施例中，所述第一子像素区对应设有第一子像素电极，所述第二子像素区对应设有第二子像素电极，所述第一子像素电极、所述第二子像素电极与所述DBS电极同层设置。
在一实施例中，所述TFT阵列基板还包括衬底基板、绝缘层、第一钝化层和第二钝化层；
所述第一屏蔽电极位于所述衬底基板的第一间隙区上，所述第二屏蔽电极位于所述衬底基板的第二间隙区上；所述绝缘层覆盖在所述衬底基板、所述第一屏蔽电极和第二屏蔽电极上；所述数据线设置在所述绝缘层的走线区上；所述第一钝化层覆盖在所述绝缘层和所述数据线上；所述第一色阻和所述第二色阻位于所述第一钝化层上；所述第二钝化层覆盖在所述第一色阻和所述第二色阻上；所述第一子像素电极、所述DBS电极和所述第二子像素电极位于所述第二钝化层上。
本申请实施例还提供一种显示面板，包括上述的TFT阵列基板，以及与所述TFT阵列基板相对设置的对置基板。
本申请的有益效果为：本申请将在目标方向上相邻的第一色阻和第二色阻交叠设置，且第一色阻向第一间隙区、走线区和第二间隙区延伸并延伸至第二间隙区内，第二色阻向第二间隙区、走线区和第一间隙区延伸并延伸至第一间隙区内，使得第一色阻和第二色阻在第一间隙区、走线区和第二间隙区内交叠设置；第一色阻和第二色阻在第一间隙区内和第二间隙区内交叠，可以通过交叠的两个色阻的波长选择透过效应，使得通过第一间隙区和第二间隙区的大部分波长的光无法通过，可以降低第一间隙区和第二间隙区的暗态漏光亮度，有利于提高产品的显示对比度，并且，第一色阻和第二色阻的交叠部分分别延伸至第一间隙区和第二间隙区内，通过在一目标方向上增加第一色阻和第二色阻的交叠长度有利于改善牛角引起的液晶漏光问题，有利于进一步提高产品的显示对比度。
附图说明
下面结合附图，通过对本申请的具体实施方式详细描述，将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。
图1为本申请实施例提供的一种TFT阵列基板的结构示意图；
图2为图1中A-A’处的一种截面结构示意图；
图3为图1中A-A’处的另一种截面结构示意图；
图4为本申请实施例提供的另一种TFT阵列基板的结构示意图；
图5为图4中B-B’处的一种截面结构示意图；
图6为图4中C-C’处的一种截面结构示意图；
图7为本申请实施例提供的一种显示面板的结构示意图。
具体实施方式
这里所公开的具体结构和功能细节仅仅是代表性的，并且是用于描述本申请的示例性实施例的目的。但是本申请可以通过许多替换形式来具体实现，并且不应当被解释成仅仅受限于这里所阐述的实施例。
在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“横向”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本申请的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。另外，术语“包括”及其任何变形，意图在于覆盖不排他的包含。
在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
这里所使用的术语仅仅是为了描述具体实施例而不意图限制示例性实施例。除非上下文明确地另有所指，否则这里所使用的单数形式“一个”、“一项”还意图包括复数。还应当理解的是，这里所使用的术语“包括”和/或“包含”规定所陈述的特征、整数、步骤、操作、单元和/或组件的存在，而不排除存在或添加一个或更多其他特征、整数、步骤、操作、单元、组件和/或其组合。
下面结合附图和实施例对本申请作进一步说明。
