CN111066104A - 热保护金属氧化物变阻器 - Google Patents

Abstract

本发明题为“热保护金属氧化物变阻器”。提供了热保护变阻器(TPV)装置，该装置包括直接耦接在一起的变阻器主体和端子组件。端子组件可包括外壳，其中开口设置在外壳的基座中。引线能够经由定位在基座的开口内的热连接材料与变阻器主体耦接，当热连接材料低于熔点时，热连接材料可操作以保持与引线的直接物理接触。端子组件还可包括能够在外壳内在第一位置和第二位置之间滑动的屏蔽件，其中在第一位置处，屏蔽件定位在邻近热连接材料处，并且在第二位置处，屏蔽件定位在引线和变阻器主体的第二侧之间。屏蔽件包括用于将屏蔽件可释放地耦接到外壳的突片。

Description

热保护金属氧化物变阻器

技术领域

本公开整体涉及保护电气和电子电路以及装置免受电涌影响，并且更具体地，涉及具有热致动断开的热保护变阻器。

背景技术

过压保护装置用于保护电子电路和部件免受过压故障状况造成的损坏。这些过压保护装置可包括金属氧化物变阻器(MOV)，其连接在待保护的电路和地线之间。MOV具有特定的电流电压特性，其允许它们用于保护此类电路免受灾难性的电压浪涌。通常，这些装置利用弹簧元件，该弹簧元件可在异常状况期间熔融以形成开路。具体地，当将大于标称电压或阈值电压的电压施加到装置时，电流流过MOV，该MOV产生热量。这导致连接元件熔融。一旦链路熔化，就会产生开路，这防止MOV着火。

然而，这些现有的电路保护装置不提供从MOV到弹簧元件的有效热传递，从而延迟响应时间，并使MOV经受周期性瞬态电压和过压状况，这会施加进一步的电应力。由于这些应力，MOV往往随着时间的推移而劣化，从而导致更高的漏电流。在MOV电气寿命终止时，其往往灾难性地失效。寿命终止故障以各种形式出现。由于过度瞬态电压引起的破裂导致的失效是一种类型的寿命终止失效。另一种失效类型是由于MOV的劣化和/或持续的异常过压状况引起的热失控。在部分地由于上述电应力导致持续过压或热失控的情况下，使用热断开来打开装置。希望使热断开机构非常靠近MOV盘，使得热响应时间尽可能快。因此，热断开MOV的目的是在经受导致热失控的状况时提供相对良性的失效。

尽管目前可获得热保护变阻器，但是目前可用的热断开变阻器包括复杂的组件并且制造成本高。热保护变阻器的已知方法的另一个缺点是它们是一次性使用的部件，一旦触发热断开就必须更换。

因此，目前需要一种有效构造的变阻器，其可容易维护和维修，用于保护敏感电路和装置免受异常过压瞬变的影响。关于这些和其他考虑因素，提供了目前的改进。

发明内容

根据一种方法的TPV装置可包括变阻器主体，该变阻器主体包括第一侧和沿与第一侧相对的第二侧设置的热电极，其中第一引线电连接到第一侧，并且第二引线电连接到热电极。TPV装置还可包括直接耦接到变阻器主体的第二侧的端子组件，端子组件包括外壳，外壳包括侧壁和基座，其中开口设置在基座中。端子组件还可包括第三引线，该第三引线能够通过定位在基座的开口内的热连接材料与变阻器主体的第二侧耦接，当热连接材料低于熔点时，热连接材料可操作以保持与第三引线的直接物理接触。端子组件还可包括电弧屏蔽件，该电弧屏蔽件能够在外壳内在第一位置和第二位置之间移动，在第一位置处，电弧屏蔽件定位在邻近热连接材料处，在第二位置处，电弧屏蔽件定位在第三引线和变阻器主体的第二侧之间，并且其中电弧屏蔽件包括用于将电弧屏蔽件可释放地耦接到外壳的突片。

