CN111048530A - 柔性显示面板及其制备方法、曲面显示屏 - Google Patents
柔性显示面板及其制备方法、曲面显示屏 Download PDFInfo
- Publication number
- CN111048530A CN111048530A CN201911360092.3A CN201911360092A CN111048530A CN 111048530 A CN111048530 A CN 111048530A CN 201911360092 A CN201911360092 A CN 201911360092A CN 111048530 A CN111048530 A CN 111048530A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- display panel
- flexible display
- groove
- inorganic layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title abstract description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 44
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 44
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims abstract description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 10
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 221
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims description 32
- 238000005452 bending Methods 0.000 claims description 21
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 12
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 5
- 241001391944 Commicarpus scandens Species 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 27
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 12
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 3
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- -1 polyethylene Polymers 0.000 description 2
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 1
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1218—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition or structure of the substrate
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
- G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
- G09F9/30—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
- G09F9/301—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements flexible foldable or roll-able electronic displays, e.g. thin LCD, OLED
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
- G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
- G09F9/30—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
- G09F9/33—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements being semiconductor devices, e.g. diodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
- H01L27/1244—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits for preventing breakage, peeling or short circuiting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
- H01L27/1262—Multistep manufacturing methods with a particular formation, treatment or coating of the substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/1201—Manufacture or treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
本发明提供了一种柔性显示面板及其制备方法、曲面显示屏，解决了现有技术中当柔性显示面板受到频繁弯折后，易发生金属层断裂或膜层分离的问题。柔性显示面板包括沿第一方向依次叠置在柔性衬底上的多个膜层，其特征在于，多个膜层包括：无机层，包括凹槽，凹槽被有机材料填充；和金属层，位于无机层的凹槽的开口方向上，金属层包括通孔，通孔在无机层上的正投影和凹槽至少部分重合。
Description
技术领域
本发明涉及柔性显示技术领域，具体涉及一种柔性显示面板及其制备方法、曲面显示屏。
背景技术
随着信息社会的发展，柔性显示面板在显示设备中的应用越来越广泛。柔性显示面板具有良好的柔性，因此，可以通过弯曲的方式，将柔性显示面板的边缘区域置于显示屏幕的下方，从而实现窄边框；或者通过折叠的方式，将大尺寸显示屏折叠成小尺寸，方便携带。
然而，由于弯折区通常采用多层叠置的膜层结构，弯折时容易导致膜层分离，同时弯折过程容易造成弯折区中的金属线断裂，从而降低显示屏的可靠性。
发明内容
有鉴于此，本发明实施例致力于提供一种柔性显示面板及其制备方法、曲面显示屏，以解决现有技术中当柔性显示面板受到频繁弯折后，易发生金属层断裂或膜层分离的问题。
本发明第一方面提供了一种柔性显示面板，包括沿第一方向依次叠置在柔性衬底上的多个膜层，多个膜层包括：无机层，包括凹槽，凹槽被有机材料填充；和金属层，位于无机层的凹槽的开口方向上，金属层包括通孔，通孔在无机层上的正投影和凹槽至少部分重合。
在一个实施例中，通孔在无机层上的正投影覆盖凹槽。
在一个实施例中，还包括位于无机层和金属层之间的有机层，有机层填充凹槽。
在一个实施例中，凹槽包括正对开口的底面，底面的面积大于凹槽的开口面积。
在一个实施例中，凹槽在第一方向上的截面为等腰梯形。
在一个实施例中，在与第一方向垂直的第二方向上，柔性显示面板包括邻接的显示区和边框区，边框区包括弯折区和焊盘区，弯折区位于显示区和焊盘区之间；金属层包括导线，导线位于弯折区。
在一个实施例中，导线包括平行排布的多条子导线，多条子导线上的每一条设置有多个通孔；无机层包括多个凹槽，多个凹槽和多个通孔一一对应。
在一个实施例中，显示区包括位于有机层上的像素驱动电路；导线的一端和像素驱动电路连接，另一端在焊盘区形成引出端子。
本发明第二方面提供了一种柔性显示面板的制备方法，包括：在柔性衬底上依次制备无机层和有机层，无机层包括凹槽，有机层填充凹槽；在有机层上依次制备多个功能膜层，多个功能膜层包括像素单元阵列；刻蚀掉像素单元阵列周边的多个功能膜层，至露出有机层；在有机层上制备导线，并在导线上刻蚀通孔，通孔在无机层上的正投影和凹槽至少部分重合；将导线和像素单元阵列电连接。
本发明第三方面提供了一种曲面显示屏，包括上述任一实施例提供的柔性显示面板。
根据本发明提供的柔性显示面板及其制备方法、曲面显示屏，弯折过程中，无机层中的有机材料会向凹槽开口位置凸起以产生形变，该凸起对应金属层上的通孔，从而避免凸起对金属层产生推力，降低金属层断裂和膜层分离的风险。
附图说明
图1所示为本发明第一实施例提供的柔性显示面板的截面结构示意图。
图2为本发明第二实施例提供的柔性显示面板的局部截面示意图。
图3所示为本发明第三实施例提供的柔性显示面板的俯视图。
图4为本发明第一实施例提供的图3所示柔性显示面板沿A1A2线的局部截面示意图。
图5为本发明第二实施例提供的图3所示柔性显示面板沿A1A2线的局部截面示意图。
图6为本发明一实施例提供的柔性显示面板的制备方法流程图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
图1所示为本发明第一实施例提供的柔性显示面板的截面结构示意图。如图1所示，在第二方向y上，柔性显示面板10包括邻接的显示区A和边框区B。在与第二方向y垂直的第一方向x上，柔性显示面板10包括依次叠置在柔性衬底11上的多个功能膜层，显示区A和边框区B的层级结构不同。
