CN111063694B - 阵列基板 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种阵列基板，该阵列基板在弯曲区内包括：衬底；无机层，形成于衬底上，无机层内设置有挖空区域，挖空区域内无填充或为有机物填充；金属层，形成于无机层上，通过挖空区域包围的过孔，与无机层下侧的膜层相连接。通过在无机层内设置挖空区域，挖空区域内无填充或有机物填充，在柔性显示面板弯曲时，挖空区域为无机层内的应力释放提供了良好通道，避免了无机层由于应力无法及时释放，而断裂或产生裂痕，进而导致整个面板的结构受损的问题，提高了柔性显示面板的弯曲性能。

Description

阵列基板
技术领域
本发明涉及显示领域，尤其涉及一种阵列基板。
背景技术
柔性显示面板由于其具有的柔韧性、可弯折、易穿戴等特性，已经成为新一代显示技术。
然而，目前柔性显示面板的技术中，耐弯折性能较差的无机膜层较多，想要实现动态折叠，无机膜层中的应力释放较为困难，在弯折的过程中容易断裂或产生裂缝，裂缝易沿着无机膜层延伸，导致整个面板的结构受损，带来显示的不良。
因此，现有柔性显示面板存在弯折可靠性差的问题，需要解决。
发明内容
本发明提供一种阵列基板，以缓解现有柔性显示面板存在弯折可靠性差的问题。
为解决以上问题，本发明提供的技术方案如下：
本发明提供一种阵列基板，所述阵列基板在弯曲区内包括：
衬底；
无机层，形成于所述衬底上，所述无机层内设置有挖空区域，所述挖空区域内无填充或为有机物填充；
金属层，形成于所述无机层上，通过所述挖空区域包围的过孔，与所述无机层下侧的膜层连接。
在本发明提供的阵列基板中，所述无机层仅包括一层。
在本发明提供的阵列基板中，所述无机层为第一栅极绝缘层、第二栅极绝缘层、层间绝缘层中的任意一层，所述金属层为源漏极层。
在本发明提供的阵列基板中，所述无机层为钝化层，所述金属层为像素电极层。
在本发明提供的阵列基板中，所述无机层包括至少两层。
在本发明提供的阵列基板中，所述无机层包括第一栅极绝缘层、第二栅极绝缘层、层间绝缘层，所述金属层为源漏极层。
在本发明提供的阵列基板中，所述无机层包括第一无机层和第二无机层，所述金属层包括第一金属层和第二金属层；所述第一金属层、所述第二无机层和所述第二金属层依次形成于所述第一无机层之上；所述第一无机层为第一栅极绝缘层、第二栅极绝缘层、层间绝缘层中的任意一层，所述第一金属层为源漏极层；所述第二无机层为钝化层，所述第二金属层为像素电极层。
在本发明提供的阵列基板中，所述无机层包括第一栅极绝缘层、第二栅极绝缘层和层间绝缘层，所述金属层为源漏极层。
在本发明提供的阵列基板中，所述无机层包括第一无机层和第二无机层，所述金属层包括第一金属层和第二金属层；所述第一金属层、所述第二无机层和所述第二金属层依次形成于所述第一无机层之上；所述第一无机层包括第一栅极绝缘层、第二栅极绝缘层、层间绝缘层中的任意两种，所述第一金属层为源漏极层；所述第二无机层为钝化层，所述第二金属层为像素电极层。
在本发明提供的阵列基板中，所述无机层包括第一无机层和第二无机层，所述金属层包括第一金属层和第二金属层；所述第一金属层、所述第二无机层和所述第二金属层依次形成于所述第一无机层之上；所述第一无机层包括第一栅极绝缘层、第二栅极绝缘层和层间绝缘层，所述第一金属层为源漏极层；所述第二无机层为钝化层，所述第二金属层为像素电极层。
本发明提供了一种阵列基板，该阵列基板在弯曲区内包括：衬底；无机层，形成于衬底上，无机层内设置有挖空区域，挖空区域内无填充或为有机物填充；金属层，形成于无机层上，通过所述挖空区域包围的过孔，与所述无机层下侧的膜层相连接。通过在无机层内设置挖空区域，挖空区域内无填充或有机物填充，在柔性显示面板弯曲时，挖空区域为无机层内的应力释放提供了良好通道，避免了无机层由于应力无法及时释放，而断裂或产生裂痕，进而导致整个面板的结构受损的问题，提高了柔性显示面板的弯曲性能。
附图说明
下面结合附图，通过对本申请的具体实施方式详细描述，将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。
图1为本发明实施例提供的阵列基板的第一种结构示意简图。
图2为本发明实施例提供的阵列基板的第二种结构示意简图。
图3为本发明实施例提供的阵列基板的第三种结构示意简图。
图4为本发明实施例提供的阵列基板的第四种结构示意简图。
图5为本发明实施例提供的阵列基板的第五种结构示意简图。
图6为本发明实施例提供的阵列基板的第六种结构示意简图。
图7为本发明实施例提供的阵列基板的第七种结构示意简图。
图8为本发明实施例提供的阵列基板的第八种结构示意简图。
图9为本发明实施例提供的阵列基板的第九种结构示意简图。
图10为本发明实施例提供的阵列基板的第十种结构示意简图。
图11为本发明实施例提供的阵列基板的第十一种结构示意简图。
图12为本发明实施例提供的阵列基板的第十二种结构示意简图。
图13为本发明实施例提供的阵列基板的第十三种结构示意简图。
图14为本发明实施例提供的阵列基板的第十四种结构示意简图。
图15为本发明实施例提供的阵列基板的第十五种结构示意简图。
具体实施方式
下面将结合本发明的具体实施方案，对本发明实施方案和/或实施例中的技术方案进行清楚、完整的描述，显而易见的，下面所描述的实施方案和/或实施例仅仅是本发明一部分实施方案和/或实施例，而不是全部的实施方案和/或实施例。基于本发明中的实施方案和/或实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施方案和/或实施例，都属于本发明保护范围。
本发明所提到的方向用语，例如[上]、[下]、[左]、[右]、[前]、[后]、[内]、[外]、[侧]等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明和理解本发明，而非用以限制本发明。术语“第一”、“第二”等仅用于描述目的，而不能理解为指示或是暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”等的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。
针对现有柔性显示面板存在弯折可靠性差的问题，本发明提供一种阵列基板可以缓解这个问题。
在一种实施例中，参照图1至图15，本发明提供的阵列基板10包括弯曲区100和非弯曲200区，在弯曲区100内，阵列基板10包括：
衬底；
无机层，形成于衬底上，无机层内设置有挖空区域，挖空区域内无填充或为有机物填充；
金属层，形成于无机层上，通过挖空区域包围的过孔，与无机层下侧的膜层相连接。
本发明实施例提供一种阵列基板，该阵列基板通过在弯曲区内的无机层中设置挖空区域，挖空区域内无填充或是有机物填充；在柔性显示面板弯曲时，挖空区域为无机层内的应力释放提供了良好通道，避免了无机层由于应力无法及时释放，而断裂或产生裂痕，进而导致整个面板的结构受损的问题，提高柔性显示面板的弯曲性能。
在一种实施例中，如图1至图15所示，本发明实施例提供的阵列基板10具体包括：
衬底101，包括柔性衬底1011、阻隔层1012、以及缓冲层1013；柔性衬底1011的材料通常为聚乙酰胺、聚对苯二甲酸乙二醇酯等有机聚合物材料；阻隔层1012的材料一般为氧化硅，用于阻挡外界的杂质粒子进入基板和隔绝水氧；缓冲层1013一般采用氮化硅(SiNx)和氧化硅(SiOx)的叠层结构，氮化硅具有较强的离子阻隔能力和很好的水氧隔绝能力，能有效防止杂质在热制程中扩散到薄膜晶体管中，氧化硅与多晶硅的界面润湿性较好，能更好的作为形成有源层的基底材料。
有源层102，形成于衬底101上，图案化形成有源区，有源区包括掺杂区和沟道区；有源层102的材料一般为非晶硅或多晶硅。
第一栅极绝缘层103，形成于有源层102上，覆盖衬底101和有源层102；第一栅极绝缘层103的材料为氧化硅，氧化硅与多晶硅表面具有良好的晶界匹配、应力匹配和良好的台阶覆盖性。
第一栅极层104，形成于第一栅极绝缘层103上，图案化形成第一栅极图案；第一栅极层104的材料一般为金属钼(Mo)。
第二栅极绝缘层105，形成于第一栅极层104上，覆盖第一栅极绝缘层103和第一栅极层104；第二栅极绝缘层105的材料为氮化硅。
第二栅极层106，形成于第二栅极绝缘层105上，图案化形成第二栅极图案；第二栅极层106的材料一般为金属钼(Mo)。
层间绝缘层107，形成于第二栅极层106上，覆盖第二栅极绝缘层105和第二栅极层106；层间绝缘层107一般为氮化硅(SiNx)和氧化硅(SiOx)的叠层结构。
源漏极层108，形成于层间绝缘层107上，分别通过过孔与有源层102、第一栅极层104、第二栅极层106连接，图案化形成有源极和漏极；源漏极层108一般为金属钛/铝/钛(Ti/Al/Ti)的叠层结构。
钝化层109，形成于源漏极层108上，覆盖源漏极层108和层间绝缘层107；钝化层的材料一般为氮化硅(SiNx)。
像素电极层110，形成于钝化层109上，通过过孔与源极或漏极连接；像素电极层110的材料一般为氧化铟锡(ITO)。
本发明设置有挖空区域的无机层，可以仅包括一层。
在一种实施例中，挖空区域仅设置在第一栅极绝缘层103内。如图1所示，第一栅极绝缘层103内设置有挖空区域1031；第一挖空区域1031包围第一过孔1032，第一挖空区域1031的外围为内凹的曲面，第一挖空区域1031的外围直径大于第一过孔1032在第一栅极绝缘层103内的直径，第一挖空区域1031的内围与第一过孔1032在第一栅极绝缘层103内的外围重叠；源漏极层108通过第一过孔1032与有源层102连接。
本实施例通过在第一栅极绝缘层内设置挖空区域，在柔性显示面板弯曲时，挖空区域为第一栅极绝缘层内的应力释放提供了良好通道，避免了第一栅极绝缘层由于应力无法及时释放，而断裂或产生裂痕，进而导致整个面板的结构受损的问题，提高了柔性显示面板的弯曲性能。
在另一种实施例中，挖空区域仅设置在第二栅极绝缘层层105内。如图2所示，第二栅极绝缘层105内设置有第二挖空区域1051；第二挖空区域1051包围第二过孔1052，第二挖空区域1051的外围为内凹的曲面，第二挖空区域1051的外围直径大于第二过孔1052在第二栅极绝缘层105内的直径，第二挖空区域1051的内围与第二过孔1052在第二栅极绝缘层105内的外围重叠；源漏极层108通过第二过孔1052与第一栅极层104连接。
本实施例通过在第二栅极绝缘层内设置挖空区域，在柔性显示面板弯曲时，挖空区域为第二栅极绝缘层内的应力释放提供了良好通道，避免了第二栅极绝缘层由于应力无法及时释放，而断裂或产生裂痕，进而导致整个面板的结构受损的问题，提高了柔性显示面板的弯曲性能。
在又一种实施例中，挖空区域仅设置在层间绝缘层107内。如图3所示，层间绝缘层107内设置有第一挖空区域1031；第三挖空区域1071包围第三过孔1072，第三挖空区域1071的外围为内凹的曲面，第三挖空区域1071的外围直径大于第三过孔1072在层间绝缘层107内的直径，第三挖空区域1071的内围与第三过孔1072在层间绝缘层107内的外围重叠；源漏极层108通过第三过孔1072与第二栅极层106连接。
本实施例通过在层间绝缘层内设置挖空区域，在柔性显示面板弯曲时，挖空区域为层间绝缘层内的应力释放提供了良好通道，避免了层间绝缘层由于应力无法及时释放，而断裂或产生裂痕，进而导致整个面板的结构受损的问题，提高了柔性显示面板的弯曲性能。
在还一种实施例中，挖空区域仅设置在钝化层109内。如图4所示，钝化层109内设置有第四挖空区域1091；第四挖空区域1091包围第四过孔1092，第四挖空区域1091的外围为内凹的曲面，第四挖空区域1091的外围直径大于第四过孔1092在钝化层109内的直径，第四挖空区域1091的内围与第四过孔1092在钝化层109内的外围重叠；源漏极层108通过第四过孔1092与源漏极层108连接。
本实施例通过在钝化层内设置挖空区域，在柔性显示面板弯曲时，挖空区域为钝化层内的应力释放提供了良好通道，避免了钝化层由于应力无法及时释放，而断裂或产生裂痕，进而导致整个面板的结构受损的问题，提高了柔性显示面板的弯曲性能。
本发明设置有挖空区域的无机层，还可以包括两层。
在一种实施例中，挖空区域设置在第一栅极绝缘层103和第二栅极绝缘层105内。如图5所示，第一栅极绝缘层103内设置有第一挖空区域1031，第二栅极绝缘层105内设置有第二挖空区域1051；第一挖空区域1031包围第一过孔1032，第二挖空区域1051包围第二过孔1052；源漏极层108通过第一过孔1032与有源层102连接，通过第二过孔1052与第一栅极层104连接。
