CN111054615A - 一种具有喇叭结构的mems压电超声换能器 - Google Patents
一种具有喇叭结构的mems压电超声换能器 Download PDFInfo
- Publication number
- CN111054615A CN111054615A CN201911156019.4A CN201911156019A CN111054615A CN 111054615 A CN111054615 A CN 111054615A CN 201911156019 A CN201911156019 A CN 201911156019A CN 111054615 A CN111054615 A CN 111054615A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- ultrasonic transducer
- horn
- piezoelectric ultrasonic
- mems piezoelectric
- mems
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical group [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 66
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 6
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 5
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 27
- 238000000034 method Methods 0.000 description 12
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 11
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 8
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 7
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 230000026683 transduction Effects 0.000 description 4
- 238000010361 transduction Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 238000005459 micromachining Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002463 transducing effect Effects 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B06—GENERATING OR TRANSMITTING MECHANICAL VIBRATIONS IN GENERAL
- B06B—METHODS OR APPARATUS FOR GENERATING OR TRANSMITTING MECHANICAL VIBRATIONS OF INFRASONIC, SONIC, OR ULTRASONIC FREQUENCY, e.g. FOR PERFORMING MECHANICAL WORK IN GENERAL
- B06B1/00—Methods or apparatus for generating mechanical vibrations of infrasonic, sonic, or ultrasonic frequency
- B06B1/02—Methods or apparatus for generating mechanical vibrations of infrasonic, sonic, or ultrasonic frequency making use of electrical energy
- B06B1/06—Methods or apparatus for generating mechanical vibrations of infrasonic, sonic, or ultrasonic frequency making use of electrical energy operating with piezoelectric effect or with electrostriction
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Transducers For Ultrasonic Waves (AREA)
