CN110998779A - 离子源及离子注入装置以及离子源的运转方法 - Google Patents

离子源及离子注入装置以及离子源的运转方法 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种抑制起因于由在离子源的离子生成容器内使离子化气体与离子原料反应而生成离子时的副生成物形成的绝缘膜的异常放电的技术。本发明的离子源具备：真空槽（10A），具有冷却机构；离子生成容器（11），设置在真空槽（10A）内，使离子化气体与离子原料反应而生成离子；引出电极（15），设置在真空槽（10A）内，将在离子生成容器（11）内生成的离子引出而生成离子束；以及遮蔽部件（30），设置在真空槽（10A）的内壁（10d）的内侧附近，具有用来将绝缘物对于该真空槽（10A）的内壁（10d）的附着遮挡的由导电性的金属构成的主体部（31）。在遮蔽部件（30）的主体部（31）设置有多个突状的支承部（32），所述支承部（32）与真空槽（10A）的内壁（10d）接触而支承主体部（31），以使主体部（31）相对于真空槽（10A）的内壁（10d）分离而装设。

Description

离子源及离子注入装置以及离子源的运转方法
技术领域
本发明涉及离子源，特别涉及在离子注入装置中使用的离子源的维护技术。
背景技术
近年来，与既有的硅（Si）基板相比耐热性、耐电压性优异的碳化硅（SiC）基板的制造方法确立，使得比较便宜地获得。
在使用SiC基板的工艺中，有将铝离子作为掺杂剂注入的工艺，使用具有生成铝离子束的离子源的离子注入装置。
图10是表示以往的离子源的内部的剖视图。
如图10所示，该离子源50具有由不锈钢等金属形成为例如圆筒形状、与真空排气装置（未图示）连接的真空槽51，在该真空槽51的内部，设置有使离子化气体与离子原料反应而生成离子的离子生成容器52、以及将在离子生成容器52内生成的离子引出而生成离子束的引出电极53。
这里，离子生成容器52被由金属构成的保持机构54保持在真空槽51内的束射出孔51a侧的位置。该保持机构54与真空槽51的盖部51c一体地构成，此外，盖部51c由金属构成，借助绝缘子55而相对于真空槽51电气地绝缘。
并且，构成为，从引出电源56经由盖部51c及保持机构54对离子生成容器52施加正电压，并且从加速电源58向借助绝缘子57而相对于真空槽51电气地绝缘的引出电极53施加负电压。
在这样的离子源50中，在生成铝离子的情况下，使设置在离子生成容器52内的氮化铝或氧化铝与被导入至离子生成容器52内的氟类气体（例如PF3）反应而离子化（等离子体化），借助向引出电极53的电压施加而将离子束从离子生成容器52的狭缝52a引出，经由引出电极53的束孔53a从真空槽51的束射出孔51a释放。
但是，在这样的使氮化铝等与PF3反应的方法中，作为副生成物而产生绝缘性的氟化铝（AlFx），有该产生的氟化铝借助附着于真空槽51内的内壁的绝缘膜（绝缘膜160、161中的特别是绝缘膜160）而在真空槽51内发生异常放电的问题。
如果发生这样的异常放电，则除了离子束电流变动而离子注入对象物的成品率下降以外，还有由电磁噪声引起离子注入装置的电源、真空泵的故障的情况。
因此，以往在异常放电频发的情况下将离子源50的真空槽51向大气开放而将绝缘膜160除去，但在以往技术中，必须频繁地进行这样的维护，有使生产效率变差的课题。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开平5－182623号公报。