如图1和图2所示，本申请实施例提供了一种TFT阵列基板1，TFT阵列基板1包括呈阵列分布的多个子像素区2；在目标方向(图1中的X方向)上任意相邻的两个子像素区2包括第一子像素区3和第二子像素区4，第一子像素区3和第二子像素区4之间设有走线区5，第一子像素区3和走线区5之间形成有第一间隙区6，第二子像素区4和走线区5之间形成有第二间隙区7；第一子像素区3设有第一色阻8，且第一色阻8自第一子像素区3(穿过第一间隙区6和走线区5)延伸至第二间隙区7内；第二子像素区4设有第二色阻9，第二色阻9自第二子像素区4(穿过第二间隙区7和走线区5)延伸至第一间隙区6内；第一色阻8和第二色阻9在第一间隙区6、走线区5和第二间隙区7内交叠设置。
具体的，第一色阻8和第二色阻9的交叠部分在目标方向上的长度(即挖空部10在目标方向上的长度)小于或等于第一间隙区6、走线区5和第二间隙区7在目标方向上的总长度，可以避免第一子像素区3和第二子像素区4出现混色串扰。
具体的，第一色阻8包括红色色阻、绿色色阻和蓝色色阻中的任意一种，第二色阻9包括红色色阻、绿色色阻和蓝色色阻中不同于第一色阻8的任意一种。
具体的，走线区5对应设有数据线11和DBS电极12；在一实施例中，DBS电极12位于数据线11上方，且与数据线11对应设置；第一色阻8和第二色阻9位于数据线11和DBS电极12之间；第一子像素区3对应设有第一子像素电极13，第二子像素区4对应设有第二子像素电极14，第一子像素电极13、第二子像素电极14与DBS电极12同层设置；第一子像素电极13、第二子像素电极14与DBS电极12的材料均包括ITO(氧化铟锡)。
在一实施例中，走线区5中的数据线11沿Y方向分布，即与目标方向(X方向)垂直分布。
需要说明的是，本申请实施例中的第一子像素区3在目标方向上的长度等于第一子像素电极13在目标方向上的长度，第二子像素区4在目标方向上的长度等于第二子像素电极14在目标方向上的长度；可以理解的是，第一子像素区3和第二子像素区4为发光区。另外，走线区5在目标方向上的长度等于DBS电极12在目标方向上的长度和数据线11在目标方向上的长度中的较大者，故第一色阻8和第二色阻9的交叠部分在目标方向上的长度大于DBS电极12和数据线11中的任意一个在目标方向上的长度。且本实施例中所说的长度均是指在目标方向上的长度，对于数据线11或DBS电极12在目标方向上的长度可以理解为线宽。
具体的，TFT阵列基板1还包括衬底基板15、第一钝化层16和第二钝化层17，数据线11、第一色阻8、第二色阻9、第一子像素电极13、第二子像素电极14和DBS电极12位于衬底基板15的同一侧，且第一钝化层16覆盖在数据线11上；第一色阻8和第二色阻9位于第一钝化层16上；第二钝化层17覆盖在第一色阻8和第二色阻9上；第一子像素电极13、DBS电极12和第二子像素电极14位于第二钝化层17上。其中，第一钝化层16和第二钝化层17的材料可以为无机钝化层(例如SiNx或者SiOx)，也可以是高聚物有机材料。
本实施例中，将在目标方向上任意相邻的第一色阻8和第二色阻9交叠设置，且第一色阻8向第一间隙区6、走线区5和第二间隙区7延伸并延伸至第二间隙区7内，第二色阻9向第二间隙区7、走线区5和第一间隙区6延伸并延伸至第一间隙区6内，使得第一色阻8和第二色阻9在第一间隙区6、走线区5和第二间隙区7内交叠设置；第一色阻8和第二色阻9在第一间隙区6内和第二间隙区7内交叠，可以通过交叠的两个不同色阻的波长选择透过效应，使得通过第一间隙区6和第二间隙区7的大部分波长的光无法通过，可以降低第一间隙区6和第二间隙区7的暗态漏光亮度，有利于提高产品的显示对比度；另外，第一色阻8和第二色阻9的交叠部分延伸至第一间隙区6和第二间隙区7内，通过在一目标方向上增加第一色阻8和第二色阻9的交叠长度有利于改善交叠时的牛角问题，从而改善了牛角引起的液晶漏光问题，有利于进一步提高产品的显示对比度。
