CN111029345A - 一种阵列基板及其显示面板 - Google Patents
一种阵列基板及其显示面板 Download PDFInfo
- Publication number
- CN111029345A CN111029345A CN201911154649.8A CN201911154649A CN111029345A CN 111029345 A CN111029345 A CN 111029345A CN 201911154649 A CN201911154649 A CN 201911154649A CN 111029345 A CN111029345 A CN 111029345A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- source
- drain
- array substrate
- insulating layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 47
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims description 12
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 8
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 claims description 5
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims description 5
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 abstract description 16
- 239000010409 thin film Substances 0.000 abstract description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 136
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 9
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 230000001808 coupling effect Effects 0.000 description 2
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000003139 buffering effect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000007715 excimer laser crystallization Methods 0.000 description 1
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
- G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
- G09F9/30—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
- G09F9/301—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements flexible foldable or roll-able electronic displays, e.g. thin LCD, OLED
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1255—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs integrated with passive devices, e.g. auxiliary capacitors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
本发明涉及的一种阵列基板及其显示面板，一方面，本大明采用第一源漏极第一部分作为电容的下极板，采用第二源漏极层第一部分作为电容的上极板，由此栅极层只作为扫描驱动线和驱动薄膜晶体管的栅极，由此可增大所述存储电容的存储容量，进而便于更大的PPI电路设计。另一方面，相邻所述像素电极共用一个第五通孔连接于所述第二源漏极层第二部分上，采用一个通孔复位两个像素的连接方式，从而能够减少通孔密度，进一步的提高了显示面板的PPI。
Description
技术领域
本发明涉及平面显示技术领域，具体涉及一种阵列基板及其显示面板。
背景技术
已知，随着柔性OLED显示面板技术的不断向前发展，柔性可折叠产品已开始逐渐进入市场，并且因其可折叠性能，使得其显示面板能够调节大小，需要时展开显示，显示区域大；不需要时，折叠放置，收容空间小，从而使得其有成为市场主流的趋势。
具体来讲，其中对于所述OLED显示面板的阵列基板设计中，业界常用的是一种7T1C电路进行像素电路(Pixel circuit)控制。如图1所示，其图示了一种业界常见的7T1C电路的结构示意。
如图1中所示，所述7T1C电路一般是采用第一栅极(GE1)101作为电容下极板，第二栅极(GE2)102作为电容上极板，然后在直接采用无机层作为两者间的介电层，从而形成所述电容进行驱动TFT(Driver TFT)的驱动。随后在所述第二栅极102上方沉积一层无机层(一般为ILD)作为绝缘层103；然后沉积一层第一源漏极金属层104(Source/Drain metal，SD)同时作为Data line与Power Line，如此，形成了所述7T1C电路用以进行像素电路的控制。
进一步的，所述第一源漏极金属层104上方还会在涂布(coater)第一平坦层105，然后沉积ANO做为阳极106，在所述ANO阳极106上方在涂布一层有机层作为像素定义层107(PDL，Pixel defined layer)。
这其中，由于所述第一源漏极金属层104需要同时充当Data line和Power Line，因此，在实际的使用时，容易出现其所在显示面板的AA区显示时，由于存在IR Drop而导致的画面不均问题。业界对此，会在有些设计中采用新增一层第二源漏极金属层108(SD2)作为Power Line的走线，从而减小面内显示由SD line IR Drop导致的显示不均现象。
但是，业界对此的研发并不止于此，还在不断的进行新型金属走线结构的研发，以期获得更好的显示效果以及更大的显示尺寸。
发明内容
本发明的一个方面是提供一种阵列基板及其显示面板，其采用新型的金属走线结构设计，使得其形成的存储电容容量更大，以便于实现更大显示面板相应的PPI电路设计。
本发明的一个实施方式提供了一种阵列基板，其中包括：基底层；有源层，其设置于所述基底层上；第一绝缘层，其设置于所述有源层上；栅极层，其设置于所述第一绝缘层上；第二绝缘层，其设置于所述栅极层上；第一源漏极，其设置于所述第二绝缘层上，所述第一源漏极包括：第一源漏极第一部分，其通过第一通孔连接至所述栅极层上；第三绝缘层，其覆盖于所述第一源漏极以及所述第二绝缘层上；第二源漏极，其包括：第二源漏极第一部分，其对应所述第一源漏极第一部分设置于所述第三绝缘层上。
进一步的，其中所述阵列基板还包括：第一平坦层，其设置于所述第三绝缘层上，所述第一平坦层对应于所述第一源漏极第一部分的远离所述基底层的表面向下贯穿直至所述第三绝缘层远离所述基底层的表面形成凹槽；所述第二源漏极第一部分设置于所述凹槽内。
进一步的，其中所述阵列基板还包括：第二平坦层，其覆盖于所述第二源漏极以及第一平坦层上；至少一像素电极，其相互间隔设置于所述第二平坦层上，其通过第五通孔连接于所述第二源漏极第二部分上；复位信号走线，其设置于相邻所述像素电极之间的所述第二平坦层上；像素定义层，其设置于相邻所述像素电极之间的所述第二平坦层上并覆盖所述复位信号走线。
进一步的，其中所述第一源漏极还包括：第一源漏极第二部分以及第一源漏极第三部分，其分别通过第二通孔以及第三通孔连接于所述有源层两侧。
进一步的，其中所述第二源漏极还包括：第二源漏极第二部分，其通过第四通孔连接于所述第一源漏极第三部分上。
进一步的，其中相邻所述像素电极共用一个所述第五通孔连接于所述第二源漏极第二部分上。
进一步的，其中所述第二绝缘层包括：钝化层，其设置于所述栅极层上；有机光阻层，其设置于所述钝化层上；所述第一源漏极设置于所述有机光阻层上。
进一步的，其中所述第一绝缘层、钝化层、第三绝缘层的组成材料均包括无机材料。
进一步的，其中所述第一平坦层、第二平坦层的组成材料均包括有机材料。
本发明的另一个实施方式还提供了一种显示面板，其中包括本发明所涉及的阵列基板。
本发明的优点是：本发明涉及的一种阵列基板及其显示面板，一方面，本大明采用第一源漏极第一部分作为电容的下极板，采用第二源漏极层第一部分作为电容的上极板，由此栅极层只作为扫描驱动线和驱动薄膜晶体管的栅极，由此可增大所述存储电容的存储容量，进而便于更大的PPI电路设计。另一方面，相邻所述像素电极共用一个第五通孔连接于所述第二源漏极层第二部分上，采用一个通孔复位两个像素的连接方式，从而能够减少通孔密度，进一步的提高了显示面板的PPI。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为现有技术中涉及的一种阵列基板的结构示意图；
图2为本发明的阵列基板的结构示意图。
图3为像素电极走线示意图。
图1、图2、图3中的附图标记说明如下：
100、现有技术的阵列基板
101、第一栅极 102、第二栅极
103、绝缘层 104、第一源漏极金属层
105、第一平坦层 106、阳极
107、像素定义层 108、第二源漏极金属层
200、实施例1的阵列基板
201、基底层 202、有源层
203、第一绝缘层 204、栅极层
205、第二绝缘层 206、第一源漏极
207、第三绝缘层 208、第二源漏极
209、第一平坦层 210、第二平坦层
211、像素电极 212、复位信号走线
213、像素定义层 214、第五通孔
2011、基板 2012、第一缓冲层
2013、第二缓冲层
2021、主体部 2022、侧部
2051、钝化层 2052、有机光阻层
2061、第一源漏极第一部分 2062、第一源漏极第二部分
2063、第一源漏极第三部分
2081、第二源漏极第一部分 2082、第二源漏极第二部分
具体实施方式
以下将结合附图和实施例，对本发明涉及的一种阵列基板及其显示面板的技术方案作进一步的详细描述。
如图2所示，一种阵列基板200，其中包括：基底层201、有源层202、第一绝缘层203、栅极层204、第二绝缘层205、第一源漏极206、第三绝缘层207、第二源漏极208、第一平坦层209、第二平坦层210、像素电极211、复位信号走线212以及像素定义层213。
如图2所示，其中所述基底层201包括：基板2011、第一缓冲层2012以及第二缓冲层2013。其中所述基板2011包括第一衬底、中间层以及第二衬底。其中所述第一衬底与所述第二衬底的组成材料可以选择聚酰亚胺，由此制成的所述第一衬底与所述第二衬底柔韧性好。其中所述中间层的组成材料可以是SiO2也可以是SiNx，还可以是SiO2与SiNx的叠层结构，由此制备的所述中间层阻水氧性能好，还可以提高第一衬底与第二衬底之间的信耐性。其中所述第一缓冲层2012和第二缓冲层2013设置于所述基板2011上；主要是充当缓冲及保护作用。
如图2所示，其中所述有源层202设置于所述基底层201上，其中所述有源层202包括主体部2021和两个侧部2022。具体的，本实施例中主要是利用准分子激光晶化技术实现有源层202的多晶硅化，然后通过PR光罩对有源层202进行图案化处理，形成主体部2021和两个侧部2022，最后通过一道PR光罩多有源层202的两个侧部2022进行离子掺杂处理形成P型半导体。
如图2所示，其中所述第一绝缘层203设置于所述有源层202上；所述第一绝缘层203采用无机材料制备形成，其主要是防止栅极层204与有源层202进行接触产生短路现象。
如图2所示，其中所述栅极层204设置于所述第一绝缘层203上；所述栅极层204一方面用作驱动薄膜晶体管的栅极，另一方面还用作扫描驱动走线。
如图2所示，其中所述第二绝缘层205设置于所述栅极层上。其中所述第二绝缘层205包括：钝化层2051，其设置于所述栅极层204上；有机光阻层2052，其设置于所述钝化层2051上。其中所述钝化层2051采用无机材料制备而成，所述有机光阻层2052采用有机材料制备形成。所述钝化层2051和所述有机光阻层2052主要是为了防止其上下设置的两层金属走线之间发生耦合效应，具体的是防止第一源漏极层第二部分和第一源漏极层第三部分与栅极层204之间产生耦合效应。
如图2所示，其中所述第一源漏极206设置于所述第二绝缘层205上。所述第一源漏极206包括：第一源漏极第一部分2061，其通过第一通孔连接至所述栅极层204上；第一源漏极第二部分2062以及第一源漏极第三部分2063，其分别通过第二通孔以及第三通孔连接于所述有源层202的两个侧部2022上。其中所述第一源漏极第一部分2061作为电容的下极板，第一源漏极第二部分2062以及第一源漏极第三部分2063用作数据传输走线。
如图2所示，其中所述第三绝缘层207覆盖于所述第一源漏极206以及所述第二绝缘层205上；其中所述第三绝缘层207采用无机材料制备形成。
如图2所示，其中所述第二源漏极层208包括：第二源漏极第一部分2081，其对应所述第一源漏极第一部分2061设置于所述第三绝缘层207上。具体的，其中所述第二源漏极208还包括：第二源漏极层第二部分2082，其通过第四通孔连接于所述第一源漏极第三部分2063上。其中所述第二源漏极第一部分2081作为电容的上极板，与所述第一源漏极第一部分2061共同形成存储电容，由此可增大所述存储电容的存储容量，进而便于更大的PPI电路设计。其中所述第二源漏极层第二部分2082用作电源走线。
如图2所示，其中所述第一平坦层209设置于所述第三绝缘层207上，所述第一平坦层209对应于所述第一源漏极第一部分2061的远离所述基底层201的表面向下贯穿直至所述第三绝缘层207远离所述基底层1的表面形成凹槽；所述第二源漏极第一部分2081设置于所述凹槽内。由此可以使所述第二源漏极第一部分2081与所述第一源漏极第一部分2061共同形成存储电容的区域只保留第三绝缘层207，由此可以形成更大的存储电容。其中所述第一平坦层209的组成材料均包括有机材料。
如图2所示，其中所述第二平坦层210覆盖于所述第二源漏极208以及第一平坦层209上。其中所述第二平坦层210的组成材料均包括有机材料。
如图2所示，其中所述像素电极211相互间隔设置于所述第二平坦层210上，其通过第五通孔连接于所述第二源漏极第二部分2082上。
如图2、图3所示，其中相邻所述像素电极211共用一个所述第五通孔214连接于所述第二源漏极第二部分2082上。采用一个通孔复位两个像素的连接方式，从而能够减少通孔密度，进一步的提高了显示面板的PPI。
如图2所示，其中所述复位信号走线212设置于相邻所述像素电极211之间的所述第二平坦层210上。
如图2所示，其中所述像素定义层213设置于相邻所述像素电极211之间的所述第二平坦层210上并覆盖所述复位信号走线212。
本发明还提供了一种显示面板，其中包括本发明所涉及的阵列基板200。
本发明的技术范围不仅仅局限于上述说明中的内容，本领域技术人员可以在不脱离本发明技术思想的前提下，对上述实施例进行多种变形和修改，而这些变形和修改均应当属于本发明的范围内。
Claims (10)
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：
基底层；
有源层，其设置于所述基底层上；
第一绝缘层，其设置于所述有源层上；
栅极层，其设置于所述第一绝缘层上；
第二绝缘层，其设置于所述栅极层上；
第一源漏极，其设置于所述第二绝缘层上，所述第一源漏极包括：第一源漏极第一部分，其通过第一通孔连接至所述栅极层上；
第三绝缘层，其覆盖于所述第一源漏极以及所述第二绝缘层上；
第二源漏极，其包括：第二源漏极第一部分，其对应所述第一源漏极第一部分设置于所述第三绝缘层上。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括：第一平坦层，其设置于所述第三绝缘层上，所述第一平坦层对应于所述第一源漏极第一部分的远离所述基底层的表面向下贯穿直至所述第三绝缘层远离所述基底层的表面形成凹槽；所述第二源漏极第一部分设置于所述凹槽内。
3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，还包括：
第二平坦层，其覆盖于所述第二源漏极以及第一平坦层上；
至少一像素电极，其相互间隔设置于所述第二平坦层上，其通过第五通孔连接于所述第二源漏极第二部分上；
复位信号走线，其设置于相邻所述像素电极之间的所述第二平坦层上；
像素定义层，其设置于相邻所述像素电极之间的所述第二平坦层上并覆盖所述复位信号走线。
4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述第一源漏极还包括：
第一源漏极第二部分以及第一源漏极第三部分，其分别通过第二通孔以及第三通孔连接于所述有源层两侧。
5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述第二源漏极还包括：
第二源漏极第二部分，其通过第四通孔连接于所述第一源漏极第三部分上。
6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，相邻所述像素电极共用一个所述第五通孔连接于所述第二源漏极第二部分上。
7.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第二绝缘层包括：
钝化层，其设置于所述栅极层上；
有机光阻层，其设置于所述钝化层上；
所述第一源漏极设置于所述有机光阻层上。
8.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述第一绝缘层、钝化层、第三绝缘层的组成材料均包括无机材料。
9.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述第一平坦层、第二平坦层的组成材料均包括有机材料。
10.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求1所述的阵列基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201911154649.8A CN111029345A (zh) | 2019-11-22 | 2019-11-22 | 一种阵列基板及其显示面板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201911154649.8A CN111029345A (zh) | 2019-11-22 | 2019-11-22 | 一种阵列基板及其显示面板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN111029345A true CN111029345A (zh) | 2020-04-17 |
Family
ID=70202047
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201911154649.8A Pending CN111029345A (zh) | 2019-11-22 | 2019-11-22 | 一种阵列基板及其显示面板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN111029345A (zh) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113192999A (zh) * | 2021-04-30 | 2021-07-30 | 深圳雷曼光电科技股份有限公司 | 显示面板及显示装置 |
| WO2021227186A1 (zh) * | 2020-05-12 | 2021-11-18 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 柔性显示屏 |
| WO2023015620A1 (zh) * | 2021-08-09 | 2023-02-16 | Tcl华星光电技术有限公司 | 阵列基板、阵列基板的制作方法及显示面板 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109860259A (zh) * | 2019-02-28 | 2019-06-07 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种oled阵列基板及oled显示装置 |
| CN109887956A (zh) * | 2019-01-25 | 2019-06-14 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 有机发光二极管柔性阵列基板 |
| CN110190073A (zh) * | 2019-07-25 | 2019-08-30 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 阵列基板 |
| CN110429112A (zh) * | 2019-07-22 | 2019-11-08 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 阵列基板 |
| CN110459561A (zh) * | 2019-07-26 | 2019-11-15 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种阵列基板及oled显示装置 |
-
2019
- 2019-11-22 CN CN201911154649.8A patent/CN111029345A/zh active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109887956A (zh) * | 2019-01-25 | 2019-06-14 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 有机发光二极管柔性阵列基板 |
| CN109860259A (zh) * | 2019-02-28 | 2019-06-07 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种oled阵列基板及oled显示装置 |
| CN110429112A (zh) * | 2019-07-22 | 2019-11-08 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 阵列基板 |
| CN110190073A (zh) * | 2019-07-25 | 2019-08-30 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 阵列基板 |
| CN110459561A (zh) * | 2019-07-26 | 2019-11-15 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种阵列基板及oled显示装置 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2021227186A1 (zh) * | 2020-05-12 | 2021-11-18 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 柔性显示屏 |
| CN113192999A (zh) * | 2021-04-30 | 2021-07-30 | 深圳雷曼光电科技股份有限公司 | 显示面板及显示装置 |
| WO2023015620A1 (zh) * | 2021-08-09 | 2023-02-16 | Tcl华星光电技术有限公司 | 阵列基板、阵列基板的制作方法及显示面板 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US20200211477A1 (en) | Display substrate and driving method thereof | |
| KR101999510B1 (ko) | 파워 서플라이 메시를 갖는 디스플레이 | |
| US10580836B2 (en) | OLED touch display panel with baffles on a TFT back plate, method for manufacturing the same and touch display device | |
| KR102067966B1 (ko) | 유기발광 다이오드 디스플레이 장치 및 그 제조방법 | |
| US11751442B2 (en) | Display panel and display device | |
| US10103213B2 (en) | Organic light emitting display device and method for manufacturing the same | |
| US9853067B2 (en) | Thin film transistor array substrate | |
| US9336709B2 (en) | Displays with overlapping light-emitting diodes and gate drivers | |
| US11315977B2 (en) | Photosensitive assembly and method for preparing the same, array substrate, and display device | |
| US11309339B2 (en) | TFT array substrate, preparation method thereof and display panel | |
| CN111029345A (zh) | 一种阵列基板及其显示面板 | |
| JP2017536646A (ja) | シリコン及び半導体酸化物の薄膜トランジスタディスプレイ | |
| US10916613B1 (en) | Array substrate and OLED display device | |
| EP3462492B1 (en) | Array substrate and display panel | |
| JP6462035B2 (ja) | バックプレーン基板及びそれを用いた有機発光表示装置 | |
| KR102657529B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 | |
| WO2019041855A1 (zh) | 像素驱动电路、像素结构和制作方法 | |
| EP4113612A1 (en) | Display substrate and manufacturing method therefor, and display apparatus | |
| JP2021033289A (ja) | ディスプレイ装置 | |
| US11158710B2 (en) | Display device | |
| KR102019191B1 (ko) | 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법 | |
| US20240114728A1 (en) | Organic light-emitting diode display substrate and manufacturing method thereof, and display panel | |
| TWI553835B (zh) | 主動基板以及顯示面板 | |
| WO2021081814A1 (zh) | 阵列基板和显示装置 | |
| KR20220048505A (ko) | 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20200417 |