CN111090007A - 存储器、导电回路电接触状态评测方法、装置和设备 - Google Patents

Abstract

本发明公开了存储器、导电回路电接触状态评测方法、装置和设备，其中所述方法包括：在环境温度下测量待测GIS回路的回路电阻；对待测GIS回路进行包括有多个阶段的升温试验，并在每完成一个阶段升温试验后测量待测GIS回路的回路电阻，以获得不同温度下的回路电阻；根据待测GIS回路在不同温度下的回路电阻生成阻值变化曲线；根据阻值变化曲线的特性生成电接触状态评测结果，能够发现更多的接触状态隐患，从而有效的提高了导电回路电接触状态评测的准确性和有效性。

Description

存储器、导电回路电接触状态评测方法、装置和设备

技术领域

本发明涉及电气工程领域，特别涉及存储器、导电回路电接触状态评测方法、设备和装置。

背景技术

气体绝缘金属封闭开关设备(Gas Insulated Switchgear,GIS)具有占地面积小、故障概率低、安全性能高、环境影响小、便于安装维护等优点，可以大幅提高供电可靠性。GIS会因其设备制造的材料、不同厂家的装配工艺、设备运输以及安装等方面出现的问题，造成电接触内部不可避免地存在各种缺陷，随着运行年限的增加，缺陷会逐渐发展严重，进而有可能引发内部故障。

实际运行中的GIS长期受温度和振动等因素的影响，接触状况在慢慢地发生改变，随着GIS投入运行时间的增加，GIS主回路接触问题日益凸显。回路电阻一直以来都是控制设备质量和反映GIS电接触状态的重要技术指标，通过实际测量来确定导电回路电阻值是否在标准规定的范围内，以检查电气设备安装质量和回路完整性，及早发现因制造不良或运行中因振动而产生的机械松动等原因造成的接触不良等缺陷，从而保证GIS系统长期载流和短路时通过极限电流的性能。

现有技术中通常在GIS设备退出运行、空载条件下，测量导电回路的回路电阻，通过电阻值与规定的正常值相比升高的幅度来判断导电回路电接触状态是否良好。

发明人经过研究发现，现有技术中导电回路电接触状态的评测方式至少存在以下缺陷：

实际运行中的GIS和离线检修时的GIS状态是有很大区别的，实际运行中的GIS触头处于一个温度较高，还有振动等持续因素的环境中，接触状态很有可能发生变化，而现有技术中评测的是空载时的状况，并不能很好地反映投入运行后可能的状态变化；也就是说，现有技术中的导电回路电接触状态评测方式所获得结果不够准确。

公开于该背景技术部分的信息仅仅旨在增加对本发明的总体背景的理解，而不应当被视为承认或以任何形式暗示该信息构成已为本领域一般技术人员所公知的现有技术。

发明内容

本发明的目的在于发现现有技术无法检测到的接触状态隐患，从而提高导电回路电接触状态评测的准确性和有效性。

本发明提供了一种导电回路电接触状态评测方法，包括步骤：

S11、在环境温度下测量待测GIS回路的回路电阻；

S12、对所述待测GIS回路进行包括有多个阶段的升温试验，并在每完成一个阶段升温试验后测量所述待测GIS回路的回路电阻，以获得所述待测GIS回路在不同温度下的回路电阻；