在一实施例中，如图2所示，第一色阻8在第一间隙区6、走线区5和第二间隙区7内设有挖空部10，使第一色阻8呈高度不同的两段式结构；第二色阻9与第一色阻8交叠的部分填充在挖空部10中，使未与第二色阻9交叠的第一色阻8、交叠在第一色阻8上的第二色阻9以及未与第一色阻8交叠的第二色阻9远离衬底基板15的一侧保持较平坦状态。第一色阻8上的挖空部10可以通过特殊的掩膜光罩(Mask)控制边界曝光区域的不同透光率实现，特殊的掩膜光罩包括但不限于HTM(Half Tone Mask，半色调掩模版)、GTM(Gray Tone Mask，灰色调掩模版)或SlitMask(狭缝掩模版)。
本实施例中，第一色阻8在交叠的位置设置了挖空部10，即第一色阻8在第一间隙区6、走线区5和第二间隙区7内设有挖空部10，第二色阻9与第一色阻8交叠的部分填充在挖空部10中，使第一色阻8未交叠的部分和第二色阻9在靠近DBS电极12的一侧保持平坦状态，有效的避免了第二色阻9覆盖在第一色阻8上时产生坡度较大的牛角，从而避免了牛角引起的液晶漏光问题，有利于进一步提高产品的显示对比度。
在一实施例中，第一色阻8在第二间隙区7的延伸长度大于或等于第二间隙区7在目标方向上的长度的二分之一；且第二色阻9在第一间隙区6的延伸长度大于或等于第一间隙区6在目标方向上的长度的二分之一。本实施例中，第一色阻8和第二色阻9的交叠部分可以覆盖大部分的第一间隙区6和第二间隙区7，有利于提高对第一间隙区6和第二间隙区7的遮光效果，从而有利于提高产品的显示对比度。
在一实施例中，如图3所示，第一间隙区6设有第一屏蔽电极18，第一屏蔽电极18位于第一色阻8远离DBS电极12的一侧；第二间隙区7设有第二屏蔽电极19，第二屏蔽电极19位于第二色阻9远离DBS电极12的一侧；第一屏蔽电极18与第一子像素区3在目标方向上的间距小于或等于第二色阻9与第一子像素区3在目标方向上的间距；且第二屏蔽电极19与第二子像素区4在目标方向上的间距小于或等于第一色阻8与第二子像素区4在目标方向上的间距。
具体的，第一屏蔽电极18和第二屏蔽电极19分布在数据线11的两侧，当然，在一些实施例中，第一屏蔽电极18和第二屏蔽电极19靠近数据线11的一侧可以与数据线11部分重叠设置，需要说明的是，第一屏蔽电极18和第二屏蔽电极19均与数据线11绝缘设置；另外，在一些实施例中，第一屏蔽电极18还可以向第一子像素区3延伸且部分位于第一子像素区3，第二屏蔽电极19还可以向第二子像素区4延伸且部分位于第二子像素区4，此时，第一色阻8靠近第二子像素区4的一侧不能超过第二屏蔽电极19靠近第二子像素区4的一侧，且第二色阻9靠近第一子像素区3的一侧不能超过第一屏蔽电极18靠近第一子像素区3的一侧，以避免第一子像素区3和第二子像素区4出现混色串扰问题。
具体的，TFT阵列基板1还包括绝缘层20，第一屏蔽电极18位于衬底基板15的第一间隙区6上，第二屏蔽电极19位于衬底基板15的第二间隙区7上；绝缘层20覆盖在衬底基板15、第一屏蔽电极18和第二屏蔽电极19上；数据线11设置在绝缘层20的走线区5上；第一钝化层16覆盖在绝缘层20和数据线11上。
本实施例中，第一屏蔽电极18和第二屏蔽电极19位于数据线11的两侧，可以屏蔽数据线11的高电平信号，以用于屏蔽数据线11的高频数据信号对第一子像素电极13和第二子像素电极14的耦合影响，有利于提高产品的显示效果。
如图4至图6所示，本申请实施例提供了一种具有8畴像素结构的TFT阵列基板1，与上述实施例不同的在于，第一子像素区3包括第一主区24和第一次区25，第二子像素区4包括第二主区26和第二次区27；对应的，第一子像素电极13包括第一主区子像素电极28和第一次区子像素电极29，第二子像素电极14包括第二主区子像素电极30和第二次区子像素电极31；对应的，走线区5包括主区走线区32和次区走线区33；对应的第一间隙区6包括第一主区间隙区34和第一次区间隙区35，第二间隙区7包括第二主区间隙区36和第二次区间隙区37。