具体而言，显示区A包括依次叠置在柔性衬底11上的阻挡层12、缓冲层13、像素驱动单元层14、平坦化层15和发光单元层16。其中，阻挡层12和缓冲层13的数量是任意的，可以根据实际情况合理选择。例如，图1所示的阻挡层12的数量是2层，缓冲层13的数量是1层，并且阻挡层12和缓冲层13交替排布。像素驱动单元层14包括有源层141、第一绝缘层142、第一导电层143、第二绝缘层144、第二导电层145、第三绝缘层146、第三导电层147、第四绝缘层148。每一个导电层，包括第一导电层143、第二导电层145和第三导电层147，各自包括相应的电路图形，以使得有源层141、第一绝缘层142、第一导电层143和第三导电层147相互配合形成TFT单元结构，第一导电层143、第二绝缘层144和第二导电层145相互配合形成电容结构，TFT单元结构和电容结构共同形成像素驱动电路。发光单元层16包括位于平坦化层15上的阴极层161和位于平坦化层15上并环绕阴极层161的堤坝162，堤坝162的侧壁形成像素坑；发光单元层16还包括位于像素坑内的阴极层161上的发光层163，以及覆盖发光层163和堤坝162顶壁的阳极层164。这样，阴极层161、发光层163和阳极层164相互配合形成发光二极管，即一个发光单元。
需要说明的是，为了将发光单元和其下方的像素驱动电路电连接，在第四绝缘层148和平坦化层15之间通常设置第四导电层151。另外，在阻挡层12和像素驱动单元层14之间通常还设置有第五绝缘层17。
边框区B也包括依次叠置在柔性衬底11上的阻挡层12和缓冲层13，边框区B的阻挡层12和缓冲层13的数量与显示区A中相应膜层的数量相等或不等。例如，在图1所示的柔性显示面板10中，边框区B的缓冲层13的数量和显示区A中的缓冲层13的数量均为1层；然而，边框区B的阻挡层12的数量为1层，显示区A的阻挡层12的数量为2层。边框区B还包括依次叠置在缓冲层13上的第一填充层191、第三导电层147、第二填充层192、第四导电层151、平坦化层15、堤坝162和阳极层164。
如图1所示的柔性显示面板10还可以包括位于阳极层164上方的薄膜封装层，薄膜封装层包括叠置的有机材料层和无机材料层。
对于上述各功能膜层而言，阻挡层12和绝缘层(包括第一绝缘层142、第二绝缘层144、第三绝缘层146、第四绝缘层148、第五绝缘层17)的材料为无机物，例如氮化硅、氧化硅、氧化镁、氧化铝中的一项或多项的混合物，也可以是上述材料的叠层结构。缓冲层13、堤坝162、平坦化层15、填充层(包括第一填充层191和第二填充层192)的材料为有机物，例如聚酰亚胺、聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯中的任一项。导电层(包括第一导电层143、第二导电层145、第三导电层147、第四导电层151)、阴极层161的材料为金属，例如铝、阴、钛中的一项或多项的混合物。
发明人研究发现，由于无机材料具有较强的硬度，当具有上述结构的柔性显示面板10受到频繁弯折后，处于弯折位置的由无机材料形成的功能膜层会产生较强的应力，该应力会对处于其正上方或正下方的由金属材料形成的功能膜层造成影响，导致由金属材料形成的功能膜层与其上、下相邻的膜层分离，甚至发生断裂。
有鉴于此，本申请实施例还提供了第二种柔性显示面板。图2为本发明第二实施例提供的柔性显示面板的局部截面示意图。如图2所示，该柔性显示面板20包括沿第一方向x依次叠置在柔性衬底21上的多个膜层，该多个膜层包括无机层22和金属层23。无机层22包括凹槽221，凹槽221被有机材料填充；金属层23位于无机层22的凹槽221的开口方向上，金属层23包括通孔2310，通孔2310在无机层22上的正投影和凹槽221至少部分重合。
凹槽221的开口方向是指凹槽221的开口的朝向。例如，如图2所示，凹槽221的开口方向为竖直向上。这种情况下，金属层23位于无机层22的凹槽221的开口方向上，是指金属层23位于无机层22的上方。
无机层22是指由无机材料形成的膜层。参阅图1，这里的无机层可以是阻挡层12、第一绝缘层142、第二绝缘层144、第三绝缘层146、第四绝缘层148、第五绝缘层17中的任一项，还可以是薄膜封装结构中的无机层。这里的金属层可以是第一导电层143、第二导电层145、第三导电层147、第四导电层151和阴极层161中的任一项。
凹槽221和通孔2310的形状可以是任意的，本实施例对此不作限定。
根据本实施例提供的柔性显示面板，第一方面，通过在金属层上设置通孔，可以利用弯折过程中通孔的形变释放金属层中产生的应力，避免金属层自身应力造成的损伤。第二方面，通过在无机层中设置由有机材料填充的凹槽，可以利用弯折过程中有机材料的形变释放无机层中产生的应力，避免无机层自身应力造成的损伤。第三方面，弯折过程中，无机层中的有机材料会向凹槽开口位置凸起以产生形变，该凸起对应金属层上的通孔，从而避免凸起对金属层产生推力，降低金属层断裂和膜层分离的风险。
图3所示为本发明第三实施例提供的柔性显示面板的俯视图。图4为本发明第一实施例提供的图3所示柔性显示面板沿A1A2线的局部截面示意图。结合图3和图4所示，柔性显示面板30和图2所示柔性显示面板20的区别仅在于，在柔性显示面板30中，在与第一方向x垂直的第二方向y上，柔性显示面板30包括邻接的显示区A和边框区B，边框区B包括弯折区B1和焊盘区B2，弯折区B1位于显示区A和焊盘区B2之间。金属层33包括导线331，导线331包括凹槽3310，导线331位于弯折区B1。
在本实施例中，导线331可以位于图1所示柔性显示面板的第三导电层147或第四导电层151。无机层32可以为图1所示柔性显示面板的阻挡层12，或薄膜封装结构中的无机材料层。
在一个实施例中，如图4所示，通孔3310在无机层32上的正投影覆盖凹槽321。
例如，通孔3310的孔径为4微米，凹槽321的开口口径为2-3微米。进一步地，在一个实施例中，通孔3310和凹槽321共轴线。
这种情况下，弯折过程中，凹槽321中有机材料的形变凸起可以完全作用在导线331的通孔3310内，从而最大限度地避免形变凸起对导线331造成的影响。
在一个实施例中，如图4所示，柔性显示面板30还包括位于无机层32和金属层33之间的有机层34，有机层34填充凹槽321。
这里的有机层34可以是图1所示柔性显示面板10中的第一填充层191、第二填充层192、平坦化层15、堤坝162和薄膜封装层中的无机材料层中的任一项。
通过在无机层32和金属层33之间设置有机层34，可以利用有机层34的弹性进一步释放弯折应力，降低断线和膜层分离的风险。同时利用有机层34填充凹槽321可以提高有机层34和无机层32之间的粘附力，进一步降低膜层分离的风险。
进一步地，在一个实施例中，凹槽321包括正对开口的底面S1，底面S1的面积大于凹槽321的开口面积S2。
例如，如图4所示，凹槽321在第一方向x上的截面为等腰梯形，等腰梯形的上底对应凹槽321的开口，下底对应凹槽321的底面。
通过设置凹槽321的底面S1的面积大于开口面积S2，凹槽321内的有机材料形成类似于拼图中的连接结构，进一步提高有机层34和无机层32之间的粘附力。
在一个实施例中，结合图3和图4所示，导线331包括平行排布的多条子导线，多条子导线上的每一条设置有多个通孔3310，无机层32包括多个凹槽321，该多个凹槽321和多个通孔3310一一对应。凹槽321的数量和柔性显示面板的应力释放能力正相关，因此，通过设置多个凹槽321可以进一步提高柔性显示面板的应力释放能力。
在一个实施例中，如图3所示，相邻两条子导线的间距D为4-8微米。
图5为本发明第二实施例提供的图3所示柔性显示面板沿A1A2线的局部截面示意图。如图5所示，柔性显示面板40和图3、图4所示柔性显示面板30的区别仅在于，柔性显示面板40还包括依次叠置在金属层43上的第二有机层45和第二金属层46，第二金属层46包括第二导线，第二导线包括第二通孔4610。为了便于描述，将柔性显示面板40中和柔性显示面板30中相同的膜层依次定义为第一有机层44和第一金属层43，第一金属层43中的通孔定义为第一通孔4310。在柔性显示面板40中，第二通孔4610在第一金属层43上的正投影和第一通孔4310重合。
发明人发现，由于单层金属层很薄，这种情况下，单层导线上的通孔不足以补偿无机层42中有机材料的形变凸起的突出高度。根据本实施例提供的柔性显示面板，通过设置两层金属层，两层金属层中的凹槽正对无机材料中的凹槽，相当于利用两层通孔补偿无机层42中有机材料的形变凸起，从而提高了补偿效果，优化应力释放效果。
在本实施例中，第一通孔4310和第二通孔4610的孔径为4微米，凹槽421的开口口径为2-3微米。这样，刚好可以利用第一通孔4310和第二通孔4610的加和来补偿弯折过程中凹槽421中有机材料的形变凸起。
应当理解，这里给出的金属层的数量只是示例性地，还可以设置更多层的金属层，并在该多层金属层中设置正对无机层42中凹槽的通孔。
在一个实施例中，结合图3和图5所示，显示区A包括位于第一有机层44上的像素驱动电路，导线的一端和像素驱动电路连接，另一端在焊盘区B2形成引出端子。
这种情况下，第一金属层43中的第一导线和第二金属层46中的第二导线用于接收来自焊盘区的外部驱动信号，并将外部驱动信号传输给像素驱动电路，以控制发光单元发光。应当理解，第一导线和第二导线也可以设置在同一金属层中。
图6为本发明一实施例提供的柔性显示面板的制备方法流程图。如图6所示，制备方法600包括：
步骤S610，在柔性衬底上依次制备无机层和有机层，无机层包括凹槽，有机层填充凹槽。
步骤S620，在有机层上依次制备多个功能膜层，该多个功能膜层包括像素单元阵列。像素单元阵列包括阵列排布的像素驱动电路和阵列排布的发光单元，像素驱动电路和发光单元一一对应。
步骤S630，刻蚀掉所述像素单元阵列周边的多个功能膜层，至露出有机层。
步骤S640，在有机层上制备导线，并在导线上刻蚀通孔，通孔在无机层上的正投影和凹槽至少部分重合。
步骤S650，将导线和像素单元阵列电连接。
本实施例提供的柔性显示面板的制备方法，与本发明实施例所提供的柔性显示面板属于同一发明构思，未在本实施例中详尽描述的技术细节，可参见本发明实施例提供的柔性显示面板，此处不再加以赘述。
本发明还提供了一种曲面显示屏，包括上述任一实施例提供的柔性显示面板，并具有与相应柔性显示面板相同的技术效果。
应当理解，本发明实施例描述中所用到的限定词“第一”、“第二”、“第三”、“第四”等仅用于更清楚的阐述技术方案，并不能用于限制本发明的保护范围。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种柔性显示面板，包括沿第一方向依次叠置在柔性衬底上的多个膜层，其特征在于，所述多个膜层包括：
无机层，包括凹槽，所述凹槽被有机材料填充；和
金属层，位于所述无机层的所述凹槽的开口方向上，所述金属层包括通孔，所述通孔在所述无机层上的正投影和所述凹槽至少部分重合。
2.根据权利要求1所述的柔性显示面板，其特征在于，所述通孔在所述无机层上的正投影覆盖所述凹槽。
3.根据权利要求1所述的柔性显示面板，其特征在于，还包括位于所述无机层和所述金属层之间的有机层，所述有机层填充所述凹槽。
4.根据权利要求3所述的柔性显示面板，其特征在于，所述凹槽包括正对开口的底面，所述底面的面积大于所述凹槽的开口面积。
5.根据权利要求4所述的柔性显示面板，其特征在于，所述凹槽在所述第一方向上的截面为等腰梯形。
6.根据权利要求3-5中任一所述的柔性显示面板，其特征在于，在与所述第一方向垂直的第二方向上，所述柔性显示面板包括邻接的显示区和边框区，所述边框区包括弯折区和焊盘区，所述弯折区位于所述显示区和所述焊盘区之间；所述金属层包括导线，所述导线位于所述弯折区。
7.根据权利要求6所述的柔性显示面板，其特征在于，所述导线包括平行排布的多条子导线，所述多条子导线上的每一条设置有多个通孔；所述无机层包括多个凹槽，所述多个凹槽和所述多个通孔一一对应。
8.根据权利要求6所述的柔性显示面板，其特征在于，所述显示区包括位于所述有机层上的像素驱动电路；所述导线的一端和所述像素驱动电路连接，另一端在所述焊盘区形成引出端子。
9.一种柔性显示面板的制备方法，其特征在于，包括：
在柔性衬底上依次制备无机层和有机层，所述无机层包括凹槽，所述有机层填充所述凹槽；
在所述有机层上依次制备多个功能膜层，所述多个功能膜层包括像素单元阵列；
刻蚀掉所述像素单元阵列周边的所述多个功能膜层，至露出所述有机层；
在所述有机层上制备导线，并在所述导线上刻蚀通孔，所述通孔在所述无机层上的正投影和所述凹槽至少部分重合；
将所述导线和所述像素单元阵列电连接。
10.一种曲面显示屏，其特征在于，包括权利要求1-8中任一所述的柔性显示面板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201911360092.3A CN111048530B (zh) | 2019-12-25 | 2019-12-25 | 柔性显示面板及其制备方法、曲面显示屏 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201911360092.3A CN111048530B (zh) | 2019-12-25 | 2019-12-25 | 柔性显示面板及其制备方法、曲面显示屏 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN111048530A true CN111048530A (zh) | 2020-04-21 |
| CN111048530B CN111048530B (zh) | 2022-08-19 |
Family
ID=70239742
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201911360092.3A Active CN111048530B (zh) | 2019-12-25 | 2019-12-25 | 柔性显示面板及其制备方法、曲面显示屏 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN111048530B (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113299696A (zh) * | 2021-05-06 | 2021-08-24 | 武汉华星光电技术有限公司 | 一种曲面显示面板及其制备方法 |
| WO2024022292A1 (zh) * | 2022-07-28 | 2024-02-01 | 维沃移动通信有限公司 | 柔性显示屏和电子设备 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108023028A (zh) * | 2016-10-31 | 2018-05-11 | 乐金显示有限公司 | 背板基板和使用背板基板的柔性显示器 |
| CN109859625A (zh) * | 2018-11-06 | 2019-06-07 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种柔性显示面板及显示装置 |
| CN110071124A (zh) * | 2019-04-22 | 2019-07-30 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及其制作方法 |
