CN111065852A - 接头块和其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种实现小型化并且不使用焊接就能够进行制造的接头块。该接头块具有块主体(10)和安装在形成于块主体(10)的长度方向的另一端侧的凹部(15)的封闭构件(50)，该接头块具有：密封机构，其具有形成于块主体(10)的相对面(15b)的圆环状突起(13)，并且在第1流路(12c)的开口(12p)的周围圆环状突起(13)咬入于另一方的相对面(50e)，由此将块主体(10)与封闭构件(50)之间密封；铆接部(16)，其是将封闭构件(50)朝向块主体(10)的相对面(15b)按压而在块主体(10)形成的；以及卡合部(EN)，其由凹部(15)的内周部(15a)和封闭构件(50)的与凹部(15)的内周部(15a)卡合的外周部(51)形成，由铆接部(16)和卡合部(EN)分担将密封机构的圆环状突起(13)向另一方的相对面(50e)按压的按压力。

Description

接头块和其制造方法
技术领域
本发明涉及阀装置和将包括该阀装置的流体设备集成化而成的流体控制装置。
背景技术
在半导体制造工艺等各种制造工艺中，为了将准确计量后的工艺气体供给至工艺腔室，使用将开闭阀、调节器、质量流量控制器等各种流体设备集成化并收纳于盒内的被称为集成化气体系统的流体控制装置。将该集成化气体系统收纳于盒内而成的构件被称为气体盒。
在如上所述的集成化气体系统中，沿着底板的长度方向配置形成有流路的接头块来代替管接头，并通过在该接头块上设置各种流体设备，实现集成化(例如，参照专利文献1、2)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开平10-227368公报
专利文献2：日本特开2008-298177号公报
专利文献3：日本特开2015-151927号公报
发明内容
发明要解决的问题
在各种制造工艺中的工艺气体的供给控制中要求更高的响应性，为此需要使流体控制装置尽可能地小型化、集成化，并且将其设置在更靠近作为流体的供给目的地的工艺腔室的位置。
随着半导体晶片的大口径化等处理对象物的大型化的发展，也需要与此相配合地增加从流体控制装置向工艺腔室内供给的流体的供给流量。
为了推进流体控制装置的小型化、集成化，不仅需要发展流体设备的小型化，还需要减小设置有小型化后的流体设备的接头块的尺寸。
此外，在接头块形成两处开口的流路也变得困难。以往，例如，加工在接头块的长度方向的一端侧封闭而在另一端侧开口的孔，通过焊接将封闭构件固定于该孔的开口部而封闭开口部，由此形成有沿接头块的长度方向延伸的流路。
然而，在该方法中存在流路表面因焊接而烧焦、焊接残渣残存于流路等问题。若推进接头块的小型化，则难以进行加工后的流路的研磨、清洁。
专利文献3公开了不使用焊接，而是将封闭构件设于流路端的开口并利用铆接将封闭构件固定的封闭技术，但是在该方法中，若缩小接头块的尺寸，则相对较大的力被施加于铆接部，因而接头块自身可能发生变形。
本发明的目的之一在于提供一种实现小型化并且不使用焊接就能够进行制造的接头块。
本发明的又一目的在于提供一种实现小型化并且不使用焊接而制造接头块的接头块的制造方法。
本发明的再一目的在于提供一种包括上述接头块的小型化、集成化而成的流体控制装置。
用于解决问题的方案
