CN111072281A - 一种稀土掺杂负离子陶瓷釉及生产方法 - Google Patents

一种稀土掺杂负离子陶瓷釉及生产方法 Download PDF

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Abstract

本发明是提供一种具有高负离子释放性能同时具有低辐射的新型陶瓷釉料，该釉料是用于制造表面可产生负离子及微能量场的陶瓷，同时也涉及其具体的生产及使用工艺方法。本发明的有益作用是解决了传统负离子釉料高温稳定性差及释放效果不稳定等问题；同时解决使用强电离效应材料产生负离子会导致放射性超标的问题，不但能有效产生负离子及微能量场，同时能有效降低环境放射性等潜在问题。

Description

一种稀土掺杂负离子陶瓷釉及生产方法
技术领域
本发明涉及一种稀土掺杂负离子陶瓷釉及生产方法，该釉料是用于制造表面可产生负离子及微能量场的陶瓷，同时也涉及其具体的生产及使用工艺方法。
背景技术
传统负离子釉料主要是以电气石系统、硅藻土系统及TiO2系统组成，这类传统方法的负离子材料，均存在着高温稳定性差及释放效果不稳定等问题。作为对应的技术改进，部分负离子材料开始使用如HfO2等具有较强电离效应的材料，因其高温影响小、效果好、容易制备等诸多优点，在材料中较多使用，但这种材料往往存在U、Ra等其他伴生元素，导致建材或陶瓷的放射性超标等问题，造成潜在环境影响，本发明的有益作用是提供一种具有高负离子释放性能同时具有低辐射的新型陶瓷釉料，不但能有效产生负离子及微能量场，同时能有效降低环境放射性等潜在危害。
发明内容
本发明的目的是制备一种具有较好的负离子释放性能又具有低外照射性的陶瓷釉料，达到产生负离子功能效果，同时具有环保、放射性低等特点，不但能产生净化环境空气的负离子，同时也能有效应用于日用陶瓷，具有抗菌及有益人身体健康的作用，特别是高档茶具、高档餐具等日用器物，可以在广泛使用，且其提供的生产工艺方法简单可行，有利于推广应用。
本发明的技术方案如下：
根据配方性能要求的化学组成百分比组成范围为：ⅣB族中CeO2 +ThO2组成6%-35%；SiO2 12%-45%；Al2O3 10%-26%；Na2O+K2O 3%-8%；将对应材料经配料、干混、高温熔炼、水淬、干法球磨、过筛，得到不同温度下及用途的负离子陶瓷釉料。
本发明的实现工艺方法如下：
（1）将6%-35%的CeO2 +ThO2、12%-45%的石英、10%-26%的高岭土、9%~42%的长石，准确称量配料，加水进入球磨机中球磨；
（2）将上述陶瓷釉料球磨至万孔筛筛余0.5-1%，达到施釉工艺要求。
（3）将上述加工后釉料施釉于陶瓷坯体上，入陶瓷窑炉在1050℃-1320℃烧成。
具体实施方式
实施例1：
将9%的氧化铈与0.06%的氧化钍及石英27%、高岭土24%、钾长石25%、钠长石15%，混合配料，料：水=1:0.8，加入球磨机中球磨，磨细至250目筛筛余0.5-1%后，得到功能釉浆。
以上述釉浆淋釉至干压成型陶瓷素胎上，进入辊道窑炉烧成，最高温度1200℃，得到具有负离子释放功能的陶瓷釉面砖。
实施例2：
将12%的氧化铈与0.3%的氧化钍及石英22%、高岭土35%、钾长石18%、钠长石13%，混合配料，料：水=1:0.9，加入球磨机中球磨，磨细至250目筛筛余0.5-1%后，得到功能釉浆。
以上述釉浆以蘸釉方式至滚压成型的陶瓷茶具素胎上，进入梭式窑烧成，最高温度1310℃，得到具有负离子释放功能的陶瓷茶具瓷器。

Claims (4)

1.一种稀土掺杂负离子陶瓷釉及生产方法，其特征在于：至少包括ⅣB族中氧化铈及氧化钍的稀土金属离子激活的无机硅酸盐釉料，上述两种稀土元素重量百分比之和在6%-35%之间。
2.根据权利要求1的一种稀土掺杂负离子陶瓷釉及生产方法，其特征在于：该釉料是用于制造表面可产生负离子及微能量场的陶瓷。
3.根据权利要求1的一种稀土掺杂负离子陶瓷釉及生产方法，其特征在于：使用上述釉料的陶瓷吸水率范围为0.05%-18%。
4.根据权利要求1的一种稀土掺杂负离子陶瓷釉及生产方法，其特征在于：该釉料的烧成范围为1050℃-1320℃，氧化或还原气氛烧制方式完成。
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