S13、根据所述待测GIS回路在不同温度下的回路电阻，生成回路电阻的阻值变化曲线；

S14、根据所述阻值变化曲线的特性生成所述待测GIS回路的电接触状态评测结果。

优选的，在本发明实施例中，所述测量所述待测GIS回路的回路电阻包括：

采用直流法或冲击电流法测量所述待测GIS回路的回路电阻。

优选的，在本发明实施例中，所述升温试验包括：

通过使用额定交流电流或低于额定值的交流电流对所述待测GIS回路进行升温。

优选的，在本发明实施例中，所述阻值变化曲线包括：回路电阻随温度而变化的曲线、回路电阻随时间而变化的曲线，或，回路电阻随温度和时间的结合而变化的曲线；

当阻值变化曲线为回路电阻随时间而变化的曲线时，所述升温试验的多个阶段为根据升温时间将升温试验的升温过程化分出的多个升温阶段；

当阻值变化曲线为回路电阻随温度而变化的曲线时，所述升温试验的多个阶段为根据所述待测GIS回路的温度值将升温试验的升温过程化分出的多个升温阶段。

优选的，在本发明实施例中，当阻值变化曲线为回路电阻随温度和时间的结合而变化的曲线时：

在所述阻值变化曲线中前部预设个数的升温阶段为根据所述待测GIS回路的温度值化分获得，在所述阻值变化曲线的后部预设个数的升温阶段为根据升温时间化分获得。

优选的，在本发明实施例中，所述根据所述阻值变化曲线的特性生成所述待测GIS回路的电接触状态评测结果，包括：

当所述阻值变化曲线中回路电阻没有明显波动，则可初步认为所述待测GIS回路接触状态良好；

当所述阻值变化曲线中回路电阻出现明显波动，则可判定为所述待测GIS回路接触状态不良；

当所述阻值变化曲线中回路电阻出现明显波动且波动呈现不断增强的趋势，则可判定所述待测GIS回路为接触状态严重不良。

优选的，在本发明实施例中，所述明显波动包括：

在所述阻值变化曲线中前部预设个数的升温阶段中回路电阻的波动幅度超过预设值，或，在所述阻值变化曲线的后部预设个数的升温阶段中出现了回路电阻突然增大。

在本发明的另一面，还提供了一种导电回路电接触状态评测装置，包括：

初始阻值获取单元，用于在环境温度下测量待测GIS回路的回路电阻；

升温阻值获取单元，用于对所述待测GIS回路进行包括有多个阶段的升温试验，并在每完成一个阶段升温试验后测量所述待测GIS回路的回路电阻，以获得所述待测GIS回路在不同温度下的回路电阻；

变化曲线生成单元，用于根据所述待测GIS回路在不同温度下的回路电阻，生成回路电阻的阻值变化曲线；

评测结果生成单元，用于根据所述阻值变化曲线的特性生成所述待测GIS回路的电接触状态评测结果。

在本发明实施例的另一面，还提供了一种存储器，包括软件程序，所述软件程序适于由处理器执行上述导电回路电接触状态评测方法的步骤。

本发明实施例的另一面，还提供了一种导电回路电接触状态评测设备，所述导电回路电接触状态评测设备包括存储在存储器上的计算机程序，所述计算机程序包括程序指令，当所述程序指令被计算机执行时，使所述计算机执行以上各个方面所述的方法，并实现相同的技术效果。

与现有技术相比，本发明具有如下有益效果：

本发明实施例中，发明人考虑到在实际工况中，GIS回路设备是在运行电流的热效应作用下，导电回路自身具有一定的温度，而运行温度又是影响导电回路电接触状态的重要因素，具体来说，温度升高会使GIS回路设备中的接触状态劣化，从而降低其导电性能，进而引起导电连接件的接触电阻进一步增大，当GIS回路设备中存在受温度影响很大的接触点时，则说明此时GIS回路的电接触状态不好，存在故障发生的隐患；而现有技术中，测量升温试验前后GIS回路设备的电阻都是将其开关设备和控制设备冷却到周围空气温度时获得的结果，这与GIS回路设备的实际工况不符，无法准确体现温度对GIS回路的电接触状态的影响，从而导致最终的评测结果不够可靠。

基于以上原因，在本发明实施例中，将整个升温试验划分为多个阶段，并在保持升温试验各阶段中待测GIS回路的当前温度的情况下，测量其回路电阻；这样，通过本发明实施例中，可以获得升温试验各阶段测量时刻的回路电阻值，由于整个升温试验过程中，待测GIS回路的温度是不断提升的，因此，也就可以根据各阶段测量时间点的回路电阻值，生成待测GIS回路的回路电阻的阻值变化曲线。

本发明实施例中根据阻值变化曲线来获得电接触状态评测结果的方式可以是，当整个升温过程中，回路电阻出现明显波动，例如在阻值变化曲线中阻值的波动幅度超过预设值或在后期出现了电阻突然增大的现象等，不论波动是否持续，则可判定为接触状态不良，此为充分非必要条件；当整个升温过程中，回路电阻出现明显波动且波动呈现不断增强的趋势，则可判定为接触状态严重不良，说明GIS已经不适合投入运行，需要拆卸检修进一步寻找具体原因，此为充分非必要条件。