| US20190280248A1 (en) * | 2018-03-09 | 2019-09-12 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device and manufacturing method for the same |
-
2019
- 2019-12-25 CN CN201911360092.3A patent/CN111048530B/zh active Active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108023028A (zh) * | 2016-10-31 | 2018-05-11 | 乐金显示有限公司 | 背板基板和使用背板基板的柔性显示器 |
| US20190280248A1 (en) * | 2018-03-09 | 2019-09-12 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device and manufacturing method for the same |
| CN109859625A (zh) * | 2018-11-06 | 2019-06-07 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种柔性显示面板及显示装置 |
| CN110071124A (zh) * | 2019-04-22 | 2019-07-30 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及其制作方法 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113299696A (zh) * | 2021-05-06 | 2021-08-24 | 武汉华星光电技术有限公司 | 一种曲面显示面板及其制备方法 |
| CN113299696B (zh) * | 2021-05-06 | 2024-03-05 | 武汉华星光电技术有限公司 | 一种曲面显示面板及其制备方法 |
| WO2024022292A1 (zh) * | 2022-07-28 | 2024-02-01 | 维沃移动通信有限公司 | 柔性显示屏和电子设备 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN111048530B (zh) | 2022-08-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6898977B2 (ja) | マイクロドライバ及びマイクロｌｅｄのためのバックプレーン構造及びプロセス | |
| CN110416435B (zh) | 有机发光显示面板和显示装置 | |
| KR20180060851A (ko) | 유기 발광 표시 장치 | |
| KR20180054385A (ko) | 유기 발광 표시 장치 | |
| CN115312576A (zh) | 柔性显示装置 | |
| CN111048530B (zh) | 柔性显示面板及其制备方法、曲面显示屏 | |
| US11641772B2 (en) | Display device | |
| CN111724742B (zh) | 显示面板及其制备方法、显示装置 | |
| KR20180068011A (ko) | 유기 발광 표시 장치 | |
| CN111524908A (zh) | 显示面板及显示装置 | |
| WO2019225708A1 (ja) | 表示装置用配線基板および表示装置、ならびに配線基板とその作製方法 | |
| JP7220697B2 (ja) | ディスプレイ装置 | |
| EP3660909B1 (en) | Display apparatus | |
| CN108550603A (zh) | 柔性显示面板、显示装置及其制作方法 | |
| JP2010171289A (ja) | 画像表示装置 | |
| KR20180062096A (ko) | 유기 발광 표시 장치 | |
| CN112562497B (zh) | 显示面板和显示面板的制备方法 | |
| CN112310327B (zh) | 显示面板和显示装置 | |
| CN109638057B (zh) | 显示面板及其制作方法、显示装置 | |
| CN112909052A (zh) | 一种显示基板、显示面板 | |
| CN219352274U (zh) | 阵列基板及显示面板 | |
| WO2023206283A1 (zh) | 显示面板和显示装置 | |
| CN113644099B (zh) | 显示面板及其制备方法 | |
| CN112331691B (zh) | 折叠显示器 | |
| CN113900542B (zh) | 触控面板及其制备方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |