CN111057997A - 薄膜工序用开放掩膜片及其制造方法 - Google Patents

薄膜工序用开放掩膜片及其制造方法 Download PDF

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Abstract

本发明涉及薄膜工序用开放掩膜片及其制造方法。薄膜工序用开放掩膜片包括形成于具有规定厚度的金属片上的至少一个开口部，开口部包括：盆地形凹陷，从金属片的上部面朝向下部侧蚀刻而成，具有第一宽度和第一深度；上部槽，从盆地形凹陷的表面朝向下部侧蚀刻而成，具有小于第一宽度的第二宽度和第二深度；以及下部槽，从金属片的下部面朝向上部侧蚀刻而成，与上部槽相连通，具有第三宽度和第三深度，其中，首先，通过蚀刻来形成盆地形凹陷，之后，上部槽及下部槽同时蚀刻而成，来形成盆地形凹陷的表面与金属片的下部面之间的贯通孔。本发明可使在薄膜层边缘中的不合格及阴影现象最小化。

Description

薄膜工序用开放掩膜片及其制造方法
技术领域
本发明涉及薄膜工序用开放掩膜片，更详细地，涉及如下的新型薄膜工序用开放掩膜片及其制造方法：在薄膜工序用开放掩膜片中，使开口部的大小确定线在水平方向上与基板薄膜层的边缘隔开，在垂直方向上与基板薄膜层的表面隔开充分小的间隔，可使在通过开放掩膜片的开口部制造的基板薄膜层的边缘中的不合格及阴影现象最小化。
背景技术
近来，普遍制造的有机发光二极管(OLED，Organic Light-Emitting Diode)通常用作电视、个人计算机(PC)用显示器、平板电脑、智能手机、智能手表及车辆仪表盘等的显示器。有机发光二极管为由有机化合物形成发光层的薄膜发光二极管。当制造有机发光二极管时，需要执行使电极层、有机发光层、绝缘膜等的薄膜层层叠并进行图案化的薄膜工序。薄膜工序利用具有分别对应的开口部图案的掩膜组装体，例如，包括化学气相沉积法(CVD，chemical vapor deposition)、溅射法(sputtering)、离子电镀法(ion plating)、真空蒸镀法(evaporation)等。
通常，如图1所示，掩膜组装体10为在相对坚固的结构的框架12上接合具有开口部H的薄掩膜片14的结构。通常，在有机发光二极管制造工序中使用的掩膜组装体分为具有用于制造显示器的RGB像素的非常微细的开口部图案的精细金属掩膜组装体(fine metalmask assembly)及具有用于在显示器整体面积适用相同材质的薄膜层的开口部的开放掩膜组装体(open mask assembly)。尤其，在开放掩膜片中，在如具有约50～200μm左右的厚度的因瓦合金(Invar-36Alloy)或不锈钢(SUS420)的材质的薄膜金属片上以湿式蚀刻方式形成多个如数十个～数百个的开口部。通常，以从金属片两表面朝向金属片的内部同时进行湿式蚀刻的方式制造开口部。
在以往，通常，显示器边缘被边框包围，因此，与显示器边缘有关的精密度或不合格与否没有大问题。但是，近来，例如，如超薄边框显示器，进一步要求与显示器边缘有关的精密度，由此，对于相对应的开放掩膜开口部要求更高的精密度。如图2所示的例，为了顺应这种要求，与以往的精细金属掩膜(FMM)领域中众所周知的相似地，以往的开放掩膜开口部呈上窄下宽(up-narrow and down-wide)的形状。
如图2的(a)部分所示，根据开口部制造过程，在金属片20的上部面和下部面层叠光阻剂层21、22。之后，如图2的(b)部分所示，利用规定光掩膜使图案暴露并显影来在各光阻剂层21、22上形成相对应的蚀刻用开口P1及P2。之后，例如，通过使用如氯化铁溶液的蚀刻液来在两表面同时进行蚀刻，如图2的(c)部分所示，通过金属片20的上部光阻剂层21的蚀刻用开口P1形成上部槽C1及通过相向的下部光阻剂层22的蚀刻用开口P2形成下部槽C2并使两者相连通，来形成开口部C。
通常，由于湿式蚀刻技术的局限，开口部的大小确定线(即，具有确定薄膜层大小的最小宽度的边缘)形成于开始蚀刻的位置，在图示的例中，局限于窄的宽度的上部槽。因此，在上窄下宽的开口部C形状中，开口部的大小确定线与宽度窄的上部槽的蚀刻开始部分相对应，即，与开口部的上部边缘20a相对应。另一方面，宽度宽的下部槽具有在金属片的下部面中最大的宽度，越接近金属片的内部宽度越窄，由此，提供使薄膜形成物质顺畅地入射的锥角α。
但是，随着薄膜工序的进行，在一个开放掩膜组装体中，连续重复进行紧贴并揭下数千个薄膜工序用基板的动作。在此情况下，各开口部的大小与最终产品的显示器大小相对应，因此，如图2的(d)部分所示，开放掩膜片，即，金属片20的开口部C的大小确定线，即，开口部的上部边缘20a紧贴于基板B的薄膜层D的边缘。这是因为，不开放掩膜片与基板相接触，而且，例如，以通过磁力完全紧贴的状态进行薄膜工序。由此，开口部大小确定线，即，开口部上部边缘20a与薄膜层的边缘相接触来一同形成具有棱角的凹陷部，从而成为容易塞进异物的结构，并且，当开口部的上部边缘20a紧贴于基板或在基板进行装拆时，与薄膜层的边缘干扰来产生刮痕，由此，在薄膜层的边缘产生较多的不合格。
因此，如图3所示，在以往，为了去除这种薄膜层边缘的不合格，使用形成翻转以往的形状的形状，即，上宽下窄(up-wide and down-narrow)形状的开口部C'的开放掩膜片或金属片30。这以使形成于光阻剂层的蚀刻用开口P1、P2(参照图2)的宽度在上部宽宽地形成且在下部窄窄地形成的方式制造。在上宽下窄的开口部C'的情况下，开口部的上部槽C1'具有宽的宽度，相反，下部槽C2'具有窄的宽度。根据图3的金属片30，通过具有更窄的宽度的下部槽C2'的大小确定线，即，下部边缘30b确定基板B的薄膜层D的边缘。由此，薄膜层的边缘沿着水平方向与开口部C'的上部边缘30a隔开，还沿着垂直方向与金属片的表面，即，上部槽C1'的表面隔开，因此，在进行薄膜工序的过程中，不会在薄膜层D的边缘塞进异物或产生刮痕，可显著减少不合格的产生。
但是，在形成图3中所示的上宽下窄的开口部C'的金属片30的情况下，具有开口部的大小确定线受限于窄的宽度的下部槽C2'，即，开口部的下部边缘30b的问题。根据这种形状，在薄膜工序中，开口部的大小确定线沿着垂直方向以与金属片的厚度t相同的距离隔开。为解除上述问题，具有如下的例，即，通过两次蚀刻工序生成下部槽C2'，使大小确定线位于金属片的内部，即，位于下部槽C2'的上部。但是，上述情况具有如下的问题，即，例如，在开放掩膜片的厚度约为50～200μm左右的情况下，开口部的大小确定线对于基板表面具有约60～80μm左右的非常大的垂直方向隔开距离，而且，在窄的宽度的下部槽C2几乎不形成使薄膜形成物质入射的锥角。因此，在基板薄膜层D的边缘产生如120～130μm左右的大的宽度的阴影地区S，由于上述阴影现象，具有显示器边缘的精密度减少的问题。近来，逐渐需要超薄的边框显示器，进而，如可折叠显示器，更加需要显示器边缘的精密度的情况增加，因此，迫切需要使在这种显示器边缘的阴影地区的大小减少为大约20μm以下的技术。
现有技术文献
专利文献
专利文献0001：韩国授权专利第10-1786391号(2017年10月10日)
专利文献0002：韩国公开专利第10-2015-0056754号(2015年05月27日)
专利文献0003：韩国公开专利第10-2017-0096373号(2017年08月24日)
专利文献0004：韩国公开专利第10-2016-0129639号(2016年11月09日)
发明内容
在探索用于减少基板薄膜层边缘的阴影地区的大小的开放掩膜技术的过程中，尤其，为了防止异物塞进或刮痕问题的产生，本发明人关注了如下方面，即，形成于金属片的开口部的大小确定线需沿着水平方向及垂直方向与基板薄膜层的边缘隔开，同时，需沿着垂直方向以最大限度地接近基板薄膜层的表面的方式形成。
因此，本发明人掌握了如下方面，即，若第一次在金属片的上部面蚀刻宽度宽且深度浅的盆地形凹陷，之后，若在盆地形凹陷的表面与金属片的下部面之间以上窄下宽形态蚀刻来生成贯通孔，则在贯通孔上形成与盆地形凹陷相结合的形态的开口部，由此，开口部的大小确定线位于通过第二次蚀刻形成的贯通孔的窄的宽度上部槽开始蚀刻的位置，即，盆地形凹陷的表面，因此，开口部大小确定线沿着水平方向及垂直方向与基板薄膜层的边缘隔开，尤其，在垂直方向上隔开与盆地形凹陷的浅的深度相同的距离，并且，尤其，通过第一次蚀刻生成的盆地形凹陷的深度以所要的深度浅浅地制造，进而，在通过第二次蚀刻生成的上窄下宽贯通孔的下部槽可生成充分大小的锥角，因此，可制造同时去除基板薄膜层的边缘的不合格问题和阴影现象的开放掩膜片。
根据如上所述的发明人的掌握为基础制造本发明，本发明的目的在于，提供如下的新薄膜工序用开放掩膜片及其制造方法：在薄膜工序用开放掩膜片中，使开口部的大小确定线在水平方向上充分地与基板薄膜层的边缘隔开，来具有充分小的垂直隔开距离，并且，可在开口部的下部形成适当的锥角，从而可使在薄膜层的边缘中的不合格产生及阴影现象最小化。
上述目的通过根据本发明提供的薄膜工序用开放掩膜片及其制造方法实现。
本发明一方式的薄膜工序用开放掩膜片为包括形成于规定厚度的金属片上的至少一个开口部的开放掩膜片，上述开口部包括：盆地形凹陷，从上述金属片的上部面朝向下部侧蚀刻而成，具有第一宽度和第一深度；上部槽，从上述盆地形凹陷的表面朝向下部侧蚀刻而成，具有小于上述第一宽度的第二宽度和第二深度；以及下部槽，从上述金属片的下部面朝向上部侧蚀刻而成，与上述上部槽e2相连通，具有第三宽度和第三深度，其中，首先，通过蚀刻来形成上述盆地形凹陷，之后，上述上部槽及下部槽同时蚀刻而成，来形成上述盆地形凹陷的表面与上述金属片的下部面之间的贯通孔。
在实施例中，优选地，上述贯通孔呈上述第二宽度小于上述第三宽度的上窄下宽形态。
在实施例中，优选地，上述金属片的厚度为50～200μm，上述盆地形凹陷的第一深度为10～25μm。
在实施例中，优选地，在形成上述贯通孔之后，上述盆地形凹陷表面的剩余长度为上述盆地形凹陷的第一深度的3～20倍。
在实施例中，优选地，上述下部槽的侧壁形成40度～45度的锥角α。
在实施例中，上述金属片可由因瓦合金(Invar-36Alloy)或不锈钢(SUS420)材质形成。
本发明的另一方式的薄膜工序用开放掩膜片制造方法用于制造包括形成于金属片上的至少一个开口部的薄膜工序用开放掩膜片，包括：第一蚀刻步骤，从上述金属片的上部面朝向下部侧形成具有第一宽度和第一深度的盆地形凹陷；以及第二蚀刻步骤，一方面，从上述盆地形凹陷的表面朝向下部侧形成具有小于上述第一宽度的第二宽度和第二深度的上部槽，另一方面，以与上述上部槽相连通的方式从上述金属片的下部面朝向上部侧形成具有第三宽度和第三深度的下部槽，来形成通过上述上部槽及下部槽形成的贯通孔。
在实施例中，上述第一蚀刻步骤包括：在上述金属片的上部面及下部面分别形成光刻胶膜的步骤；在上述金属片的上部面的光刻胶膜形成上述盆地形凹陷蚀刻用开口的步骤；进行通过上述盆地形凹陷蚀刻用开口来形成具有上述第一宽度d1和第一深度t1的盆地形凹陷e1的湿式蚀刻的步骤；以及去除上述金属片的上部面的剩余光刻胶膜的步骤。
在实施例中，上述第二蚀刻步骤包括：在上述第一蚀刻步骤之后，在金属片的上部面和上述盆地形凹陷的表面形成光刻胶膜的步骤；在上述盆地形凹陷的表面及上述金属片的下部面的光刻胶膜分别形成贯通孔蚀刻用开口的步骤；进行在上述盆地形凹陷的表面及上述金属片的下部面通过上述贯通孔蚀刻用开口蚀刻出上述上部槽及上述下部槽来形成上述贯通孔的湿式蚀刻的步骤；以及去除上述金属片中的剩余光刻胶膜的步骤。
在实施例中，形成上述光刻胶膜的步骤可通过附着膜形态的光刻胶膜的方式或涂敷液体状的光阻剂的方式执行。
根据本发明，提供如下的新薄膜工序用开放掩膜片及其制造方法：在薄膜工序用开放掩膜片中，使物质通过的开口部的大小确定线在水平方向上充分地与基板薄膜层的边缘隔开，与基板薄膜层的表面具有充分小的垂直隔开距离，并且，可在开口部的下部形成适当的锥角，从而可使在薄膜层的边缘中的不合格及阴影现象最小化。
具体地，根据本发明，第一次在金属片的上部面蚀刻宽度宽且深度浅的盆地形凹陷，之后，在盆地形凹陷的表面与金属片的下部面之间蚀刻上窄下宽形态的贯通孔并形成开放掩膜开口部，最终，在贯通孔上形成与盆地形凹陷相结合的形态的开口部。
由此，限定薄膜工序用基板表面的薄膜层的大小的开放掩膜片的开口部的大小确定线位于通过第二次蚀刻形成的贯通孔的窄的宽度上部槽开始蚀刻的位置，即，盆地形凹陷的表面。因此，开口部的大小确定线可通过盆地形凹陷的宽度和深度沿着水平方向及垂直方向与薄膜层的边缘隔开。
尤其，通过本发明提供如下的显著效果，即，在金属片的总厚度为50～200μm的情况下，与阴影现象相关地，限定开口部的大小确定线与薄膜层的表面之间的垂直方向隔开距离的盆地形凹陷的深度可减少至大约20μm以下。这是因为，形成本发明的开口部的上部的盆地形凹陷可通过有别于贯通孔的蚀刻工序的蚀刻工序简单地以所要的浅的深度形成。进而，根据本发明提供如下的优点，即，在开口部的下部形成有上窄下宽形态的贯通孔，因此，能够以如40度～45度左右的角度生成使薄膜形成物质入射的充分大小的锥角。在根据本发明，如金属片的总厚度为50～200μm的情况下，仅产生仅具有大约15μm以下的宽度的非常小的阴影地区，最终大大提高显示器产品的边缘精密度。
附图说明
图1为用于说明以往的开放掩膜组装体的简要俯视图。
图2的(a)部分至(d)部分为用于说明以往的开放掩膜片的上窄下宽的开口部的简要剖视图。
图3为用于说明以往的开放掩膜片的上宽下窄的开口部的简要剖视图。
图4为示出本发明实施例的开放掩膜片的开口部结构的简要剖视图。
图5为示出本发明实施例的开放掩膜片的制造方法的步骤的简要流程图。
图6为直观地示出图5中例示的开放掩膜片的制造方法的步骤的简要流程图。
图7为用于比较说明本发明实施例的开放掩膜片样品与现有技术的样品的金属片的开口部的一侧剖面的显微镜照片。
具体实施方式
以下，参照附图对本发明的具体实施例进行说明。作为参照，以下的记载事项及附图仅为有助于理解本发明的例示，并不限定发明的技术范围。换言之，以下所说明的实施例可在现场实现时进行各种变形，若这些变形在本发明的技术思想内，则属于本发明，本发明所属技术领域的普通技术人员可通过以下的说明容易理解本发明的技术思想。
图4为示出本发明实施例的开放掩膜片的开口部结构的简要剖视图。
参照图4，示出本发明的薄膜工序用开放掩膜片或金属片40的开口部e与薄膜工序用基板B的表面相接触的状态。在实际开放掩膜片形成有多个开口部e，通过开口部e的宽度确定的基板B的表面的薄膜层D的宽度与最终显示器产品的宽度相对应，但是，只要是本发明所属技术领域的普通技术人员就可理解在附图中以仅在概念上容易理解的方式与实际蓄积无关地简要图示。
在所示的例中，金属片40的开口部e由上部的盆地形凹陷e1及与其下部侧相连通的贯通孔e2、e3形成。
其中，只要是本发明所属技术领域的普通技术人员，就可理解“上部”为与基板B相接触的一侧，“下部”为使薄膜形成物质入射的一侧，用于相互简单地区别，而不是用于区别绝对的地理位置。
盆地形凹陷e1从金属片的上部面朝向金属片的内部蚀刻而成来形成。盆地形凹陷e1的宽度d1能够以基板薄膜层D的宽度为基准确定为使盆地形凹陷e1的上部边缘40a与薄膜层D的边缘互不干扰的程度沿着水平方向充分地隔开的大小。在图示的例中，以d1a示出的部分与盆地形凹陷e1的上部边缘40a沿着水平方向与薄膜层D的边缘相互隔开的距离相对应。
另一方面，优选地，盆地形凹陷e1的深度t1需尽可能的薄，来减少在薄膜层D的边缘产生的阴影地区S的大小。在本发明的实施例中，在金属片的厚度t为50～200μm的情况下，优选地，盆地形凹陷的深度t1大约为10～25μm，更优选地，盆地形凹陷的深度t1大约为20μm以下。盆地形凹陷的深度t1可通过调节蚀刻液的浓度或蚀刻时间等来具有所要的大小。
贯通孔e2、e3为形成于盆地形凹陷e1的表面与金属片40的下部面之间的孔，从盆地形凹陷e1的表面朝向下部侧蚀刻的上部槽e2与从金属片40的下部面朝向上部侧蚀刻的下部槽e3相连通。尤其，根据本发明，贯通孔e2、e3呈上窄下宽形态，上部槽e2的宽度d2小于下部槽e3的宽度d3。在此情况下，通过宽度窄的上部槽e2来确定开口部e的大小确定线，因此，可使大小确定线尽可能地位于上部侧。
在具体实施例中，优选地，金属片的厚度t为50～200μm，盆地形凹陷的深度t1为10～25μm。在此情况下，形成于通过开口部e制造的薄膜层D的边缘的阴影地区S可减少至大约为20μm以下。并且，在形成贯通孔e2、e3之后，优选地，盆地形凹陷e1的表面的剩余长度d1a为盆地形凹陷e1的深度t1的3倍～20倍。其中，表面剩余长度d1a和上部槽e2与盆地形凹陷e1的宽度差相对应，优选地，具有可覆盖具有大于上部槽e2的宽度的下部槽e3的大小的充分大的大小。在本发明的开口部e中，贯通孔e2、e3以上窄下宽形态蚀刻，因此，下部槽e3的侧壁可易于形成40度～45度的锥角α。
金属片40的材质可由因瓦合金(Invar-36Alloy)或不锈钢(SUS420)材质形成。
图5为示出本发明实施例的开放掩膜片的制造方法的步骤的简要流程图。
参照图5，例示包括形成于金属片上的至少一个开口部的薄膜工序用开放掩膜片制造方法(步骤500)的整体工序，金属片准备步骤(步骤501)包括第一蚀刻步骤(步骤503～步骤509)以及第二蚀刻步骤(步骤511～步骤517)。
金属片准备步骤501为形成一个以上的开口部来准备用作开放掩膜片的薄膜的金属片的步骤。根据本发明，金属片为如因瓦合金(Invar-36Alloy)或不锈钢(SUS420)材质，具有50～200μm的均匀的厚度，在以横向约为100cm、纵向约为200cm左右的大小裁剪之后，可在表面清洗异物来准备。可在通过上述方式准备的金属片形成具有如以横向约为10cm且纵向约为20cm左右的大小的数十个开口部。这些开口部通过第一蚀刻步骤(步骤503～步骤509)及第二蚀刻步骤(步骤511～步骤517)形成。
第一蚀刻步骤(步骤503～步骤509)为从金属片的上部面朝向下部侧形成具有第一宽度d1和第一深度t1的盆地形凹陷e1的步骤。上述第一蚀刻步骤(步骤503～步骤509)包括光刻胶膜形成步骤(步骤503)、蚀刻用开口形成步骤(步骤505)、湿式蚀刻步骤(步骤507)以及剩余光刻胶膜去除步骤(步骤509)。
光刻胶膜形成步骤(步骤503)可在准备的金属片的上部面与下部面分别附着膜形态的光刻胶膜或涂敷液体状的光阻剂来执行。蚀刻用开口形成步骤(步骤505)为在金属片的上部面的光刻胶膜形成盆地形凹陷蚀刻用开口的步骤。为此，利用具有所要的蚀刻图案的光掩膜使规定图案暴露并显影来在金属片的上部面的光刻胶膜形成盆地形凹陷蚀刻用开口。在此情况下，金属片的下部面的光刻胶膜维持最初形成的形状。湿式蚀刻步骤(步骤507)为利用氯化铁溶液等的蚀刻液进行湿式蚀刻的步骤。蚀刻液通过盆地形凹陷蚀刻用开口蚀刻金属片的上部面，以此形成第一宽度d1和第一深度t1的盆地形凹陷e1。之后，剩余光刻胶膜去除步骤(步骤509)为形成盆地形凹陷之后去除金属片的上部面的剩余光刻胶膜的步骤。优选地，在金属片的厚度t为50～200μm的情况下，以上述方式在第一蚀刻步骤中形成的盆地形凹陷的深度t1为10～25μm。
在形成盆地形凹陷e1之后，在第二蚀刻步骤(步骤511～步骤517)形成贯通孔e2、e3。通过在金属片的两个表面同时对在金属片的内部相接触的上部槽及下部槽进行蚀刻来生成贯通孔。换言之，一方面，从盆地形凹陷e1的表面朝向下部侧形成具有小于盆地形凹陷的宽度的第二宽度d2和第二深度t2的上部槽e2。另一方面，以与上部槽e2的下部相连通的方式从金属片的下部面朝向上部侧形成具有第三宽度d3和第三深度t3的下部槽e3。从而，可形成通过上部槽e2及下部槽e3形成的贯通孔。
第二蚀刻步骤包括光刻胶膜形成步骤(步骤511)、蚀刻用开口形成步骤(步骤513)、湿式蚀刻步骤(步骤515)以及剩余光刻胶膜去除步骤(步骤517)。
光刻胶膜形成步骤(步骤511)以包围通过第一蚀刻步骤形成盆地形凹陷之后的金属片的上部面和与上述金属片的上部面相连接的盆地形凹陷的表面两者的方式形成光刻胶膜的步骤。在此情况下，金属片的上部面与盆地形凹陷的侧壁相接触的部分为阶梯形态的高度差结构，呈突出的形态。但是，例如，盆地形凹陷的深度为20μm以下，非常小，相反，盆地形凹陷的表面的宽度大约为50～200cm左右，非常大，并且，在形成贯通孔e2、e3之后，盆地形凹陷e1的表面的剩余长度d1a为盆地形凹陷e1的深度t1的3～20倍。因此，当对金属片的上部面与盆地形凹陷的侧壁相接触的部分，即，突出形态的开口部的上部边缘使用如膜形态的光刻胶膜来成膜时，即使产生微细的翘起的部分，在周围区域提供充分的膜附着面积，因此，当进行蚀刻工序时，不产生额外的问题。在此情况下，光刻胶膜可通过附着膜形态的光刻胶膜或涂敷液体状的光阻剂来形成。
在蚀刻用开口形成步骤(步骤513)中，作为用于蚀刻贯通孔的蚀刻用开口，形成用于上部槽的蚀刻用开口和用于下部槽的蚀刻用开口。换言之，在金属片的上部面和形成于与上述金属片的上部面相连接的盆地形凹陷的表面的光刻胶膜形成用于贯通孔的上部槽的蚀刻用开口。并且，在金属片的下部面的光刻胶膜形成用于贯通孔的下部槽的蚀刻用开口。通过朝向上部和下部的光刻胶膜的外侧分别整列具有所要的蚀刻图案的光掩膜来使规定图案暴露并显影，从而形成贯通孔蚀刻用开口。在实施例中，优选地，贯通孔呈上窄下宽的形态，因此，上部槽蚀刻用开口的宽度小于下部槽蚀刻用开口的宽度。并且，贯通孔的下部槽e3的侧壁形成40度～45度的锥角α。
湿式蚀刻步骤(步骤515)为进行通过形成于盆地形凹陷的表面及金属片的下部面的贯通孔蚀刻用开口蚀刻出具有第二宽度d2和第二深度t2的上部槽e2及具有第三宽度d3和第三深度t3的下部槽e3来形成贯通孔的湿式蚀刻的步骤。之后，剩余光刻胶膜去除步骤(步骤517)为形成贯通孔之后从金属片去除剩余光刻胶膜的步骤。
图6为直观地示出图5中例示的开放掩膜片的制造方法的步骤的简要流程图。
参照图6，图6的(a)部分示出进行图5的步骤503之后在金属片63的上部面与下部面分别形成光刻胶膜61、65的图。图6的(b)部分示出进行图5的步骤505之后在金属片63的上部光刻胶膜61形成盆地形凹陷蚀刻用开口P1的状态的图。图6的(c)部分示出进行图5的步骤507之后在金属片63的上部蚀刻具有宽宽度且浅深度的盆地形凹陷e1的状态。图6的(d)部分示出进行图5的步骤509及步骤511之后在金属片63的上部面及与上述金属片63的上部面相连接的盆地形凹陷的表面形成新光刻胶膜67的状态。通过上述内容可知形成于金属片63的下部面的下部光刻胶膜65维持原样。
以下，参照图6的(e)部分，示出进行图5的步骤513之后在金属片63的上部光刻胶膜67和下部光刻胶膜65分别形成上部槽蚀刻用开口P2和下部槽蚀刻用开口p3的状态。最终，参照图6的(f)部分，示出进行图5的步骤515之后借助通过上部槽蚀刻用开口P2从盆地形凹陷e1的表面朝向下部侧蚀刻的上部槽e2和通过下部槽蚀刻用开口p3从金属片63的下部面朝向上部侧蚀刻的下部槽e3形成贯通孔e2、e3的状态。如图所示，上部槽e2的宽度和深度小于下部槽e3的宽度和深度，下部槽e3的侧壁形成40度～45度的锥角α。
图7为用于比较说明本发明实施例的开放掩膜片样品与现有技术的样品的显微镜照片。
参照图7，图7的(a)部分及(b)部分为示出以往的开放掩膜用金属片样品中的开口部的一侧壁部分的显微镜照片。如图所示，可知，金属片71、72的上部侧槽的深度非常深，相比于金属片的总厚度，具有30～50％左右的长度。并且，在下部侧的槽几乎没有锥角。相比于此，可知，在图7的(c)部分所示的本发明的开口部的情况下，金属片73的上部侧的槽(即，盆地形凹陷)的深度非常浅，相比于整体金属片73的厚度，仅为10％左右，在下部侧的槽形成有适当大小的锥角。
以上，对本发明的优选实施例进行了说明，本发明并不限定于上述实施例，能够以多种形态实施变形或修改，若变形或修改的实施例包括在发明要求保护范围揭示的本发明的技术思想，则属于本发明的权利范围。

Claims (15)

1.一种薄膜工序用开放掩膜片，其特征在于，
包括形成于具有规定厚度的金属片上的至少一个开口部，
上述开口部包括：
盆地形凹陷，从上述金属片的上部面朝向下部侧蚀刻而成，具有第一宽度和第一深度；
上部槽，从上述盆地形凹陷的表面朝向下部侧蚀刻而成，具有小于上述第一宽度的第二宽度和第二深度；以及
下部槽，从上述金属片的下部面朝向上部侧蚀刻而成，与上述上部槽相连通，具有第三宽度和第三深度，
其中，首先，通过蚀刻来形成上述盆地形凹陷，之后，上述上部槽及下部槽同时蚀刻而成，来形成上述盆地形凹陷的表面与上述金属片的下部面之间的贯通孔。
2.根据权利要求1所述的薄膜工序用开放掩膜片，其特征在于，上述贯通孔呈上述上部槽的第二宽度小于上述下部槽的第三宽度的上窄下宽形态。
3.根据权利要求2所述的薄膜工序用开放掩膜片，其特征在于，上述金属片的厚度为50～200μm，上述盆地形凹陷的第一深度为10～25μm。
4.根据权利要求3所述的薄膜工序用开放掩膜片，其特征在于，在形成上述贯通孔之后，上述盆地形凹陷表面的剩余长度为上述盆地形凹陷的第一深度的3～20倍。
5.根据权利要求1所述的薄膜工序用开放掩膜片，其特征在于，上述下部槽的侧壁形成40度～45度的锥角。
6.根据权利要求1所述的薄膜工序用开放掩膜片，其特征在于，上述金属片由因瓦合金(Invar-36 Alloy)或不锈钢(SUS420)材质形成。
7.一种薄膜工序用开放掩膜片制造方法，用于制造包括形成于金属片上的至少一个开口部的薄膜工序用开放掩膜片，其特征在于，包括：
第一蚀刻步骤(步骤503～步骤509)，从上述金属片的上部面朝向下部侧形成具有第一宽度和第一深度的盆地形凹陷；以及
第二蚀刻步骤(步骤511～步骤517)，从上述盆地形凹陷的表面朝向下部侧形成具有小于上述第一宽度的第二宽度和第二深度的上部槽，以与上述上部槽相连通的方式从上述金属片的下部面朝向上部侧形成具有第三宽度和第三深度的下部槽，来形成通过上述上部槽及下部槽形成的贯通孔。
8.根据权利要求7所述的薄膜工序用开放掩膜片制造方法，其特征在于，上述第一蚀刻步骤(步骤503～步骤509)包括：
步骤503，在上述金属片的上部面及下部面分别形成光刻胶膜；
步骤505，在上述金属片的上部面的光刻胶膜形成上述盆地形凹陷蚀刻用开口；
步骤507，进行通过上述盆地形凹陷蚀刻用开口来形成具有上述第一宽度和第一深度的盆地形凹陷的湿式蚀刻；以及
步骤509，去除上述金属片的上部面的剩余光刻胶膜。
9.根据权利要求8所述的薄膜工序用开放掩膜片制造方法，其特征在于，上述第二蚀刻步骤(步骤511～步骤517)包括：
步骤511，在上述第一蚀刻步骤之后，在金属片的上部面和上述盆地形凹陷的表面形成光刻胶膜；
步骤513，在上述盆地形凹陷的表面及上述金属片的下部面的光刻胶膜分别形成贯通孔蚀刻用开口；
步骤515，进行在上述盆地形凹陷的表面及上述金属片的下部面通过上述贯通孔蚀刻用开口蚀刻出具有上述第二宽度和第二深度的上部槽及具有上述第三宽度和第三深度的下部槽来形成上述贯通孔的湿式蚀刻；以及
步骤517，去除上述金属片中的剩余光刻胶膜。
10.根据权利要求8或9所述的薄膜工序用开放掩膜片制造方法，其特征在于，上述形成光刻胶膜的步骤(步骤503或步骤511)通过附着膜形态的光刻胶膜或涂敷液体状的光阻剂来执行。
11.根据权利要求7所述的薄膜工序用开放掩膜片制造方法，其特征在于，上述贯通孔呈上述上部槽的第二宽度小于上述下部槽的第三宽度的上窄下宽形态。
12.根据权利要求7所述的薄膜工序用开放掩膜片制造方法，其特征在于，上述金属片的厚度为50～200μm，上述盆地形凹陷的第一深度为10～25μm。
13.根据权利要求7所述的薄膜工序用开放掩膜片制造方法，其特征在于，在形成上述贯通孔之后，上述盆地形凹陷的表面的剩余长度为上述盆地形凹陷的第一深度的3～20倍。
14.根据权利要求7所述的薄膜工序用开放掩膜片制造方法，其特征在于，上述下部槽的侧壁形成40度～45度的锥角。
15.根据权利要求7所述的薄膜工序用开放掩膜片制造方法，其特征在于，上述金属片由因瓦合金(Invar-36 Alloy)或不锈钢(SUS420)材质形成。
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