根据本公开的一个实施方案的TPV装置可包括变阻器主体，该变阻器主体具有第一侧和与第一侧相对的第二侧。沿第二侧设置热电极，其中第一引线电连接到第一侧，并且第二引线电连接到热电极。TPV装置还可包括直接耦接到变阻器主体的第二侧的端子组件，该端子组件包括外壳，该外壳包括侧壁和基座，其中开口设置在基座中。端子组件还可包括第三引线，该第三引线能够通过定位在基座的开口内的热连接材料与变阻器主体的第二侧耦接，当热连接材料低于熔点时，热连接材料可操作以保持与第三引线的直接物理接触。端子组件还可包括屏蔽件，该屏蔽件可在外壳内在第一位置和第二位置之间滑动，其中在第一位置处，屏蔽件定位在邻近热连接材料处，在第二位置处，屏蔽件定位在第三引线和变阻器主体的第二侧之间，并且其中屏蔽件包括用于将屏蔽件可释放地耦接到外壳的突片。

一种用于组装热保护变阻器(TPV)装置的方法可包括提供包括第一侧和与第一侧相对的第二侧的变阻器主体，其中沿第二侧设置热电极，并且其中第一引线电连接到第一侧，并且第二引线电连接到热电极。该方法还可包括将端子组件直接耦接到变阻器主体的第二侧，该端子组件包括外壳，该外壳包括侧壁和基座，其中开口设置在基座中。该方法还可包括将屏蔽件邻近热连接材料定位在外壳内，其中热连接材料连接到热电极，并且其中屏蔽件通过突片可释放地耦接到外壳。该方法还可包括通过定位在基座的开口内的热连接材料将第三引线与变阻器主体的第二侧连接，当热连接材料低于熔点时，热连接材料可操作以保持与第三引线的直接物理接触。该方法还可包括将外壳的覆盖件耦接到侧壁和基座，其中覆盖件的分离构件偏置屏蔽件的突片，以将屏蔽件与外壳分离。

附图说明

附图示出了迄今为止所公开的实施方案的示例性方法，其被设计用于其原理的实际应用，并且其中：

图1为根据本公开的实施方案的TPV装置的透视图；

图2为根据本公开的实施方案的图1的TPV装置的分解透视图；

图3为根据本公开的实施方案的图1的TPV装置的分解透视图；

图4为根据本公开的实施方案的图1的TPV装置的端子组件的透视图；

图5为根据本公开的实施方案的图1的TPV装置的端子组件的局部剖面图；

图6是根据本公开的实施方案的部分端子组件的分解透视图；

图7是根据本公开的实施方案的部分端子组件的透视图；

图8是根据本公开的实施方案的端子组件的局部剖面图；并且

图9为根据本公开的实施方案的用于组装TPV装置的处理流程。

附图未必按比例绘制。附图仅仅是表示，并非旨在描绘本公开的具体参数。附图旨在描绘本公开的典型实施方案，因此不应被视为限制范围。在附图中，类似的标号表示类似的元件。

此外，为了说明清楚，一些附图中的某些元件可以省略，或者不按比例示出。此外，为清楚起见，在某些附图中可省略一些附图标号。

具体实施方式

现在将参考附图更全面地描述根据本公开的实施方案。系统/电路能够以许多不同的形式体现，并且不应该被解释为限于本文阐述的实施方案。相反，提供这些实施方案是为了使本公开彻底和完整，并且向本领域技术人员充分传达系统和方法的范围。

为了方便和清楚起见，本文将使用诸如“顶部”、“底部”、“上部”、“下部”、“垂直”、“水平”、“横向”和“纵向”的术语来描述各种部件及其组成部分的相对位置和方向。所述术语将包括具体提及的词语、其衍生词和类似含义的词语。

如本文所用，除非明确地叙述了此类排除，否则以单数形式叙述并且以单词“一”或“一个”开头的元件或操作应被理解为不排除多个元件或操作。此外，对本公开的“一个实施方案”的引用不旨在被解释为排除同样包含所述特征的附加实施方案的存在。

