CN111001553B - 一种可调谐的超声传感器阵列 - Google Patents
一种可调谐的超声传感器阵列 Download PDFInfo
- Publication number
- CN111001553B CN111001553B CN201911308045.4A CN201911308045A CN111001553B CN 111001553 B CN111001553 B CN 111001553B CN 201911308045 A CN201911308045 A CN 201911308045A CN 111001553 B CN111001553 B CN 111001553B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- ultrasonic
- transmitting unit
- piezoelectric
- receiving unit
- cavity
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000003475 lamination Methods 0.000 claims abstract description 16
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 23
- 238000002604 ultrasonography Methods 0.000 claims description 20
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical group [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 5
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 4
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 3
- 238000011160 research Methods 0.000 description 3
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000026683 transduction Effects 0.000 description 2
- 238000010361 transduction Methods 0.000 description 2
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000005459 micromachining Methods 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 230000002463 transducing effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B06—GENERATING OR TRANSMITTING MECHANICAL VIBRATIONS IN GENERAL
- B06B—METHODS OR APPARATUS FOR GENERATING OR TRANSMITTING MECHANICAL VIBRATIONS OF INFRASONIC, SONIC, OR ULTRASONIC FREQUENCY, e.g. FOR PERFORMING MECHANICAL WORK IN GENERAL
- B06B1/00—Methods or apparatus for generating mechanical vibrations of infrasonic, sonic, or ultrasonic frequency
- B06B1/02—Methods or apparatus for generating mechanical vibrations of infrasonic, sonic, or ultrasonic frequency making use of electrical energy
- B06B1/06—Methods or apparatus for generating mechanical vibrations of infrasonic, sonic, or ultrasonic frequency making use of electrical energy operating with piezoelectric effect or with electrostriction
- B06B1/0644—Methods or apparatus for generating mechanical vibrations of infrasonic, sonic, or ultrasonic frequency making use of electrical energy operating with piezoelectric effect or with electrostriction using a single piezoelectric element
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Transducers For Ultrasonic Waves (AREA)
Abstract
本发明公开了一种可调谐的超声传感器阵列，包括超声发射单元和超声接收单元，超声发射单元为具有亥姆霍兹谐振腔的压电微制造超声换能器；超声接收单元为带质量负载的压电微制造超声换能器，超声发射单元利用压电叠层激励亥姆霍兹谐振腔辐射声波；通过调节质量负载可以对超声换能器进行调谐，从而使得接收单元的谐振频率和发射单元亥姆霍兹谐振腔的谐振频率一致；超声发射单元和超声接收单元于同一片晶片上加工，其压电叠层厚度一致。本发明的超声发射单元采用亥姆霍兹谐振腔可以对声波起到放大作用，超声接收单元采用的质量负载压电微制造超声换能器能对超声换能器进行调谐并提高接收灵敏度，两者结合的阵列能提高发射和接收声波的能量转换效率。
Description
技术领域
本发明涉及传感器技术领域，尤其涉及一种可调谐的超声传感器阵列。
背景技术
压电声换能器是既可以用来发射又可以用来接收声波的换能元件。当工作在发射模式时，电能通过静电力或逆压电效应转换为换能器的振动从而向外辐射声波；工作在接收模式时，声压作用在换能器表面使其振动，换能器再将振动转换为电信号。目前应用最广的声波传感器主要基于体压电换能器，体压电换能器主要利用压电陶瓷的厚度振动模式产生声波，由于厚度模式的谐振频率只与换能器的厚度相关，在同一平面上很难制作不同谐振频率的声换能器。当其应用于高频时，厚度需要控制在亚微米级精度，其加工难度较高。其而微加工技术制作的声换能器(MEMS声换能器)振动在弯曲模式，具有刚度较低的振动薄膜，其声阻抗较小，能够更好地与气体与液体进行耦合。并且其谐振频率通过平面内尺寸控制，对加工精度要求较小。随着MEMS声换能器技术的逐渐成熟，由于其兼具高性能、低成本、容易实现大规模生产的优点，声传感器的技术有转向MEMS声换能器的趋势。MEMS声换能器主要有超声换能器、麦克风、水听器等类型。其中超声换能器主要分两种电容式(cMUT)和压电式(pMUT)，pMUT较cMUT灵敏度稍低，但cMUT需要提供偏置电压并且电容极板间有细微的气隙，容易形成粘连，pMUT具有结构简单、换能材料换能效率高的优点，但其制作较复杂。
目前对于PMUT的研究主要集中在提升单个PMUT的性能，如指向性、灵敏度、输出声压级等，此外对PMUT阵列也有研究，主要集中在研究PMUT阵列发射声波的指向性，对PMUT传感器的调谐和PMUT传感器阵列的调谐的研究很少。
发明内容
本发明要解决的技术问题在于针对现有技术中的缺陷，提供一种可调谐的超声传感器阵列，通过对发射单元和接收单元的频率进行调节，使得它们的谐振频率一致，从而实现发射单元和接收单元在同一晶片上的集成，可以减小阵列的尺寸，同时可以提高PMUT阵列的接收和发射的能量转换效率。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：
本发明提供一种可调谐的超声传感器阵列，该阵列包括：超声发射单元和超声接收单元，超声发射单元和超声接收单元均由上至下依次排列设置有压电叠层和衬底；超声发射单元和超声接收单元于同一片晶体上加工，其压电叠层厚度一致；超声发射单元和超声接收单元的衬底内均设置有腔体；其中：
超声发射单元为具有亥姆霍兹谐振腔的压电微制造超声换能器，超声发射单元利用压电叠层激励亥姆霍兹谐振腔辐射声波；超声接收单元为带质量负载的压电微制造超声换能器，其质量负载设置在超声接收单元下方的腔体内；超声发射单元的亥姆霍兹谐振腔的谐振频率低于其压电叠层的谐振频率；超声接收单元在质量负载的调谐作用下，谐振频率低于超声发射单元的压电叠层的谐振频率，但亥姆霍兹谐振腔的谐振频率小于或等于超声接收单元的谐振频率。
进一步地，本发明的超声发射单元内的腔体为采用空心硅结构围成的第一腔体；贯穿超声发射单元的压电叠层的位置设置有孔口，超声发射单元的亥姆霍兹谐振腔由第一腔体和连接第一腔体与外界空气的孔口组成；超声发射单元的压电叠层推动亥姆霍兹谐振腔内空气的流动，引起亥姆霍兹谐振腔的振动，然后通过孔口发射声波。
进一步地，本发明的超声接收单元内的腔体为采用空心硅结构围成的第二腔体；质量负载设置在第二腔体内，且质量负载安装在压电叠层的底部；利用质量负载来调节谐振频率，从而使超声接收单元的谐振频率与超声发射单元的谐振频率的差值小于一定阈值。
进一步地，本发明的超声发射单元和超声接收单元的压电叠层采用三明治结构或者双晶片结构；
压电叠层采用传统三明治结构时，从上到下依次为上电极、压电层、下电极、Si晶片、SiO2层；
压电叠层采用双压电晶片结构时，从上到下依次为上电极、压电层、中间电极、压电层、下电极。
进一步地，本发明的亥姆霍兹谐振腔的孔口的大小、数量、形状以及位置由亥姆霍兹谐振腔的共振频率决定。
进一步地，本发明的超声接收单元的质量负载的材料、大小、数量、形状以及位置参数根据超声发射单元的谐振频率进行配置。
进一步地，本发明的衬底内设置有键合层，通过键合层将衬底分为上部衬底和下部衬底。
本发明产生的有益效果是：
1)本发明可以对PMUT进行调谐，实现超声发射单元和超声接收单元在同一晶片上的集成；
2)本发明使用具有亥姆霍兹谐振腔的PMUT作为超声发射单元，可以提高发射声波的声压；
3)本发明通过质量负载效应对超声接收单元的谐振频率进行调节，使其与超声发射单元的谐振频率一致，同时可以提高接收灵敏度，从而提高发射和接收的能量转换效率；
4)本发明利用质量负载来降低超声接收单元的谐振频率，避免了使用更大直径的超声接收单元来获得更低的频率，从而可以有效减小阵列的尺寸。
附图说明
下面将结合附图及实施例对本发明作进一步说明，附图中：
图1为使用具有亥姆霍兹谐振腔的PMUT作为超声发射单元，以传统PMUT作为超声接收单元的超声传感器阵列的示意图；
图2为图1超声传感器阵列的俯视示意图；
图3为本发明的使用具有亥姆霍兹谐振腔的PMUT作为超声发射单元，使用具有质量负载的PMUT作为超声接收单元的超声传感器阵列的示意图；
图4为本发明的使用具有亥姆霍兹谐振腔的PMUT作为超声发射单元，使用具有质量负载的PMUT作为超声接收单元的超声传感器阵列的俯视示意图；
图5-图9为本发明的超声传感器的加工流程图。
附图中各部分的标记如下：
1-超声发射单元；2-超声接收单元；3-衬底；4-压电叠层；5-上部衬底；6-键合层；7-下部衬底；8-SiO2层；9-Si层；10-下电极；11-压电层；12-第一上电极；13-第二上电极；14-亥姆霍兹谐振腔；15-第一腔体；16-孔口；17-质量负载；18-第二腔体。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
图1为使用具有亥姆霍兹谐振腔14的PMUT作为超声发射单元1，以PMUT作为超声接收单元2的超声传感器阵列的示意图。一般而言，由于亥姆霍兹谐振腔的特性，其谐振频率比其上方的压电叠层4的谐振频率低得多，因此，为了使超声接收单元2的谐振频率与亥姆霍兹谐振腔14的谐振频率相同，需要降低超声接收单元2的谐振频率。而使用传统PMUT作为接收单元2，为了降低谐振频率，只能将其直径增大，导致接收单元2的尺寸比发射单元1的尺寸大得多。
本发明实施例的可调谐的超声传感器阵列包括：超声发射单元1和超声接收单元2，超声发射单元1和超声接收单元2均由上至下依次排列设置有压电叠层4和衬底3；超声发射单元1和超声接收单元2于同一片晶体上加工，其压电叠层4厚度一致；超声发射单元1和超声接收单元2的衬底3内均设置有腔体；其中：
超声发射单元1为具有亥姆霍兹谐振腔14的压电微制造超声换能器，超声发射单元1利用压电叠层4激励亥姆霍兹谐振腔14辐射声波；超声接收单元2为带质量负载17的压电微制造超声换能器，其质量负载17设置在超声接收单元2下方的腔体内；超声发射单元1的亥姆霍兹谐振腔14的谐振频率低于其压电叠层4的谐振频率；超声接收单元2在质量负载17的调谐作用下，谐振频率低于超声发射单元1的压电叠层4的谐振频率，但亥姆霍兹谐振腔14的谐振频率小于或等于超声接收单元2的谐振频率。
超声发射单元1内的腔体为采用空心硅结构围成的第一腔体15；贯穿超声发射单元1的压电叠层4的位置设置有孔口16，超声发射单元1的亥姆霍兹谐振腔14由第一腔体15和连接第一腔体15与外界空气的孔口16组成；超声发射单元1的压电叠层4推动亥姆霍兹谐振腔14内空气的流动，引起亥姆霍兹谐振腔14的振动，然后通过孔口16发射声波。
超声接收单元2内的腔体为采用空心硅结构围成的第二腔体18；质量负载17设置在第二腔体18内，且质量负载17安装在压电叠层4的底部；利用质量负载17来调节谐振频率，从而使超声接收单元2的谐振频率与超声发射单元1的谐振频率的差值小于一定阈值。
该结构由于超声发射单元1的压电叠层4的谐振频率与超声接收单元2的谐振频率不一致，可避免发射时pMUT阵列中器件之间的串扰；由于超声接收单元2的谐振频率与超声发射单元1的亥姆霍兹谐振腔14的谐振频率相近，可以利用发射单元1激励亥姆霍兹谐振腔14辐射声波，再利用超声接收单元2接收声波，从而实现发射单元1和接收单元2在同一晶片上的集成。