Abstract
本发明涉及MEMS超声换能器技术，具体涉及一种具有喇叭结构的MEMS压电超声换能器，包括MEMS压电超声换能器和喇叭形状的硅结构；喇叭形状的硅结构键合于MEMS压电超声换能器上表面或下表面，喇叭形状的硅结构内的腔体至少形成1个声波导管，每个声波导管包括至少2级阶梯，每级阶梯包括一阶梯声管，且每一阶梯声管截面积逐渐增大形成喇叭形状腔体。喇叭形状腔体不仅可将MEMS压电超声换能器产生的声波放大，还能将MEMS压电超声换能器背部产生的声波传导至MEMS压电超声换能器顶部，与MEMS压电超声换能器顶部产生的声波叠加传输，进一步增加超声换能器产生的声波强度。该装置能增强MEMS超声换能器产生声波的强度，提升MEMS压电超声换能器能量转换效率。
Description
技术领域
本发明属于MEMS超声换能器技术领域，尤其涉及一种具有喇叭结构的MEMS压电超声换能器。
背景技术
超声换能器是既可以用来发射又可以用来接收超声波的换能元件。当工作在发射模式时，电能通过静电力或逆压电效应转换为换能器的振动从而向外辐射声波；工作在接收模式时，声压作用在换能器表面使其振动，换能器再将振动转换为电信号。目前应用最广的超声波传感器主要基于体压电换能器，体压电换能器主要利用压电陶瓷的厚度振动模式产生超声波，由于厚度模式的谐振频率只与换能器的厚度相关，在同一平面上很难制作不同谐振频率的超声换能器。当其应用于高频时，厚度需要控制在亚微米级精度，其加工难度较高。而微加工技术制作的超声换能器(MEMS压电超声换能器英文全称piezoelectricmicromachined ultrasonic transducer，简称：pMUT。)振动在弯曲模式，具有刚度较低的振动薄膜，其声阻抗较小，能够更好地与气体与液体进行耦合。并且其谐振频率通过平面内尺寸控制，对加工精度要求较小。随着MEMS超声换能器技术的逐渐成熟，由于其兼具高性能、低成本、容易实现大规模生产的优点，超声波传感器的技术有转向MEMS超声换能器的趋势。MEMS超声换能器主要分两种：电容式(cMUT)和压电式(pMUT)，pMUT较cMUT灵敏度稍低，但cMUT需要提供偏置电压并且电容极板间有细微的气隙，容易形成粘连，pMUT具有结构简单、换能材料换能效率高的优点，但其制作较复杂。目前对pMUT的改进主要是针对其电极形状、在外面增加材料等，但其对提高pMUT能量转换效率作用有限。
在现代声学技术中，各种喇叭式扬声器的应用已经十分广泛，其结构为截面积逐渐变化的管子。将该结构应用于pMUT可以提高pMUT的辐射阻抗，从而提高辐射的声波及电声转换效率。此外，pMUT在振动时会在顶部和背部同时产生相位相反的声波，但在传统PMUT中，只有一半的声波被利用，背部产生的声波被浪费了。通过设计管路结构可将pMUT背部产生的声音引至顶部，将其与顶部产生的声音复合后辐射，将能极大的提升pMUT产生声音的利用率。将pMUT背部声波引出结构设计成截面积逐渐变化的喇叭结构，将声波从背部引出的同时利用喇叭结构的扩音作用，将进一步提高MEMS压电超声换能器的能量转换效率。
发明内容
本发明的目的是提供一种利用喇叭结构，将MEMS压电超声换能产生的声波放大后再辐射，以提高MEMS压电超声换能电声转换效率的装置。
为实现上述目的，本发明采用的技术方案是：一种具有喇叭结构的MEMS压电超声换能器，包括MEMS压电超声换能器和喇叭形状的硅结构；喇叭形状的硅结构键合于MEMS压电超声换能器上表面或下表面，喇叭形状的硅结构内的腔体形成至少1个声波导管，每个声波导管包括至少2级阶梯，每级阶梯包括一阶梯声管，且每一阶梯声管截面积逐渐增大形成喇叭形状腔体。
在上述的具有喇叭结构的MEMS压电超声换能器中，MEMS压电超声换能器为压电叠层结构，采用三明治结构或者双压电晶片结构；MEMS压电超声换能器的三明治结构，包括自上而下的第一上电极、第一压电层、第一下电极、Si层、SiO2层；MEMS压电超声换能器的双压电晶片结构，包括自上而下的第二上电极、第二压电层、中间电极、第三压电层、第二下电极。
在上述的具有喇叭结构的MEMS压电超声换能器中，通过改变阶梯声管的尺寸，实现对声波导管出口处声音的强度和相位的调整或MEMS压电超声换能器与声波导管的距离的调整。
在上述的具有喇叭结构的MEMS压电超声换能器中，喇叭形状腔体的横截面为圆形或多边形；MEMS压电超声换能器形状与喇叭形状腔体相适配。
本发明的有益效果：1、本发明利用喇叭结构，将MEMS压电超声换能器产生的声波放大后再辐射，可以提高MEMS压电超声换能器电声转换效率。
2、本发明喇叭结构键合于MEMS压电超声换能器下时，可将MEMS压电超声换能器背腔产生的声波引导至换能器顶部，与换能器上半部分产生的声音复合后直接向空气中辐射，该结构将声波从背部引出的同时利用喇叭结构的扩音作用，将进一步提高MEMS压电超声换能器的能量转换效率。
附图说明
图1(a)为本发明一个实施例喇叭形状的硅结构键合于MEMS压电超声换能器上表面且喇叭形状腔体截面为正方形的三维图；
图1(b)为本发明一个实施例喇叭形状的硅结构键合于MEMS压电超声换能器上表面且喇叭形状腔体截面为正方形的正视图；
图1(c)为本发明一个实施例喇叭形状的硅结构键合于MEMS压电超声换能器上表面且喇叭形状腔体截面为正方形的A-A剖视图；
图2(a)为本发明一个实施例喇叭形状的硅结构键合于MEMS压电超声换能器上表面且喇叭形状腔体截面为圆形的三维图；
图2(b)为本发明一个实施例喇叭形状的硅结构键合于MEMS压电超声换能器上表面且喇叭形状腔体截面为圆形的正视图；
图2(c)为本发明一个实施例喇叭形状的硅结构键合于MEMS压电超声换能器上表面且喇叭形状腔体截面为圆形的A-A剖视图；
图3(a)为本发明一个实施例1个声波导管的喇叭形状的硅结构且键合于MEMS压电超声换能器下表面且喇叭形状腔体截面为正方形的三维图；
图3(b)为本发明一个实施例1个声波导管的喇叭形状的硅结构且键合于MEMS压电超声换能器下表面且喇叭形状腔体截面为正方形的正视图；
图3(c)为本发明一个实施例1个声波导管的喇叭形状的硅结构且键合于MEMS压电超声换能器下表面且喇叭形状腔体截面为正方形的A-A剖视图；
图3(d)为本发明一个实施例1个声波导管的喇叭形状的硅结构且键合于MEMS压电超声换能器下表面且喇叭形状腔体截面为正方形的B-B剖视图；
图3(e)为本发明一个实施例1个声波导管的喇叭形状的硅结构且键合于MEMS压电超声换能器下表面且喇叭形状腔体截面为正方形的C-C剖视图；
图3(f)为本发明一个实施例1个声波导管的喇叭形状的硅结构且键合于MEMS压电超声换能器下表面且喇叭形状腔体截面为正方形的D-D剖视图；
图4(a)为本发明一个实施例2个声波导管的喇叭形状的硅结构且键合于MEMS压电超声换能器下表面且喇叭形状腔体截面为正方形的三维图；
图4(b)为本发明一个实施例2个声波导管的喇叭形状的硅结构且键合于MEMS压电超声换能器下表面且喇叭形状腔体截面为正方形的正视图；
图4(c)为本发明一个实施例2个声波导管的喇叭形状的硅结构且键合于MEMS压电超声换能器下表面且喇叭形状腔体截面为正方形的A-A剖视图；
图5(a)为本发明一个实施例4个声波导管的喇叭形状的硅结构且键合于MEMS压电超声换能器下表面且喇叭形状腔体截面为正方形的三维图；
图5(b)为本发明一个实施例4个声波导管的喇叭形状的硅结构且键合于MEMS压电超声换能器下表面且喇叭形状腔体截面为正方形的正视图；
图5(c)为本发明一个实施例4个声波导管的喇叭形状的硅结构且键合于MEMS压电超声换能器下表面且喇叭形状腔体截面为正方形的A-A剖视图；
图6为本发明一个实施例1个声波导管的喇叭形状的硅结构键合于MEMS压电超声换能器上表面且喇叭形状腔体截面为正方形的加工流程一：Si晶片刻蚀出第一阶梯声管2-1、第二阶梯声管2-3、第三阶梯声管2-4，形成喇叭形状的硅结构2的示意图；
图7为本发明一个实施例1个声波导管的喇叭形状的硅结构键合于MEMS压电超声换能器上表面且喇叭形状腔体截面为正方形的加工流程二：在另一张SOI晶片上依次沉积底电极1-3、压电层1-2、顶电极1-1，并在其背腔刻蚀腔体的示意图；
图8为本发明一个实施例1个声波导管的喇叭形状的硅结构键合于MEMS压电超声换能器上表面且喇叭形状腔体截面为正方形的加工流程三：将带有喇叭形状的硅结构2的Si晶片与带有MEMS压电超声换能器1的SOI晶片键合示意图；
图9为本发明一个实施例1个声波导管的喇叭形状的硅结构键合于MEMS压电超声换能器上表面且喇叭形状腔体截面为正方形的加工流程三：将带有喇叭形状的硅结构2的Si晶片与带有MEMS压电超声换能器1的SOI晶片键合，形成键合层2-2的示意图；
图10为本发明一个实施例1个声波导管的喇叭形状的硅结构且键合于MEMS压电超声换能器下表面且喇叭形状腔体截面为正方形的加工流程一：在一张CSOI晶片1-6上进行CMP，将硅层打磨至设计尺寸的示意图；
图11为本发明一个实施例1个声波导管的喇叭形状的硅结构且键合于MEMS压电超声换能器下表面且喇叭形状腔体截面为正方形的加工流程二：在打磨后的CSOI晶片1-6上依次沉积底电极1-3、压电层1-2、顶电极1-1的示意图；
图12为本发明一个实施例1个声波导管的喇叭形状的硅结构且键合于MEMS压电超声换能器下表面且喇叭形状腔体截面为正方形的加工流程三：在沉积完的压电叠层结构的晶片上刻蚀第三阶梯声管2-4，然后在CSOI晶片1-6背面进行CMP，释放第一阶梯声管2-1、第三阶梯声管2-4的示意图；
图13为本发明一个实施例1个声波导管的喇叭形状的硅结构且键合于MEMS压电超声换能器下表面且喇叭形状腔体截面为正方形的加工流程四：在一片硅晶片上刻蚀第二阶梯声管2-3示意图；
图14为本发明一个实施例1个声波导管的喇叭形状的硅结构且键合于MEMS压电超声换能器下表面且喇叭形状腔体截面为正方形的加工流程五：将经过刻蚀和打磨的CSOI晶片1-6与刻蚀了第二阶梯声管的2-3的硅晶片键合，构成喇叭形状的硅结构2的示意图；
图15为本发明一个实施例1个声波导管的喇叭形状的硅结构且键合于MEMS压电超声换能器下表面且喇叭形状腔体截面为正方形的加工流程五：将经过刻蚀和打磨的CSOI晶片1-6与刻蚀了第二阶梯声管的2-3的硅晶片键合，构成喇叭形状的硅结构2，同时形成键合层2-2的示意图；
其中，1-三明治结构pMUT，1-1-顶电极，1-2-压电层，1-3-底电极，1-4-Si层，1-5-SiO2层，1-6-CSOI晶片，2-喇叭形状的硅结构，2-1-第一阶梯声管，2-2-键合层，2-3-第二阶梯声管，2-4-第三阶梯声管。
具体实施方式
下面结合附图对本发明的实施方式进行详细描述。
本实施例是通过以下技术方案来实现的，一种具有喇叭结构的MEMS压电超声换能器，包括MEMS压电超声换能器以及喇叭形状的硅结构，喇叭形状的硅结构可键合于MEMS压电超声换能器上表面或下表面，喇叭形状的硅结构内的腔体形成至少1个声波导管，每个声波导管至少有2级阶梯，声波导管为3级阶梯时，由第一阶梯声管、第二阶梯声管、第三阶梯声管组成；第一阶梯声管、第二阶梯声管、第三阶梯声管截面积逐渐增大，形成类似喇叭形状腔体，其类似喇叭形状腔体可将MEMS压电超声换能器产生的声波放大。喇叭形状的硅结构键合于MEMS压电超声换能器下表面时，还能将MEMS压电超声换能器背部产生的声波传导至MEMS压电超声换能器顶部，与MEMS压电超声换能器顶部产生的声波叠加传输，进步增强超声换能器产生的声波强度。
MEMS压电超声换能器的为压电叠层结构，可采用传统三明治结构或者双压电晶片结构，用于直接向介质辐射声波或通过声管辐射声波，还用于接收空气中的声波或通过声管传回的声波；
压电叠层结构采用传统三明治结构时，从上到下依次为上电极、压电层、下电极、Si层、SiO2层；
MEMS压电超声换能器采用双压电晶片结构时，从上到下依次为上电极、压电层、中间电极、压电层、下电极。
喇叭形状的硅结构可通过调整第一阶梯声管、第二声管阶梯、第三阶梯声管的尺寸，来调整声波导管出口处声音的强度、相位等特征。同时，喇叭形状的硅结构键合于MEMS压电超声换能器下表面时，通过调节第二阶梯声管的尺寸，可以调整MEMS压电超声换能器与声波导管的距离。通过调节上述特征量，可以使MEMS压电超声换能器与声波导管复合的声波具有不同的特性。
声波导管的阶梯声管至少为2个，也可以有多个，将换能器产生的声音通过多个声波导管出口引出，多个声波导管出口引出的声音复合后直接向空气中辐射。
喇叭形状腔体的形状和声波导管阶梯的数量可根据实际情况调整，喇叭形状腔体横截面为圆形或多边形结构，MEMS压电超声换能器形状与喇叭形状腔体相适配。
具体实施时，一种具有声管的MEMS压电超声换能器，包括MEMS压电超声换能器1以及喇叭形状的硅结构2，喇叭形状的硅结构2可键合于MEMS压电超声换能器1上表面，如图1(a)、图1(b)、图1(c)、图2(a)、图2(b)、图2(c)所示，或键合于下表面，如图3(a)、图3(b)、图3(c)、图3(d)、图3(e)、图3(f)、图4(a)、图4(b)、图4(c)、图5(a)、图5(b)、图5(c)所示。喇叭形状的硅结构2至少有一个声波导管，声波导管为三级阶梯时，由第一阶梯声管2-1、第二阶梯声管2-3、第三阶梯声管2-4组成；第一阶梯声管2-1、第二阶梯声管2-3、第三阶梯声管2-4截面积逐渐增大，形成类似喇叭形状腔体，其类似喇叭形状腔体可将MEMS压电超声换能器1产生的声波放大。
如图3(a)、图3(b)、图3(c)、图3(d)、图3(e)、图3(f)、图4(a)、图4(b)、图4(c)、图5(a)、图5(b)、图5(c)所示，当喇叭形状的硅结构2键合于MEMS压电超声换能器1下表面时，还能将MEMS压电超声换能器1背部产生的声波传导至MEMS压电超声换能器1顶部，与MEMS压电超声换能器1顶部产生的声波叠加传输，进一步增强超声换能器产生的声波强度。
MEMS压电超声换能器1为压电叠层结构，其压电叠层结构可采用传统三明治结构或者双压电晶片结构；压电叠层结构采用传统三明治结构时，从上到下依次为上电极1-1、压电层1-2、下电极1-3、Si层1-4、SiO2层1-5。
喇叭形状的硅结构2的声波导管可以有多个，将换能器产生的声音可通过多个声波导管出口引出，多个声波导管出口引出的声音复合后直接向空气中辐射。
如图6-图9所示，本实施例提供的喇叭形状的硅结构键合于MEMS压电超声换能器上表面且喇叭形状腔体截面为正方形的超声换能器制备过程如下：
S110在一张Si晶片刻蚀出第一阶梯声管2-1、第二阶梯声管2-3、第三阶梯声管2-4，形成喇叭形状的硅结构2；
S120在另一张SOI晶片上依次沉积底电极1-3、压电层1-2、顶电极1-1，并在其背腔刻蚀腔体；
S130将带有喇叭形状的硅结构2的Si晶片与带有MEMS压电超声换能器1的SOI晶片键合，形成键合层2-2。
如图10-图15所示，本实施例提供的以一个声波导管喇叭形状的硅结构且键合于MEMS压电超声换能器下表面且喇叭形状腔体截面为正方形的超声换能器制备过程如下：