此外，在以下具体实施方式和/或权利要求书中，术语“在…上”、“覆盖”、“设置在…上”和“在…之上”可用于以下具体实施方式和权利要求中。“在…上”、“设置在…上”和“在…之上”可用于指示两个或更多个元件彼此直接物理接触。然而，术语“在…上”、“覆盖”、“设置在…上”和“在…之上”可表示两个或更多个元件彼此不直接接触。例如，“在…之上”可表示一个元件在另一个元件之上而不彼此接触，并且可在这两个元件之间具有另一个元件或多个元件。此外，术语“和/或”可以是指“和”，它可以是指“或”，它可以是指“排他性的或”，它可以是指“一个”，它可以是指“一些，但不是全部”，它可以是指“都不是”，并且/或者它可以是指“二者”，尽管受权利要求书保护的主题的范围在这方面不受限制。

如将在下文更详细地描述，TPV装置可包括塑料外壳基座组件，该塑料外壳基座组件配备有三根特殊形状的线材和至少一个通孔。可使用高熔点焊料将第一引脚和第二引脚焊接到MOV电极上以固定MOV，而第三引脚可通过基座的孔用低熔点焊料直接焊接在MOV电极上，该低熔点焊料能够在相对较短的时间内在异常过压状况下熔化。具有一个或两个压缩弹簧的电弧屏蔽滑块能够通过弹簧力在外壳基座中移动。在一些实施方案中，屏蔽滑块具有可固定到基座的扣合特征结构，诸如突片或夹具。TPV装置的覆盖件可包括两个柱，该两个柱可推动或按压扣合特征结构，从而将弹簧和屏蔽滑块释放到工作位置。

对于本公开的实施方案，至少以下优点是可能的。首先，由于来自压缩弹簧的弹簧力，TPV装置在异常过压状况下提供高可靠性。其次，由于直接焊接到陶瓷金属化层上，TPV装置对过热提供非常快速的响应。第三，由于压缩弹簧和可移动屏蔽滑块，TPV装置提供可靠的断开。第四，一个外壳基座模块可匹配不同的磁盘厚度，因此覆盖一个磁盘大小平台的许多额定电压。第五，TPV装置的制造过程可仅用三个焊接接头简化，因此提供较高的单位每小时(UPH)自动化。第六，TPV装置提供具有灵活引脚间距和引脚长度的串联引脚配置。

如将在本文中显而易见的，通过使用与弹簧端子耦接的陶瓷熔断器形成高度可靠的开路，本公开的TPV装置可以解决现有技术的问题，即高成本和低可靠性。在由异常过压状况引起的过热事件期间，TPV装置可保护电路免受损坏。

现在转到图1，将描述根据本公开实施方案的用于与电路一起使用的TPV组件/装置10。如图所示，TPV装置10包括变阻器主体12，在该实施方案中，变阻器主体具有通常由外周边13限定的矩形或长方体形状。变阻器主体12包括第一侧16和沿第二侧20设置的热电极18。第一引线21电连接到第一侧16，而第二引线22电连接到热电极18。在一些实施方案中，热电极18为陶瓷、银、铜、铝或铜加铝的金属化层。可使用高温焊料将第一引线21和第二引线22固定到相应的第一侧16和第二侧20。第三引线23也可以耦接到变阻器主体12，如下面将进一步详细描述的。变阻器主体12与端子组件24直接耦接。尽管未示出，TPV装置10可由共形环氧树脂或其他高隔离材料包封/包围。

如图2-3所示，将更详细地描述耦接到变阻器主体12的端子组件24。在一些实施方案中，端子组件24包括外壳26，该外壳具有侧壁28、基座30和覆盖件41(图3)，其中侧壁28通常围绕外壳26的周边延伸。侧壁28和基座30限定中心腔32，中心腔32中包含弹簧元件35。外壳26的基座30可包括设置在其中的开口15，以用于触及变阻器主体12的热电极18。