本发明的接头块是具有第1开口部和第2开口部、以及连接所述第1开口部和所述第2开口部的流路的接头块，其特征在于，该接头块具有：块主体，其划定第1流路、第2流路和第3流路，所述第1流路沿长度方向延伸并且在该长度方向的一端侧封闭而在另一端侧开口，所述第2流路在所述长度方向的一端侧与所述第1流路连接并且与所述第1开口部连通，所述第3流路在所述长度方向的另一端侧与所述第1流路连接并且与所述第2开口部连通；以及封闭构件，其安装在形成于所述块主体的长度方向的另一端侧的凹部，该接头块具有：密封机构，其具有形成于所述块主体和所述封闭构件的彼此相对的相对面中的一方的相对面的环状突起，并在所述第1流路的开口的周围所述环状突起咬入于另一方的相对面，由此将所述块主体与所述封闭构件之间密封；铆接部，其是将所述封闭构件朝向所述块主体的相对面按压而在所述块主体形成的；以及卡合部，其由所述凹部的内周部和所述封闭构件的与所述凹部的内周部卡合的外周部形成，由所述铆接部和所述卡合部分担将所述密封机构的环状突起向所述另一方的相对面按压的按压力。
本发明的接头块的制造方法是具有第1开口部和第2开口部、以及连接所述第1开口部和所述第2开口部的流路的接头块的制造方法，其特征在于，准备块主体和封闭构件，所述块主体划定第1流路、第2流路和第3流路，所述第1流路沿长度方向延伸并且在该长度方向的一端侧封闭而在另一端侧开口，所述第2流路在所述长度方向的一端侧与所述第1流路连接并且与所述第1开口部连通，所述第3流路在所述长度方向的另一端侧与所述第1流路连接并且与所述第2开口部连通，将所述封闭构件定位在形成于所述块主体的长度方向的另一端侧的凹部，将所述封闭构件向所述凹部压入，形成所述凹部的内周部和所述封闭构件的外周部卡合的卡合部，使形成于所述块主体的铆接部发生变形而将所述封闭构件朝向所述块主体的相对面按压，使形成于所述块主体和所述封闭构件的彼此相对的相对面的一方的相对面的环状突起在所述第1流路的开口的周围咬入于另一方的相对面而进行密封。
本发明的流体控制装置使用上述结构的接头块连接流体设备之间的流路。
本发明的半导体制造方法在半导体装置的制造工艺中将上述结构的流体控制装置用于所述工艺气体的控制，该半导体装置的制造工艺需要被密闭的腔室内的基于工艺气体的处理工序。本发明的半导体制造装置在半导体装置的制造工艺中将上述结构的流体控制装置用于所述工艺气体的控制，该半导体装置的制造工艺需要被密闭的腔室内的基于工艺气体的处理工序。
发明的效果
根据本发明，通过使密封机构所需的力由铆接部和卡合部分担，能够分散应力，从而即使不使用焊接也能够防止由过大的机械力导致块主体发生变形并且能够制造小型化的接头块。
附图说明
图1是表示应用了本发明的流体控制装置的一个例子的立体图。
图2A是本发明的第1实施方式的接头块的俯视图。
图2B是沿着图2A的接头块的长度方向的剖视图。
图2C是图2A的接头块的封闭构件侧的侧视图。
图3是图2A的接头块的块主体的主要部分放大剖视图。
图4是图2A的接头块的封闭构件的主视图。
图5A是包括对本发明的第1实施方式的接头块的组装工序进行说明的局部截面的侧视图。
图5B是表示接着图5A的组装工序的侧视图。
图5C是表示接着图5B的组装工序的侧视图。
图5D是表示接着图5C的组装工序的侧视图。
图5E是包括表示本发明的第1实施方式的接头块的组装工序完成后的状态的局部截面的侧视图。
图6A是表示块主体的突出片的变形例的主要部分放大剖视图。
图6B是表示块主体的突出片的变形例的主要部分放大剖视图。
图6C是表示块主体的突出片的变形例的主要部分放大剖视图。
图7A是本发明的第2实施方式的接头块的块主体的主视图。
图7B是本发明的第2实施方式的接头块的块主体的主要部分放大剖视图。
图8A是包括对使用了图7A的块主体的接头块的组装工序进行说明的局部截面的侧视图。
图8B是表示接着图8A的组装工序的侧视图。
图8C是表示接着图8B的组装工序的侧视图。
图8D是表示接着图8C的组装工序的侧视图。
图9A是包括对使用了图7A的块主体的接头块的另一组装工序进行说明的局部截面的侧视图。