第一色阻8位于第一主区24和第一次区25，第二色阻9位于第二主区26和第二次区27；位于第一主区24的第一色阻8自第一主区24延伸至第二主区间隙区36内，位于第二主区26的第二色阻9自第二主区26延伸至第一主区间隙区34内，第一色阻8和第二色阻9在第一主区间隙区34、主区走线区32和第二主区间隙区36内交叠设置；位于第一次区25的第一色阻8自第一次区25延伸至第二次区间隙区37内，位于第二次区27的第二色阻9自第二次区27延伸至第一次区间隙区35内，第一色阻8和第二色阻9在第一次区间隙区35、次区走线区33和第二次区间隙区37内交叠设置。
具体的，第一屏蔽电极18设置在第一主区间隙区34，第二屏蔽电极19设置在第二主区间隙区36，且分布在位于主区走线区32的数据线11两侧。对于8畴像素结构，主区(包括第一主区24和第二主区26)和次区(包括第一次区25和第二次区27)对应的液晶两侧的压差不同，主区对应的液晶两侧的压差较大，因此主区子像素区的亮度也更大，并且显示面板发生串扰等品味影响最明显的是在中低灰阶，而此时次区子像素区基本不亮，主区贡献主要亮度，因此在主区间隙区设置屏蔽电极有利于改善串扰问题；而次区间隙区不设置屏蔽电极有利于提高开口率和穿透率。
本实施例中，在目标方向上任意相邻的第一色阻8和第二色阻9在第一主区间隙区34、主区走线区32和第二主区间隙区36内交叠设置，且第一色阻8和第二色阻9在第一次区间隙区35、次区走线区33和第二次区间隙区37内交叠设置；可以通过交叠的两个不同色阻的波长选择透过效应，使得通过第一主区间隙区34、第二主区间隙区36、第一次区间隙区35和第二次区间隙区37的大部分波长的光无法通过，可以降低第一主区间隙区34、第二主区间隙区36、第一次区间隙区35和第二次区间隙区37的暗态漏光亮度，有利于提高产品的显示对比度；并且，第一色阻8在交叠的位置设置了挖空部10，第二色阻9与第一色阻8交叠的部分填充在挖空部10中，有效的避免了第二色阻9覆盖在第一色阻8上时产生坡度较大的牛角，从而避免了牛角引起的液晶漏光问题，有利于进一步提高产品的显示对比度。
如图7所示，本申请实施例还提供了一种显示面板21，显示面板21包括上述实施例中的TFT阵列基板1，以及与TFT阵列基板1相对设置的对置基板22。
具体的，显示面板21为COA型液晶显示面板21，即显示面板21还包括设置在TFT阵列基板1与对置基板22之间的液晶层23。对置基板22靠近液晶层23的一侧还设有公共电极。
本实施例中，将在目标方向上任意相邻的第一色阻8和第二色阻9交叠设置，且第一色阻8向第一间隙区6、走线区5和第二间隙区7延伸并延伸至第二间隙区7内，第二色阻9向第二间隙区7、走线区5和第一间隙区6延伸并延伸至第一间隙区6内，使得第一色阻8和第二色阻9在第一间隙区6、走线区5和第二间隙区7内交叠设置；第一色阻8和第二色阻9在第一间隙区6内和第二间隙区7内交叠，可以通过交叠的两个不同色阻的波长选择透过效应，使得通过第一间隙区6和第二间隙区7的大部分波长的光无法通过，可以降低第一间隙区6和第二间隙区7的暗态漏光亮度，有利于提高显示面板21的显示对比度；并且，第一色阻8在交叠的位置设置了挖空部10，即第一色阻8在第一间隙区6、走线区5和第二间隙区7内设有挖空部10，第二色阻9与第一色阻8交叠的部分填充在挖空部10中，使第一色阻8未交叠的部分和第二色阻9靠近DBS电极12的一侧保持平坦状态，有效的避免了第二色阻9覆盖在第一色阻8上时产生坡度较大的牛角，从而避免了牛角引起的液晶漏光问题，有利于进一步提高显示面板21的显示对比度。
综上所述，虽然本申请已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本申请，本领域的普通技术人员，在不脱离本申请的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本申请的保护范围以权利要求界定的范围为准。