在所示的非限制性实施方案中，弹簧元件35为定位在外壳26的通道27内的单个螺旋弹簧。如图2最佳所示，弹簧元件35可包括设置在通道27内的第一端部29，以及耦接到电弧屏蔽件滑块(下文称为“屏蔽件”)34的第二端部31。在一些实施方案中，弹簧元件35可设置在屏蔽件34的柱33周围。柱33可包括轴37和基部39，其中弹簧元件35的第二端部31直接与基部39邻接，以提供抵抗屏蔽件34的弹簧力。

在示例性实施方案中，屏蔽件34可以是由非导电材料诸如塑料、玻璃、陶瓷或其组合物形成的基本上矩形的板。屏蔽件34的尺寸可以设计成能够在外壳26的基座30的狭槽43内自由滑动。狭槽43可以由从侧壁28延伸到中心腔32中的部分壁44和外壳26的基座30的内表面45限定。屏蔽件34的第一主侧面46可与内表面45邻接，而屏蔽件34的第二主侧面47可与部分壁44邻接。

屏蔽件34还可包括一个或多个接合构件48，其与柱33的轴37平行或基本平行地延伸。在所示的非限制性实施方案中，接合构件48包括弯曲部分和笔直部分。因此，接合构件48可各自为由弹性材料或有回弹力的材料制成的悬臂元件。然而，没有任何单个配置是决定性的。如图所示，接合构件48可各自包括从其自由端延伸的突起或突片57。在组装过程中，屏蔽件34的接合构件48与从侧壁28和基座30延伸的中间壁58耦接。中间壁58可包括一个或多个开口59，以用于在其中接收突片57。突片57包括一个或多个表面，该一个或多个表面被构造成与中间壁58的接合表面接合。在一些实施方案中，中间壁58可包括凹口60，以接收和定位第三引线23。一旦屏蔽件34的接合构件48穿过开口59，如图3所示，并且弹簧元件35被压缩，屏蔽件34就固定在第一预工作位置。

现在转到图4，将更详细地描述根据本公开的实施方案的装置10。如图所示，第三引线23能够通过热连接材料62(例如，低温焊料)与变阻器主体12的第二侧20连接。热连接材料62可定位在外壳26的基座30的开口15内。当热连接材料62低于熔点时，热连接材料62可操作以保持与第三引线23的直接物理接触。如果热连接材料62超过熔点，例如，在过压情况下，第三引线23将从变阻器主体12分离并移开，从而使第三引线23与电源断开。在一些实施方案中，第三引线23可以是由中间壁58支撑的弹簧材料。随着热连接材料62开始松动，第三引线23的自由端63远离外壳26的基座30移动。在示例性实施方案中，当屏蔽件134通过弹簧元件35的弹簧力偏离中间壁58时，通过屏蔽件34在热连接材料62和第三引线23之间物理移动促进第三引线23与热电极18的分离。

在一些实施方案中，屏蔽件34被构造成在热连接材料62高于熔点时接合或邻接热连接材料62。例如，热连接材料62可在由外壳26的基座30的内表面45限定的平面上方延伸。由于弹簧元件35的弹簧力，一旦接合构件48的突片(未示出)从中间壁58脱离，屏蔽件34就朝向第三引线23的自由端63偏置。可选择热连接材料62的材料和尺寸，以充分地抵抗来自屏蔽件34和弹簧元件35的力，使得屏蔽件34保持在第一位置，直到热连接材料62被加热到其熔点以上并软化为止。一旦热连接材料62变软，屏蔽件34就开始移动到第二位置，其中屏蔽件34定位在第三引线23和变阻器主体12的第二侧20之间，从而在它们之间形成绝缘间隙。