发明内容
发明要解决的课题
本发明是为了解决上述以往技术的课题而做出的，其目的在于提供一种抑制起因于由在离子源的离子生成容器内使离子化气体与离子原料反应而生成离子时的副生成物形成的绝缘膜的异常放电的技术。
用来解决课题的手段
为了解决上述课题而做出的本发明是一种离子源，具备：真空槽，具有冷却机构；离子生成容器，设置在前述真空槽内，使离子化气体与离子原料反应而生成离子；引出电极，设置在前述真空槽内，将在前述离子生成容器内生成的离子引出而生成离子束；以及遮蔽部件，设置在前述真空槽的内壁的内侧附近，具有用来将绝缘物对于该真空槽的内壁的附着遮挡的由导电性的金属构成的主体部；在前述遮蔽部件的主体部设置有多个突状的支承部，所述支承部与前述真空槽的内壁接触而支承前述主体部，以使该主体部相对于该真空槽的内壁分离而装设。
在本发明中，在前述遮蔽部件相对于前述真空槽拆装自如地构成的情况下也是有效的。
在本发明中，在前述遮蔽部件构成为当装设到前述真空槽内时与该真空槽的内壁导通的情况下也是有效的。
在本发明中，在前述遮蔽部件其前述主体部由板状的部件构成的情况下也是有效的。
在本发明中，在前述遮蔽部件其前述主体部形成为筒状的情况下也是有效的。
另一方面，本发明是一种离子注入装置，具有离子源，所述离子源具备：真空槽，具有冷却机构；离子生成容器，设置在前述真空槽内，使离子化气体与离子原料反应而生成离子；引出电极，设置在前述真空槽内，将在前述离子生成容器内生成的离子引出而生成离子束；以及遮蔽部件，设置在前述真空槽的内壁的内侧附近，具有用来将绝缘物对于该真空槽的内壁的附着遮挡的由导电性的金属构成的主体部；在前述遮蔽部件的主体部设置有多个突状的支承部，所述支承部与前述真空槽的内壁接触而支承前述主体部，以使该主体部相对于该真空槽的内壁分离而装设；所述离子注入装置构成为，将从该离子源释放的离子束向基板照射而注入。
此外，本发明是一种离子源的运转方法，所述离子源具有离子生成容器，所述离子生成容器设置在具有冷却机构的真空槽内，使离子化气体与离子原料反应而生成离子，所述离子源将在前述离子生成容器内生成的离子引出而生成离子束，在所述离子源中，具有在前述离子源的动作中将在前述离子生成容器内的反应的过程中作为副生成物产生且附着于前述真空槽内的绝缘膜加热的工序。
发明效果
在本发明中，由于在真空槽的内壁的内侧附近设置有遮蔽部件，所述遮蔽部件具有用来将绝缘物对于真空槽的内壁的附着遮挡的由导电性的金属构成的例如板状的主体部，所以由在离子源的离子生成容器内使离子化气体与离子原料反应而生成离子时的副生成物形成的绝缘膜不附着于真空槽的内壁，而附着于遮蔽部件的主体部的表面即内壁。
由于在该遮蔽部件的主体部设置有多个突状的支承部，所述支承部与真空槽的内壁接触而支承主体部，以使主体部相对于具有冷却机构的真空槽的内壁分离而装设，所以离子源的动作中的遮蔽部件的主体部的温度几乎不受到被冷却机构冷却的真空槽的内壁的温度的影响，而受到来自真空槽内的例如离子生成容器的辐射热的影响，保持为高温（几百℃左右）。
结果，根据本发明，附着于遮蔽部件的主体部的内壁的绝缘膜的温度也成为几百℃左右，由此绝缘膜的电阻值下降，异常放电的发生被抑制，所以与以往技术相比能够使离子源的维护的周期变长。
此外，在本发明中，遮蔽部件的突状的支承部和真空槽的内壁在多个触点接触，通过因真空槽内的温度变化而这些多个触点部分膨胀/收缩，该触点部分移动，由此能够持续长期自动地进行真空槽的内壁的氧化膜的除去（自清洁）。