Claims (7)

1.一种TFT阵列基板，其特征在于，包括呈阵列分布的多个子像素区；在目标方向上任意相邻的两个所述子像素区包括第一子像素区和第二子像素区，所述第一子像素区和所述第二子像素区之间设有走线区，所述第一子像素区和所述走线区之间形成有第一间隙区，所述第二子像素区和所述走线区之间形成有第二间隙区；
所述第一子像素区设有第一色阻，且所述第一色阻自所述第一子像素区延伸至所述第二间隙区内；所述第二子像素区设有第二色阻，所述第二色阻自所述第二子像素区延伸至所述第一间隙区内；所述第一色阻和所述第二色阻在所述第一间隙区、所述走线区和所述第二间隙区内交叠设置；
所述第一色阻和所述第二色阻的交叠部分在所述目标方向上的长度小于或等于所述第一间隙区、所述走线区和所述第二间隙区在所述目标方向上的总长度；所述第一色阻在所述第二间隙区的延伸长度大于或等于所述第二间隙区在所述目标方向上的长度的二分之一；所述第二色阻在所述第一间隙区的延伸长度大于或等于所述第一间隙区在所述目标方向上的长度的二分之一。
2.如权利要求1所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述第一色阻在所述第一间隙区、所述走线区和所述第二间隙区内设有挖空部；所述第二色阻与所述第一色阻交叠的部分填充在所述挖空部中。
3.如权利要求1所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述第一色阻包括红色色阻、绿色色阻和蓝色色阻中的任意一种，所述第二色阻包括所述红色色阻、所述绿色色阻和所述蓝色色阻中不同于所述第一色阻的任意一种。
4.如权利要求1所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述走线区对应设有数据线和DBS电极；所述第一色阻和所述第二色阻位于所述数据线和所述DBS电极之间；
所述第一间隙区设有第一屏蔽电极，所述第一屏蔽电极位于所述第一色阻远离所述DBS电极的一侧；所述第二间隙区设有第二屏蔽电极，所述第二屏蔽电极位于所述第二色阻远离所述DBS电极的一侧；
所述第一屏蔽电极与所述第一子像素区在所述目标方向上的间距小于或等于所述第二色阻与所述第一子像素区在所述目标方向上的间距；且所述第二屏蔽电极与所述第二子像素区在所述目标方向上的间距小于或等于所述第一色阻与所述第二子像素区在所述目标方向上的间距。
5.如权利要求4所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述第一子像素区对应设有第一子像素电极，所述第二子像素区对应设有第二子像素电极，所述第一子像素电极、所述第二子像素电极与所述DBS电极同层设置。
6.如权利要求5所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述TFT阵列基板还包括衬底基板、绝缘层、第一钝化层和第二钝化层；
所述第一屏蔽电极位于所述衬底基板的第一间隙区上，所述第二屏蔽电极位于所述衬底基板的第二间隙区上；所述绝缘层覆盖在所述衬底基板、所述第一屏蔽电极和第二屏蔽电极上；所述数据线设置在所述绝缘层的走线区上；所述第一钝化层覆盖在所述绝缘层和所述数据线上；所述第一色阻和所述第二色阻位于所述第一钝化层上；所述第二钝化层覆盖在所述第一色阻和所述第二色阻上；所述第一子像素电极、所述DBS电极和所述第二子像素电极位于所述第二钝化层上。
7.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求1至6任意一项所述的TFT阵列基板，以及与所述TFT阵列基板相对设置的对置基板。
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