CN109887931A - 阵列基板及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种阵列基板及其制备方法，所述阵列基板包括衬底基板、设置于所述衬底基板上的器件层以及覆盖在所述器件层上的色阻层；所述色阻层包括多个色阻，相邻两所述色阻在交界区重叠，所述交界区单一色阻的厚度小于非交界区单一色组的厚度，所述交界区色阻的总厚度与所述非交界区色阻的厚度相同。所述阵列基板的制备方法包括使用半色调光罩对对色阻进行曝光处理，以减薄色阻边缘区域，使相邻两色阻交界区厚度与非交界区色阻厚度相同，从而消除了阵列基板的牛角区域，提高显示器的显示品质。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制备方法。
背景技术
液晶显示器(Liquid Crystal Display,LCD)在显示技术领域有着极为重要的地位，在市场上也有着广泛的应用。一般用于制作液晶显示器的液晶显示面板包括阵列基板、彩膜基板、及设置在阵列基板和彩膜基板之间的液晶层。其中彩膜基板包括用于形成有色光的彩色滤光层，但这种结构的液晶显示面板需要保证阵列基板与彩膜基板在组装时具有良好的对位，以防止彩色滤光层位置偏移造成的显示不良。
COA(Color Filter on Array)技术是将彩色滤光层直接制备在阵列基板上，从而不存在阵列基板与彩膜基板的对位问题。在基于COA技术的液晶显示面板结构中，色阻设置于阵列基板上，为避免相邻两色阻或相邻两像素之间出现漏光，会将相邻两色阻或相邻两像素挨得很近，这样就会导致色阻或像素交界区厚度偏大，形成突起，即所谓的牛角区域。在牛角区域上方覆盖的电极也因此产生突起，所形成的电场不能很好地屏蔽周边电场的干扰，造成显示异常，影响面板品质。
发明内容
为了解决上述问题，本发明提供了一种阵列基板及其制备方法，可以消除牛角区域，提高显示品质。
本发明提供一种阵列基板，包括：衬底基板、设置于所述衬底基板上的器件层以及覆盖在所述器件层上的色阻层；
所述色阻层包括多个色阻，相邻两所述色阻在交界区重叠，所述交界区单一色阻的厚度小于非交界区单一色组的厚度，所述交界区色阻的总厚度与所述非交界区色阻的厚度相同。
根据本发明一实施例，所述交界区单一色阻的厚度是非交界区色阻厚度的一半。
根据本发明一实施例，所述色阻层为红、绿、蓝三种颜色的色阻依次交替排列。
根据本发明一实施例，所述色阻层上还设置有像素电极层，所述像素电极层与所述器件层电性连接。
根据本发明一实施例，所述器件层包括多个薄膜晶体管、并列排列的多条栅极线和与所述栅极线交叉排列多条数据线，所述栅极线与所述薄膜晶体管的控制端电性连接，所述数据线与所述薄膜晶体管的输入端电性连接，所述像素电极层与所述薄膜晶体管的输出端电性连接。
本发明还提供了一种阵列基板的制备方法，包括以下步骤：
提供一衬底基板，所述衬底基板上设置有器件层；
在所述器件层上涂布色阻；
使用半色调光罩HTM对所述色阻进行曝光处理，使所述色阻边缘厚度减薄。
根据本发明一实施例，在所述器件层上涂布的色阻包括依次交替排列的红、绿、蓝三种颜色的色阻。
根据本发明一实施例，所述色阻涂布及所述色阻曝光的具体步骤包括：
在所述器件层上的第一区域内涂布红色阻；
使用半色调光罩HTM对所述红色阻进行曝光处理，使所述红色阻边缘厚度减薄；
在与所述第一区域交界的第二区域涂布绿色阻，使所述绿色阻覆盖所述红色阻的厚度减薄区及所述第二区域；
使用半色调光罩HTM对所述绿色阻进行曝光处理，使所述绿色阻边缘厚度减薄；
在与所述第二区域交界的第三区域涂布蓝色阻，使所述蓝色阻覆盖所述绿色阻的厚度减薄区及所述第三区域；
使用半色调光罩HTM对所述蓝色阻进行曝光处理，使所述蓝色阻边缘厚度减薄；
以与上述步骤相同/相似的方法依次完成红、绿、蓝色阻的涂布和曝光。
根据本发明一实施例，相邻两所述色阻重叠的区域为交界区，所述交界区的色阻厚度与非交界区色阻厚度相同。
根据本发明一实施例，所述阵列基板的制备方法还包括在所述色阻层上制备像素电极层，所述像素电极层与所述器件层电性连接。