由上可知，本发明实施例考虑了实际工况中温度升高和振动对于GIS回路设备接触状态的影响，从而能够发现现有技术无法检测到的接触状态隐患，从而有效地提高了导电回路电接触状态评测的准确性和有效性。

上述说明仅为本发明技术方案的概述，为了能够更清楚地了解本发明的技术手段并可依据说明书的内容予以实施，同时为了使本发明的上述和其他目的、技术特征以及优点更加易懂，以下列举一个或多个优选实施例，并配合附图详细说明如下。

附图说明

图1是本发明中所述导电回路电接触状态评测方法的步骤图；

图2是本发明中所述阻值变化曲线的示意图；

图3是本发明中所述阻值变化曲线的又一示意图；

图4是本发明中所述导电回路电接触状态评测装置的结构示意图；

图5是本发明中所述导电回路电接触状态评测系统的结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图，对本发明的具体实施方式进行详细描述，但应当理解本发明的保护范围并不受具体实施方式的限制。

除非另有其他明确表示，否则在整个说明书和权利要求书中，术语“包括”或其变换如“包含”或“包括有”等等将被理解为包括所陈述的元件或组成部分，而并未排除其他元件或其他组成部分。

在本文中，为了描述的方便，可以使用空间相对术语，诸如“下面”、“下方”、“下”、“上面”、“上方”、“上”等，来描述一个元件或特征与另一元件或特征在附图中的关系。应理解的是，空间相对术语旨在包含除了在图中所绘的方向之外物件在使用或操作中的不同方向。例如，如果在图中的物件被翻转，则被描述为在其他元件或特征“下方”或“下”的元件将取向在所述元件或特征的“上方”。因此，示范性术语“下方”可以包含下方和上方两个方向。物件也可以有其他取向(旋转90度或其他取向)且应对本文使用的空间相对术语作出相应的解释。

在本文中，术语“第一”、“第二”等是用以区别两个不同的元件或部位，并不是用以限定特定的位置或相对关系。换言之，在一些实施例中，术语“第一”、“第二”等也可以彼此互换。

为了能够发现现有技术无法检测到的接触状态隐患，从而有提高导电回路电接触状态评测的准确性和有效性，参考图1，本发明实施例提供了一种导电回路电接触状态评测方法，包括步骤：

S11、在环境温度下测量待测GIS回路的回路电阻；

实际应用中，本发明实施例中测量待测GIS回路的回路电阻的方式可以采用直流法或冲击电流法；其中，直流法在实际当中也可以称为四线法测试技术，一般情况下，其试验电流值应取100A到额定电流值之间的任一方便数值。冲击电流法是以超级电容器为基础的一种测量方法。

本发明实施例首先以环境温度为起点，来测量待测GIS回路的回路电阻，这样就获得了环境温度值以及对应的回路电阻值。

S12、对所述待测GIS回路进行包括有多个阶段的升温试验，并在每完成一个阶段升温试验后测量所述待测GIS回路的回路电阻，以获得所述待测GIS回路在不同温度下的回路电阻；

本发明实施例的核心思路是要获取不同温度下待测GIS回路的回路电阻，因此需要对待测GIS回路实施升温试验，以提高待测GIS回路的温度，然后在多个不同温度下分别测量待测GIS回路的回路电阻。

基于以上发明思路，本发明实施例将整个升温试验划分为多个升温阶段，在实际应用中，升温阶段可以根据时间间隔来划分，也可以按照温度值来划分，此外，还可以根据综合温升时间与温度值来划分，具体来说：

升温试验的多个阶段为根据待测GIS回路的温度值将升温试验的升温过程化分出的多个升温阶段是指，设定每个升温阶段的对应的温度值；这样，在升温试验过程中实时测量待测GIS回路的温度值，每当待测GIS回路升温至一个设定的温度值时测量待测GIS回路对应的回路电阻。

在实际应用中，可以是：

每完成一个升温试验阶段后断开升温试验的交流电源，测量所述待测GIS回路的回路电阻并同步记录所述待测GIS回路的温度值；

当获得所述待测GIS回路的回路电阻后，接入所述升温试验的交流电源进入下一阶段的升温试验。

升温试验的多个阶段为根据升温时间将升温试验的升温过程化分出的多个升温阶段是指，设定每个升温阶段的时间间隔，在到达每个时间点时来测量待测GIS回路对应的回路电阻；由于整个升温试验也是待测GIS回路温度持续升高的过程，因此，根据时间间隔来划分升温阶段所获得的测量结果，实质上也是获得了多个不同温度下待测GIS回路对应的回路电阻。

在实际应用中，可以是：

预先根据升温时间将升温试验的升温过程化分为多个升温阶段；

每完成一个升温试验阶段后断开升温试验的交流电源，测量所述待测GIS回路的回路电阻并同步记录所述待测GIS回路的升温时长；

当获得所述待测GIS回路的回路电阻后，接入所述升温试验的交流电源并进入下一阶段的升温试验。

进一步的，在本发明实施例中，还可以通过将温度和时间相结合的方式来划分各个升温阶段，也就是说，在多个升温阶段中，前部预设个数的升温阶段为根据所述待测GIS回路的温度值化分获得，在所述阻值变化曲线的后部预设个数的升温阶段为根据升温时间化分获得。

具体来说，结合温升时间与温度值来划分升温阶段是指综合考虑时间与温度的影响与变化情况来进行升温阶段的划分，例如在实验前期通过温度值划分阶段，在实验后期通过时间间隔划分升温阶段等等。这样在升温试验过程中记录时间并测量待测GIS回路的温度值，每当待测GIS回路达到一个测试节点时，测量待测GIS回路对应的回路电阻。

优选的，在本发明实施例中，根据时间间隔来划分升温阶段的方式，各升温阶段之间的时间间隔可以设置为在初始的几个升温阶段其时间间隔较短，后面的升温阶段的时间间隔较长。一般情况下，当导电回路的电接触存在接触不良的隐患时，在其温度升高的初期阶段就会导致电阻较大的变化，因此需要在升温试验的初期采用较为频繁的电阻测量来获得准确的变化趋势；而升温试验的后期电阻变化一般都较为平缓，可以通过增加时间间隔的方式来减少电阻测量的次数，从而降低导电回路电接触状态评测整体的工作量和工作成本。比如，在实际应用中，在初始的几个升温阶段其时间间隔可以设置为5分钟，后面的升温阶段的时间间隔可以设置为15分钟。

需要说明的是，本发明实施例中的时间间隔可以根据实际工况进行调整，在此并不做具体的限定。

S13、根据所述待测GIS回路在不同温度下的回路电阻，生成回路电阻的阻值变化曲线；

根据升温阶段划分方式的不同，本发明实施例中的阻值变化曲线获取方式不同，具体的，阻值变化曲线可以包括：回路电阻随温度而变化的曲线、回路电阻随时间而变化的曲线，或，回路电阻随温度和时间的结合而变化的曲线；

当阻值变化曲线为回路电阻随时间而变化的曲线时，升温试验的多个阶段为根据升温时间将升温试验的升温过程化分出的多个升温阶段；

当阻值变化曲线为回路电阻随温度而变化的曲线时，升温试验的多个阶段为根据待测GIS回路的温度值将升温试验的升温过程化分出的多个升温阶段。

优选的，在本发明实施例中，当阻值变化曲线为回路电阻随温度和时间的结合而变化的曲线时：

在所述阻值变化曲线中前部预设个数的升温阶段为根据所述待测GIS回路的温度值化分获得，在所述阻值变化曲线的后部预设个数的升温阶段为根据升温时间化分获得。

如2所示，当按照温度值来划分升温阶段时，阻值变化曲线直接由回路电阻值与温度得到(此时，阻值变化曲线为电阻与温度的关系，其纵坐标为回路电阻阻值，横坐标为温度值)；如3所示，当根据时间间隔来划分升温阶段时，阻值变化曲线由阻值与时间的关系和温度与时间的关系获得(此时，阻值变化曲线为电阻与时间的关系，其纵坐标为回路电阻阻值，横坐标为时间)。当综合温度值与时间来划分升温阶段时，阻值变化曲线的一部分为电阻与温度的关系，另一部分为电阻与时间的关系。

