CN110998340B - 在空腔中检测微波场的方法及设备 - Google Patents

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Abstract

一种用于转送微波空腔中的微波场强度的设备。在一些实施方式中，所述设备包括微波可穿透的基板，所述微波可穿透的基板具有至少一个射频(RF)检测器，所述RF检测器能够检测微波场并产生信号，所述信号与检测到的所述微波场的微波场强度相关联，及传送器，所述传送器从所述RF检测器接收与检测到的所述微波场相关联的所述信号，并传送或储存关于检测到的所述微波场强度的信息。在一些实施方式中，所述设备通过位于所述RF检测器附近的有线、无线或光学传送器来转送所述微波强度。

Description

在空腔中检测微波场的方法及设备
技术领域
本原理的实施方式总体上关于半导体制造系统中使用的半导体处理腔室。
背景技术
举例而言，微波在半导体处理中用来退火、清洁、固化及脱气。微波可用来批量处理单个晶片及/或多个晶片。产生微波并使用波导以将微波传送到空腔中。空腔及空腔内的任何晶片支撑件或其他结构影响微波的分布。空腔中可形成驻波(standing waves)或微波分布可能不均匀。驻波及不均匀性两者都会对空腔中的晶片处理产生负面影响。
因此，发明人开发了一种改进的微波检测器及检测空腔中的微波的方法。
发明内容
在一些实施方式中，一种用于识别在微波腔室中的微波能量的特性的设备包括：微波可穿透的基板，所述微波可穿透的基板具有：至少一个射频(RF)检测器，所述RF检测器能够检测微波场并产生信号，所述信号与检测到的微波场的场强度相关联；及传送器，所述传送器从所述RF检测器接收与所述检测到的微波场相关联的所述信号，并传送关于所述检测到的微波场强度的信息。
在一些实施方式中，一种用于识别在微波腔室中的微波能量的特性的设备包括：微波可穿透的基板，所述微波可穿透的基板具有：至少一个射频(RF)检测器，所述RF检测器能够检测微波场并产生信号，所述信号与所述微波场的微波场强度相关联；及至少一个发光二极管(LED)，所述至少一个LED电性耦合至所述至少一个RF检测器，其中所述LED基于从所述RF检测器接收到的与所述微波场的所述微波场强度相关联的所述信号，持续地发射微波场强度的视觉指示。
在一些实施方式中，一种用于处理半导体的半导体处理腔室包括：用于处理半导体基板的微波空腔，所述微波空腔包括：至少一个微波可穿透的基板，所述微波可穿透的基板内部地安装至所述微波空腔，所述微波可穿透的基板具有：至少一个射频(RF)检测器，所述RF检测器能够检测微波场并产生信号，所述信号与所述微波场的微波场强度相关联；及传送器，所述传送器从所述RF检测器接收与所述微波场相关联的所述信号，并传送关于所述微波场强度的信息。
附图说明
通过参考在附图中描绘的原理的说明性实施方式，可理解以上简要概述并在下方更详细讨论的本原理的实施方式。然而，附图仅绘示原理的典型实施方式，且因此附图不被认为是对范围的限制，因为所述原理可允许其他等效的实施方式。
图1根据本原理的一些实施方式描绘了微波强度检测单元。
图2根据本原理的一些实施方式描绘了有线微波强度检测单元。
图3根据本原理的一些实施方式描绘了无线微波强度检测单元。
图4根据本原理的一些实施方式描绘了具有存储器的微波强度检测单元。
图5根据本原理的一些实施方式描绘了原位(in situ)微波强度检测单元。
图6根据本原理的一些实施方式描绘了三维微波强度检测单元。
为了促进理解，尽可能地使用相同的元件符号来表示绘图中共有的相同元件。所述绘图并非按比例绘制，并且可能为了清晰起见而被简化。一个实施方式的元件及特征可有益地并入其他实施方式中而无需进一步叙述。
具体实施方式
微波在半导体工艺中用于辅助脱气、清洁、固化及退火。为了使这些工艺产生均匀的结果，微波场在基板正在被处理的空腔内应该是均匀的。基于本原理的方法及设备有利地允许调整空腔内的微波场。在一些实施方式中，微波强度检测单元(microwaveintensity detection unit，MIDU)被放置在空腔内以撷取空腔中的微波场强度(瓦特/米)。MIDU连续地转送(relay)关于微波场强度的信息。MIDU可以有利地用于空腔中，所述空腔可具有或不具有待处理的半导体基板。MIDU亦可永久结合到微波空腔中。MIDU的一些实施方式可在大约2GHz至8GHz的频率范围上操作。一些实施方式覆盖较小的频带，且一些实施方式覆盖关于MIDU将在其中使用的特定微波空腔的频率。
MIDU的连续检测能力有利地允许随着时间检测微波场强度的变化。由MIDU取得的微波场强度信息亦有利地允许半导体腔室匹配。通过监视整个微波空腔中的微波场强度等级并进行微波波长调整，MIDU亦有利地提供一种调整或移除微波空腔的驻波的方式。微波空腔(例如半导体腔室)的适当调整提供了更均匀的微波场，此举有利地在半导体腔室中提供更均匀的处理。