S210在一张CSOI晶片1-6上进行CMP，将硅层打磨至设计尺寸；
S220在打磨后的CSOI晶片1-6上依次沉积底电极1-3、压电层1-2、顶电极1-1；
S230在沉积完的压电叠层结构的晶片上刻蚀第三阶梯声管2-4，然后在CSOI晶片1-6背面进行CMP，释放第一阶梯声管2-1、第三阶梯声管2-4；
S240在一片硅晶片上刻蚀第二阶梯声管2-3；
S250将经过刻蚀和打磨的CSOI晶片1-6与刻蚀了第二阶梯声管的2-3的硅晶片键合，构成喇叭形状的硅结构2，同时形成键合层2-2。
应当理解的是，本说明书未详细阐述的部分均属于现有技术。
虽然以上结合附图描述了本发明的具体实施方式，但是本领域普通技术人员应当理解，这些仅是举例说明，可以对这些实施方式做出多种变形或修改，而不背离本发明的原理和实质。本发明的范围仅由所附权利要求书限定。
Claims (4)
1.一种具有喇叭结构的MEMS压电超声换能器，其特征是，包括MEMS压电超声换能器和喇叭形状的硅结构；喇叭形状的硅结构键合于MEMS压电超声换能器上表面或下表面，喇叭形状的硅结构内的腔体形成至少1个声波导管，每个声波导管包括至少2级阶梯，每级阶梯包括一阶梯声管，且每一阶梯声管截面积逐渐增大形成喇叭形状腔体。
2.如权利要求1所述的具有喇叭结构的MEMS压电超声换能器，其特征是，MEMS压电超声换能器为压电叠层结构，采用三明治结构或者双压电晶片结构；MEMS压电超声换能器的三明治结构，包括自上而下的第一上电极、第一压电层、第一下电极、Si层、SiO2层；MEMS压电超声换能器的双压电晶片结构，包括自上而下的第二上电极、第二压电层、中间电极、第三压电层、第二下电极。
3.如权利要求1所述的具有喇叭结构的MEMS压电超声换能器，其特征是，通过改变阶梯声管的尺寸，实现对声波导管出口处声音的强度和相位的调整或MEMS压电超声换能器与声波导管的距离的调整。
4.如权利要求1所述的具有喇叭结构的MEMS压电超声换能器，其特征是，喇叭形状腔体的横截面为圆形或多边形；MEMS压电超声换能器形状与喇叭形状腔体相适配。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201911156019.4A CN111054615B (zh) | 2019-11-22 | 2019-11-22 | 一种具有喇叭结构的mems压电超声换能器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201911156019.4A CN111054615B (zh) | 2019-11-22 | 2019-11-22 | 一种具有喇叭结构的mems压电超声换能器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN111054615A true CN111054615A (zh) | 2020-04-24 |
| CN111054615B CN111054615B (zh) | 2021-02-02 |
Family
ID=70298194
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201911156019.4A Active CN111054615B (zh) | 2019-11-22 | 2019-11-22 | 一种具有喇叭结构的mems压电超声换能器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN111054615B (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112871614A (zh) * | 2021-01-12 | 2021-06-01 | 武汉大学 | 高发射性能的mems超声换能器 |
| CN113926680A (zh) * | 2021-09-01 | 2022-01-14 | 中国电子科技集团公司第三研究所 | 超声换能器、超声扫描显微镜以及超声换能器的制作方法 |
Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2910545A (en) * | 1954-08-30 | 1959-10-27 | Gen Electric | Transducer |
| DE3712010A1 (de) * | 1987-04-09 | 1988-10-27 | Flachenecker Gerhard | Ultraschall-lithotripter |
| CN1396753A (zh) * | 2001-07-11 | 2003-02-12 | 株式会社村田制作所 | 压电型电声换能器及其制造方法 |
| CN104014473A (zh) * | 2014-05-16 | 2014-09-03 | 中国计量学院 | 一种大振幅夹心式压电超声复合换能器 |
| CN107243446A (zh) * | 2017-07-28 | 2017-10-13 | 陕西师范大学 | 一种大功率多级阶梯型变幅杆 |
| CN107394036A (zh) * | 2016-05-03 | 2017-11-24 | 新加坡商格罗方德半导体私人有限公司 | pMUT及pMUT换能器阵列的电极配置 |
| CN108435521A (zh) * | 2018-03-12 | 2018-08-24 | 肇庆奥迪威传感科技有限公司 | 一种超声波传感器 |
| CN108882921A (zh) * | 2016-04-01 | 2018-11-23 | 富士胶片株式会社 | 超声波振子单元 |
| CN109731761A (zh) * | 2019-01-29 | 2019-05-10 | 河南理工大学 | 齿轮齿根超声挤压强化专用装置 |
| CN209154916U (zh) * | 2017-11-08 | 2019-07-26 | 深圳市普罗医学股份有限公司 | 一种自聚焦超声换能器 |
-
2019
- 2019-11-22 CN CN201911156019.4A patent/CN111054615B/zh active Active
Patent Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2910545A (en) * | 1954-08-30 | 1959-10-27 | Gen Electric | Transducer |
| DE3712010A1 (de) * | 1987-04-09 | 1988-10-27 | Flachenecker Gerhard | Ultraschall-lithotripter |
| CN1396753A (zh) * | 2001-07-11 | 2003-02-12 | 株式会社村田制作所 | 压电型电声换能器及其制造方法 |
| CN104014473A (zh) * | 2014-05-16 | 2014-09-03 | 中国计量学院 | 一种大振幅夹心式压电超声复合换能器 |
| CN108882921A (zh) * | 2016-04-01 | 2018-11-23 | 富士胶片株式会社 | 超声波振子单元 |
| CN107394036A (zh) * | 2016-05-03 | 2017-11-24 | 新加坡商格罗方德半导体私人有限公司 | pMUT及pMUT换能器阵列的电极配置 |
| CN107243446A (zh) * | 2017-07-28 | 2017-10-13 | 陕西师范大学 | 一种大功率多级阶梯型变幅杆 |
| CN209154916U (zh) * | 2017-11-08 | 2019-07-26 | 深圳市普罗医学股份有限公司 | 一种自聚焦超声换能器 |
| CN108435521A (zh) * | 2018-03-12 | 2018-08-24 | 肇庆奥迪威传感科技有限公司 | 一种超声波传感器 |
| CN109731761A (zh) * | 2019-01-29 | 2019-05-10 | 河南理工大学 | 齿轮齿根超声挤压强化专用装置 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112871614A (zh) * | 2021-01-12 | 2021-06-01 | 武汉大学 | 高发射性能的mems超声换能器 |
| CN112871614B (zh) * | 2021-01-12 | 2022-03-15 | 武汉大学 | 高发射性能的mems超声换能器 |
| CN113926680A (zh) * | 2021-09-01 | 2022-01-14 | 中国电子科技集团公司第三研究所 | 超声换能器、超声扫描显微镜以及超声换能器的制作方法 |
| CN113926680B (zh) * | 2021-09-01 | 2022-12-13 | 中国电子科技集团公司第三研究所 | 超声换能器、超声扫描显微镜以及超声换能器的制作方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN111054615B (zh) | 2021-02-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN111001553B (zh) | 一种可调谐的超声传感器阵列 | |
| CN111314829B (zh) | 一种具有声管的mems压电超声换能器 | |
| CN110560350B (zh) | 基于Helmholtz共振腔的接收超声换能器 | |
| US7646133B2 (en) | Asymmetric membrane cMUT devices and fabrication methods | |