本实施例通过同时在第一栅极绝缘层和第二栅极绝缘层内设置挖空区域，在柔性显示面板弯曲时，第一栅极绝缘层内的挖空区域，为第一栅极绝缘层内的应力释放提供了良好通道，第二栅极绝缘层内的挖空区域为第二栅极绝缘层内的应力释放提供了良好通道，避免了第一栅极绝缘层或第二栅极绝缘层由于应力无法及时释放，而断裂或产生裂痕，进而导致整个面板的结构受损的问题，进一步提高了柔性显示面板的弯曲性能。
在一种实施例中，挖空区域设置在第一栅极绝缘层103和层间绝缘层107内。如图6所示，第一栅极绝缘层103内设置有第一挖空区域1031，层间绝缘层107内设置有第三挖空区域1071；第一挖空区域1031包围第一过孔1032，第三挖空区域1071包围第三过孔1072；源漏极层108通过第一过孔1032与有源层102连接，通过第三过孔1072与第二栅极层106连接。
本实施例通过在第一栅极绝缘层和层间绝缘层内设置挖空区域，在柔性显示面板弯曲时，第一栅极绝缘层内的挖空区域为第一栅极绝缘层内的应力释放提供了良好通道，层间绝缘层内的挖空区域为层间绝缘层内的应力释放提供了良好通道，避免了第一栅极绝缘层或层间绝缘层由于应力无法及时释放，而断裂或产生裂痕，进而导致整个面板的结构受损的问题，进一步提高了柔性显示面板的弯曲性能。
在一种实施例中，挖空区域设置在第二栅极绝缘层105和层间绝缘层107内。如图7所示，第二栅极绝缘层105内设置有第二挖空区域1051，层间绝缘层107内设置有第三挖空区域1071；第二挖空区域1051包围第二过孔1052，第三挖空区域1071包围第三过孔1072；源漏极层108通过第二过孔1052与第一栅极层104连接，通过第三过孔1072与第二栅极层106连接。
本实施例通过在第二栅极绝缘层和层间绝缘层内设置挖空区域，在柔性显示面板弯曲时，第二栅极绝缘层内的挖空区域为第二栅极绝缘层内的应力释放提供了良好通道，层间绝缘层内的挖空区域为层间绝缘层内的应力释放提供了良好通道，避免了第二栅极绝缘层或层间绝缘层由于应力无法及时释放，而断裂或产生裂痕，进而导致整个面板的结构受损的问题，进一步提高了柔性显示面板的弯曲性能。
在一种实施例中，挖空区域设置在第一栅极绝缘层103和钝化层109内。如图8所示，第一栅极绝缘层103内设置有第一挖空区域1031，钝化层109内设置有第四挖空区域1091；第一挖空区域1031包围第一过孔1032，第四挖空区域1091包围第四过孔1092；源漏极层108通过第一过孔1032与有源层102连接，像素电极层110通过第四过孔1092与源漏极层108连接。
本实施例通过在第一栅极绝缘层和钝化层内设置挖空区域，在柔性显示面板弯曲时，第一栅极绝缘层内的挖空区域为第一栅极绝缘层内的应力释放提供了良好通道，钝化层内的挖空区域为钝化层内的应力释放提供了良好通道，避免了第一栅极绝缘层或钝化层由于应力无法及时释放，而断裂或产生裂痕，进而导致整个面板的结构受损的问题，进一步提高了柔性显示面板的弯曲性能。
在一种实施例中，挖空区域设置在第二栅极绝缘层105和钝化层109内。如图9所示，第二栅极绝缘层105内设置有第二挖空区域1051，钝化层109内设置有第四挖空区域1091；第二挖空区域1051包围第二过孔1052，第四挖空区域1091包围第四过孔1092；源漏极层108通过第二过孔1052与第一栅极层104连接，像素电极层110通过第四过孔1092与源漏极层108连接。
本实施例通过在第二栅极绝缘层和钝化层内设置挖空区域，在柔性显示面板弯曲时，第二栅极绝缘层内的挖空区域为第二栅极绝缘层内的应力释放提供了良好通道，钝化层内的挖空区域为钝化层内的应力释放提供了良好通道，避免了第二栅极绝缘层或钝化层由于应力无法及时释放，而断裂或产生裂痕，进而导致整个面板的结构受损的问题，进一步提高了柔性显示面板的弯曲性能。
在一种实施例中，挖空区域设置在层间绝缘层107和钝化层109内。如图10所示，层间绝缘层107内设置有第三挖空区域1071，钝化层109内设置有第四挖空区域1091；第三挖空区域1071包围第三过孔1072，第四挖空区域1091包围第四过孔1092；源漏极层108通过第三过孔1072与第二栅极层106连接，像素电极层110通过第四过孔1092与源漏极层108连接。