S14、根据所述阻值变化曲线的特性生成所述待测GIS回路的电接触状态评测结果。

当整个升温过程中，回路电阻出现明显波动，例如在阻值变化曲线中前部预设个数的升温阶段中阻值的波动幅度超过预设值或在后期出现了电阻突然增大的现象等，不论波动是否持续，则可判定为接触状态不良，此为充分非必要条件；当整个升温过程中，回路电阻出现明显波动且波动呈现不断增强的趋势，则可判定为接触状态严重不良，说明GIS已经不适合投入运行，需要拆卸检修进一步寻找具体原因，此为充分非必要条件。

基于以上认知，在本发明实施例中，根据所述阻值变化曲线的特性生成待测GIS回路的电接触状态评测结果，具体可以包括：

当整个升温过程中，回路电阻没有明显波动，则可初步认为接触状态良好；

当整个升温过程中，回路电阻出现明显波动，例如在阻值变化曲线中前部预设个数的升温阶段中阻值的波动幅度超过预设值或在后期出现了电阻突然增大的现象等，不论波动是否持续，则可判定为接触状态不良，此为充分非必要条件；

当整个升温过程中，回路电阻出现明显波动且波动呈现不断增强的趋势，则可判定为接触状态严重不良，此为充分非必要条件。

进一步的，还可以包括：当阻值变化曲线中，在前部预设个数的升温阶段中阻值的波动幅度超过第一预设值，且在后部的多个升温阶段中波动幅度小于第二预设值，初步判定待测GIS回路的电接触状态为处于较为稳定的接触不良状态；当阻值变化曲线中，在前部预设个数的升温阶段中阻值的波动幅度超过第一预设值，且在后部的多个升温阶段中波动幅度大于第二预设值且不论是否持续，判定待测GIS回路的电接触状态为处于不稳定的接触不良状态；当阻值变化曲线中，整个升温过程中波动幅度大于第二预设值且不断增强，判定待测GIS回路的电接触状态为处于严重接触不良状态。以上判定条件均为充分而非必要条件。

需要说明的是，本发明实施例中的第一预设值和第二预设值具体数值的设可以由本领域技术人员根据实际需要来设定，在此并不做具体的限定。

综上所述，本发明实施例中，发明人考虑到在实际工况中，GIS回路设备在运行电流的热效应作用下，导电回路自身具有一定的温度，而运行温度又是影响导电回路电接触状态的重要因素，具体来说，温度升高会使GIS回路设备中的接触状态劣化，从而降低其导电性能，进而引起导电连接件的接触电阻进一步增大，当GIS回路设备中存在受温度影响很大的接触点时，则说明此时GIS回路的电接触状态不好，存在故障发生的隐患；而现有技术中，测量升温试验前后GIS回路设备的电阻都是将开关设备和控制设备冷却到周围空气温度时获得的结果，这与GIS回路设备的实际工况不符，无法准确体现温度和振动对GIS回路的电接触状态的影响，从而导致最终的评测结果不够可靠。

基于以上原因，在本发明实施例中，将整个升温试验划分为多个阶段，测量其回路电阻；这样，通过本发明实施例中，可以获得升温试验各阶段测量时刻的回路电阻值，由于整个升温试验过程中，待测GIS回路的温度是不断升高的，因此，通过所述试验可以生成待测GIS回路的回路电阻的阻值随温度的变化曲线。

由于本发明实施例考虑了实际工况中温度对于GIS回路设备接触状态的影响，模拟出了GIS回路设备接触状态在温度发生变化时的发展趋势，从而能够发现现有技术无法检测到的接触状态隐患，从而有效的提高了导电回路电接触状态评测的准确性和有效性。

在本发明实施例的另一面，如图4所示，还提供一种导电回路电接触状态评测装置，包括：

初始阻值获取单元01，用于在环境温度下测量待测GIS回路的回路电阻；

升温阻值获取单元02，用于对所述待测GIS回路进行包括有多个阶段的升温试验，并在每完成一个阶段升温试验后测量所述待测GIS回路的回路电阻，以获得所述待测GIS回路在不同温度下的回路电阻值；

变化曲线生成单元03，用于根据所述待测GIS回路在不同温度下的回路电阻，生成回路电阻的阻值变化曲线；

评测结果生成单元04，用于根据所述阻值变化曲线的特性生成所述待测GIS回路的电接触状态评测结果。

由于本发明实施例中导电回路电接触状态评测装置的工作原理和有益效果已经在图1所对应的导电回路电接触状态评测方法中也进行了记载和说明，因此可以相互参照，在此就不再过多赘述。

在本发明实施例中，还提供了一种存储器，其中，存储器包括软件程序，软件程序适于处理器执行图1所对应的导电回路电接触状态评测方法中的各个步骤。

本发明实施例可以通过软件程序的方式来实现，即，通过编写用于实现图1所对应的导电回路电接触状态评测方法中的各个步骤的软件程序(及指令集)，所述软件程序存储于存储设备中，存储设备设于计算机设备中，从而可以由计算机设备的处理器调用该软件程序以实现本发明实施例的目的。

本发明实施例的另一面，还提供了一种导电回路电接触状态评测设备，该导电回路电接触状态评测设备所包括的存储器中，包括有相应的计算机程序产品，所述计算机程序产品所包括程序指令被计算机执行时，可使所述计算机执行以上各个方面所述的导电回路电接触状态评测方法，并实现相同的技术效果。

图5是本发明实施例作为电子设备的导电回路电接触状态评测设备的硬件结构示意图，如图5所示，该设备包括一个或多个处理器610、总线630以及存储器620。以一个处理器610为例，该设备还可以包括：输入装置640、输出装置650。

处理器610、存储器620、输入装置640和输出装置650可以通过总线或者其他方式连接，图5中以通过总线连接为例。

存储器620作为一种非暂态计算机可读存储介质，可用于存储非暂态软件程序、非暂态计算机可执行程序以及模块。处理器610通过运行存储在存储器620中的非暂态软件程序、指令以及模块，从而执行电子设备的各种功能应用以及数据处理，即实现上述方法实施例的处理方法。

存储器620可以包括存储程序区和存储数据区，其中，存储程序区可存储操作系统、至少一个功能所需要的应用程序；存储数据区可存储数据等。此外，存储器620可以包括高速随机存取存储器，还可以包括非暂态存储器，例如至少一个磁盘存储器件、闪存器件、或其他非暂态固态存储器件。在一些实施例中，存储器620可选包括相对于处理器610远程设置的存储器，这些远程存储器可以通过网络连接至处理装置。上述网络的实例包括但不限于互联网、企业内部网、局域网、移动通信网及其组合。

输入装置640可接收输入的数字或字符信息，以及产生信号输入。输出装置650可包括显示屏等显示设备。

所述一个或者多个模块存储在所述存储器620中，当被所述一个或者多个处理器610执行时，执行：

S11、在环境温度下测量待测GIS回路的回路电阻；

S12、对所述待测GIS回路进行包括有多个阶段的升温试验，并在每完成一个阶段升温试验后测量所述待测GIS回路的回路电阻，以获得所述待测GIS回路在不同温度下的回路电阻值；

S13、根据所述待测GIS回路在不同温度下的回路电阻，生成回路电阻的阻值变化曲线；

S14、根据所述阻值变化曲线的特性生成所述待测GIS回路的电接触状态评测结果。

上述产品可执行本发明实施例所提供的方法，具备执行方法相应的功能模块和有益效果。未在本实施例中详尽描述的技术细节，可参见本发明实施例所提供的方法。

在本发明所提供的几个实施例中，应该理解到，所揭露的系统，装置和方法，可以通过其它的方式实现。例如，以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，例如，所述单元的划分，仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式，例如多个单元或组件可以结合或者可以集成到另一个系统，或一些特征可以忽略，或不执行。另一点，所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通信连接可以是通过一些接口，装置或单元的间接耦合或通信连接，可以是电性，机械或其它的形式。

所述作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部单元来实现本实施例方案的目的。

另外，在本发明各个实施例中的各功能单元可以集成在一个处理单元中，也可以是各个单元单独物理存在，也可以两个或两个以上单元集成在一个单元中。上述集成的单元既可以采用硬件的形式实现，也可以采用软件功能单元的形式实现。

所述集成的单元如果以软件功能单元的形式实现并作为独立的产品销售或使用时，可以存储在一个计算机可读取存储介质中。基于这样的理解，本发明的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分或者该技术方案的全部或部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品存储在一个存储设备中，包括若干指令用以使得一台计算机设备(可以是个人计算机，服务器，或者网络设备等)执行本发明各个实施例所述方法的全部或部分步骤。而前述的存储设备包括：U盘、移动硬盘、只读存储器(ROM，Read-OnlyMemory)、随机存取存储器(RAM，Random Access Memory)、ReRAM、MRAM、PCM、NAND Flash，NOR Flash，Memristor、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。

以上所述，以上实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的精神和范围。

Claims (10)

1.一种导电回路电接触状态评测方法，其特征在于，包括步骤：

S11、在环境温度下测量待测GIS回路的回路电阻；

S12、对所述待测GIS回路进行包括有多个阶段的升温试验，并在每完成一个阶段升温试验后测量所述待测GIS回路的回路电阻，以获得所述待测GIS回路在不同温度下的回路电阻；

S13、根据所述待测GIS回路在不同温度下的回路电阻，生成回路电阻的阻值变化曲线；

S14、根据所述阻值变化曲线的特性生成所述待测GIS回路的电接触状态评测结果。

2.根据权利要求1中所述导电回路电接触状态评测方法，其特征在于，所述测量所述待测GIS回路的回路电阻包括：

采用直流法或冲击电流法测量所述待测GIS回路的回路电阻。

3.根据权利要求2中所述导电回路电接触状态评测方法，其特征在于，所述升温试验包括：

通过使用额定交流电流或低于额定值的交流电流对所述待测GIS回路进行升温。

4.根据权利要求3中所述导电回路电接触状态评测方法，其特征在于，所述阻值变化曲线包括：回路电阻随温度而变化的曲线、回路电阻随时间而变化的曲线，或，回路电阻随温度和时间的结合而变化的曲线；

当阻值变化曲线为回路电阻随时间而变化的曲线时，所述升温试验的多个阶段为根据升温时间将升温试验的升温过程化分出的多个升温阶段；

当阻值变化曲线为回路电阻随温度而变化的曲线时，所述升温试验的多个阶段为根据所述待测GIS回路的温度值将升温试验的升温过程化分出的多个升温阶段。

5.根据权利要求4中所述导电回路电接触状态评测方法，其特征在于，当阻值变化曲线为回路电阻随温度和时间的结合而变化的曲线时：

在所述阻值变化曲线中前部预设个数的升温阶段为根据所述待测GIS回路的温度值化分获得，在所述阻值变化曲线的后部预设个数的升温阶段为根据升温时间化分获得。

6.根据权利要求4或5中所述导电回路电接触状态评测方法，其特征在于，所述根据所述阻值变化曲线的特性生成所述待测GIS回路的电接触状态评测结果，包括：

当所述阻值变化曲线中回路电阻没有明显波动，则可初步认为所述待测GIS回路接触状态良好；

当所述阻值变化曲线中回路电阻出现明显波动，则可判定为所述待测GIS回路接触状态不良；

当所述阻值变化曲线中回路电阻出现明显波动且波动呈现不断增强的趋势，则可判定所述待测GIS回路为接触状态严重不良。

7.根据权利要求6中所述导电回路电接触状态评测方法，其特征在于，所述明显波动包括：

在所述阻值变化曲线中前部预设个数的升温阶段中回路电阻的波动幅度超过预设值，或，在所述阻值变化曲线的后部预设个数的升温阶段中出现了回路电阻突然增大。

8.一种导电回路电接触状态评测装置，其特征在于，包括：

初始阻值获取单元，用于在环境温度下测量待测GIS回路的回路电阻；

升温阻值获取单元，用于对所述待测GIS回路进行包括有多个阶段的升温试验，并在每完成一个阶段升温试验后测量所述待测GIS回路的回路电阻，以获得所述待测GIS回路在不同温度下的回路电阻；

变化曲线生成单元，用于根据所述待测GIS回路在不同温度下的回路电阻，生成回路电阻的阻值变化曲线；

评测结果生成单元，用于根据所述阻值变化曲线的特性生成所述待测GIS回路的电接触状态评测结果。

9.一种存储器，其特征在于，包括软件程序，所述软件程序适于由处理器执行如权利要求1至4中任一所述导电回路电接触状态评测方法的步骤。

10.一种导电回路电接触状态评测设备，其特征在于，包括总线、处理器和如权利要求9中所述存储器；

所述总线用于连接所述存储器和所述处理器；

所述处理器用于执行所述存储器中的指令集。

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