现在转到图5，将更详细地描述根据本公开的实施方案的端子组件24和覆盖件41的操作。如图所示，覆盖件41的一部分已被切除，以便于观察端子组件24的内部部件。覆盖件41可包括主壁64和覆盖侧壁65。在一些实施方案中，覆盖侧壁65可包括一个或多个第一开口66，其可操作以接合外壳26的侧壁28的突片67，以用于将覆盖件41固定到侧壁28。覆盖件41还可包括第二开口68，其可操作以在其中接收第三引线23。在组装期间，在将第三引线23和热连接材料62焊接到变阻器主体12之后，可将覆盖件41固定就位。

覆盖件41还可包括从主壁64延伸的分离构件70。如图所示，分离构件70可以是延伸到外壳26的中心腔中的装置。分离构件70可操作以接合接合构件48的突片57，以释放屏蔽件34，使其不与外壳26的中间壁58接合。更具体地，当覆盖件41附接到侧壁28时，分离构件70将突片57和接合构件48朝向外壳26的基座30压下。突片57从中间壁58脱离，并定位在中间壁58的开口59内。然后，弹簧元件35可使突片57穿过开口59并朝向热连接材料62。屏蔽件34和弹簧元件35现在处于第一/工作位置，其中屏蔽件的前缘73可接合或邻接热连接材料62。在过压状况的情况下，屏蔽件34可滑动到第二位置，在该第二位置，基座30中的开口15被屏蔽件34物理地和电气地覆盖。

现在转到图6-7，将更详细地描述根据本公开的实施方案的TMOV装置(下文中称为“装置”)。该装置可共享图1-5中所示和如上所述的装置10的许多或全部相同的特征结构。因此，为了简洁起见，下文仅描述该装置的某些方面。如图所示，端子组件124可耦接到变阻器主体(未示出)。在一些实施方案中，端子组件124包括外壳126，该外壳具有侧壁128、基座130和覆盖件(未示出)，其中侧壁128通常围绕外壳126的周边延伸，例如沿三个侧面延伸。外壳126的基座130可包括设置在其中的开口115，用于触及变阻器主体的热电极。

在所示的非限制性实施方案中，端子组件124可包括定位在外壳126的一组通道127内的多个弹簧元件135。如图6中更好地示出，每个弹簧元件135可以为螺旋弹簧，其包括设置在通道127内的第一端部129，以及耦接到电弧屏蔽件滑块(下文称为“屏蔽件”)134的第二端部131。在一些实施方案中，弹簧元件135可设置在屏蔽件134的一组柱133周围。柱133可包括轴137和基部139，其中弹簧元件135的第二端部131直接与基部139邻接，以提供抵抗屏蔽件134的弹簧力。

在一些实施方案中，屏蔽件134可以是由非导电材料诸如塑料、玻璃、陶瓷或其组合物形成的基本上矩形的板。屏蔽件134的尺寸可以设定成在通道127内和在由外壳126的基座130和侧壁128限定的中心腔132内可自由滑动。例如，屏蔽件134的第一主侧146可与基座130的内表面145邻接，而屏蔽件134的肩部区域147可部分地在通道127内延伸。

屏蔽件134还可包括一个或多个接合构件148，其与每个轴137和柱133平行或基本平行地延伸。在所示的非限制性实施方案中，接合构件148包括弯曲部分和笔直部分。这样，接合构件148可各自为由弹性或有回弹力的材料制成的悬臂元件。然而，没有任何单个配置是决定性的。如图所示，接合构件148可各自包括从其自由端延伸的突起或突片157。

在组装期间，屏蔽件134的接合构件148与外壳126的侧壁128耦接。侧壁128可包括一个或多个开口159，以用于在其中接收突片157。如图7所示，突片157包括一个或多个表面，该一个或多个表面被构造成与侧壁128的外部接合表面176接合。在一些实施方案中，侧壁128可包括开口178，以在其中接收和定位第三引线123。一旦屏蔽件134的接合构件148和突片157穿过开口159，并且弹簧元件135被压缩，则屏蔽件134被固定到第一预工作位置。