本实施例通过在层间绝缘层和钝化层内设置挖空区域，在柔性显示面板弯曲时，层间绝缘层内的挖空区域为第一栅极绝缘层内的应力释放提供了良好通道，钝化层内的挖空区域为钝化层内的应力释放提供了良好通道，避免了层间绝缘层或钝化层由于应力无法及时释放，而断裂或产生裂痕，进而导致整个面板的结构受损的问题，进一步提高了柔性显示面板的弯曲性能。
本发明设置有挖空区域的无机层，还可以包括三层。
在一种实施例中，挖空区域设置在第一栅极绝缘层103、第二栅极绝缘层105和层间绝缘层107内。如图11所示，第一栅极绝缘层103内设置有第一挖空区域1031，第二栅极绝缘层105内设置有第二挖空区域1051，层间绝缘层107内设置有第三挖空区域1071；第一挖空区域1031包围第一过孔1032，第二挖空区域1051包围第二过孔1052，第三挖空区域1071包围第三过孔1072；源漏极层108通过第一过孔1032与有源层102连接，通过第二过孔1052与第一栅极层104连接，通过第三过孔1072与第二栅极层106连接。
本实施例通过在第一栅极绝缘层、第二栅极绝缘层和层间绝缘层内设置挖空区域，在柔性显示面板弯曲时，第一栅极绝缘层内的挖空区域为第一栅极绝缘层内的应力释放提供了良好通道，第二栅极绝缘层内的挖空区域为第二栅极绝缘层内的应力释放提供了良好通道，层间绝缘层内的挖空区域为层间绝缘层内的应力释放提供了良好通道，避免了第一栅极绝缘层、第二栅极绝缘层或层间绝缘层由于应力无法及时释放，而断裂或产生裂痕，进而导致整个面板的结构受损的问题，更进一步提高了柔性显示面板的弯曲性能。
在一种实施例中，挖空区域设置在第一栅极绝缘层103、第二栅极绝缘层105和钝化层109内。如图12所示，第一栅极绝缘层103内设置有第一挖空区域1031，第二栅极绝缘层105内设置有第二挖空区域1051，钝化层109内设置有第四挖空区域1091；第一挖空区域1031包围第一过孔1032，第二挖空区域1051包围第二过孔1052，第四挖空区域1091包围第四过孔1092；源漏极层108通过第一过孔1032与有源层102连接，通过第二过孔1052与第一栅极层104连接，像素电极层110通过第四过孔1092与源漏极层108连接。
本实施例通过在第一栅极绝缘层、第二栅极绝缘层和钝化层内设置挖空区域，在柔性显示面板弯曲时，第一栅极绝缘层内的挖空区域为第一栅极绝缘层内的应力释放提供了良好通道，第二栅极绝缘层内的挖空区域为第二栅极绝缘层内的应力释放提供了良好通道，钝化层内的挖空区域为钝化层内的应力释放提供了良好通道，避免了第一栅极绝缘层、第二栅极绝缘层或钝化层由于应力无法及时释放，而断裂或产生裂痕，进而导致整个面板的结构受损的问题，更进一步提高了柔性显示面板的弯曲性能。
在一种实施例中，挖空区域设置在第一栅极绝缘层103、层间绝缘层107和钝化层109内。如图13所示，第一栅极绝缘层103内设置有第一挖空区域1031，层间绝缘层107内设置有第三挖空区域1071，钝化层109内设置有第四挖空区域1091；第一挖空区域1031包围第一过孔1032，第三挖空区域1071包围第三过孔1072，第四挖空区域1091包围第四过孔1092；源漏极层108通过第一过孔1032与有源层102连接，通过第三过孔1072与第二栅极层106连接，像素电极层110通过第四过孔1092与源漏极层108连接。
本实施例通过在第一栅极绝缘层、层间绝缘层和钝化层内设置挖空区域，在柔性显示面板弯曲时，第一栅极绝缘层内的挖空区域为第一栅极绝缘层内的应力释放提供了良好通道，层间绝缘层内的挖空区域为层间绝缘层内的应力释放提供了良好通道，钝化层内的挖空区域为钝化层内的应力释放提供了良好通道，避免了第一栅极绝缘层、层间绝缘层或钝化层由于应力无法及时释放，而断裂或产生裂痕，进而导致整个面板的结构受损的问题，更进一步提高了柔性显示面板的弯曲性能。