| US7612483B2 (en) | Harmonic cMUT devices and fabrication methods | |
| CN110560348B (zh) | 具有孔阵列Helmholtz共振腔的MEMS压电超声换能器 | |
| CN110052391B (zh) | 双谐振模式耦合的微机械压电超声波换能器 | |
| CN110560352B (zh) | 基于Helmholtz共振腔的可调频超声传感器阵列 | |
| CN112718437B (zh) | 基于多振膜耦合的压电微机械超声换能器 | |
| CN110681559B (zh) | 具有亥姆霍兹谐振腔的mems压电超声换能器 | |
| CN111054615B (zh) | 一种具有喇叭结构的mems压电超声换能器 | |
| JP2009260723A (ja) | トランスデューサ | |
| CN110560351B (zh) | 基于Helmholtz共振腔的可调频声波接收装置 | |
| EP1725343A2 (en) | Asymmetric membrane cmut devices and fabrication methods | |
| CN115532572B (zh) | 一种多频压电微机械超声换能器及制备方法 | |
| CN110944274B (zh) | 一种基于Piston-mode的带质量负载可调谐MEMS压电声换能器 | |
| CN110560349B (zh) | 基于Helmholtz共振腔并减小空气阻尼的接收超声换能器 | |
| JP2008510324A (ja) | 非対称薄膜ｃＭＵＴ素子及び製作方法 | |
| CN110337056A (zh) | 一种高密度指向性压电电声换能器阵列的制作方法 | |
| CN114890372B (zh) | 一种带隔离沟槽的pmut的设计及制备方法 | |
| CN205949255U (zh) | 一种复合微机械电容式超声换能器 | |
| CN217591062U (zh) | 一种针对pmut扬声器的声学功放板系统 | |
| CN111570245B (zh) | 一种具有蝶形振动薄膜的微机电压电式超声换能器 | |
| JP4124154B2 (ja) | 音響変換器およびその製造方法 | |
| Lin et al. | A Broadband Piezoelectric Micromachined Acoustic Transducer with Variable Mass Loading |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20220413 Address after: 315832 e2025, zone a, Room 401, building 1, No. 88, Meishan Qixing Road, Beilun District, Ningbo, Zhejiang Province Patentee after: Ningbo Huazhang enterprise management partnership (L.P.) Address before: 430072 Hubei Province, Wuhan city Wuchang District of Wuhan University Luojiashan Patentee before: WUHAN University |
|
| TR01 | Transfer of patent right | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20220825 Address after: No.01, 4th floor, building D7, phase 3, Wuhan Software New Town, No.9 Huacheng Avenue, Donghu New Technology Development Zone, Wuhan City, Hubei Province, 430000 Patentee after: Wuhan Minsheng New Technology Co.,Ltd. Address before: 315832 e2025, zone a, Room 401, building 1, No. 88, Meishan Qixing Road, Beilun District, Ningbo, Zhejiang Province Patentee before: Ningbo Huazhang enterprise management partnership (L.P.) |
|
| TR01 | Transfer of patent right |