现在转到图8，将更详细地描述根据本公开的实施方案的装置100。如图所示，覆盖件141的一部分已被切除，以便于观察端子组件124的内部部件。在该实施方案中，第三引线123能够通过热连接材料162(例如，低温焊料)与电阻器主体112的第二侧120连接。热连接材料162可定位在外壳126的基座的开口115内。当热连接材料162低于熔点时，热连接材料162可操作以保持与第三引线123的直接物理接触。如果热连接材料162超过熔点，例如在过压情况下，第三引线123将脱离并从变阻器主体112移开，从而导致第三引线123与电源断开。例如，第三引线123可以为设计成从热连接材料162拉开的弹簧材料。随着热连接材料162开始松动，第三引线123的自由端163远离外壳126的基座130移动。在示例性实施方案中，当屏蔽件134通过弹簧元件135偏离侧壁128时，通过屏蔽件134在热连接材料162和第三引线123之间物理移动促进第三引线123与热电极118的分离。

在一些实施方案中，屏蔽件134被构造为当热连接材料162高于熔点时接合或邻接热连接材料162。例如，热连接材料162可以在由外壳126的基座130的内表面145(图6)限定的平面上方延伸。由于弹簧元件135的弹簧力，一旦接合构件148的突片157从侧壁128脱离，屏蔽件134就朝向第三引线123的自由端163偏置。热连接材料162的材料和尺寸可被选择为充分地抵抗来自屏蔽件134和弹簧元件135的力，使得屏蔽件134保持在工作位置，直到热连接材料162被加热到其熔点以上并软化为止。一旦热连接材料162变得足够柔软，屏蔽件134就开始移动到第二位置，其中屏蔽件134定位在第三引线123和变阻器主体112的第二侧120之间，从而在它们之间形成绝缘间隙。

现在将更详细地描述根据本公开的实施方案的覆盖件141和端子组件124的组装和操作。覆盖件141可包括主壁164和覆盖侧壁165。在组装期间，在将第三引线123和热连接材料162焊接到变阻器本体112之后，可以将覆盖件141固定就位。

覆盖件141还可包括从主壁164延伸的分离构件170。如图所示，分离构件170可以是覆盖件141的覆盖侧壁165的一部分。分离构件170可操作以接合接合构件148的突片157，以使屏蔽件134脱离与外壳126的接合。更具体地，当覆盖件141附接到覆盖侧壁165时，分离构件170将突片157和接合构件148压向变阻器主体112。突片157从覆盖侧壁165脱离，并定位在覆盖侧壁165的开口159内。然后，弹簧元件135可使突片157穿过开口159并朝向热连接材料162。屏蔽件134和弹簧元件135现在处于第一/工作位置，其中屏蔽件134的前缘173可接合或邻接热连接材料162。在过压状况的情况下，屏蔽件134可以滑动到第二位置，其中基座130中的开口115被屏蔽件134物理地和电气地覆盖。因此，在第三引线123和变阻器主体112之间断开接触。

现在转到图9，将更详细地描述根据本公开的实施方案的用于组装TPV装置的方法200。在框201处，方法200可包括提供变阻器主体，该变阻器主体包括第一侧和与第一侧相对的第二侧。在框203处，方法200可包括沿第二侧提供热电极，并将第一引线电连接到第一侧，以及将第二引线电连接到热电极。

在框205处，该方法可包括将端子组件直接连接到变阻器主体的第二侧，端子组件包括具有侧壁和基座的外壳，其中开口设置在基座中。在一些实施方案中，在端子组件中，侧壁通常围绕外壳的周边延伸，并且侧壁和基座限定了其中包含弹簧元件的中心腔。外壳的基座中的开口允许触及变阻器主体的热电极。

在框207处，方法200可包括将屏蔽件定位在外壳内与热连接材料相邻的位置，其中屏蔽件通过突片可释放地耦接到外壳。在一些实施方案中，热连接材料连接到热电极。

在框209处，方法200可包括通过热连接材料将第三引线与变阻器主体的第二侧连接，其中热连接材料位于基座的开口内，并且其中当热连接材料低于熔点时热连接材料可操作以保持与第三引线的直接物理接触。