图2为图1超声传感器阵列的俯视示意图，从图中可以看到，由于超声接收单元2的尺寸增大，导致在相同面积下阵列的组成单元的数目减少。
图3为本发明的一种可调谐的超声传感器阵列，包括超声发射单元1和超声接收单元2。超声发射单元1为具有亥姆霍兹谐振腔14的PMUT，由亥姆霍兹谐振腔14和亥姆霍兹谐振腔14上方的压电叠层4构成，压电叠层4包括SiO2层8、Si层9、下电极10、压电层11和第一上电极12，通过对电极施加电信号，使压电叠层4产生振动，从而带动亥姆霍兹谐振腔14的第一腔体15内的空气振动，振动伴随着空气流入和流出孔口16，最终通过孔口16发射超声波。由于亥姆霍兹谐振腔14对发射声波的放大作用，所发射的声波的声压得到大幅增强。反射回来的声波通过超声接收单元2进行接收。超声接收单元2为一带有质量负载17的PMUT，通过调节质量负载17的材料、尺寸、数量和位置等可以调节超声接收单元2的谐振频率，使其与发射单元1的谐振频率一致，从而可以实现收发一体结构，此外可以提高发射和接收的能量转换效率。
图4为本发明的超声传感器阵列的俯视示意图，可以看出，由于使用质量负载17对超声接收单元2进行调谐，超声接收单元2的尺寸可以跟超声发射单元1的尺寸相同甚至更小，从而可以减小阵列的尺寸。
超声发射单元1和超声接收单元2的压电叠层4采用三明治结构或者双晶片结构；
压电叠层4采用传统三明治结构时，从上到下依次为上电极、压电层11、下电极10、Si晶片9、SiO2层8；
压电叠层4采用双压电晶片结构时，从上到下依次为上电极、压电层11、中间电极、压电层11、下电极10。
亥姆霍兹谐振腔14的孔口16的大小、数量、形状以及位置由亥姆霍兹谐振腔14的共振频率决定。
超声接收单元2的质量负载17的材料、大小、数量、形状以及位置参数根据超声发射单元1的谐振频率进行配置。
衬底3内设置有键合层6，通过键合层6将衬底3分为上部衬底5和下部衬底7。
理论依据如下：
Helmholtz共振腔谐振频率公式：
式中，c为介质中的声速，S为通孔面积，t为通孔高度，d为通孔直径，V为腔体容积。通过改变通孔面积S、通孔高度t、通孔直径d和腔体容积V等可以调节亥姆霍兹谐振腔的谐振频率。
声换能器薄膜的振动可等效为圆心处有一等效的集中质量Me1在等效集中弹簧Ke作用下进行振动，从而得到等效系统的固有频率为：
设置的质量负载相当于在薄膜中心附加一集中质量Me2随薄膜一起振动，因而等效总质量为Me1+Me2，于是利用等效系统的固有频率关系可得新系统的固有频率为：
从上式可以看出，添加质量负载使系统的固有频率降低，从而实现对MEMS压电声换能器的调频。
本发明实施例的可调谐的超声传感器阵列的加工流程：
S110如图5所示，在SOI晶片上依次沉积下电极10、压电层11和上电极；
S120如图6所示，对上电极进行刻蚀，形成第一上电极12和第二上电极13，进一步按图中所示进行刻蚀，形成图中小孔，用于构成孔口16；
S130如图7所示，对图6得到的结构进行背部刻蚀，形成亥姆霍兹谐振腔腔体14的上半部分和质量负载17；
S140如图8另取一层Si进行刻蚀形成下部衬底7；
S150将下部衬底7与图7步骤形成的结构进行键合，得到如图9所示的超声传感器阵列。
应当理解的是，对本领域普通技术人员来说，可以根据上述说明加以改进或变换，而所有这些改进和变换都应属于本发明所附权利要求的保护范围。
Claims (7)
1.一种可调谐的超声传感器阵列，其特征在于，该阵列包括：超声发射单元(1)和超声接收单元(2)，超声发射单元(1)和超声接收单元(2)均由上至下依次排列设置有压电叠层(4)和衬底(3)；超声发射单元(1)和超声接收单元(2)于同一片晶体上加工，其压电叠层(4)厚度一致；超声发射单元(1)和超声接收单元(2)的衬底(3)内均设置有腔体；其中：
超声发射单元(1)为具有亥姆霍兹谐振腔(14)的压电微制造超声换能器，超声发射单元(1)利用压电叠层(4)激励亥姆霍兹谐振腔(14)辐射声波；超声接收单元(2)为带质量负载(17)的压电微制造超声换能器，其质量负载(17)设置在超声接收单元(2)下方的腔体内；超声发射单元(1)的亥姆霍兹谐振腔(14)的谐振频率低于其压电叠层(4)的谐振频率；超声接收单元(2)在质量负载(17)的调谐作用下，谐振频率低于超声发射单元(1)的压电叠层(4)的谐振频率，但亥姆霍兹谐振腔(14)的谐振频率小于或等于超声接收单元(2)的谐振频率。
2.根据权利要求1所述的可调谐的超声传感器阵列，其特征在于，超声发射单元(1)内的腔体为采用空心硅结构围成的第一腔体(15)；贯穿超声发射单元(1)的压电叠层(4)的位置设置有孔口(16)，超声发射单元(1)的亥姆霍兹谐振腔(14)由第一腔体(15)和连接第一腔体(15)与外界空气的孔口(16)组成；超声发射单元(1)的压电叠层(4)推动亥姆霍兹谐振腔(14)内空气的流动，引起亥姆霍兹谐振腔(14)的振动，然后通过孔口(16)发射声波。
3.根据权利要求1所述的可调谐的超声传感器阵列，其特征在于，超声接收单元(2)内的腔体为采用空心硅结构围成的第二腔体(18)；质量负载(17)设置在第二腔体(18)内，且质量负载(17)安装在压电叠层(4)的底部；利用质量负载(17)来调节谐振频率，从而使超声接收单元(2)的谐振频率与超声发射单元(1)的谐振频率的差值小于一定阈值。
4.根据权利要求1所述的可调谐的超声传感器阵列，其特征在于，超声发射单元(1)和超声接收单元(2)的压电叠层(4)采用三明治结构或者双晶片结构；
压电叠层(4)采用传统三明治结构时，从上到下依次为上电极、压电层(11)、下电极(10)、Si晶片(9)、SiO2层(8)；
压电叠层(4)采用双压电晶片结构时，从上到下依次为上电极、压电层(11)、中间电极、压电层(11)、下电极(10)。
5.根据权利要求2所述的可调谐的超声传感器阵列，其特征在于，亥姆霍兹谐振腔(14)的孔口(16)的大小、数量、形状以及位置由亥姆霍兹谐振腔(14)的共振频率决定。
6.根据权利要求3所述的可调谐的超声传感器阵列，其特征在于，超声接收单元(2)的质量负载(17)的材料、大小、数量、形状以及位置参数根据超声发射单元(1)的谐振频率进行配置。
7.根据权利要求1所述的可调谐的超声传感器阵列，其特征在于，衬底(3)内设置有键合层(6)，通过键合层(6)将衬底(3)分为上部衬底(5)和下部衬底(7)。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201911308045.4A CN111001553B (zh) | 2019-12-18 | 2019-12-18 | 一种可调谐的超声传感器阵列 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201911308045.4A CN111001553B (zh) | 2019-12-18 | 2019-12-18 | 一种可调谐的超声传感器阵列 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN111001553A CN111001553A (zh) | 2020-04-14 |
| CN111001553B true CN111001553B (zh) | 2021-01-26 |
Family
ID=70115943
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201911308045.4A Active CN111001553B (zh) | 2019-12-18 | 2019-12-18 | 一种可调谐的超声传感器阵列 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN111001553B (zh) |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112452694A (zh) * | 2020-09-23 | 2021-03-09 | 长江大学 | 多频压电式微型超声换能器单元、阵列和方法 |
| CN112871614B (zh) * | 2021-01-12 | 2022-03-15 | 武汉大学 | 高发射性能的mems超声换能器 |
| WO2022219716A1 (ja) * | 2021-04-13 | 2022-10-20 | 三菱電機株式会社 | 超音波トランスデューサー、距離測定装置および超音波トランスデューサーの製造方法 |
| CN117157992A (zh) * | 2021-04-13 | 2023-12-01 | 三菱电机株式会社 | 超声波换能器、测距装置以及超声波换能器的制造方法 |
| CN113019872A (zh) * | 2021-04-25 | 2021-06-25 | 广州蜂鸟传感科技有限公司 | 一种用于扫描成像的双频率超声换能器 |
| CN113286222B (zh) * | 2021-07-26 | 2021-10-01 | 成都纤声科技有限公司 | Mems芯片、耳机和电子设备 |
| CN113560158B (zh) * | 2021-08-27 | 2022-06-10 | 南京声息芯影科技有限公司 | 压电微机械超声换能器、阵列芯片及制造方法 |
| CN114160399B (zh) * | 2021-12-02 | 2022-12-02 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 同频异构的压电超声波换能器及其制备方法 |
| WO2024049447A1 (en) * | 2022-09-02 | 2024-03-07 | Exo Imaging, Inc. | Dual and multiple membrane micromachined ultrasound transducers |
| CN115532572B (zh) * | 2022-10-14 | 2024-05-07 | 浙江大学 | 一种多频压电微机械超声换能器及制备方法 |
| CN115971021A (zh) * | 2022-12-19 | 2023-04-18 | 京东方科技集团股份有限公司 | 超声换能基板、换能基板的制作方法以及检测方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1143184A (zh) * | 1995-08-14 | 1997-02-19 | 日本碍子株式会社 | 传感器部件和颗粒传感器 |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7646133B2 (en) * | 2004-02-27 | 2010-01-12 | Georgia Tech Research Corporation | Asymmetric membrane cMUT devices and fabrication methods |
| CN101359882B (zh) * | 2008-08-29 | 2011-08-17 | 清华大学 | 谐振频率可调的压电振动能量收集装置 |
| EP2598255A2 (en) * | 2010-07-30 | 2013-06-05 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Thin film ultrasound transducer |
| KR101813183B1 (ko) * | 2011-12-19 | 2017-12-29 | 삼성전자주식회사 | 초음파 변환기의 셀, 소자, 이를 포함하는 초음파 변환기 및 그 제조 방법 |
| CN103182372A (zh) * | 2011-12-30 | 2013-07-03 | 广州市番禺奥迪威电子有限公司 | 一种超声波发射压电元件 |
| KR101575800B1 (ko) * | 2014-08-19 | 2015-12-08 | 주식회사 이노칩테크놀로지 | 압전 소자 및 이를 구비하는 전자기기 |
| CN104821745A (zh) * | 2015-05-29 | 2015-08-05 | 重庆大学 | 基于亥姆霍兹效应的低频压电振动能量收集器及其制作工艺 |
| CN110277977A (zh) * | 2019-07-03 | 2019-09-24 | 武汉大学 | 一种双面集成的单片体声波双工器 |
| CN110560352B (zh) * | 2019-08-15 | 2021-04-02 | 武汉大学 | 基于Helmholtz共振腔的可调频超声传感器阵列 |
-
2019
- 2019-12-18 CN CN201911308045.4A patent/CN111001553B/zh active Active
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1143184A (zh) * | 1995-08-14 | 1997-02-19 | 日本碍子株式会社 | 传感器部件和颗粒传感器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN111001553A (zh) | 2020-04-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN111001553B (zh) | 一种可调谐的超声传感器阵列 | |
| CN110560350B (zh) | 基于Helmholtz共振腔的接收超声换能器 | |
| CN110560348B (zh) | 具有孔阵列Helmholtz共振腔的MEMS压电超声换能器 | |
| CN110681559B (zh) | 具有亥姆霍兹谐振腔的mems压电超声换能器 | |
| US20160027994A1 (en) | Multilayer acoustic impedance converter for ultrasonic transducers and method of forming the same | |
| CN110560352B (zh) | 基于Helmholtz共振腔的可调频超声传感器阵列 | |
| CN110052391B (zh) | 双谐振模式耦合的微机械压电超声波换能器 | |
| CN111314829B (zh) | 一种具有声管的mems压电超声换能器 | |
| Khuri-Yakub et al. | Silicon micromachined ultrasonic transducers | |
| CN112718437B (zh) | 基于多振膜耦合的压电微机械超声换能器 | |
| CN112871614B (zh) | 高发射性能的mems超声换能器 | |
| JP2002528887A (ja) | 圧電トランスデューサ | |
| JP2009260723A (ja) | トランスデューサ | |
| CN110560351B (zh) | 基于Helmholtz共振腔的可调频声波接收装置 | |
| CN110944274B (zh) | 一种基于Piston-mode的带质量负载可调谐MEMS压电声换能器 | |
| CN110560349B (zh) | 基于Helmholtz共振腔并减小空气阻尼的接收超声换能器 | |
| CN115532572B (zh) | 一种多频压电微机械超声换能器及制备方法 | |
| EP1600031B1 (en) | Device having matched accoustical impedance and method | |
| CN111054615B (zh) | 一种具有喇叭结构的mems压电超声换能器 | |
| JP3416648B2 (ja) | 音響トランスデューサー | |
| CN110681560A (zh) | 具有亥姆霍兹谐振腔的mems超声定位传感器 | |
| CN116723754A (zh) | 压电微机械超声换能器及其制作方法 | |
| CN110337056A (zh) | 一种高密度指向性压电电声换能器阵列的制作方法 | |
| KR100791084B1 (ko) | 압전형 초소형 스피커 및 그 제조 방법 | |
| CN217591062U (zh) | 一种针对pmut扬声器的声学功放板系统 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| TR01 | Transfer of patent right | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20220411 Address after: 315832 e2025, zone a, Room 401, building 1, No. 88, Meishan Qixing Road, Beilun District, Ningbo, Zhejiang Province Patentee after: Ningbo Huazhang enterprise management partnership (L.P.) Address before: 430072 No. 299 Bayi Road, Wuchang District, Hubei, Wuhan Patentee before: WUHAN University |
|
| TR01 | Transfer of patent right | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20220831 Address after: No.01, 4th floor, building D7, phase 3, Wuhan Software New Town, No.9 Huacheng Avenue, Donghu New Technology Development Zone, Wuhan City, Hubei Province, 430000 Patentee after: Wuhan Minsheng New Technology Co.,Ltd. Address before: 315832 e2025, zone a, Room 401, building 1, No. 88, Meishan Qixing Road, Beilun District, Ningbo, Zhejiang Province Patentee before: Ningbo Huazhang enterprise management partnership (L.P.) |