在一些实施方式中，如图1所示，MIDU100可包括微波可穿透的基板102，所述微波可穿透的基板具有射频(RF)检测器104。RF检测器基于所检测到的微波场强度来产生信号。所述信号可以是基于电压的信号及/或基于电流的信号和类似物。在一些实施方式中，RF检测器可产生数字信号。在一些实施方式中，RF检测器可覆盖大约2GHz至大约8GHz的频率范围。在一些实施方式中，RF检测器可覆盖大约2GHz至大约4GHz的频率范围。在其他实施方式中，RF检测器可覆盖大约6GHz至大约8GHz的频率范围。RF检测器可连续地产生微波场强度信号。当测量微波场强度的同时，微波可穿透的基板102使得MIDU对微波空腔内的微波场的可能影响最小化。
在一些实施方式中，RF检测器104与发光二极管(LED)106及/或其他照明源(例如白炽灯泡和类似物)接口连接。LED106提供照明源以在视觉上指示(“视觉指示”)微波空腔内的微波场强度。LED照度等级受到RF检测器104的输出信号的影响。来自LED106的照明量可反映由RF检测器所检测到的微波场强度的大小。LED 106基于由RF检测器提供的已产生的信号而连续地改变照明。LED 106亦可以在可见光谱之外操作，例如在红外光谱或其他光谱中操作，所述光谱可由诸如全光谱照相机和类似装置来监视或记录。
在一些实施方式中，照相机用来监视或记录由LED 106提供的照明。可配有照相机来撷取可见光谱及/或其他光谱(例如红外光谱)中的照明。照相机可以连续且实时地记录来自LED 106的照明。照相机也可用于定期记录数据。实时的及/或记录的视觉或非视觉光谱信息可用于调整微波空腔以更均匀地分布微波场强度及/或与其他设备匹配。在对微波空腔进行调整之后，MIDU100可撷取更多的微波场强度信息以验证所述调整对微波场有适当的影响。类似地，MIDU100可与现有的微波空腔一起用作健康检查，以验证微波空腔仍在正确的参数内操作。
若有视觉透明的面板可供观看，MIDU100亦可使用或不使用照相机。在微波空腔的操作期间，操作者可观察MIDU100的微波场强度变化来取代照相机。若无视觉透明的面板供观看或照相机记录，则可将照相机放置在微波空腔附近或内部，使得照相机对空腔内的微波场的影响可忽略或显著降低。
在一些实施方式中，不同波长(色谱)可用于LED照明。不同的波长可用来区分场强度及/或场频率。可将多个MIDU阵列安装到微波可穿透的基板102，其中一或多个MIDU具有检测不同微波频率的RF检测器。例如，具有以2GHz频率操作的RF检测器的MIDU可在绿色光谱中发光，而具有以4GHz频率操作的RF检测器的MIDU可在蓝色光谱中发光。多个检测频率允许弹性地使用阵列，所述阵列具有以不同频率操作的不同微波空腔。阵列中的MIDU数量也可根据微波空腔尺寸进行调整。在一些实施方式中，MIDU可非永久性地安装到微波可穿透的基板102，允许MIDU在不同情况下移除及/或安装。所述非永久性允许在不同的环境中使用不同的配置。不同的配置可包括增加更多或更少的MIDU，或基于对于给定任务的MIDU的频率响应性来选择MIDU。
在如图2所描绘的一些实施方式中，MIDU200可包括RF检测器104及传送器206。传送器206从RF检测器104接收所产生的信号，并将信号及/或关于所述信号的信息转送到远程位置。在一些实施方式中，传送器206经由传送电缆208电性连接到外部位置。外部位置可包括数据采集单元，所述数据采集单元通过传送电缆208接收并记录由传送器206转送的实时信息。传送电缆208是代表性的，并可由耦合到一个传送器或多个传送器的一或多个电缆所构成。传送电缆208可在微波空腔内部被路由(routed)到现有的端口以穿透微波空腔并到达远程位置。
传送器206可使用传送电缆208上的模拟及/或数字信号来转送关于由RF检测器104所检测到的微波场强度的信息。在一些实施方式中，传送器206可包括放大器以放大从RF检测器104接收到的信号。传送器206接着实时地将放大的信号转送到远程位置。在一些实施方式中，传送器206可包括模拟至数字转换器(ADC)。传送器206可将从RF检测器接收到的信号转换成数据。取决于转换过程的潜时，传送器206亦可在通过传送电缆208将数据传输到远程位置之前，对数据进行加时间戳。传送器206亦可包括RF检测器104、传送器206及/或MIDU和类似物的标识(ID)。标识信息可在开始或以定期间隔发送一次，或者每次发送数据时发送一次。ID信息可用来判定所接收到的微波场强度数据的位置，特别是当在阵列配置中使用MIDU时。在微波可穿透的基板102上的多个MIDU位置可被映像到微波空腔内的位置。在一些实施方式中，单个传送器可连接到另一个RF检测器。当单个传送器与多个RF检测器一起使用时，RF检测器的ID信息可用来定位微波空腔中微波场强度数据发源地的位置。
在一些实施方式中，如图3所示，MIDU300可包括无线传送器306，所述无线传送器与RF检测器104接口连接。无线传送器306允许微波可穿透的基板102位于微波空腔内而不必用电缆穿透空腔以传送关于微波场强度的信息。无线传送器306将来自RF检测器104的微波场强度信息连续地转送到微波空腔外部的远程位置及/或容纳微波空腔的半导体处理设备中的另一个位置。在一些实施方式中，MIDU300包括无线传送器306中的ADC，以在无线地转送信息之前将从RF检测器104接收到的信号转换成数据。由于MIDU是无线的，故微波可穿透的基板可放置在微波空腔内的任何位置及/或位于微波空腔内的结构上，所述结构例如晶片支撑件，所述晶片支撑件在使用微波和类似物的半导体处理期间可保持晶片。
在一些实施方式中，如图4所示，MIDU400可包括RF检测器104、传送器406、存储器410及选择性的数据端口412。在一些微波空腔环境中，有线及无线传送器可能不实用。MIDU400包括存储器410，所述存储器储存微波场强度信息以便后续取回。传送器406通常包括ADC以将来自RF检测器104的信号转换成数据。传送器406被电性连接到存储器410及储存数据到存储器410中。当数据储存在存储器410中时，传送器406亦可对数据进行加时间戳及/或使数据包含ID信息(如上所述)。存储器410可电性连接到微波可穿透的基板102上的单个传送器或多个传送器，且可通过所述单个传送器或多个传送器来存取存储器410。数据连续地储存在存储器410上，直到MIDU400从微波空腔移除。在从空腔移除MIDU400之后，储存在存储器410上的数据可通过电性连接到存储器410及/或传送器406的选择性数据端口412来取回。在一些实施方式中，传送器406可包括无线功能，所述无线功能可以被触发以存取存储器410中的数据并无线地转送所取回的资料。
图5图示了具有微波空腔502的半导体处理腔室500。具有微波可穿透的基板504上的RF检测器阵列506的MIDU510位于微波空腔502内部。随着RF检测器阵列506暴露于微波场，微波场强度激发相关位置中的RF检测器，此举顺次又从相关的RF检测器产生微波场强度信号。所述信号接着被连续发送及/或储存。微波可穿透的基板504可定向在微波空腔502中的任何轴上。图5亦绘示选择性的RF检测器508，RF检测器508可永久地或暂时地独立安装在微波空腔502内及/或安装在微波空腔内的结构之内或之上。选择性的RF检测器508亦可包括传送器及/或存储器。
在某些情况下，微波场强度可能在同时于多个平面上进行测量时很有用。在一些实施方式中，处于类似立方体配置的MIDU600可包括RF检测器604、606、608，所述RF检测器位于MIDU600的一或多个不同侧面上。RF检测器604、606、608安装在三维的微波可穿透的材料602上。所述三维的长度可能不相等。RF检测器604检测入射到Y610/Z614平面的微波场。RF检测器606检测入射到X612/Z614平面的微波场。RF检测器608检测入射到X612/Y610平面的微波场。在一些实施方式中，多个RF检测器安装在微波可穿透的材料602的一或多个侧面上。在一些实施方式中，至少一个RF检测器接收至少两个维度中的微波场。在一些实施方式中，存储器及/或传送器可在内部安装到微波可穿透的材料602以连续地发射及/或储存来自一或多个RF检测器的微波场强度。
尽管前述内容针对本原理的实施方式，但可在不脱离其基本范围的情况下设计本原理的其他及进一步的实施方式。

Claims (13)

1.一种用于识别在微波腔室中的微波能量的特性的设备，所述设备包括：
微波可穿透的基板，所述微波可穿透的基板具有：
至少一个射频(RF)检测器，所述RF检测器被配置为连续地检测在至少一个频率范围内的微波场并连续地产生至少一个信号，所述至少一个信号与检测的微波场强度相关联；
模拟至数字转换器，所述模拟至数字转换器电性耦合到所述至少一个RF检测器，所述模拟至数字转换器将与检测的所述微波场强度相关联的所述至少一个信号转换成数据；及
传送器，所述传送器电性耦合到所述模拟至数字转换器以从所述模拟至数字转换器接收所述数据并传送所述数据，所述数据反映微波场强度随时间的连续变化。
2.如权利要求1所述的设备，其中所述传送器实时地将所述检测的微波场强度传送至微波空腔之外的远程位置。
3.如权利要求1所述的设备，其中所述至少一个RF检测器接收在至少两个维度平面中的微波场。
4.如权利要求1所述的设备，所述设备进一步包括：
存储器，所述存储器电性耦合至所述传送器，且其中所述传送器将所述数据储存在所述存储器上。
5.如权利要求1所述的设备，其中在传送所述数据之前，所述传送器以时间标签或标识来标记所述数据。
6.一种用于识别在微波腔室中的微波能量的特性的设备，所述设备包括：
微波可穿透的基板，所述微波可穿透的基板具有：
至少一个射频(RF)检测器，所述RF检测器被配置为连续地检测在至少一个频率范围内的微波场并连续地产生至少一个数字信号，所述至少一个数字信号与检测的微波场强度相关联；及
至少一个发光二极管(LED)，所述至少一个LED电性耦合至所述至少一个RF检测器，其中所述至少一个LED基于从所述RF检测器接收到的与所述检测的微波场强度相关联的所述至少一个数字信号，持续地发射微波场强度的视觉指示并连续地改变照明。
7.如权利要求6所述的设备，所述设备进一步包括：
照相机，所述照相机位于远离所述微波可穿透的基板处，其中所述照相机监视或记录来自所述微波可穿透的基板的至少一个视觉指示。
8.如权利要求6所述的设备，其中所述至少一个RF检测器接收在至少两个维度平面中的微波场，且所述至少一个LED对于相关联的维度平面提供微波场强度的视觉指示。
9.一种用于处理半导体的半导体处理腔室，所述半导体处理腔室包括：
用于处理半导体基板的微波空腔，所述微波空腔包括：
至少一个微波可穿透的基板，所述微波可穿透的基板内部地安装至所述微波空腔，所述微波可穿透的基板具有：
至少一个射频(RF)检测器，所述RF检测器被配置为连续地检测在至少一个频率范围内的微波场并连续地产生至少一个信号，所述至少一个信号与检测的微波场强度相关联；
模拟至数字转换器，所述模拟至数字转换器电性耦合到所述至少一个RF检测器，所述模拟至数字转换器将由所述RF检测器所检测到的所述微波场强度转换成数据；及
传送器，所述传送器电性耦合到所述模拟至数字转换器以从所述模拟至数字转换器接收所述数据并传送所述数据，所述数据反映微波场强度随时间的连续变化。
10.如权利要求9所述的半导体处理腔室，所述半导体处理腔室进一步包括：
存储器，所述存储器电性耦合至所述传送器，且其中所述传送器将所述数据储存在所述存储器上。
11.如权利要求9所述的半导体处理腔室，其中所述至少一个RF检测器接收在至少两个维度平面中的微波场。
12.如权利要求9所述的半导体处理腔室，其中所述至少一个微波可穿透的基板之中至少一个具有RF检测器阵列，以接收在至少一个维度平面中的微波场。
13.如权利要求9所述的半导体处理腔室，其中所述传送器实时地将所述数据传送至所述微波空腔之外的远程位置。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10698015B2 (en) * 2017-10-11 2020-06-30 Rey Dandy Provido Lachica Systems and methods to facilitate detecting an electromagnetic radiation in a space by using a self-powered radio frequency device (SP-RF device)

Family Cites Families (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2602828A (en) 1947-04-29 1952-07-08 Rca Corp Radio-frequency power measuring system
US3693084A (en) 1969-06-17 1972-09-19 Bendix Corp Method and apparatus for detecting microwave fields
US4207518A (en) * 1978-03-06 1980-06-10 General Microwave Corporation Broadband radiation detector with diode elements
GB2130442B (en) * 1982-09-28 1986-06-25 Secr Defence Barretter elements
GB2204703A (en) * 1987-04-09 1988-11-16 Secr Defence Microwave radiation detector
US5109595A (en) 1989-03-30 1992-05-05 Luxtron Corporation Method of making a fiberoptic sensor of a microwave field
US5110216A (en) 1989-03-30 1992-05-05 Luxtron Corporation Fiberoptic techniques for measuring the magnitude of local microwave fields and power
JPH09269301A (ja) * 1996-03-29 1997-10-14 Oji Paper Co Ltd マイクロ波による配向性測定装置
US6642593B2 (en) 1999-12-27 2003-11-04 Texas Instruments Incorporated Microelectromechanical switch
JP2002058659A (ja) * 2000-08-18 2002-02-26 Micro Wave Lab:Kk マイクロ波微動センサー
JP3993561B2 (ja) * 2001-10-24 2007-10-17 東京エレクトロン株式会社 壁フィルムをモニターするための方法と装置
US20040127030A1 (en) * 2002-12-31 2004-07-01 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for monitoring a material processing system
JP2006322869A (ja) 2005-05-20 2006-11-30 Micro Denshi Kk マイクロ波の検出装置
TWI547999B (zh) 2007-09-17 2016-09-01 Ｄｓｇｉ公司 微波退火半導體材料的系統及方法
JP2009174929A (ja) 2008-01-23 2009-08-06 Oji Paper Co Ltd 高周波特性測定装置
CN101245925A (zh) * 2008-03-21 2008-08-20 美的集团有限公司 微波电磁场腔体开口孔径的屏蔽结构
JP2010021824A (ja) 2008-07-11 2010-01-28 Micro Denshi Kk マイクロ波可視センサー
CN101368907A (zh) * 2008-07-14 2009-02-18 马义才 一种基于cmos图像传感器的量子点标记试条定量检测系统
JP5737672B2 (ja) * 2008-07-28 2015-06-17 国立大学法人金沢大学 電波強度計測装置および電波強度計測システム
US8265484B2 (en) * 2009-12-15 2012-09-11 Broadcom Corporation RF signal transport over passive optical networks
US9342716B2 (en) * 2010-02-04 2016-05-17 Carefusion 303, Inc. Software-defined multi-mode RFID read devices
CN201813577U (zh) * 2010-06-21 2011-04-27 黄铭 调节微波加热器内场强分布的装置
US20120126832A1 (en) * 2010-11-22 2012-05-24 Raymond Jensen Sensor Assembly And Methods Of Measuring A Proximity Of A Machine Component To A Sensor
US9018110B2 (en) 2011-04-25 2015-04-28 Applied Materials, Inc. Apparatus and methods for microwave processing of semiconductor substrates
GB201207714D0 (en) 2012-05-02 2012-06-13 Univ Heriot Watt Microwave cavity sensor
JP2014032766A (ja) * 2012-08-01 2014-02-20 Tokyo Electron Ltd マイクロ波照射装置
KR101545294B1 (ko) 2012-11-30 2015-08-19 한화테크윈 주식회사 마이크로파 센서
JP6689208B2 (ja) 2014-06-06 2020-04-28 シーティーエス・コーポレーションＣｔｓ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ 無線周波数状態変化測定システム及び方法
CN104793163B (zh) * 2014-12-26 2017-11-21 中国舰船研究设计中心 一种电磁混响室场强分布特性自动校准方法
CN107624266B (zh) * 2015-04-10 2022-11-18 丹麦科技大学 用于微波炉的微波供电传感器组件
CN105866742B (zh) * 2016-05-27 2018-10-23 成都信息工程大学 一种炮弹爆点定位系统及定位方法

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