在框211处，方法200可包括将外壳的覆盖件耦接到侧壁和基座，其中覆盖件的分离构件偏置屏蔽件的突片以将屏蔽件从外壳分离。在一些实施方案中，分离构件是以下各项中的一者：从覆盖件的主壁延伸的装置、以及覆盖侧壁。

在框213处，方法200还可包括当热连接材料高于熔点时，在外壳内在第一位置和第二位置之间移动屏蔽件。在一些实施方案中，在第一位置中，屏蔽件定位在邻近热连接材料处，并且在第二位置中，屏蔽件被定位在第三引线和变阻器主体的第二侧之间。

虽然已经参考某些方法描述了本公开，但是在不脱离如所附权利要求中限定的本公开的实质和范围的情况下，可以对所描述的方法进行多种修改、变更和改变。因此，本公开旨在不限于所描述的方法，而是具有由所附权利要求的语言及其等同物限定的全部范围。虽然已经参考某些方法描述了本公开，但是在不脱离如所附权利要求中限定的本公开的实质和范围的情况下，可以对所描述的方法进行多种修改、变更和改变。因此，本公开旨在不限于所描述的方法，而是具有由所附权利要求的语言及其等同物限定的全部范围。

Claims (20)

1.一种热保护变阻器(TPV)装置，包括：

变阻器主体，所述变阻器主体包括：

第一侧；和

热电极，所述热电极沿着与所述第一侧相对的第二侧设置，其中第一引线电连接到所述第一侧，并且第二引线电连接到所述热电极；和

端子组件，所述端子组件直接耦接到所述变阻器主体的所述第二侧，所述端子组件包括：

外壳，所述外壳包括侧壁和基座，其中开口设置在所述基座中；

第三引线，所述第三引线能够通过定位在所述基座的所述开口内的热连接材料与所述变阻器主体的所述第二侧耦接，当所述热连接材料低于熔点时，所述热连接材料可操作以保持与所述第三引线的直接物理接触；和

电弧屏蔽件，所述电弧屏蔽件能够在所述外壳内在第一位置和第二位置之间移动，在所述第一位置处，所述电弧屏蔽件定位在邻近所述热连接材料处，并且在所述第二位置处，所述电弧屏蔽件定位在所述第三引线和所述变阻器主体的所述第二侧之间，并且其中所述电弧屏蔽件包括用于将所述电弧屏蔽件可释放地耦接到所述外壳的突片。

2.根据权利要求1所述的TPV装置，还包括耦接到所述电弧屏蔽件的弹簧，所述弹簧可操作以在所述第一位置和所述第二位置之间偏置所述电弧屏蔽件。

3.根据权利要求2所述的TPV装置，其中所述弹簧定位在所述外壳的通道内。

4.根据权利要求1所述的TPV装置，所述外壳还包括能够与所述侧壁和所述基座耦接的覆盖件，所述覆盖件包括可操作以接合所述电弧屏蔽件的所述突片以将所述电弧屏蔽件从所述外壳释放的分离构件。

5.根据权利要求4所述的TPV装置，其中所述分离构件是从所述覆盖件的主壁延伸的装置。

6.根据权利要求4所述的TPV装置，其中所述分离构件为覆盖侧壁。

7.根据权利要求1所述的TPV装置，其中所述热连接材料在高于所述熔点时熔融并流动，以在所述第三引线和所述变阻器主体的所述第二侧之间产生绝缘间隙。

8.根据权利要求1所述的TPV装置，所述外壳还包括从所述侧壁和所述基座延伸的中间壁，所述中间壁包括用于接收所述电弧屏蔽件的所述突片的开口。

9.根据权利要求1所述的TPV装置，其中所述外壳的所述侧壁包括用于接收所述电弧屏蔽件的所述突片的开口。

10.一种热保护变阻器(TPV)装置，包括：

变阻器主体，所述变阻器主体包括：

第一侧；和

与所述第一侧相对的第二侧，其中沿着所述第二侧设置热电极，并且其中第一引线电连接到所述第一侧，并且第二引线电连接到所述热电极；和

端子组件，所述端子组件直接耦接到所述变阻器主体的所述第二侧，所述端子组件包括：

外壳，所述外壳包括侧壁和基座，其中开口设置在所述基座中；

第三引线，所述第三引线能够通过定位在所述基座的所述开口内的热连接材料与所述变阻器主体的所述第二侧耦接，在所述热连接材料低于熔点时，所述热连接材料可操作以保持与所述第三引线的直接物理接触；和

屏蔽件，所述屏蔽件能够在所述外壳内在第一位置和第二位置之间滑动，其中在所述第一位置处，所述屏蔽件定位在邻近所述热连接材料处，并且在所述第二位置处，所述屏蔽件定位在所述第三引线和所述变阻器主体的所述第二侧之间，并且其中所述屏蔽件包括用于将所述屏蔽件可释放地耦接到所述外壳的突片。

11.根据权利要求10所述的TPV装置，还包括耦接到所述屏蔽件和所述外壳的弹簧，当所述热连接材料高于所述熔点熔融并流动时，所述弹簧可操作以将所述屏蔽件从所述第一位置偏置到所述第二位置。

12.根据权利要求10所述的TPV装置，所述外壳还包括能够与所述侧壁和所述基座耦接的覆盖件，所述覆盖件包括可操作以接合所述屏蔽件的所述突片以将所述屏蔽件与所述外壳分离的分离构件。

13.根据权利要求12所述的TPV装置，其中所述分离构件为以下各项中的一者：从所述覆盖件的主壁延伸的装置、以及覆盖侧壁。

14.根据权利要求10所述的TPV装置，所述外壳还包括从所述侧壁和从所述基座延伸的中间壁，所述中间壁包括用于接合所述屏蔽件的所述突片的接合表面。

15.根据权利要求10所述的TPV装置，其中所述热连接材料为低温焊料。

16.根据权利要求10所述的TPV装置，其中所述外壳的所述侧壁包括用于接收所述屏蔽件的所述突片的开口和用于接合所述屏蔽件的所述突片的外部接合表面。

17.一种用于组装热保护变阻器(TPV)装置的方法，包括：

提供变阻器主体，所述变阻器主体包括第一侧和与所述第一侧相对的第二侧，其中沿着所述第二侧设置热电极，并且其中第一引线电连接到所述第一侧，并且第二引线电连接到所述热电极；

将端子组件直接耦接到所述变阻器主体的所述第二侧，所述端子组件包括外壳，所述外壳具有侧壁和基座，其中开口设置在所述基座中；

将屏蔽件定位在所述外壳内邻近热连接材料，其中所述热连接材料连接到所述热电极，并且其中所述屏蔽件通过突片可释放地耦接到所述外壳；

通过定位在所述基座的所述开口内的所述热连接材料将第三引线与所述变阻器主体的所述第二侧连接，在所述热连接材料低于熔点时，所述热连接材料可操作以保持与所述第三引线的直接物理接触；以及

将所述外壳的覆盖件耦接到所述侧壁和所述基座，其中所述覆盖件的分离构件偏置所述屏蔽件的所述突片，以将所述屏蔽件与所述外壳分离。

18.根据权利要求17所述的方法，还包括当所述热连接材料高于所述熔点时，在所述外壳内在第一位置和第二位置之间移动所述屏蔽件，其中在所述第一位置处，所述屏蔽件定位在邻近所述热连接材料处，并且在所述第二位置处，所述屏蔽件定位在所述第三引线和所述变阻器主体的所述第二侧之间。

19.根据权利要求17所述的方法，其中所述分离构件为以下各项中的一者：从所述覆盖件的主壁延伸的装置、以及覆盖侧壁。

20.根据权利要求17所述的方法，还包括将所述屏蔽件的所述突片穿过所述外壳的开口定位并且接合所述外壳的外部接合表面，以将所述屏蔽件耦接到所述外壳。

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