在一种实施例中，挖空区域设置在第二栅极绝缘层105、层间绝缘层107和钝化层109内。如图14所示，第二栅极绝缘层105内设置有第二挖空区域1051，层间绝缘层107内设置有第三挖空区域1071，钝化层109内设置有第四挖空区域1091；第二挖空区域1051包围第二过孔1052，第三挖空区域1071包围第三过孔1072，第四挖空区域1091包围第四过孔1092；源漏极层108通过第二过孔1052与第一栅极层104连接，通过第三过孔1072与第二栅极层106连接，像素电极层110通过第四过孔1092与源漏极层108连接。
本实施例通过在第二栅极绝缘层、层间绝缘层和钝化层内设置挖空区域，在柔性显示面板弯曲时，第二栅极绝缘层内的挖空区域为第二栅极绝缘层内的应力释放提供了良好通道，层间绝缘层内的挖空区域为层间绝缘层内的应力释放提供了良好通道，钝化层内的挖空区域为钝化层内的应力释放提供了良好通道，避免了第二栅极绝缘层、层间绝缘层或钝化层由于应力无法及时释放，而断裂或产生裂痕，进而导致整个面板的结构受损的问题，更进一步提高了柔性显示面板的弯曲性能。
本发明设置有挖空区域的无机层，还可以包括四层。
在一种实施例中，挖空区域设置在第一栅极绝缘层103、第二栅极绝缘层105、层间绝缘层107和钝化层109内。如图15所示，第一栅极绝缘层103内设置有第一挖空区域1031，第二栅极绝缘层105内设置有第二挖空区域1051，层间绝缘层107内设置有第三挖空区域1071，钝化层109内设置有第四挖空区域1091；第一挖空区域1031包围第一过孔1032，第二挖空区域1051包围第二过孔1052，第三挖空区域1071包围第三过孔1072，第四挖空区域1091包围第四过孔1092；源漏极层108通过第一过孔1032与有源层102连接，通过第二过孔1052与第一栅极层104，通过第三过孔1072与第二栅极层106，像素电极层110通过第四过孔1092与源漏极层108连接。
本实施例通过在第一栅极绝缘层、第二栅极绝缘层、层间绝缘层和钝化层内设置挖空区域，在柔性显示面板弯曲时，第一栅极绝缘层内的挖空区域为第一栅极绝缘层内的应力释放提供了良好通道，第二栅极绝缘层内的挖空区域为第二栅极绝缘层内的应力释放提供了良好通道，层间绝缘层内的挖空区域为层间绝缘层内的应力释放提供了良好通道，钝化层内的挖空区域为钝化层内的应力释放提供了良好通道，避免了第一栅极绝缘层、第二栅极绝缘层、层间绝缘层或钝化层由于应力无法及时释放，而断裂或产生裂痕，进而导致整个面板的结构受损的问题，再进一步提高了柔性显示面板的弯曲性能。
同时，本发明还提供一种柔性显示面板，其包括阵列基板，该阵列基板在弯曲区内包括：
衬底；
无机层，形成于衬底上，无机层内设置有挖空区域，挖空区域内无填充或为有机物填充；
金属层，形成于无机层上，通过挖空区域包围的过孔，与无机层下侧的膜层相连接。
本实施例提供一种柔性显示面板，该柔性显示面板包括阵列基板，该阵列基板通过在弯曲区内的无机层中设置挖空区域，挖空区域内无填充或是有机物填充；在柔性显示面板弯曲时，挖空区域为无机层内的应力释放提供了良好通道，避免了无机层由于应力无法及时释放，而断裂或产生裂痕，进而导致整个面板的结构受损的问题，提高柔性显示面板的弯曲性能。
在一种实施例中，无机层仅包括一层。
在一种实施例中，无机层为第一栅极绝缘层、第二栅极绝缘层、层间绝缘层中的任意一层，金属层为源漏极层。
在一种实施例中，无机层为钝化层，金属层为像素电极层。
在一种实施例中，无机层包括至少两层。
在一种实施例中，无机层包括第一栅极绝缘层、第二栅极绝缘层、层间绝缘层中的任意两层，金属层为源漏极层。
在一种实施例中，无机层包括第一无机层和第二无机层，金属层包括第一金属层和第二金属层；第一金属层、第二无机层和第二金属层依次形成于第一无机层之上；第一无机层为第一栅极绝缘层、第二栅极绝缘层、层间绝缘层中的任意一层，第一金属层为源漏极层；第二无机层为钝化层，第二金属层为像素电极层。
在一种实施例中，无机层包括第一栅极绝缘层、第二栅极绝缘层和层间绝缘层，金属层为源漏极层。
在一种实施例中，无机层包括第一无机层和第二无机层，金属层包括第一金属层和第二金属层；第一金属层、第二无机层和第二金属层依次形成于第一无机层之上；第一无机层包括第一栅极绝缘层、第二栅极绝缘层、层间绝缘层中的任意两种，第一金属层为源漏极层；第二无机层为钝化层，第二金属层为像素电极层。
在一种实施例中，无机层包括第一无机层和第二无机层，金属层包括第一金属层和第二金属层；第一金属层、第二无机层和第二金属层依次形成于第一无机层之上；第一无机层包括第一栅极绝缘层、第二栅极绝缘层和层间绝缘层，第一金属层为源漏极层；第二无机层为钝化层，第二金属层为像素电极层。
根据上述实施例可知：
本发明实施例提供一种阵列基板及柔性显示面板，该阵列基板在弯曲区内包括：衬底；无机层，形成于衬底上，无机层内设置有挖空区域，挖空区域内无填充或为有机物填充；金属层，形成于无机层上，通过挖空区域包围的过孔，与无机层下侧的膜层相连接。通过在无机层内设置挖空区域，挖空区域内无填充或有机物填充，在柔性显示面板弯曲时，挖空区域为无机层内的应力释放提供了良好通道，避免了无机层由于应力无法及时释放，而断裂或产生裂痕，进而导致整个面板的结构受损的问题，提高了柔性显示面板的弯曲性能。
综上所述，虽然本发明已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本发明，本领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。

Claims (10)

1.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板在弯曲区内包括：
衬底；
无机层，形成于所述衬底上，所述无机层内设置有挖空区域，所述挖空区域内无填充或为有机物填充；
金属层，形成于所述无机层上，通过所述挖空区域包围的过孔，与所述无机层下侧的膜层相连接；
其中，所述挖空区域的外围为凹向所述无机层的曲面，所述挖空区域的内围与所述挖空区域包围的所述过孔在所述无机层内的外围重叠。
2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述无机层仅包括一层。
3.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述无机层为第一栅极绝缘层、第二栅极绝缘层、层间绝缘层中的任意一层，所述金属层为源漏极层。
4.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述无机层为钝化层，所述金属层为像素电极层。
5.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述无机层包括至少两层。
6.如权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述无机层包括第一栅极绝缘层、第二栅极绝缘层、层间绝缘层中的任意两层，所述金属层为源漏极层。
7.如权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述无机层包括第一无机层和第二无机层，所述金属层包括第一金属层和第二金属层；所述第一金属层、所述第二无机层和所述第二金属层依次形成于所述第一无机层之上；所述第一无机层为第一栅极绝缘层、第二栅极绝缘层、层间绝缘层中的任意一层，所述第一金属层为源漏极层；所述第二无机层为钝化层，所述第二金属层为像素电极层。
8.如权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述无机层包括第一栅极绝缘层、第二栅极绝缘层和层间绝缘层，所述金属层为源漏极层。
9.如权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述无机层包括第一无机层和第二无机层，所述金属层包括第一金属层和第二金属层；所述第一金属层、所述第二无机层和所述第二金属层依次形成于所述第一无机层之上；所述第一无机层包括第一栅极绝缘层、第二栅极绝缘层、层间绝缘层中的任意两种，所述第一金属层为源漏极层；所述第二无机层为钝化层，所述第二金属层为像素电极层。
10.如权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述无机层包括第一无机层和第二无机层，所述金属层包括第一金属层和第二金属层；所述第一金属层、所述第二无机层和所述第二金属层依次形成于所述第一无机层之上；所述第一无机层包括第一栅极绝缘层、第二栅极绝缘层和层间绝缘层，所述第一金属层为源漏极层；所述第二无机层为钝化层，所述第二金属层为像素电极层。
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112002702B (zh) * 2020-08-06 2022-09-27 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 柔性显示面板及可卷曲显示装置
CN115057407B (zh) * 2022-04-29 2024-09-10 潍坊歌尔微电子有限公司 Mems产品及电子设备

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102446886A (zh) * 2010-09-30 2012-05-09 中国科学院微电子研究所 3d集成电路结构及其形成方法
CN103022080A (zh) * 2012-12-12 2013-04-03 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制作方法、有机发光二极管显示装置
CN106601776A (zh) * 2016-12-26 2017-04-26 武汉华星光电技术有限公司 柔性amoled显示面板
CN208044267U (zh) * 2018-03-12 2018-11-02 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及一种显示装置
CN108987426A (zh) * 2018-07-23 2018-12-11 上海天马微电子有限公司 一种柔性led显示面板及电子设备

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20150046963A (ko) * 2013-10-23 2015-05-04 삼성디스플레이 주식회사 플렉서블 표시 장치 및 플렉서블 표시 장치의 제조 방법
CN108598113B (zh) * 2018-04-24 2022-02-22 云谷（固安）科技有限公司 阵列基板及显示屏
CN109887969A (zh) * 2019-02-25 2019-06-14 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制造方法
CN110112191B (zh) * 2019-04-29 2021-06-01 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板、显示装置及其制造方法
CN110221730B (zh) * 2019-06-17 2022-06-07 京东方科技集团股份有限公司 触控面板及触控显示装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102446886A (zh) * 2010-09-30 2012-05-09 中国科学院微电子研究所 3d集成电路结构及其形成方法
CN103022080A (zh) * 2012-12-12 2013-04-03 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制作方法、有机发光二极管显示装置
CN106601776A (zh) * 2016-12-26 2017-04-26 武汉华星光电技术有限公司 柔性amoled显示面板
CN208044267U (zh) * 2018-03-12 2018-11-02 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及一种显示装置
CN108987426A (zh) * 2018-07-23 2018-12-11 上海天马微电子有限公司 一种柔性led显示面板及电子设备

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