本发明的有益效果是：通过使用半色调光罩对色阻进行曝光处理，使单一色阻边缘的厚度减薄，并且使交界区两色阻的总厚度与非交界区色阻的厚度相同，从而消除阵列基板的牛角区域，提高显示器的显示品质。
附图说明
为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明实施例提供的阵列基板结构俯视图；
图2是本发明实施例提供的阵列基板沿图1中A-A’的剖面图；
图3是本发明实施例提供的半色调光罩结构示意图；
图4是本发明实施例提供的阵列基板制备方法流程图；
图5是本发明实施例提供的色阻涂布和曝光方法流程图。
具体实施方式
以下各实施例的说明是参考附加的图示，用以例示本发明可用以实施的特定实施例。本发明所提到的方向用语，例如[上]、[下]、[前]、[后]、[左]、[右]、[内]、[外]、[侧面]等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本发明，而非用以限制本发明。在图中，结构相似的单元是用以相同标号表示。
如图1和图2所示，本发明实施例提供了一种阵列基板，包括：衬底基板11、器件层12和色阻层13。其中，所述器件层12阵列分布在所述衬底基板12上，所述色阻层13设置在所述器件层12上，并覆盖所述器件层12。
其中，所述色阻层13包括多个色阻，例如红色阻131、绿色阻132和蓝色阻133，且所述红色阻131、绿色阻132和红色阻133在整个阵列基板上依次交替有序排列。为了避免色阻与色阻的交界区漏光，需将相邻两色阻在交界区重叠一部分，例如本实施例中的红色阻131与绿色阻132的交界区，绿色阻132与蓝色阻133的交界区，以及蓝色阻133与红色阻131的交界区。本发明实施例提供的阵列基板中，色阻交界区13a的单一色阻的厚度小于非交界区单一色阻的厚度，例如所述红色阻131在交界区13a处的厚度小于非交界区的厚度；交界区两色阻的叠加厚度与非交界区的厚度相同，例如所述红色阻131与所述绿色阻132在所述交界区13a的叠加厚度与非交界区的所述红色阻131或所述绿色阻132的厚度相同。所述色阻层13的色阻交界区与非交界区厚度相同，从而消除“牛角”区域，可以使所述色阻层13具有平整表面，这种平整表面有利于阵列基板输出稳定均匀的电场。
优选地，所述交界区单一色阻的厚度是非交界区色阻厚度的一半，例如，所述交界区13a中所述红色阻131的厚度是非交界区所述红色阻131厚度的一半，所述交界区13a中所述绿色阻132的厚度是非交界区所述绿色阻132厚度的一半，同理所述绿色阻132与所述蓝色阻133的交界区就，及所述蓝色阻133与所述红色阻131的交界区。
优选地，本发明实施例提供的阵列基板还包括像素电极层14，所述像素电极层14设置在所述色阻层13上，并且所述像素电极层14与所述器件层12电性连接。由于所述色阻层13具有平整表面，所述像素电极层14设置在平整的色阻层13表面，也具有平整的表面结构，可以为显示器提供稳定均匀的电场，提高显示品质。
优选地，所述器件层12包括阵列排布的多个薄膜晶体管(TFT)121、并列排列的多条栅极线122和与所述栅极线122交叉排列的多条数据线123。其中，所述薄膜晶体管121包括控制端1211(例如栅极)、输入端1212(例如源极或漏极)和输出端1213(例如漏极或源极)；所述栅极线122与所述薄膜晶体管121的控制端1211电性连接，通过所述栅极线122向所述阵列基板提供控制信号；所述数据线123与所述薄膜晶体管121的输入端1212电性连接，通过所述数据线123向所述阵列基板提供数据信号；所述像素电极层14与所述薄膜晶体管121的输出端电性连接，以实现对像素电极层14的输出电场强度的控制。
综上所述，本发明实施例提供的阵列基板，由于色阻层中，色阻与色阻的交界区的厚度与非交界区的厚度相同，从而消除“牛角”区域，使色阻层具有平整表面，设置在色阻层上的像素电极层也因此具有平整的表面结构，可以为显示器提供稳定均匀的电场，提高显示品质。
如图4所示，本发明实施例还提供了一种阵列基板的制备方法，所述制备方法包括以下步骤：
步骤S41、参考图1及图2，提供一衬底基板11，所述衬底基板11上设置有器件层12。
具体地，所述器件层12包括阵列排布的多个薄膜晶体管(TFT)121、并列排列的多条栅极线122和与所述栅极线122交叉排列的多条数据线123。其中，所述薄膜晶体管121包括控制端1211(例如栅极)、输入端1212(例如源极或漏极)和输出端1213(例如漏极或源极)；所述栅极线122与所述薄膜晶体管121的控制端1211电性连接，通过所述栅极线122向所述阵列基板提供控制信号；所述数据线123与所述薄膜晶体管121的输入端1212电性连接，通过所述数据线123向所述阵列基板提供数据信号。
步骤S42、参考图1及图2，在所述器件层12上涂布色阻层13。
具体地，所述色阻层13包括红色阻131、绿色阻132及蓝色阻133，涂布方法是狭缝涂布；涂布时，使用狭缝涂布机，分三次将红色阻131、绿色阻132及蓝色阻133分别涂布衬底基板11和器件层12上。
步骤S43、参考图1至图3，使用半色调光罩31对所述色阻层13进行曝光处理，使所述色阻层13中的任一色阻(例如红色阻131、绿色阻132或蓝色阻133)的边缘厚度减薄。
具体地，所述半色调光罩31包括两种透光度不同的半透膜，其中，第一半透膜311的透光度大于第二半透膜312的透光度，所述第一半透膜311位于所述第二半透膜312的两侧，所述第一半透膜311与所述单一色组(例如红色阻131、绿色阻132或蓝色阻133)的两边相对应，所述第二半透膜312与所述单一色组(例如红色阻131、绿色阻132或蓝色阻133)的中间区域相对应。在使用所述半色调光罩31对所述色阻进行曝光时，所述第一半透膜311遮挡所述单一色阻的两边，所述第二半透膜312遮挡所述单一色阻的中间区域，经曝光显影处理后，可以使所述单一色阻两边的厚度相对于中间区域的厚度减薄。
具体地，如图5所示，关于色阻涂布及色阻曝光的过程可以细分为以下步骤，参考图1至图3：
步骤S501、在所述器件层12上的第一区域内涂布红色阻131。
需要说明的是，所述第一区域有多个，并且在整个阵列基板上是间隔有序排列的，图1及图2中仅示出了其中一个第一区域，如红色阻131所占据的区域；对第一区域进行涂布时，可以是一次涂布完成，也可以是多次涂布完成。
步骤S502、使用半色调光罩31对所述红色阻131进行曝光处理，显影后，所述红色阻131边缘区域的厚度比中间区域的厚度薄。
步骤S503、在与所述第一区域交界的第二区域涂布绿色组132，使所述绿色组132覆盖所述红色阻131的厚度减薄区，即所述红色阻131与所述绿色阻132的交界区13a，及所述第二区域。
需要说明的是，所述第二区域有多个，在整个阵列基板上分别与所述第一区域交界，并且间隔有序排列，图1及图2中仅示出了其中一个第二区域，如绿色阻132所占据的区域；对第二区域进行涂布时，可以是一次涂布完成，也可以是多次涂布完成。
步骤S504、使用半色调光罩31对所述绿色阻132进行曝光处理，显影后，所述绿色阻132边缘区域的厚度比中间区域的厚度薄，并且，所述红色阻131与所述绿色阻132的交界区13a的红色阻131与绿色阻132的总厚度与红色阻131或绿色阻132非交界区单一色阻的厚度相同。
步骤S505、在与所述第二区域交界的第三区域涂布蓝色组133，使所述蓝色组133覆盖所述绿色阻132的厚度减薄区，即所述绿色阻132与所述蓝色阻133的交界区13b，及所述第三区域。
需要说明的是，所述第三区域有多个，在整个阵列基板上，所述第三区域的一侧与所述第二区域交界，另一侧与所述第一区域交界，图1及图2中仅示出了其中一个第三区域，如蓝色阻133所占据的区域；对第三区域进行涂布时，可以是一次涂布完成，也可以是多次涂布完成。
进一步地，所述第一区域、第二区域和第三区域分别为阵列基板上涂布红色阻131、绿色阻132和蓝色阻133的的区域，在涂布色阻之前，可以在阵列基板上预先规划出相应的色阻涂布区，如与红色阻相对应的第一区域、与绿色阻相对应的第二区域和与蓝色阻相对应的第三区域。所述第一区域、第二区域及第三区域的总和构成了所述阵列基板的整个显示区域。
步骤S506、使用半色调光罩31对所述蓝色阻133进行曝光处理，显影后，所述蓝色阻133边缘区域的厚度比中间区域的厚度薄，并且，所述绿色阻132与所述蓝色阻133的交界区13b的绿色阻132与蓝色阻133的总厚度与绿色阻132或蓝色阻133非交界区单一色阻的厚度相同。
需要说明的是，经过上述步骤处理，所述阵列基板中任意两色阻交界区的厚度与非交界区色阻的厚度相同，从而使整个色阻层形成一平整表面。
另外，所述半色调光罩31包括阵列排布的多个半透膜区域，对色阻进行曝光时，可以对多个色阻区域进行同时曝光。
进一步地，所述阵列基板的制备方法还包括：完成色阻层13的制备后，在所述色阻层13上制备像素电极层14，所述像素电极层14与所述薄膜晶体管121的输出端1213电性连接。
综上所述，本发明实施例通过使用半色调光罩对色阻进行曝光处理，使单一色阻边缘的厚度减薄，并且使交界区两色阻的总厚度与非交界区色阻的厚度相同，从而消除阵列基板牛角区域，提高显示器的显示品质。
另外需要说明的是，虽然本发明以具体实施例揭露如上，但上述实施例并非用以限制本发明，本领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本发明的保护范围以权利要求界定发范围为准。
Claims (10)
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：衬底基板、设置于所述衬底基板上的器件层以及覆盖在所述器件层上的色阻层；
所述色阻层包括多个色阻，相邻两所述色阻在交界区重叠，所述交界区单一色阻的厚度小于非交界区单一色组的厚度，所述交界区色阻的总厚度与所述非交界区色阻的厚度相同。
2.根据权利要求1所述阵列基板，其特征在于，所述交界区单一色阻的厚度是非交界区色阻厚度的一半。
3.根据权利要求1所述阵列基板，其特征在于，所述色阻层为红、绿、蓝三种颜色的色阻依次交替排列。
4.根据权利要求1所述阵列基板，其特征在于，所述色阻层上还设置有像素电极层，所述像素电极层与所述器件层电性连接。
5.根据权利要求4所述阵列基板，其特征在于，所述器件层包括多个薄膜晶体管、并列排列的多条栅极线和与所述栅极线交叉排列多条数据线，所述栅极线与所述薄膜晶体管的控制端电性连接，所述数据线与所述薄膜晶体管的输入端电性连接，所述像素电极层与所述薄膜晶体管的输出端电性连接。
6.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供一衬底基板，所述衬底基板上设置有器件层；
在所述器件层上涂布色阻；
使用半色调光罩HTM对所述色阻进行曝光处理，使所述色阻边缘厚度减薄。
7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，在所述器件层上涂布的色阻包括依次交替排列的红、绿、蓝三种颜色的色阻。
8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述色阻涂布及所述色阻曝光的具体步骤包括：
在所述器件层上的第一区域内涂布红色阻；
使用半色调光罩HTM对所述红色阻进行曝光处理，使所述红色阻边缘厚度减薄；
在与所述第一区域交界的第二区域涂布绿色阻，使所述绿色阻覆盖所述红色阻的厚度减薄区及所述第二区域；
使用半色调光罩HTM对所述绿色阻进行曝光处理，使所述绿色阻边缘厚度减薄；
在与所述第二区域交界的第三区域涂布蓝色阻，使所述蓝色阻覆盖所述绿色阻的厚度减薄区及所述第三区域；
使用半色调光罩HTM对所述蓝色阻进行曝光处理，使所述蓝色阻边缘厚度减薄。
9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，相邻两所述色阻重叠的区域为交界区，所述交界区的色阻厚度与非交界区色阻厚度相同。
10.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述阵列基板的制备方法还包括在所述色阻层上制备像素电极层，所述像素电极层与所述器件层电性连接。
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20190614 |
|
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |