KR102235244B1 - 박막 공정용 오픈 마스크 시트 및 제조 방법 - Google Patents

박막 공정용 오픈 마스크 시트 및 제조 방법 Download PDF

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Abstract

박막 공정용 오픈 마스크 시트 및 제조 방법이 개시된다. 박막 공정용 오픈 마스크 시트제조 방법은, 금속 시트를 관통하는 적어도 하나의 개구부를 포함하는 박막 공정용 오픈 마스크 시트의 제조 방법으로서, (a) 금속 시트의 상부면과 하부면의 각각의 표면에 제1 깊이의 제1 하프에칭(Half Etching) 와 제2 깊이의 제2 하프에칭(Half Etching) 를 함께 형성하는 제1 에칭 단계와, (b) 상기 제1 하프에칭(Half Etching) 의 표면에 포트레지스트막을 코팅하고, 상기 제2 하프에칭(Half Etching) 를 에칭하여 개구부를 형성하는 제2 에칭 단계를 포함한다.

Description

박막 공정용 오픈 마스크 시트 및 제조 방법{OPEN MASK SHEET FOR THIN FILM DEPOSITION AND METHOD FOR MANUFACTURING THEREOF}
본 발명은 제조 효율이 향상되고 오픈 마스크 시트에 의해 제조되는 기판 박막층의 불량발생 및 새도우 현상을 최소화하는 것이 가능하도록 높은 정밀도를 갖는 박막 공정용 오픈 마스크 시트 및 제조 방법에 관한 것이다.
일반적으로 근래 널리 제조되고 있는 유기 발광 표시 장치(OLED, Organic Light-Emitting Diode)는, 텔레비젼, 퍼스널 컴퓨터(PC)용 모니터, 태블릿 PC, 스마트폰, 스마트워치 및 차량 계기판 등 디스플레이로서 널리 이용되고 있다.
OLED는 빛을 내는 층이 유기 화합물로 이루어진 박막 발광 다이오드이다. OLED 제조시 전극층, 유기 발광층, 절연막 등의 박막층을 적층하고 패터닝하는 박막 공정이 필요하다. 박막 공정은 각각 대응하는 개구부 패턴이 구비된 마스크 조립체를 이용하게 되며, 예컨대 화학적 기상증착(CVD, chemical vapor deposition), 스퍼터링(sputtering), 이온 플레이팅(ion plating), 진공 증착(evaporation) 등이 포함된다.
도 1은 종래 오픈 마스크 조립체를 개략적으로 도시한 평면도이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 일반적으로 마스크 조립체는 상대적으로 튼튼한 구조의 프레임(12) 상에 개구부(H)를 구비하는 얇은 마스크 시트(14)를 접합한 구조이다.
통상 OLED 제조 공정에서 사용되는 마스크 조립체에는 디스플레이의 RGB 픽셀을 제조하기 위한 아주 미세한 개구부 패턴을 가지는 파인 메탈 마스크 조립체(finemetal mask assembly) 및 디스플레이 면적 전체에 동일 재질의 박막층을 적응하기 위한 개구부 패턴을 가지는 오픈 마스크 조립체(open mask assembly)로 구분된다.
특히 오픈 마스크 시트는 약 50 ~ 200㎛ 정도의 두께를 가지는 박막 금속 시트 상에, 예컨대 수십개~ 수백개의 개구부를 습식 에칭 방식으로 다수 형성한다. 일반적으로 개구부는 금속 시트 양표면에서 금속 시트 내부를 향하여 동시 습식 에칭하는 방식으로 제조한다.
종래에 디스플레이 가장자리는 통상 베젤에 의해 감싸지므로, 디스플레이 가장자리에 대한 정밀도나 불량여부가 크게 문제되지 않았었다.
그러나 근래에는 예컨대 슬림 베젤 디스플레이와 같이 디스플레이 가장자리에 대한 정밀도가 더욱 요구되고 있고, 이에 따라 대응하는 오픈 마스크 개구부에 대해 점점 더 높은 정밀도가 요구되고 있다.
공개특허공보 10-2017-0096373
본 발명의 일 실시예는, 오픈 마스크의 개구부를 높은 정밀도로 제조되도록 하여, 기판 박막층의 불량발생 및 새도우 현상을 최소화하는 것이 가능한 박막 공정용 오픈 마스크 시트 및 제조 방법을 제공하고자 한다.
본 발명의 일 실시예는, 박막 공정용 오프 마스크 시트로서, 금속 시트에 형성된 적어도 하나 이상의 개구부를 포함한다. 개구부는, 금속 시트의 상부면으로부터 하부 방향으로 에칭되는 하프에칭(Half Etching)과, 하프에칭(Half Etching)의 표면으로부터 하부 방향으로 에칭된 제1 홈과, 금속 시트의 하부면으로부터 상부 방향으로 에칭되어 상기 제1 홈과 연통된 제2 홈을 포함할 수 있다.
금속 시트의 내부에서 상기 제1 홈과 상기 제2 홈이 연통된 관통홀이 형성될 수 있다.
관통홀은, 제1 홈으로부터 상기 제2 홈 방향으로 반구형으로 형성될 수 있다.
제1 홈과 제2 홈의 서로간의 가장자리를 연결한 선을 기준으로 90도 이하의 각도 범위의 경사각으로 형성될 수 있다. 제1 홈으로부터 상기 제2 홈 방향으로 반구형으로 형성될 수 있다.
금속 시트의 두께는 50~300㎛일 수 있다.
하프에칭(Half Etching)은 패널 접촉면과의 갭(Gap)이 형성될 수 있다.
본 발명의 일 실시예는, 금속 시트를 관통하는 적어도 하나의 개구부를 포함하는 박막 공정용 오픈 마스크 시트의 제조 방법으로서, (a) 금속 시트의 상부면과 하부면의 각각의 표면에 제1 깊이의 제1 하프에칭(Half Etching)과, 제2 깊이의 제2 하프에칭(Half Etching)을 함께 형성하는 제1 에칭 단계와, (b) 상기 제1 하프에칭(Half Etching)의 표면에 포트레지스트막을 코팅하고, 상기 제2 하프에칭(Half Etching)을 에칭하여 개구부를 형성하는 제2 에칭 단계를 포함한다.
(a) 단계는, (a-1) 금속 시트의 상부면과 하부면의 표면에 포토레지스트막을 형성하는 단계와, (a-2) 상기 (a-1) 단계의 상기 포토레지스트막을 노광 및 현상하여 상기 금속 시트의 상기 상부면과 상기 하부면이 노출되는 에칭용 개구부를 형성하는 단계와, (a-3) 상기 에칭용 개구부에 에칭액을 주입하여, 상기 상부면을 제1 하프에칭(Half Etching)을 형성하도록 에칭하고, 상기 하부면을 제2 하프에칭(Half Etching)을 형성하도록 에칭하는 단계를 포함할 수 있다.
(a-4) 상기 제1 하프에칭(Half Etching) 의 표면을 패널 접촉면과의 갭(Gap)으로 가공하는 단계를 더 포함할 수 있다.
(b) 단계는, (b-1) 상기 (a-4) 단계의 상기 패널 접촉면과의 갭(Gap)에 포토레지스트막을 코팅하는 단계와, (b-2) 상기 제2 하프에칭(Half Etching)을 에칭하여 상기 패널 접촉면과의 갭(Gap)에 관통하는 개구부를 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 1차 에칭에서 금속 시트의 상부면과 하부면을 함께 양방향 에칭하고, 2차 에칭에서 하부면에서 단방향 에칭 작업을 실시하여 오픈 마스크의 개구부를 형성하는 바, 오픈 마스크 시트를 제조하는 작업성의 향상이 가능하고 기판 박막층의 불량발생 및 새도우 현상을 최소화하며 높은 정밀도의 오픈 마스크의 제조가 가능하다.
도 1은 종래 오픈 마스크 조립체를 개략적으로 도시한 평면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 박막 공정용 오픈 마스크 시트의 개구부 구조를 개략적으로 도시한 요부 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 박막 공정용 오픈 마스크 시트 제조 방법의 각 단계를 개략적으로 도시한 요부 단면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 박막 공정용 오픈 마스크 시트 제조 방법의 제1/제2 에칭 단계를 개략적으로 도시한 흐름도이다.
도 5는 도 4의 제1 에칭 단계를 개략적으로 도시한 흐름도이다.
도 6은 도 4의 제2 에칭 단계를 개략적으로 도시한 흐름도이다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 유사한 구성요소에 대해서는 동일한 참조부호를 붙였다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 박막 공정용 오픈 마스크 시트의 개구부 구조를 개략적으로 도시한 요부 단면도이다.
도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 박막 공정용 오픈 마스크 시트(100)는, 박막 공정용 오프 마스크 시트로서, 금속 시트(20)에 형성된 적어도 하나 이상의 개구부(O)를 포함한다.
금속 시트(20)는 상부에 박막 공정용 기판(B)이 표면에 접한 상태로 위치될 수 있다. 이러한 박막 공정용 기판(B)에는 박막층(D)이 형성될 수 있다. 박막층(D)은 금속 시트(20)의 개구부(O)의 형성된 크기에 대응한 크기로 형성될 수 있다.
금속 시트(20)는 상부에 하프에칭(Half Etching) (21)가 형성될 수 있다. 이러한 하프에칭(Half Etching) (21)에는 금속 시트(20)를 관통하는 개구부(O)가 형성될 수 있다.
하프에칭(Half Etching) (21)는 금속 시트의 상부면에서 금속 시트 내부를 향하여 에칭되어 형성될 수 있다. 하프에칭(Half Etching) (21)의 폭은 기판 박막층(D)의 폭을 기준으로, 하프에칭(Half Etching) (21)의 상부 가장자리가 박막층(D)의 가장자리와 서로 간섭되지 않을 정도로 수평방향으로 충분히 이격되도록 하는 치수로 결정될 수 있다.
하프에칭(Half Etching) (21)의 깊이는 특히 박막층(D)의 가장자리에 발생될 새도우 지역(S)의 크기를 줄이기 위하여 가능한 한 얕은 것이 바람직하다. 본 실시예에서 금속 시트의 두께가 50 ~ 300㎛인 경우, 하프에칭(Half Etching) 의 깊이는 대략 15㎛ 이하로 형성될 수 있다.
하프에칭(Half Etching) (21)의 깊이는 에칭액의 농도 또는 에칭 시간 등을 조절함으로써 원하는 크기를 가지도록 할 수 있다.
관통홀(23)은 하프에칭(Half Etching) (21)의 표면과 금속 시트(20) 하부면 사이에 형성된 구멍이며, 하프에칭(Half Etching) (21)의 표면에서 하부측으로 에칭된 제1 홈(23a)과 금속 시트(20)의 하부면에서 상부측으로 에칭된 제2 홈(23b)이 서로 연통하여 이루어진다.
관통홀(23)은 제1 홈(23a)과 제2 홈(23b)의 사이에서 라운드면을 포함할 수 있다. 즉, 관통홀(23)의 내벽면은 오목한 라운드면으로 형성될 수 있다.
이러한 관통홀(23)은 제1 홈(23a)의 위치의 직경이 제2 홈(23b) 위치의 직경 보다 작은 상협하광 형상으로 형성될 수 있다. 관통홀(23)의 내벽면은 제1 홈(23a)과 제2 홈(23b)의 서로간의 가장자리를 연결한 선을 기준으로 대략 90도 이하 의 각도 범위의 경사각으로 형성될 수 있다.
금속 시트(20)의 재질은 인바합금(Invar-36 Alloy) 또는 스테인레스 재질로 이루어질 수 있다
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 박막 공정용 오픈 마스크 시트 제조 방법의 각 단계를 개략적으로 도시한 요부 단면도이고, 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 박막 공정용 오픈 마스크 시트 제조 방법의 제1/제2 에칭 단계를 개략적으로 도시한 흐름도이고, 도 5는 도 4의 제1 에칭 단계를 개략적으로 도시한 흐름도이며, 도 6은 도 4의 제2 에칭 단계를 개략적으로 도시한 흐름도이다. 이하에서 도 1 및 도 2와 동일 참조 번호는 동일 또는 유사 기능의 동일 또는 유사부재를 말한다. 이하에서 동일 참조 번호에 대해서는 그 자세한 설명을 생략한다.
먼저, 금속 시트(20)의 상부면과 하부면의 각각의 표면에 제1 깊이의 제1 하프에칭(Half Etching) (21)과 제2 깊이의 제2 하프에칭(Half Etching) (23)을 함께 형성하는 제1 에칭 단계를 실시한다(S10).
(S10) 단계의 제1 에칭 단계를 보다 구체적으로 이하에서 설명한다.
먼저, 도 3의 (a)에 도시된 바와 같이, 금속 시트(20)의 상부면과 하부면의 표면에 포토레지스트막(22)을 형성한다.(S11)
(S11) 단계에서 포토레지스트막(22)의 형성은, 준비된 금속 시트의 상부면과 하부면에 각각 필름 형태의 포토레지스트 필름을 부착하거나 또는 액상의 포토레지스트를 도포하여 형성될 수 있다.
다음, 도 3의 (b)에 도시된 바와 같이, (S11) 단계의 포토레지스트막(22)을 노광 및 현상하여 금속 시트(20)의 상부면과 하부면이 노출되는 에칭용 개구부(22a)를 형성한다(S12).
(S12) 단계의 에칭용 개구부(22a)의 형성은 소정 포토마스크를 이용하여 패턴을 노광하고 현상하여 에칭용 개구부(22a)를 형성할 수 있다.
이어서, 도 3의 (c)에 도시된 바와 같이, 에칭용 개구부(22a)에 에칭액을 주입하여, 상부면에 제1 하프에칭(Half Etching) (21)을 형성하도록 에칭하고, 하부면에 제2 하프에칭(Half Etching) (23)을 형성하도록 에칭한다(S13).
(S13) 단계는, 염화제2철 용액과 같은 에칭액을 사용하여 금속 시트(20)의 상부면과 하부면을 동시 에칭(half etching)하는 것으로, 제1 깊이의 제1 하프에칭(Half Etching) (21)와 제2 깊이의 제2 하프에칭(Half Etching) (23)를 금속 시트(20)의 상부면과 하부면의 각각에 동이 형성할 수 있다.
한편, (S13) 단계의 제1 하프에칭(Half Etching) (21)는 패널 접촉면과의 갭(Gap)으로 가공될 수 있다. 이와 같이, 제1 하프에칭(Half Etching) (21)이 금속 시트(20)의 하부 방향으로 패널 접촉면과의 갭(Gap)이 형성되도록 가공되는 바, 이후 단계에서 개구부(O)의 형성이 더욱 용이하게 이루어질 수 있다.
다음, 도 3의 (d)에 도시된 바와 같이, 제1 하프에칭(Half Etching) (21)의 표면에 포토레지스트막(22)을 코팅하고, 제2 하프에칭(Half Etching) (23)을 에칭하여 개구부(O)를 형성하는 제2 에칭 단계를 실시할 수 있다(S20).
(S20) 단계의 제2 에칭 단계를 보다 구체적으로 이하에서 설명한다.
먼저, 도 3의 (b)에 도시된 바와 같이, 패널 접촉면과의 갭(Gap)에 포토레지스트막(22)을 코팅한다(S21). (S21) 단계는 전술한 제1 하프에칭(Half Etching) (21)의 표면을 더욱 가공하여 형성된 패널 접촉면과의 갭(Gap)의 전체를 포토레지스트막(22)을 이용하여 코팅하는 것으로, 에칭액이 제1 하프에칭(Half Etching)의 패널 접촉면과의 갭(Gap)에 작용하지 않도록 할 수 있다.
다음, 제2 하프에칭(Half Etching) (23)을 에칭하여 패널 접촉면과의 갭(Gap)에 관통하는 개구부(O)를 형성한다(S22).
(S22) 단계는 (21) 단계에서 금속 시트(20)의 하부면에 형성된 에칭용 개구부(22a)를 통해 에칭액을 인가하여, 금속 시트(20)를 관통하는 개구부(O)를 형성할 수 있다.
(S22) 단계는 금속 시트(20)의 상부는 포토레지스트막(22)으로 코팅된 상태로 하부의 에칭용 개구부(22a)를 통해 개구부(O)를 형성할 수 있다.
개구부(O)는, 하프에칭(Half Etching) (21)의 표면과 금속 시트(20) 하부면 사이에 관통홀(23)이 형성되는 것으로, 하프에칭(Half Etching) (21)의 표면에서 하부측으로 에칭된 제1 홈(23a)과 금속 시트(20)의 하부면에서 상부측으로 에칭된 제2 홈(23b)이 서로 연통하여 이루어질 수 있다.
이러한 관통홀(23)은 제1 홈(23a)의 위치의 직경이 제2 홈(23b) 위치의 직경 보다 작은 상협하광 형상으로 형성될 수 있다. 관통홀(23)의 내벽면은 제1 홈(23a)과 제2 홈(23b)의 서로간의 가장자리를 연결한 선을 기준으로 대략 90도 이하 의 각도 범위의 경사각으로 형성될 수 있다.
다음, 도 3의 (e)에 도시된 바와 같이, 포토레지스트막(22)을 제거하여 최종 오픈 마스크 시트를 제조할 수 있다(S23).
전술한 바와 같이, 본 실시예의 박막 공정용 오픈 마스크 시트(100)는 1차 에칭에서 금속 시트(20)의 상부면과 하부면을 함께 양방향 에칭하고, 2차 에칭에서 하부면에서 단방향 에칭 작업을 실시하여 오픈 마스크의 개구부를 형성하는 바, 오픈 마스크 시트를 제조하는 작업성의 향상이 가능하다.
이상을 통해 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니고 청구범위와 발명의 상세한 설명 및 첨부한 도면의 범위 안에서 여러 가지로 변형하여 실시하는 것이 가능하고 이 또한 본 발명의 범위에 속하는 것은 당연하다.
20...금속 시트 21...제1 하프에칭(Half Etching)
22...포토레지스트막 22a..에칭용 개구부
23...관통홀 23a..제1 홈
23b..제2 홈

Claims (7)

  1. 삭제
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 금속 시트를 관통하는 적어도 하나의 개구부를 포함하는 박막 공정용 오픈 마스크 시트의 제조 방법으로서,
    (a) 금속 시트의 상부면과 하부면의 각각의 표면에 제1 깊이의 제1 하프에칭(Half Etching)과, 제2 깊이의 제2 하프에칭(Half Etching)을 함께 형성하는 제1 에칭 단계;
    (b) 상기 제1 하프에칭(Half Etching)의 표면에 포트레지스트막을 코팅하고, 상기 제2 하프에칭(Half Etching)을 에칭하여 개구부를 형성하는 제2 에칭 단계;를 포함하고,
    상기 (a) 단계는,
    (a-1) 금속 시트의 상부면과 하부면의 표면에 포토레지스트막을 형성하는 단계;
    (a-2) 상기 (a-1) 단계의 상기 포토레지스트막을 노광 및 현상하여 상기 금속 시트의 상기 상부면과 상기 하부면이 노출되는 에칭용 개구부를 형성하는 단계; 및
    (a-3) 상기 에칭용 개구부에 에칭액을 주입하여, 상기 상부면을 제1 하프에칭(Half Etching)을 형성하도록 에칭하고, 상기 하부면을 제2 하프에칭(Half Etching)을 형성하도록 에칭하는 단계;를 포함하며,
    (a-4) 상기 제1 하프에칭(Half Etching)의 표면을 패널 접촉면과의 갭(Gap)으로 가공하는 단계를 더 포함하는, 박막 공정용 오픈 마스크 시트 제조 방법.
  5. 삭제
  6. 삭제
  7. 제4항에 있어서,
    상기 (b) 단계는,
    (b-1) 상기 (a-4) 단계의 상기 패널 접촉면과의 갭(Gap)에 포토레지스트막을 코팅하는 단계; 및
    (b-2) 상기 제2 하프에칭(Half Etching)을 에칭하여 상기 패널 접촉면과의 갭(Gap)에 관통하는 개구부를 형성하는 단계;
    를 포함하는, 박막 공정용 오픈 마스크 시트 제조 방법.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115094419A (zh) * 2022-05-30 2022-09-23 成都拓维高科光电科技有限公司 一种掩膜版的制作方法
KR20220150007A (ko) * 2021-05-03 2022-11-10 (주)세우인코퍼레이션 Oled 마스크 제조방법

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20140051875A (ko) * 2007-08-24 2014-05-02 다이니폰 인사츠 가부시키가이샤 증착 마스크 및 증착 마스크의 제조 방법
KR20170096373A (ko) 2016-02-16 2017-08-24 엘지이노텍 주식회사 금속판, 증착용마스크 및 이를 이용한 oled 패널
KR101918551B1 (ko) * 2018-10-17 2019-02-08 주식회사 핌스 박막 공정용 오픈 마스크 시트 및 그 제조방법

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20140051875A (ko) * 2007-08-24 2014-05-02 다이니폰 인사츠 가부시키가이샤 증착 마스크 및 증착 마스크의 제조 방법
KR20170096373A (ko) 2016-02-16 2017-08-24 엘지이노텍 주식회사 금속판, 증착용마스크 및 이를 이용한 oled 패널
KR101918551B1 (ko) * 2018-10-17 2019-02-08 주식회사 핌스 박막 공정용 오픈 마스크 시트 및 그 제조방법

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20220150007A (ko) * 2021-05-03 2022-11-10 (주)세우인코퍼레이션 Oled 마스크 제조방법
KR102546159B1 (ko) * 2021-05-03 2023-06-22 (주)세우인코퍼레이션 Oled 마스크 제조방법
CN115094419A (zh) * 2022-05-30 2022-09-23 成都拓维高科光电科技有限公司 一种掩膜版的制作方法

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