另一方面，在本发明中，如果将遮蔽部件相对于真空槽拆装自如地构成，则通过从真空槽将遮蔽部件拆下，能够容易地进行维护作业。
进而，在本发明中，由于在遮蔽部件构成为当装接到真空槽内时与该真空槽的内壁导通的情况下，能够容易地使遮蔽部件的电位成为与真空槽的电位（接地电位）同等的电位，所以能够防止与真空槽的内壁之间的放电。
在此情况下，在本发明中，遮蔽部件被多个突状的支承部支承在真空槽的内壁，能够使遮蔽部件对于真空槽的内壁的接触电阻稳定而实现较高的连接可靠性，所以能够可靠地防止与真空槽的内壁之间的放电。
进而，在本发明中，在主体部形成为板状的情况下，例如可以通过进行突出成形加工而容易地设置支承部。
进而，此外在本发明中，在主体部形成为筒状的情况下，能够相对于筒状的真空槽容易地装接到其内壁的内侧附近。
附图说明
图1是表示使用本发明的离子源的离子注入装置的整体的概略结构图。
图2是表示有关本发明的离子源的一例的内部结构的部分剖视图。
图3是表示该离子源的离子生成容器的内部结构的部分剖视图。
图4（a）是表示本实施方式的遮蔽部件的主视图，图4（b）是该遮蔽部件的侧视图。
图5（a）是该遮蔽部件的主视图，图5（b）是图5（a）的A－A线剖视图。
图6（a）是表示配置有遮蔽部件的真空槽的内部结构的部分剖视图，图6（b）是表示配置有遮蔽部件的真空槽的内部结构的主视图。
图7是表示绝缘膜附着的本实施方式的离子源的内部结构的部分剖视图。
图8是表示伴随着时间经过的大气炉内的温度与绝缘膜的电阻值的关系的图表。
图9是表示大气炉内的温度与绝缘膜的电阻值的关系的图表。
图10是表示以往的离子源的一例的内部结构的部分剖视图。
具体实施方式
以下，参照附图说明本发明的实施方式。
图1是表示使用本发明的离子源的离子注入装置的整体的概略结构图。
如图1所示，依次连接后述的离子源10、行进室2、质量分析装置3、加速装置4、扫描装置5和注入室6而构成本例的离子注入装置1。
并且，该离子注入装置1构成为将离子源10、行进室2、加速装置4、注入室6由真空排气装置9a～9d分别真空排气。
在离子源10连接着后述的气体供给部12，将气体供给部12供给的气体离子化，使所生成的离子作为离子束而在行进室2的内部行进，向质量分析装置3的内部入射。
在质量分析装置3的内部，对离子束中的离子进行质量分析，使具有希望的电荷质量比的离子经过，作为离子束而向加速装置4入射。
在加速装置4中，使离子束中的正离子加速而向扫描装置5入射，扫描装置5一边对离子束的行进方向进行控制，一边向注入室6的内部入射。
在注入室6的内部，配置有多个（这里是两个）基板8，构成为，一边由上述的扫描装置5使离子束朝向多个基板8的某个的方向，将基板8的表面一片片地扫描一边照射离子，向基板8的内部注入离子。
图2是表示有关本发明的离子源的一例的内部结构的部分剖视图。
此外，图3是表示该离子源的离子生成容器的内部结构的部分剖视图。
如图2所示，本实施方式的离子源10具有由不锈钢等导电性的金属构成且例如形成为圆筒形状的真空槽10A。该真空槽10A具有通过使制冷剂（例如水）循环而冷却为规定的温度的冷却机构（未图示）。
在真空槽10A的内部，设置有使离子化气体与离子原料反应而生成离子的离子生成容器11、将在离子生成容器11内生成的离子引出而生成离子束的引出电极15和后述的遮蔽部件30。
这里，离子生成容器11被由金属构成的保持机构17保持在真空槽10A内的束释放孔10a侧的位置。
该保持机构17与安装在真空槽10A的与束释放孔10a相反侧的盖部10c一体地构成。该盖部10c由导电性的金属构成，借助绝缘子10b而相对于真空槽10A电气地绝缘。
保持机构17相对于盖部10c经由例如由导电性的金属构成的一对保持棒17a一体地安装着离子生成容器11，由此将由导电性的金属构成的离子生成容器11相对于盖部10c电气地连接。
另外，本实施方式的离子生成容器11成为相对于真空槽10A电气地绝缘的状态。
离子生成容器11形成为例如长方体的箱型形状。
本实施方式的离子生成容器11将其长度方向朝向相对于离子释放（行进）方向正交的方向而配置，在该离子释放方向P的下游侧，设置有用来从离子生成容器11内释放离子的狭缝11a。
另一方面，引出电极15在真空槽10A内设置在离子生成容器11与真空槽10A的束释放孔10a之间。
这里，引出电极15经由绝缘子13安装在真空槽10A的离子释放方向P侧的内壁10d，由此成为相对于真空槽10A电气地绝缘的状态。
在引出电极15的中央部分，设置有用来使离子束经过的束孔15a，该束孔15a配置在与离子生成容器11的狭缝11a及真空槽10A的束释放孔10a相同的轨道上。
在本实施方式中，真空槽10A被接地，构成为，从引出电源18经由真空槽10A的盖部10c及保持机构17向离子生成容器11施加相对于接地电位为正的电压，从加速电源19向引出电极15施加相对于接地电位为负的电压。
如图3所示，在离子生成容器11的离子释放方向P的上游侧，设置有用来供给例如由三氟化磷（PF3）构成的离子化气体的上述气体供给部12。
本实施方式的气体供给部12经由气体导入管12a与气体供给管12b连接，所述气体供给管12b设置在离子生成容器11的离子释放方向P的上游侧，向离子生成容器11内导入离子化气体。
在离子生成容器11内的与离子释放方向P正交的方向的一方的壁部，设置有借助由热阴极进行的加热而释放热电子的热电子释放部20，此外在与离子释放方向P正交的方向的另一方的壁部，设置有对置反射电极（反射极）16，所述对置反射电极16以与热电子释放部20对置的方式设置，构成为成为负电位。
在本实施方式中，由例如有底圆筒形状的阴极部21和设置在阴极部21的内部的背面侧且与电源24连接的丝（filament）22构成热阴极。这里，阴极部21使用例如由钨（W）构成者。
另一方面，在阴极部21的周围设置有离子原料部件23。
该离子原料部件23例如由氮化铝（AlN）构成，设置为将阴极部21的周围包围且被阴极部21加热。
另一方面，在本实施方式中，在真空槽10A内的内壁10d的内侧附近设置有遮蔽部件30。
图4（a）、图4（b）及图5（a）、图5（b）是表示本实施方式的遮蔽部件的图，图4（a）是主视图，图4（b）是侧视图，图5（a）是主视图，图5（b）是图5（a）的A－A线剖视图。
此外，图6（a）、图6（b）是表示将遮蔽部件配置在真空槽内的状态的图，图6（a）是表示内部结构的部分剖视图，图6（b）是表示内部结构的主视图。另外，在图6（a）、图6（b）中，离子生成容器被拆下。
本实施方式的遮蔽部件30例如由不锈钢等导电性的金属构成，具有例如形成为圆筒形状的主体部31，在该主体部31的外侧面隔开规定的间隔设置有多个支承部32。
遮蔽部件30的主体部31通过使例如矩形状的金属板弯曲形成为圆筒形状而得到。
在本实施方式的情况下，遮蔽部件30的主体部31形成为，其外径具有比真空槽10A的内径稍小的外径（参照图6（a）、图6（b））。
并且，在主体部31的外侧面，设置有以向圆筒的外侧突出的方式形成的多个突状的支承部32。
该支承部32与真空槽10A的内壁10d接触而支承主体部，以使遮蔽部件30的主体部31相对于真空槽10A的内壁10d分离而装设。
该支承部32可以通过对例如由板状的部件构成的主体部31进行例如突出成形加工而容易地设置。
在本实施方式的情况下，遮蔽部件30在使例如矩形状的金属板弯曲而成为圆筒形状后，通过在该状态下向真空槽10A的内部插入而能够容易地配置到真空槽10A内。
在此情况下，如果构成为，使遮蔽部件30的主体部31弯曲、不使两端部接合地成为圆筒形状并向真空槽10A的内部插入，借助由主体部31的弹性带来的复原力使多个支承部32的顶部32a与真空槽10A的内壁10d分别接触，则能够容易地将遮蔽部件30以固定在真空槽10A的内部的状态装设（参照图6（a）、图6（b））。
当然，也可以构成为，将遮蔽部件30的主体部31的两端部接合而一体地形成为圆筒形状。
此外，在本实施方式的情况下，遮蔽部件30可以构成为相对于真空槽10A拆装自如。
遮蔽部件30的支承部32例如形成为同等的高度，设置为，在遮蔽部件30被配置在真空槽10A内的情况下各自的顶部32a与真空槽10A的内壁10d点接触（以微小的面积接触）。
并且，由此遮蔽部件30的主体部31的外表面的各部分相对于真空槽10A的内壁10d以规定的距离均匀地分离，构成为不与真空槽10A的内壁10d接触。
另外，遮蔽部件30构成为，在配置在真空槽10A内的情况下与真空槽10A的内壁10d导通。
另外，本实施方式的遮蔽部件30以将真空槽10A的内壁10d的大致全域覆盖的方式设置。
在这样的结构中，如果从图2所示的引出电源18及加速电源19施加规定的电压，从气体供给部12经由气体导入管12a及气体供给管12b向离子生成容器11内导入氟类气体（PF3），在离子生成容器11内生成等离子体，则氮化铝与氟类气体反应而产生铝（Al）的离子。
并且，产生的铝的离子被从狭缝11a释放，进而经由带电为负电位的引出电极15的束孔15a及真空槽10A的束释放孔10a作为离子束被从真空槽10A释放。
在此情况下，在上述的反应过程中，作为副生成物而以气体状态产生氟化铝（AlFx）。
该氟化铝如图7所示，在真空槽10A内，主要在离子生成容器11的附近的遮蔽部件30的主体部的内壁31a和引出电极15的表面15b，分别作为绝缘膜60、61附着。
本发明是即使在真空槽10A内存在这样的绝缘膜60、61也防止异常放电的发明。
首先，在铝离子的生成反应中发生异常放电的机理一般也可以考虑是以下这样的。
即，在上述的反应过程中，如果在真空槽（未图示）的内部，例如在真空槽的内壁形成由反应副生成物构成的绝缘膜（未图示），则相对于该绝缘膜而带电粒子碰撞而发生充电。
并且，当借助该充电而到达了绝缘膜的耐电压极限的时点，在绝缘膜发生微小的绝缘破坏。
结果，从绝缘膜喷出的气体及带电粒子成为诱因，发生因施加于真空槽的引出电压而瞬时地短路的现象。
本发明者对发生了上述异常放电的图10所示的有关以往技术的真空槽51的内部详细地进行观察，判明了在附着于引出电极53的绝缘膜161没有发生异常放电，仅在附着于真空槽51的内壁10d的绝缘膜160发生异常放电（确认了放电痕迹）。
这里，本发明者认为，这样的异常放电的有无的原因起因于绝缘膜160、161的温度。
即，在动作中的真空槽51内，引出电极53的温度为比500℃高的温度状态，另一方面，真空槽51的内壁10d被冷却，所以其温度成为比100℃低的温度。
结果，在引出电极53的表面形成的绝缘膜161的温度比在真空槽51的内壁10d形成的绝缘膜160的温度高，所以具有导电性，认为可能没有发生充电。
所以，本发明者将形成于引出电极53的表面的绝缘膜161（厚度410μm）配置到大气炉内而加热，测量其电阻值。将其结果表示在图8、图9中。
如从图8、图9可以理解那样，绝缘膜161的电阻值在400℃至600℃的范围中较大地变化，具体而言，判明有随着从400℃起温度变高而电阻值下降的趋势。
所以，本发明者基于这样的知识，为了提高本实施方式的附着于真空槽10A内的绝缘膜60的温度，在图2所示的离子源10的真空槽10A内设置了上述的遮蔽部件30。
并且，使这样的结构的离子源10在与有关以往技术的离子源50相同的条件下产生铝离子，释放出离子束。
结果，如图7所示，在真空槽10A内，虽然在遮蔽部件30的主体部31的内壁31a和引出电极15的表面15b形成了绝缘膜60、61，但是上述异常放电的发生频度大幅地下降。
这是由以下这样的作用带来的。
如上述那样，本实施方式的遮蔽部件30通过设置于主体部31的多个支承部32的顶部32a与真空槽10A的内壁10d点接触而被装设在真空槽10A内。
因此，遮蔽部件30的主体部31的温度几乎不受到被冷却机构冷却的真空槽10A的内壁10d的温度（不到100℃）的影响，而受到来自真空槽10A内的例如离子生成容器11的辐射热的影响，保持为高温。
对于这一点，本发明者测量了本实施方式的离子源10的动作中的遮蔽部件30的温度，确认了为400℃以上。
由此，在本实施方式中，附着于遮蔽部件30的主体部31的内壁31a的绝缘膜60的温度也成为400℃以上，由此可以认为绝缘膜60的电阻值下降而异常放电的发生被抑制。
并且，结果与以往技术相比使离子源10的维护的周期变长（2倍左右）。
在以上所述的本实施方式中，由于在真空槽10A的内壁10d的内侧附近设置有遮蔽部件30，所述遮蔽部件30具有用来将绝缘物对于真空槽10A的内壁10d的附着遮挡的由导电性的金属构成的板状的主体部31，所以由在离子源10的离子生成容器11内使离子化气体与离子原料反应而生成离子时的副生成物形成的绝缘膜60不附着于真空槽10A的内壁10d，而附着于遮蔽部件30的主体部31的表面即内壁31a。
由于在该遮蔽部件30的主体部31，设置有多个突状的支承部32，所述支承部32与真空槽10A的内壁10d接触而支承主体部31以使主体部31相对于具有冷却机构的真空槽10A的内壁10d分离而装设，所以离子源10的动作中的遮蔽部件30的主体部31的温度几乎不受到被冷却机构冷却的真空槽10A的内壁10d的温度的影响，而受到来自真空槽10A内的例如离子生成容器11的辐射热的影响，保持为高温（几百℃左右）。
结果，根据本实施方式，附着于遮蔽部件30的主体部31的内壁31a的绝缘膜60的温度也成为几百℃左右，由此绝缘膜60的电阻值下降，异常放电的发生被抑制，所以与以往技术相比能够使离子源10的维护的周期变长。
此外，在本实施方式中，遮蔽部件30的突状的支承部32和真空槽10A的内壁10d在多个触点接触，通过因真空槽10A内的温度变化而这些多个触点部分膨胀/收缩，该触点部分移动，由此能够持续长期自动地进行真空槽10A的内壁10d的氧化膜的除去（自清洁）。
此外，在本实施方式中，如果将遮蔽部件30相对于真空槽10A拆装自如地构成，则通过从真空槽10A将遮蔽部件30拆下，能够容易地进行维护作业。
进而，在本实施方式中，由于构成为，遮蔽部件30在装接于真空槽10A内时与真空槽10A的内壁10d导通，所以能够容易地使遮蔽部件30的电位成为与真空槽10A的电位（接地电位）同等的电位，所以能够防止与真空槽10A的内壁10d之间的放电。