图9B是表示接着图9A的组装工序的侧视图。
图10是表示本发明的第2实施方式的块主体的变形例的主要部分放大剖视图。
图11A是表示本发明的第2实施方式的块主体的变形例的侧视图。
图11B是包括使用了图11A的块主体的接头块的局部截面的侧视图。
图12A是本发明的第3实施方式的封闭构件的主视图。
图12B是本发明的第3实施方式的块主体的主要部分放大剖视图。
图12C是本发明的第3实施方式的接头块的主要部分放大剖视图。
图13A是本发明的第4实施方式的接头块的封闭构件的主视图。
图13B是本发明的第4实施方式的接头块的块主体的主要部分放大剖视图。
图13C是包括对本发明的第4实施方式的接头块的组装工序进行说明的局部截面的侧视图。
图13D是表示接着图13C的组装工序的侧视图。
图14A是本发明的第5实施方式的接头块的封闭构件的主视图。
图14B是图14A的封闭构件的侧视图。
图14C是本发明的第5实施方式的接头块的块主体的主要部分放大剖视图。
图14D是说明本发明的第5实施方式的接头块的主视图。
图14E是表示接着图14D的组装工序的主视图。
图14F是表示接着图14E的组装工序的主要部分剖视图。
图15A是本发明的第6实施方式的封闭构件的主视图。
图15B是说明使用了本发明的第6实施方式的封闭构件的接头块的组装工序的主要部分放大剖视图。
图15C是表示接着图15B的组装工序的主要部分放大剖视图。
图16A是表示本发明的接头块的封闭构件的变形例的主视图。
图16B是图16A的封闭构件的侧视图。
图17是表示本发明的接头块的封闭构件的另一变形例的主视图。
图18是表示本发明的接头块的封闭构件的又一变形例的主视图。
图19是表示本发明的一实施方式的流体装置应用于半导体制造工艺的应用例的示意图。
具体实施方式
以下，参照附图说明本发明的实施方式。
第1实施方式
首先，参照图1说明应用本发明的流体控制装置的一个例子。
对于图1所示的流体控制装置，在金属制的底板BS上设有沿着宽度方向W1、W2排列并且沿着长度方向G1、G2延伸的5根导轨构件500。此外，W1、W2、G1、G2分别示出了正面侧、背面侧、上游侧和下游侧的方向。在各导轨构件500经由多个接头块200设置有各种流体设备110A～110E，利用多个接头块200分别形成有供流体从上游侧朝向下游侧流通的未图示的流路。
在此，“流体设备”是控制流体的流动的流体控制装置所使用的设备，是包括划定流路的主体并且具有在该主体的表面开口的至少两个流路口的设备。具体而言，包括开闭阀(双通阀)110A、调节器110B、压力计110C、开闭阀(三通阀)110D和质量流量控制器110E等，但是并不限定于此。此外，导入管310与上述未图示的流路的上游侧的流路口连接。
图2A～图2C表示上述接头块200的构造的一个例子。
接头块200具有不锈钢合金等金属制的块主体10和不锈钢合金等金属制的封闭构件50。此外，在本实施方式中，构成块主体10的金属使用比构成封闭构件50的金属硬(例如，4倍左右)的金属。另外，在以下图中，箭头A1、A2表示块主体10的长度方向，A1表示未设置封闭构件50的一侧(以下，设为一端侧)，A2表示设置封闭构件50的一侧(以下，设为另一端侧)。
块主体10具有彼此相对的由平面构成的上表面10a以及由平面构成的底面10b、分别与上表面10a正交的侧面10e1、10e2和配置在与这些面正交的长度方向A1、A2的两端部的端面10c、10d。此外，虽然例举出块主体10为长方体形状的情况，但也能够采用其他形状。
在底面10b侧突出地形成的卡合部10t具有嵌合于导轨构件500的未图示的引导部的形状，并能够分别从导轨构件500的长度方向G1、G2的两端部插入。由此块主体10被约束于导轨构件500上。
块主体10所划定的流路12包括：第1流路12c，其沿着长度方向A1、A2延伸，并且在该长度方向A1、A2的一端侧A1封闭并在另一端侧A2开口；第2流路12a，其在长度方向A1、A2的一端侧A1与第1流路12c连接并且与第1开口部12d连通；以及第3流路12b，其在长度方向A1、A2的另一端侧A2与第1流路12c连接并且与第2开口部12e连通。
此外，第2流路12a和第3流路12b与上表面10a垂直地形成，第1流路12c与上表面10a平行地形成，但是并不限定于此，也能够不设为垂直、水平。
第2流路12a和第3流路12b的加工方法例如只要在与块主体10的上表面10a垂直的方向上用钻头穿孔来形成盲孔即可。第1流路12c的加工方法只要在与块主体10的端面10d垂直的方向上用钻头穿孔来形成盲孔即可。此时，在与第2流路12a的顶端部以及第3流路12b的顶端部连接的高度上，加工第1流路12c。若从块主体10的端面10d开出用于形成第1流路12c的孔，则在块主体10的另一端侧A2形成第1流路12c的开口。该第1流路12c的开口如后所述由封闭构件50封闭，形成由第2流路12a、第3流路12b和第1流路12c构成的U状流路。此外，关于第1流路12c的开口的周围的构造将在后面叙述。
在块主体10的上表面10a侧开口的开口部12d、12e的周围形成有用于分别保持垫片的保持凹部14a、14b。虽然未图示，但也可以在保持凹部14a、14b的底面的开口部12d、12e的外周，形成进行使硬度相比于垫片足够高的硬化处理后的圆环状的突起，以压扁垫片。
在块主体10，在长度方向A1、A2上形成有在上表面10a开口并且朝向底面10b侧延伸的两个螺纹孔18a、18b。螺纹孔18a、18b位于在上表面10a开口的两个开口部12d、12e之间。螺纹孔18a、18b例如为M5，至少具有3个螺纹牙，深度为3mm左右，但是并不限定于此。对于块主体10的尺寸规格，例如，宽度为10mm左右，长度为30mm左右，流路12的直径为2.6mm左右，不包括卡合部10t的高度为13mm左右，但是并不限定于此。螺纹孔18a、18b用于将不同的流体设备的主体连接于接头块200。块主体10的宽度和导轨构件500的宽度约为10mm且二者大致一致。
图3表示块主体10的长度方向A1、A2的另一端侧A2的主要部分放大剖视图。
如图3所示，与块主体10的第1流路12c的开口12p相邻地形成有凹部15。凹部15划定与开口12p呈同心状地配置的圆周面15a和与第1流路12c的轴线正交的相对面15b。此外，在开口12p的周围形成有构成后述的密封机构的圆环状突起13。此外，在块主体10的端面10d，与凹部15的内周面15a相邻地一体形成有在长度方向的另一端侧A2突出的作为铆接部的多个突出片16。如图2C所示出的那样，突出片16沿着内周面15a等间隔地分散配置。
图4表示封闭构件50的构造。
封闭构件50是圆盘状的金属构件，在周面50a的宽度方向的大致中央位置突起51在整周的范围内形成。封闭构件50形成为表背对称，任一端面50e都能够作为与上述块主体10的相对面15b相对的相对面使用。
接着，参照图5A～图5E说明使用了上述结构的块主体10和封闭构件50的接头块200的组装工序。
首先，如图5A所示，相对于块主体10的凹部15定位封闭构件50。此外，在组装时，块主体10以凹部15朝向上方的方式固定于未图示的保持件。
由图5A可知，封闭构件50的周面50a的外径形成为比凹部15的内周面15a的内径小些许，并且突起51的外径形成为比凹部15的内周面15a的内径大些许。因此，封闭构件50的比突起51靠一端侧A1的部分嵌合插入至凹部15，但是由于突起51和端面10d以及内周面15a产生干扰，因此仅通过定位，突起51是不会进入凹部15的。
接着，如图5B所示，使治具600下降从而使治具600的按压面601抵接于封闭构件50的上侧的端面50e。此时，治具600未与形成于块主体10的突出片16抵接。
接着，在图5C中利用载荷F1的力将封闭构件50压入凹部15内。此时，封闭构件50的突起51与凹部15的内周面15a卡合，并且被内周面15a压扁而发生塑性变形。载荷F1设为突起51发生塑性变形所需的足够的大小。由此形成卡合部EN。
由图5C可知，在治具600形成有与突出片16卡合的卡合凹部610，在卡合部EN的形成工序中，突出片16也发生塑性变形并且朝向凹部15侧倾斜。
另外，封闭构件50的作为相对面的下侧的端面50e被朝向形成于开口12p的周围的圆环状突起13按压，如图所示，圆环状突起13咬入于下侧的端面50e，构成为将块主体10与封闭构件50之间密封的密封机构。
接着，如图5D所示，若使另一个治具700下降，并利用载荷F2的力且使用治具700的按压面710进一步使突出片16发生塑性变形，则突出片16发生弯折而收纳于凹部15内，成为本发明的铆接部。
如图5E所示，突出片16收纳于凹部15内，端面10d和突出片16配置于共同平面。
由图可知，卡合部EN和作为铆接部变形后的多个突出片16分担将封闭构件50的作为相对面的端面50e向圆环状突起13按压的按压力。即，通过使保持密封机构的密封力的力由铆接部和卡合部EN分担，能够使治具600的载荷F1和治具700的载荷F2相对变小，因此能够避免过大的载荷施加于块主体10。
图6A～图6C表示形成于块主体10的突出片的变形例。此外，在图6A～图6C中，对与上述实施方式相同的结构部分使用相同的附图标记。
图6A所示的突出片16A形成为厚度朝向顶端减小的尖细形状，此外，在端面10d的突出片16A的根部形成有弯曲成凹状的槽10r。通过设为这样的结构，与上述实施方式相比，能够减小使突出片16A发生塑性变形的力。
图6B所示的突出片16B形成为顶端部具有倒圆。根据该结构，在将突出片16B弯折时，突出片16B的边缘变得难以刺入封闭构件50的端面50e，能够避免多余的负荷施加于封闭构件50。
图6C所示的突出片16C在顶端部形成有面积扩大的扩大面积部。根据该结构，由于突出片16C的对封闭构件的端面50e进行按压的面积扩大，因此能够使密封机构的密封性能更加稳定化。
第2实施方式
图7A和图7B表示本发明的第2实施方式的接头块的块主体。此外，在图7A、图7B中，对与上述实施方式相同的结构部分使用相同的附图标记。
块主体10D具有多个突出部16D来代替向凹部15的外侧延伸的突出片16，该多个突出部16D在铆接时通过按压而被压扁。
图8A～图8D表示使用了上述结构的块主体10D和上述封闭构件50的接头块的组装工序。
首先，如图8A所示，若相对于凹部15定位封闭构件50，则成为与图5A中说明的情况相同的状态。
接着，若使治具700的按压面710抵接于封闭构件50的上侧的端面50e并且利用载荷F的力将封闭构件50向凹部15内压入时，圆环状突起13咬入于封闭构件50的下侧的端面50e，并且封闭构件50的突起51被凹部15的内周面15a压扁而发生塑性变形。
进而，若使治具700下降，则块主体10D的多个突出部16D也被压扁，被压扁的突出部16D使封闭构件50的周面50a发生变形，并且以将凹部15的内周面15a与封闭构件50的周面50a之间填充的方式发生塑性变形。其结果，如图8D所示，圆环状突起13咬入于下侧的端面50e，构成将块主体10D与封闭构件50之间密封的密封机构，并且构成分担保持密封机构的密封力的力的铆接部16和卡合部EN。
接着，图9A和图9B表示与图8A～图8D中说明的组装工序不同的组装工序。
在图8A～图8D中，使用共用的治具700并且以共用的工序实施封闭构件50的压入和突出部16D的铆接。
如图9A所示，首先使用治具800仅实施封闭构件50的压入。
接着，如图9B所示，使用治具700实施突出部16D的铆接。如此，通过分开工序，具有能够分别对载荷F3、F4进行设定的优点。
图10表示图7A和图7B所示出的块主体10D的变形例。
块主体10E的多个突起16E形成为半球状。如此，也能够使突起16E的形状最优化。
图11A和图11B表示块主体10D的又一变形例。此外，在图11A、图11B中，对与上述实施方式相同的结构部分使用相同的附图标记。
图11A所示的块主体10F在凹部15的内周面15a包括一条槽15c。作为封闭构件，使用与第1实施方式中说明的封闭构件相同的封闭构件50。
能够用与第2实施方式相同的组装方法(两种方法)进行组装。
如图11B所示，通过封闭构件50的突起51嵌入凹部15的槽15c来形成卡合部EN。
第3实施方式
图12A～图12C表示本发明的第3实施方式的封闭构件、块主体和接头块。此外，在图12A～图12C中，对与上述实施方式相同的结构部分使用相同的附图标记。
封闭构件50A为圆盘状，周面50a形成为平坦状。
块主体10G在凹部15的内周面15a形成有突条15t。
若采用与第2实施方式相同的组装方法(两种方法)将封闭构件50A向凹部15内压入并铆接突出部16D，则如图12C所示，构成为密封机构并且通过突条15t咬入于封闭构件50A的周面50a而形成卡合部EN。另外，突出部16D构成铆接部。
第4实施方式
图13A～图13D表示本发明的第4实施方式。此外，在图13A～图13D中，对与上述实施方式相同的结构部分使用相同的附图标记。
图13A所示的封闭构件50B在一端面50e2形成有圆环状突起52，另一端面50e1为平坦面。通过硬化处理，圆环状突起52的硬度相比于封闭构件50B的其他部分足够高，另外，圆环状突起52比形成块主体的金属硬。
如图13B所示，块主体10H的相对面15b为平坦面。
如图13C所示，若相对于凹部15定位封闭构件50B，则封闭构件50B的突起52与端面10d产生干扰。从该状态起，若使用上述组装方法将封闭构件50B向凹部15内压入并且铆接突出部16D，则如图13D所示，圆环状的突起52咬入于相对面15b而构成密封机构，突起51被压扁而构成卡合部EN，并且突出部16D构成铆接部。
第5实施方式
图14A～图14F表示本发明的第5实施方式。此外，在图14A～图14F中，对与上述实施方式相同的结构部分使用相同的附图标记。
图14A和图14B所示的封闭构件50C在与一端面50e2相反的一侧的另一端面50e1具有外径大于周面50a的外径和突起51的外径的扩径部53。在扩径部53的外周缘部，在周向上等间隔地形成有凹部53t。
图14C所示的块主体10J在凹部15的端面10d一侧形成有能够收纳上述扩径部53的扩大凹部15m。另外，多个突起16F形成在与凹部53t对应的位置。
如图14D所示，若将封闭构件50C的凹部53t和块主体10J的突起16F对位并进行插入，则各凹部53t供各突起16F通过，由此封闭构件50C收纳于凹部15。
接着，如图14E所示，使封闭构件50C向一个方向旋转而使凹部53t的位置和突起16F的位置错开。
其后，如图14F所示，通过铆接突起16F，形成密封机构、卡合部EN和铆接部16F。
第6实施方式
图15A～图15C表示本发明的第6实施方式。此外，在图15A～图15C中，对与上述实施方式相同的结构部分使用相同的附图标记。
图15A所示的封闭构件50D为圆盘状，但具有圆台状(日文：テーパ状)的周面50b。
如图15B所示，若将封闭构件50D定位于块主体10D的凹部15，则仅锥状的周面50b的小径侧的局部进入凹部15内，并在中途产生干扰。
如图15C所示，若将封闭构件50D向块主体10D的凹部15内压入，则锥状的周面50b的大径侧发生塑性变形，形成卡合部EN。若铆接突出部16D则形成铆接部。
图16A和图16B表示封闭构件的变形例。
封闭构件50E具有在周面50a上沿着周向延伸且等间隔地排列的多个突条50c。
如图17所示，也能够在封闭构件50F的周面50a沿着周向等间隔地形成半球状的突起50d。
如图18所示，也能够采用具有弯曲成凸状的周面50r的封闭构件50G。
接着，参照图19说明图1所示出的流体控制装置的应用例。
图19所示的半导体制造装置1000是用于执行基于ALD法的半导体制造工艺的装置，附图标记900、901、902、903、904、905、906分别示出了工艺气体供给源、气体盒(流体控制装置)、罐、开闭阀、控制部、处理腔室和排气泵。
在基于ALD法的半导体制造工艺中，需要精确地对处理气体的流量进行调整，并且由于基板的大口径化，还需要在某种程度上确保处理气体的流量。
气体盒901为了将准确计量后的工艺气体供给至处理腔室905，内置有将开闭阀、调节器、质量流量控制器等各种流体设备集成化并收纳于盒而成的上述流体控制装置。
罐902作为暂时贮存从气体盒901供给的处理气体的缓冲罐而发挥作用。
开闭阀903对由气体盒901计量后的气体的流量进行控制。
控制部904对开闭阀903进行控制而执行流量控制。
处理腔室905提供用于利用ALD法在基板形成膜的密闭处理空间。
排气泵906对处理腔室903内进行抽真空。
在上述应用例中，例示了将流体控制装置用于基于ALD法的半导体制造工艺的情况，但是并不限定于此，本发明能够应用于例如原子层蚀刻法(ALE:Atomic Layer Etching法)等需要精确的流量调整的所有对象。
附图标记说明
10～10J、块主体；10a、上表面；10b、底面；10c、端面；10d、端面；10e1、侧面；10e2、侧面；10r、槽；10t、卡合部；12、流路；12a、第2流路；12b、第3流路；12c、第1流路；12d、第1开口部；12e、第2开口部；12p、开口；13、圆环状突起；14a、保持凹部；14b、保持凹部；15、凹部；15a、内周面；15b、相对面；15c、槽；15m、扩大凹部；15t、突条；16、16A～16C、突出片(铆接部)；16D、突出部(铆接部)；16E、突起；16F、突起；18a、螺纹孔；18b、螺纹孔；50～50G、封闭构件；50a、周面；50b、周面；50c、突条；50d、突起；50e、端面；50e1、另一端面；50e2、一端面；50r、周面；51、突起；52、突起；53、扩径部；53t、凹部；110A～110E、流体设备；200、接头块；310、导入管；500、导轨构件；600、治具；601、按压面；610、卡合凹部；700、治具；710、按压面；800、治具；900、工艺气体供给源；901、气体盒(流体控制装置)；902、罐；903、开闭阀；904、控制部；905、处理腔室；906、排气泵；1000、半导体制造装置；A1、A2、长度方向；BS、底板；EN、卡合部；G1、G2、长度方向；W1、W2、宽度方向。

Claims (13)

1.一种接头块，其是具有第1开口部和第2开口部、以及连接所述第1开口部和所述第2开口部的流路的接头块，其特征在于，
该接头块具有：
块主体，其划定第1流路、第2流路和第3流路，所述第1流路沿长度方向延伸并且在该长度方向的一端侧封闭而在另一端侧开口，所述第2流路在所述长度方向的一端侧与所述第1流路连接并且与所述第1开口部连通，所述第3流路在所述长度方向的另一端侧与所述第1流路连接并且与所述第2开口部连通；以及
封闭构件，其安装在形成于所述块主体的长度方向的另一端侧的凹部，
该接头块具有：
密封机构，其具有形成于所述块主体和所述封闭构件的彼此相对的相对面中的一方的相对面的环状突起，在所述第1流路的开口的周围所述环状突起咬入于另一方的相对面，由此将所述块主体与所述封闭构件之间密封；
铆接部，其是将所述封闭构件朝向所述块主体的相对面按压而在所述块主体形成的；以及
卡合部，其由所述凹部的内周部和所述封闭构件的与所述凹部的内周部卡合的外周部形成，
由所述铆接部和所述卡合部分担将所述密封机构的环状突起向所述另一方的相对面按压的按压力。
2.根据权利要求1所述的接头块，其特征在于，
所述卡合部由所述凹部的内周面和所述封闭构件的通过向该内周面压入而发生塑性变形的外周部形成。
3.根据权利要求1所述的接头块，其特征在于，
所述卡合部在一方具有形成于所述凹部的内周面或所述封闭构件的外周面的突起，在另一方具有形成于所述凹部的内周面或所述封闭构件的外周面且供所述突起嵌入的槽。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的接头块，其特征在于，
所述铆接部沿着所述封闭构件的周围分散配置。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的接头块，其特征在于，
所述铆接部形成为收纳于所述凹部内。
6.根据权利要求4或5所述的接头块，其特征在于，
所述铆接部是将所述封闭构件的与所述相对面相反的一侧的背面朝向所述块主体的相对面按压而形成的。
7.根据权利要求4或5所述的接头块，其特征在于，
所述铆接部形成为将所述凹部的内周面与所述封闭构件的外周面之间填充。
8.一种接头块的制造方法，其是具有第1开口部和第2开口部、以及连接所述第1开口部和所述第2开口部的流路的接头块的制造方法，其特征在于，
准备块主体和封闭构件，所述块主体划定第1流路、第2流路和第3流路，所述第1流路沿长度方向延伸并且在该长度方向的一端侧封闭而在另一端侧开口，所述第2流路在所述长度方向的一端侧与所述第1流路连接并且与所述第1开口部连通，所述第3流路在所述长度方向的另一端侧与所述第1流路连接并且与所述第2开口部连通，
将所述封闭构件定位在形成于所述块主体的长度方向的另一端侧的凹部，
将所述封闭构件压入所述凹部，形成所述凹部的内周部和所述封闭构件的外周部卡合的卡合部，
使形成于所述块主体的铆接部发生变形而将所述封闭构件朝向所述块主体的相对面按压，
使形成于所述块主体和所述封闭构件的彼此相对的相对面的一方的相对面的环状突起在所述第1流路的开口的周围咬入于另一方的相对面而进行密封。
9.根据权利要求8所述的接头块的制造方法，其特征在于，
利用共用的工序实施形成所述卡合部的工序和使所述铆接部发生变形的工序。
10.一种流体控制装置，其中，
该流体控制装置使用权利要求1～7中任一项所述的接头块来连接流体设备之间的流路。
11.一种流量控制方法，其中，
该流量控制方法使用权利要求10所述的流体控制装置进行流体的流量控制。
12.一种半导体制造装置，其中，
该半导体制造装置在半导体装置的制造工艺中将权利要求10所述的流体控制装置用于所述工艺气体的控制，该半导体装置的制造工艺需要被密闭的腔室内的基于工艺气体的处理工序。
13.一种半导体制造方法，其中，
该半导体制造方法在半导体装置的制造工艺中将权利要求10所述的阀装置用于所述工艺气体的流量控制，该半导体装置的制造工艺需要被密闭的腔室内的基于工艺气体的处理工序。
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