在此情况下，在本实施方式中，遮蔽部件30被多个突状的支承部32支承在真空槽10A的内壁10d，能够使遮蔽部件30对于真空槽10A的内壁10d的接触电阻稳定而实现较高的连接可靠性，所以能够可靠地防止与真空槽10A的内壁10d之间的放电。
另外，本发明并不限于上述的实施方式，能够进行各种变更。
例如，在上述实施方式中，取真空槽是圆筒形状且遮蔽部件也是圆筒形状的情况为例进行了说明，但本发明并不限于此，例如在真空槽的形状是角筒形状的情况下，遮蔽部件的形状也只要匹配于真空槽的形状而形成为角筒形状就可以。
此外，在上述实施方式中，以将真空槽的内壁的大致全域覆盖的方式设置遮蔽部件，但也可以以仅将例如绝缘膜容易附着的区域覆盖的方式设置。
进而，在上述实施方式中，取在使氮化铝等与PF3反应的情况下作为副生成物而产生氟化铝的情况为例进行了说明，但本发明并不限于此，例如也能够应用于在使氮化硼（BN）与BF3反应的情况下作为副生成物而产生氟化硼的情况。
附图标记说明
1……离子注入装置
10……离子源
10A……真空槽
10c……盖部
10d……内壁
11……离子生成容器
12……气体供给部
15……引出电极
18……引出电源
19……加速电源
30……遮蔽部件
31……主体部
31a……内壁31
32……支承部
32a……顶部
60、61……绝缘膜。

Claims (7)

1.一种离子源，其特征在于，
具备：
真空槽，具有冷却机构；
离子生成容器，设置在前述真空槽内，使离子化气体与离子原料反应而生成离子；
引出电极，设置在前述真空槽内，将在前述离子生成容器内生成的离子引出而生成离子束；以及
遮蔽部件，设置在前述真空槽的内壁的内侧附近，具有用来将绝缘物对于该真空槽的内壁的附着遮挡的由导电性的金属构成的主体部；
在前述遮蔽部件的主体部设置有多个突状的支承部，所述支承部与前述真空槽的内壁接触而支承前述主体部，以使该主体部相对于该真空槽的内壁分离而装设。
2.如权利要求1所述的离子源，其特征在于，
前述遮蔽部件相对于前述真空槽拆装自如地构成。
3.如权利要求1所述的离子源，其特征在于，
前述遮蔽部件构成为，当装设到前述真空槽内时与该真空槽的内壁导通。
4.如权利要求1或2所述的离子源，其特征在于，
前述遮蔽部件其前述主体部由板状的部件构成。
5.如权利要求1或2所述的离子源，其特征在于，
前述遮蔽部件其前述主体部形成为筒状。
6.一种离子注入装置，其特征在于，
具有离子源，所述离子源具备：真空槽，具有冷却机构；离子生成容器，设置在前述真空槽内，使离子化气体与离子原料反应而生成离子；引出电极，设置在前述真空槽内，将在前述离子生成容器内生成的离子引出而生成离子束；以及遮蔽部件，设置在前述真空槽的内壁的内侧附近，具有用来将绝缘物对于该真空槽的内壁的附着遮挡的由导电性的金属构成的主体部；在前述遮蔽部件的主体部设置有多个突状的支承部，所述支承部与前述真空槽的内壁接触而支承前述主体部，以使该主体部相对于该真空槽的内壁分离而装设；
所述离子注入装置构成为，将从该离子源释放的离子束向基板照射而注入。
7.一种离子源的运转方法，其特征在于，所述离子源具有离子生成容器，所述离子生成容器设置在具有冷却机构的真空槽内，使离子化气体与离子原料反应而生成离子，所述离子源将在前述离子生成容器内生成的离子引出而生成离子束，在所述离子源中，
具有在前述离子源的动作中将在前述离子生成容器内的反应的过程中作为副生成物产生且附着于前述真空槽内的绝缘膜加热的工序。
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