CN110993811A - 显示装置 - Google Patents
显示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN110993811A CN110993811A CN201910948707.8A CN201910948707A CN110993811A CN 110993811 A CN110993811 A CN 110993811A CN 201910948707 A CN201910948707 A CN 201910948707A CN 110993811 A CN110993811 A CN 110993811A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- sealing portion
- substrate
- display device
- dummy
- region
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 230
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 135
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 22
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 22
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 claims description 11
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims description 6
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 197
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 38
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 14
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 description 13
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 9
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 8
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 7
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 6
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 6
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 5
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N dialuminum;dizinc;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3].[Zn+2].[Zn+2] JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- 238000010943 off-gassing Methods 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 2
- 239000003870 refractory metal Substances 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- SKRWFPLZQAAQSU-UHFFFAOYSA-N stibanylidynetin;hydrate Chemical compound O.[Sn].[Sb] SKRWFPLZQAAQSU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001182 Mo alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HRHKULZDDYWVBE-UHFFFAOYSA-N indium;oxozinc;tin Chemical compound [In].[Sn].[Zn]=O HRHKULZDDYWVBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920001955 polyphenylene ether Polymers 0.000 description 1
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 description 1
- 238000007665 sagging Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229920006337 unsaturated polyester resin Polymers 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/871—Self-supporting sealing arrangements
- H10K59/8722—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/842—Containers
- H10K50/8426—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
- C23C14/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/8794—Arrangements for heating and cooling
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/88—Dummy elements, i.e. elements having non-functional features
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
- H10K71/166—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using selective deposition, e.g. using a mask
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Geometry (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
Abstract
提供了一种显示装置。所述显示装置包括:第一基底,包括显示区域和非显示区域;显示元件,在显示区域中设置在第一基底上;第一密封部分,在非显示区域中设置在第一基底上;第二基底,在厚度方向上面对第一基底;孔,在显示区域中沿厚度方向通过第一基底和第二基底限定;以及第二密封部分,设置在第一基底与第二基底之间并包围孔。
Description
本申请要求于2018年10月2日在韩国知识产权局(KIPO)提交的第10-2018-0117578号韩国专利申请的优先权,该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。
技术领域
本发明的示例性实施例涉及一种显示装置,更具体地,涉及一种具有通孔的显示装置。
背景技术
与阴极射线管(CRT)装置相比,平板显示(FPD)装置具有减小的重量和体积的优点。这种FPD装置的示例包括液晶显示(LCD)装置、场发射显示(FED)装置、等离子体显示面板(PDP)装置和有机发光二极管(OLED)显示装置。
发明内容
本发明的示例性实施例涉及一种具有通孔的显示装置。
根据示例性实施例,显示装置包括:第一基底,包括显示区域和非显示区域;显示元件,设置在第一基底的显示区域中;第一密封部分,设置在第一基底的非显示区域中;第二基底,在第一方向上面对第一基底;孔,在显示区域中沿第一方向通过第一基底和第二基底限定;以及第二密封部分,设置在第一基底与第二基底之间并包围孔。
在示例性实施例中,第一基底还包括定位在第一密封部分与第二密封部分之间的虚设区域。
在示例性实施例中,虚设区域定位在第二密封部分与第一密封部分的最靠近第二密封部分设置的一侧之间。
在示例性实施例中,虚设区域具有包括四条边的多边形形状。
在示例性实施例中,虚设区域的沿着第一密封部分的长边彼此面对所沿的第二方向设置的第三边和第四边中的每条边具有曲线形状,并且虚设区域的沿着第一密封部分的短边彼此面对所沿的第三方向设置的第一边和第二边分别具有直线形状和曲线形状。
在示例性实施例中,第三边与第四边之间的距离沿着第三方向从第一密封部分的最靠近第二密封部分设置的所述一侧朝向第二密封部分逐渐增加。
在示例性实施例中,第三边的曲率与第四边的曲率基本相等。
在示例性实施例中,第二密封部分具有圆形形状,并且第二密封部分的曲率基本上等于或小于第三边的曲率。
在示例性实施例中,第一边与第一密封部分相邻,第二边与第二密封部分相邻,并且第二边的长度大于第一边的长度。
在示例性实施例中,虚设区域的沿着第一密封部分的长边彼此面对所沿的第二方向设置的第三边和第四边中的每条边具有直线形状,并且虚设区域的沿着第一密封部分的短边彼此面对所沿的第三方向设置的第一边和第二边分别具有直线形状和曲线形状。
在示例性实施例中,第三边与第四边之间的距离沿着第三方向从第一密封部分的最靠近第二密封部分设置的所述一侧朝向第二密封部分逐渐减小。
在示例性实施例,第一边与第一密封部分相邻,第二边与第二密封部分相邻,并且第二边的长度大于第一边的长度。
在示例性实施例中,显示元件包括发光层,并且发光层选择性地仅设置在显示区域和虚设区域中的显示区域中。
在示例性实施例中,空穴注入层、空穴传输层、电子传输层和电子注入层进一步选择性地仅设置在显示区域和虚设区域中的显示区域中。
在示例性实施例中,显示装置还包括设置在虚设区域中的具有凹凸形状的绝缘层。
在示例性实施例中,图案层不存于虚设区域中。
在示例性实施例中,第二密封部分的宽度小于第一密封部分的宽度。
在示例性实施例中,显示装置还包括第一传热层和第二传热层中的至少一者,第一传热层设置在第一基底与第一密封部分之间,第二传热层设置在第一基底与第二密封部分之间。
在示例性实施例中,第一传热层接触第一密封部分,并且第二传热层接触第二密封部分。
在示例性实施例中,第一基底的非显示区域包括不与第二基底叠置的垫区域以及与第二基底叠置的非垫区域。第一密封部分的彼此面对的第一边和第二边中的第一边更邻近于非垫区域,并且第二密封部分更邻近于第一边和第二边中的任何一者。
附图说明
通过参照附图详细描述本发明的示例性实施例,本发明的以上和其他特征将变得更明显。
图1是示出根据示例性实施例的显示装置的框图。
图2是示出图1中所示的一个像素的等效电路图。
图3是示出根据示例性实施例的包括图1的元件的显示装置的平面图。
图4是图3的部分A的放大图。
图5是根据示例性实施例的沿图3和图4的线I-I'截取的剖视图。
图6是根据示例性实施例的沿图3和图4的线I-I'截取的剖视图。
图7是根据示例性实施例的沿图3和图4的线I-I'截取的剖视图。
图8示出了图3的第一基底的发光层的布置。
图9是示出根据示例性实施例的包括图1的元件的显示装置的平面图。
图10是图9的部分A的放大图。
图11是示出根据示例性实施例的虚设区域的视图。
图12是示出根据示例性实施例的虚设区域的视图。
图13是示出根据示例性实施例的虚设区域的视图。
图14是示出根据示例性实施例的虚设区域的视图。
图15是示出根据示例性实施例的虚设区域的视图。
图16是示出根据示例性实施例的虚设区域的视图。
图17是示出根据示例性实施例的第一密封部分和第二密封部分的平面图。
图18A至图18C是示出包括根据示例性实施例的显示装置的电子设备的视图。
图19是发光二极管的剖视图。
具体实施方式
在下文中,将参照附图更充分地描述示例性实施例。在整个附图中,同样的附图标记可以表示同样的元件。
当层、区域或板被称作“在”另一层、区域或板“上”时,该层、区域或板可以直接在所述另一层、区域或板上,或者可以在它们之间存在中间层、区域或板。此外,当层、区域或板被称作“在”另一层、区域或板“下方”时,该层、区域或板可以直接在所述另一层、区域或板下方,或者可以在它们之间存在中间层、区域或板。
为了易于描述,在这里可以使用“在……下方”、“在……下面”、“下面的”、“在……上方”、“上面的”等的空间术语来描述如附图中示出的一个元件或组件与另一元件或组件之间的关系。将理解的是,除了包括附图中示出的方位之外,空间相对术语还意在包括装置在使用或操作中的不同方位。例如,在其中附图中示出的装置被翻转的情况下,被定位为“在”另一装置“下方”或“下面”的装置可以被放置“在”所述另一装置“上方”。因此,说明性术语“在……下方”可以包括上方和下方两种方位。装置也可以被定为在其他方向上,因此可以根据方位不同地解释空间相对术语。
在整个说明书中,当元件被称为“在”另一元件“上”、“连接到”、“结合到”另一元件或“与”另一元件“相邻”时,该元件可以直接在所述另一元件上、直接连接到、直接结合到所述另一元件或与所述另一元件直接相邻,或者也可以存在中间元件。当元件被称为连接到另一元件时,该元件可以电连接到所述另一元件。
将理解的是,尽管这里可以使用术语“第一”、“第二”、“第三”等来描述各种元件,但是这些元件不应该受这些术语限制。这些术语仅用于将一个元件与另一元件区分开。因此,在不脱离这里的教导的情况下,可以将下面讨论的“第一元件”命名为“第二元件”或“第三元件”,并且“第二元件”和“第三元件”可以被同样地命名。
考虑到问题的测量和与特定量的测量相关的误差(即,测量系统的限制),如在这里使用的“约(大约)”或“近似”包括所陈述的值并且表示在如本领域普通技术人员所确定的特定值的可接受偏差范围内。例如,“约(大约)”表示在一个或更多个标准偏差内,或者在所陈述的值的±30%、20%、10%、5%内。
在下文中,将参照图1至图13详细描述根据示例性实施例的显示装置。
图1是示出根据示例性实施例的显示装置的框图。
如图1中所示,根据本发明的示例性实施例的显示装置1000包括基底101、扫描驱动器111、发射控制驱动器112和数据驱动器113。
在基底101上,设置有i+2条扫描线SL0至SLi+1、k条发射控制线EL1至ELk、j条数据线DL1至DLj、k×j个像素PX、扫描驱动器111、发射控制驱动器112和数据驱动器113,其中,i、j和k中的每个是大于1的自然数。
多个像素PX位于基底101的显示区域100a中。
i+2条扫描线SL0至SLi+1、k条发射控制线EL1至ELk以及j条数据线DL1至DLj位于基底101的显示区域100a处。在这样的示例性实施例中,i+2条扫描线SL0至SLi+1延伸到非显示区域100b并连接至扫描驱动器111,k条发射控制线EL1至ELk延伸到非显示区域100b并连接到发射控制驱动器112,并且j条数据线DL1至DLj延伸到非显示区域100b并连接到数据驱动器113。
扫描驱动器111和发射控制驱动器112可以通过与其中设置像素PX的工艺基本相同的工艺在基底101上被制造。例如,扫描驱动器111的开关元件、发射控制驱动器112的开关元件和像素PX的开关元件可以通过光刻工艺设置在基底101上。
在示例性实施例中,发射控制驱动器112可以嵌入在扫描驱动器111中。例如,扫描驱动器111可以进一步为发射控制驱动器112的功能服务。在这样的示例性实施例中,扫描线SL0至SLi+1和发射控制线EL1至ELk由扫描驱动器111同时驱动。
数据驱动器113可以以芯片的形式被制造。数据驱动器113可以以芯片键合方式附着在基底101上。在示例性实施例中,数据驱动器113可以设置在单独的印刷电路板(PCB)上而不是在基底101上,在这种情况下,数据线DL1至DLj通过PCB连接到数据驱动器113。
在示例性实施例中,扫描驱动器111和发射控制驱动器112中的每个可以以芯片的形式被制造。芯片型扫描驱动器111可以位于基底101的非显示区域100b中或者位于另一单独的PCB处。芯片型发射控制驱动器112可以位于基底101的非显示区域100b中或者位于另一单独的PCB处。
扫描线SL0至SLi+1沿Y轴方向布置,并且扫描线SL0至SLi+1中的每条沿X轴方向延伸。发射控制线EL1至ELk沿Y轴方向布置,并且发射控制线EL1至ELk中的每条沿X轴方向延伸。数据线DL1至DLj沿X轴方向布置,并且数据线DL1至DLj中的每条沿Y轴方向延伸。
在上述扫描线SL0至SLi+1中,距数据驱动器113最远的扫描线SL0被限定为第一虚设扫描线SL0,并且最靠近数据驱动器113的扫描线SLi+1被限定为第二虚设扫描线SLi+1。另外,第一虚设扫描线SL0与第二虚设扫描线SLi+1之间的扫描线SL1至SLi从距数据驱动器113最远的扫描线顺序地分别被限定为第一扫描线SL1至第i扫描线SLi。
扫描驱动器111根据从时序控制器提供的扫描控制信号产生扫描信号,并且顺序地将扫描信号施加到多条扫描线SL0至SLi+1。扫描驱动器111输出第一扫描信号至第i扫描信号、第一虚设扫描信号以及第二虚设扫描信号。从扫描驱动器111输出的第一扫描信号至第i扫描信号被分别施加到第一扫描线SL1至第i扫描线SLi。例如,第n扫描信号被施加到第n扫描线SLn,其中,n是大于或等于1且小于或等于i的自然数。另外,从扫描驱动器111输出的第一虚设扫描信号被施加到第一虚设扫描线SL0,并且从扫描驱动器111输出的第二虚设扫描信号被施加到第二虚设扫描线SLi+1。
在一个帧时段期间,扫描驱动器111从第一扫描信号顺序地输出第一扫描信号至第i扫描信号。在这样的示例性实施例中,扫描驱动器111在输出第一扫描信号之前输出第一虚设扫描信号,并在输出第i扫描信号之后输出第二虚设扫描信号。例如,扫描驱动器111在所述一个帧时段期间首先输出第一虚设扫描信号,并在所述一个帧时段期间最后输出第二虚设扫描信号。因此,在一个帧时段期间,从第一虚设扫描线SL0顺序地驱动包括虚设扫描线SL0和SLi+1的全部扫描线SL0至SLi+1。
发射控制驱动器112根据从时序控制器提供的控制信号产生发射控制信号并将发射控制信号顺序地施加到多条发射控制线EL1至ELk。从发射控制驱动器112输出的第一发射控制信号至第k发射控制信号被分别施加到第一发射控制线EL1至第k发射控制线ELk。在示例性实施例中,第m发射控制信号被施加到第m发射控制线ELm,其中,m是大于或等于1且小于或等于k的自然数。在一个帧时段期间,发射控制驱动器112从第一发射控制线EL1顺序地输出第一发射控制信号至第k发射控制信号。因此,在一个帧时段期间,从第一发射控制线EL1顺序地驱动全部发射控制线EL1至ELk。
数据驱动器113将第一数据电压至第j数据电压分别施加到第一数据线DL1至第j数据线DLj。在示例性实施例中,数据驱动器113从时序控制器接收图像数据信号和数据控制信号。另外,数据驱动器113根据数据控制信号对图像数据信号进行采样,在每个水平时段中顺序地锁存与一条水平线对应的采样的图像数据信号,并将锁存的图像数据信号基本同时地施加到数据线DL1至DLj。
像素PX可以以矩阵的形式在显示区域100a中设置在基底101上。像素PX发射具有彼此不同颜色的光。例如,在图1中所示的像素PX中,由参考字符R表示的像素是发射红光的红色像素,由参考字符G表示的像素是发射绿光的绿色像素,由参考字符B表示的像素是发射蓝光的蓝色像素。
在示例性实施例中,显示装置1000还可以包括至少一个发射白光的白色像素。白色像素可以在显示区域100a中设置在基底101上。
一个像素连接到至少一条扫描线。例如,如图1中所示,在连接到第一数据线DL1的多个像素PX中,最靠近基底101的上边缘的蓝色像素连接到接收具有不同输出时序的扫描信号的三条扫描线(例如,第一虚设扫描线SL0、第一扫描线SL1和第二扫描线SL2)。在这样的示例性实施例中,基底101的上边缘指基底101的面对数据驱动器113的边缘,而且显示区域100a设置在它们之间。
在示例性实施例中,在连接到第二数据线DL2的多个像素PX中,第三最靠近基底101的上边缘的绿色像素连接到接收具有不同输出时序的扫描信号的三条扫描线(例如,第四扫描线SL4、第五扫描线SL5和第六扫描线SL6)。
在示例性实施例中,共同连接到同一数据线并且彼此相邻定位的像素共同连接到至少一条扫描线。例如,在Y轴方向上彼此相邻的连接到同一数据线的两个相邻像素共享至少一条扫描线。在示例性实施例中,例如,连接到第二数据线DL2并最靠近基底101的上边缘的绿色像素(在下文中称为第一绿色像素)和连接到第二数据线DL2并第二最靠近基底101的上边缘的绿色像素(在下文中称为第二绿色像素)彼此相邻定位,并且第一绿色像素和第二绿色像素共同连接到第二扫描线SL2。在示例性实施例中,当将连接到第二数据线DL2并第三最靠近基底101的上边缘的绿色像素限定为第三绿色像素时,第三绿色像素和第二绿色像素共同连接到第四扫描线SL4。
共同连接到同一数据线的像素独立地连接到一条或更多条不同的扫描线。在示例性实施例中,例如,上述第一绿色像素独立地连接到第一扫描线SL1,上述第二绿色像素独立地连接到第三扫描线SL3,上述第三绿色像素独立地连接到第五扫描线SL5。
这样,连接到同一数据线的每个像素独立地连接到至少一条扫描线。如这里所使用的,至少两个像素(例如,第一像素和第二像素)连接到不同的扫描线的含义是:连接到第一像素的至少一条扫描线与连接到第二像素的至少一条扫描线不同。因此,连接到同一数据线的像素分别连接到不同的扫描线。
可选地,如在这里所使用的,至少两个像素(例如,第一像素和第二像素)连接到同一扫描线的含义是:连接到第一像素的扫描线与连接到第二像素的扫描线完全相同。因此,连接到同一发射控制线的每个像素连接到相同的扫描线。例如,在示例性实施例中,共同连接到第二发射控制线EL2的像素共同连接到第二扫描线SL2、第三扫描线SL3和第四扫描线SL4。
红色像素和蓝色像素连接到第(2p-1)数据线,绿色像素连接到第2p数据线,其中,p是自然数。在示例性实施例中,例如,红色像素和蓝色像素连接到第一数据线DL1,绿色像素连接到第二数据线DL2。
连接到第(2p-1)数据线(例如,第一数据线DL1)的一个像素(以下称为第一预定像素)和连接到另一第(2p-1)数据线(例如,第三数据线DL3)的一个像素(以下称为第二预定像素)可以连接到同一扫描线,并且在这样的示例性实施例中,第一预定像素发射具有与从第二预定像素发射的光的颜色不同的颜色的光。在示例性实施例中,例如,第一预定像素可以是连接到第一虚设扫描线SL0、第一扫描线SL1、第二扫描线SL2和第一数据线DL1的蓝色像素,并且第二预定像素可以是连接到第一虚设扫描线SL0、第一扫描线SL1、第二扫描线SL2和第三数据线DL3的红色像素。
连接到同一数据线(例如,第(2p-1)数据线)并发射具有彼此不同颜色的光的两个相邻像素,以及与所述两个相邻像素中的一个像素相邻的至少一个绿色像素,包括在用于显示单位图像的单位像素中。在示例性实施例中,例如,连接到第三数据线DL3和第一扫描线SL1的红色像素、连接到第三数据线DL3和第三扫描线SL3的蓝色像素、连接到第二数据线DL2和第一扫描线SL1的绿色像素以及连接到第四数据线DL4和第一扫描线SL1的绿色像素可以共同限定单位像素。
每个像素PX共同地从电源接收高电位驱动电压ELVDD、低电位驱动电压ELVSS和初始化电压Vinit。在这样的示例性实施例中,每个像素PX接收高电位驱动电压ELVDD、低电位驱动电压ELVSS和初始化电压Vinit中的全部。
图2是示出图1中所示的一个像素的等效电路图。
在示例性实施例中,像素PX可以包括第一开关元件T1、第二开关元件T2、第三开关元件T3、第四开关元件T4、第五开关元件T5、第六开关元件T6、第七开关元件T7、存储电容器Cst和发光元件(在下文中称为发光二极管(LED))。
如图2中所示,第一开关元件T1、第二开关元件T2、第三开关元件T3、第四开关元件T4、第五开关元件T5、第六开关元件T6和第七开关元件T7中的每个可以是P型晶体管。然而,示例性实施例不限于此。例如,在示例性实施例中,第一开关元件T1、第二开关元件T2、第三开关元件T3、第四开关元件T4、第五开关元件T5、第六开关元件T6和第七开关元件T7中的每个可以是N型晶体管。
第一开关元件T1包括连接到第一节点n1的栅电极,并且连接在第二节点n2与第三节点n3之间。第一开关元件T1的源电极和漏电极中的一个连接到第二节点n2,并且第一开关元件T1的源电极和漏电极中的另一个连接到第三节点n3。
第二开关元件T2包括连接到第n扫描线SLn的栅电极,并且连接在数据线DL与第二节点n2之间。第二开关元件T2的源电极和漏电极中的一个连接到数据线DL,并且第二开关元件T2的源电极和漏电极中的另一个连接到第二节点n2。第n扫描信号SSn被施加到第n扫描线SLn。
第三开关元件T3包括连接到第n扫描线SLn的栅电极,并且连接在第一节点n1与第三节点n3之间。第三开关元件T3的源电极和漏电极中的一个连接到第一节点n1,并且第三开关元件T3的源电极和漏电极中的另一个连接到第三节点n3。
第四开关元件T4包括连接到第(n-1)扫描线SLn-1的栅电极,并且连接在第一节点n1与初始化线IL之间。第四开关元件T4的源电极和漏电极中的一个连接到第一节点n1,并且第四开关元件T4的源电极和漏电极中的另一个连接到初始化线IL。初始化电压Vinit被施加到初始化线IL,并且第(n-1)扫描信号SSn-1被施加到第(n-1)扫描线SLn-1。
第五开关元件T5包括连接到发射控制线EL的栅电极,并且连接在第二节点n2与作为电源线中的一条电源线的高电位线VDL之间。第五开关元件T5的源电极和漏电极中的一个连接到高电位线VDL,并且第五开关元件T5的源电极和漏电极中的另一个连接到第二节点n2。高电位驱动电压ELVDD被施加到高电位线VDL。
第六开关元件T6包括连接到发射控制线EL的栅电极,并且连接在第三节点n3与第四节点n4之间。第六开关元件T6的源电极和漏电极中的一个连接到第三节点n3,并且第六开关元件T6的源电极和漏电极中的另一个连接到第四节点n4。发射控制信号ES被施加到发射控制线EL。
第七开关元件T7包括连接到第(n+1)扫描线SLn+1的栅电极,并且连接在初始化线IL与第四节点n4之间。第七开关元件T7的源电极和漏电极中的一个连接到初始化线IL,并且第七开关元件T7的源电极和漏电极中的另一个连接到第四节点n4。第(n+1)扫描信号SSn+1被施加到第(n+1)扫描线SLn+1。
存储电容器Cst连接在高电位线VDL与第一节点n1之间。存储电容器Cst针对一个帧时段存储施加到第一开关元件T1的栅电极的信号。
LED发射与通过第一开关元件T1施加的驱动电流对应的光。LED根据驱动电流的大小发射具有不同亮度的光。LED的阳极电极连接到第四节点n4并且LED的阴极电极连接到作为电源线中的另一条电源线的低电位线VSL。低电位驱动电压ELVSS被施加到低电位线VSL。LED可以是有机发光二极管(OLED)。LED的阳极电极对应于下面将描述的像素电极,LED的阴极电极对应于下面将描述的共电极。
当将第(n-1)扫描信号SSn-1施加到第(n-1)扫描线SLn-1时,第四开关元件T4导通。初始化电压Vinit通过导通的第四开关元件T4施加到第一节点n1(例如,第一开关元件T1的栅电极)。因此,使第一开关元件T1的栅电极的电压初始化。
当将第n扫描信号SSn施加到第n扫描线SLn时,第二开关元件T2和第三开关元件T3导通。数据电压DA通过导通的第二开关元件T2施加到第二节点n2,因此,第一开关元件T1导通。因此,检测第一开关元件T1的阈值电压,并且将阈值电压存储在存储电容器Cst中。
当将发射控制信号ES施加到发射控制线EL时,第五开关元件T5和第六开关元件T6导通。驱动电流通过导通的第五开关元件T5、第一开关元件T1和第六开关元件T6施加到LED,使得LED发光。
当将第(n+1)扫描信号SSn+1施加到第(n+1)扫描线SLn+1时,第七开关元件T7导通。初始化电压Vinit通过导通的第七开关元件T7施加到第四节点n4(例如,LED的阳极电极)。因此,LED沿相反方向偏置,使得LED关闭。
图3是示出根据示例性实施例的包括图1的元件的显示装置的平面图。图4是图3的部分A的放大图。图5是根据示例性实施例的沿图3和图4的线I-I'截取的剖视图。
为了便于解释,图4中省略了图3中示出的第二基底102以清楚地描述第一密封部分881和第二密封部分882。
参照图3至图5,根据示例性实施例的显示装置包括第一基底101、缓冲层120、半导体层321、栅极绝缘层140、栅电极GE、第一绝缘中间层150、第二绝缘中间层160、源电极SE、漏电极DE、第一传热层331、第二传热层332、平坦化层180、像素电极PE、像素限定层190、间隔件442、发光层512、共电极613、盖层200、第一密封部分881、第二密封部分882和第二基底102。发光层512在这里也可以称为显示元件。像素限定层190在这里也可以称为阻光层190。
第一基底101与上述图1的基底101基本相同。第一基底101包括显示区域100a和非显示区域100b。第一基底101的面积大于第二基底102的面积。因此,第一基底101的非显示区域100b的一部分不与第二基底102叠置。在这样的示例性实施例中,第一基底101的非显示区域100b的不与第二基底102叠置的部分被限定为垫(pad,或称为“焊盘”)区域101c,并且非显示区域100b的除了垫区域101c之外的部分被限定为非垫区域。第一基底101可以包括有机材料或塑料材料。
缓冲层120设置在第一基底101上。缓冲层120可以设置在第一基底101的整个表面上方。例如,缓冲层120可以与第一基底101的整个表面叠置。
缓冲层120用于防止不期望的元素的渗透并使其下方的表面平坦化,并且可以包括用于平坦化和/或防止渗透的合适的材料。例如,缓冲层120可以包括氮化硅(SiNx)层、氧化硅(SiO2)层和氮氧化硅(SiOxNy)层中的一种。然而,缓冲层120不限于此,并且在示例性实施例中,可以基于第一基底101的类型及其工艺条件省略缓冲层120。
半导体层321设置在缓冲层120上。半导体层321包括沟道区、源区和漏区。半导体层321可以包括例如多晶硅层、非晶硅层以及包括例如氧化铟镓锌(IGZO)或氧化铟锌锡(IZTO)的氧化物半导体。例如,在其中半导体层321包括多晶硅层的情况下,半导体层321可以包括未掺杂有杂质的沟道区以及分别设置在沟道区的相对侧上的掺杂有杂质离子的源区和漏区。
栅极绝缘层140设置在半导体层321和缓冲层120上。栅极绝缘层140可以包括例如四乙基原硅酸盐(TEOS)、氮化硅(SiNx)和氧化硅(SiO2)中的至少一种。例如,栅极绝缘层140可以具有其中顺序地堆叠有厚度为约40nm的SiNx层和厚度为约80nm的TEOS层的双层结构。
栅电极GE设置在栅极绝缘层140上。例如,栅电极GE可以设置在栅极绝缘层140与第一绝缘中间层150之间。在这样的示例性实施例中,栅电极GE与半导体层321的沟道区叠置。
在示例性实施例中,栅电极GE可以包括例如铝基金属(诸如,铝(Al)和铝合金)、银基金属(诸如,银(Ag)和银合金)、铜基金属(诸如,铜(Cu)和铜合金)或钼基金属(诸如,钼(Mo)和钼合金)。在示例性实施例中,栅电极GE可以包括铬(Cr)和钽(Ta)中的一种。在示例性实施例中,栅电极GE可以具有包括具有彼此不同的物理特性的两个导电层的多层结构。
扫描线和发射控制线也设置在栅极绝缘层140上。在示例性实施例中,第(n-1)扫描线SLn-1、第n扫描线SLn、第(n+1)扫描线SLn+1和发射控制线EL可以设置在栅极绝缘层140与第一绝缘中间层150之间。扫描线和发射控制线可以包括与包括在栅电极GE中的材料基本相同的材料。
第一绝缘中间层150设置在栅电极GE和栅极绝缘层140上。第一绝缘中间层150的厚度可以大于栅极绝缘层140的厚度。第一绝缘中间层150可以包括与包括在上述栅极绝缘层140中的材料基本相同的材料。
第一绝缘中间层150也设置在每条扫描线(例如,SLn-1、SLn和SLn+1)和每条发射控制线EL上。
在示例性实施例中,图2中的存储电容器Cst包括彼此面对的第一电容器电极和第二电容器电极,第二电容器电极位于第一绝缘中间层150上。例如,第二电容器电极位于第一绝缘中间层150与第二绝缘中间层160之间。第二电容器电极与第一开关元件T1的栅电极(在下文中称为第一栅电极)一起限定存储电容器Cst。
图2的初始化线IL也设置在第一绝缘中间层150上。例如,初始化线IL设置在第一绝缘中间层150与第二绝缘中间层160之间。
第二绝缘中间层160设置在存储电容器Cst的第二电容器电极、初始化线IL和第一绝缘中间层150上。第二绝缘中间层160的厚度可以大于栅极绝缘层140的厚度。第二绝缘中间层160可以包括与包括在上述栅极绝缘层140中的材料基本相同的材料。
源电极SE、漏电极DE、第一传热层331和第二传热层332设置在第二绝缘中间层160上。
源电极SE通过穿过第二绝缘中间层160、第一绝缘中间层150和栅极绝缘层140限定的源极接触孔连接到半导体层321的源区。
漏电极DE穿过通过第二绝缘中间层160、第一绝缘中间层150和栅极绝缘层140限定的漏极接触孔连接到半导体层321的漏区。
源电极SE可以包括难熔金属,诸如以钼、铬、钽和钛或者它们的合金为例。数据线DL可以具有包括难熔金属层和低电阻导电层的多层结构。多层结构的示例可以包括包含铬或钼(合金)下层和铝(合金)上层的双层结构或者包含钼(合金)下层、铝(合金)中间层和钼(合金)上层的三层结构。在示例性实施例中,源电极SE可以包括除上述材料之外的任何合适的金属或导体。
漏电极DE可以包括与包括在上述源电极SE中的材料基本相同的材料。
包括半导体层321、栅电极GE、源电极SE和漏电极DE的上述开关元件TFT可以是图2中的第一开关元件T1至第七开关元件T7中的一个。在示例性实施例中,例如,开关元件TFT可以是第六开关元件T6。
第一传热层331设置在第二绝缘中间层160与第一密封部分881之间。在第一基底101与第二基底102之间的密封工艺期间使用激光。激光被引导到第二基底102的位于与第一密封部分881对应的区域中的外表面。在这样的示例性实施例中,第一密封部分881的上表面通过激光的热而熔化,使得第一密封部分881和第二基底102彼此附着。在示例性实施例中,激光的热通过第一密封部分881传递到第一传热层331。通过该第一传热层331,激光的热可以集中到第一密封部分881的下表面。因此,第一密封部分881的下表面熔化,因此,第一密封部分881和第一基底101上的第二绝缘中间层160彼此附着。第一传热层331可以改善第一密封部分881与第二绝缘中间层160之间的粘附性。
第二传热层332设置在第二绝缘中间层160与第二密封部分882之间。第二传热层332可以包括与包括在上述第一传热层331中的材料基本相同的材料。第二传热层332可以改善第二密封部分882与第二绝缘中间层160之间的粘附性。
第一传热层331和第二传热层332中的每个可以包括与包括在上述源电极SE中的材料基本相同的材料。
图2中的数据线DL和高电位线VDL也设置在第二绝缘中间层160上。数据线DL和高电位线VDL可以包括与包括在上述源电极SE中的材料基本相同的材料。
平坦化层180设置在源电极SE、漏电极DE、高电位线VDL和数据线DL上。
平坦化层180用于消除其下方的层的高度差。结果,可以提高将设置在其上的LED的发光效率。平坦化层180可以包括例如聚丙烯酸酯树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、不饱和聚酯树脂、聚苯醚树脂、聚苯硫醚树脂和苯并环丁烯(BCB)中的至少一种。
LED可以是OLED。LED包括发光层512、阳极电极PE(在下文中称为像素电极)和阴极电极613(对应于并且在下文中称为共电极)。
发光层512可以包括低分子量有机材料或高分子量有机材料。如图19中所示,空穴注入层(HIL)661和空穴传输层(HTL)662中的至少一者可以进一步设置在像素电极PE与发光层512之间,并且电子传输层(ETL)664和电子注入层(EIL)665中的至少一者可以进一步设置在发光层512与共电极613之间。
像素电极PE设置在平坦化层180上。像素电极PE的一部分或全部位于发光区域900中。例如,像素电极PE位于与由下面将描述的阻光层190限定的发光区域900对应的区域中。像素电极PE穿过通过平坦化层180限定的像素接触孔连接到漏电极DE。
像素电极PE可以具有菱形形状。可选地,像素电极PE可以具有除菱形形状之外的各种形状中的一种形状,诸如以四边形形状为例。
阻光层190设置在像素电极PE和平坦化层180上。阻光层190具有通过阻光层190限定的开口。开口对应于发光区域900。发光区域900可以具有菱形形状。可选地,发光区域900可以具有除菱形形状之外的各种形状中的一种形状,诸如以四边形形状为例。发光区域900的尺寸可以小于上述像素电极PE的尺寸。像素电极PE的至少一部分位于发光区域900中。在这样的示例性实施例中,整个发光区域900与像素电极PE叠置。
阻光层190可以包括树脂,诸如以聚丙烯酸酯树脂和聚酰亚胺树脂为例。
间隔件442设置在阻光层190上。间隔件442可以包括与包括在阻光层190中的材料基本相同的材料。间隔件442用于最小化或减小位于第一基底101的显示区域100a中的层与位于第一基底101的非显示区域100b中的层之间的高度差。
像素电极PE和共电极613可以形成为透射电极、透反射电极和反射电极中的一种。
在示例性实施例中,透射电极可以包括透明导电氧化物(TCO)。这种TCO可以包括例如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锑锡(ATO)、氧化铝锌(AZO)、氧化锌(ZnO)和它们的混合物中的至少一种。
在示例性实施例中,透反射电极和反射电极可以包括金属,诸如以镁(Mg)、银(Ag)、金(Au)、钙(Ca)、锂(Li)、铬(Cr)、铝(Al)和铜(Cu)或者它们的合金为例。在这样的示例性实施例中,电极是透反射型还是反射型取决于电极的厚度。通常,透反射电极的厚度为约200nm或更小,反射电极的厚度为约300nm或更大。随着透反射电极的厚度减小,透光率和电阻增大。可选地,随着透反射电极的厚度增加,透光率降低。
在这样的示例性实施例中,透反射电极和反射电极可以具有包括包含金属或金属合金的金属层和堆叠在金属层上的TCO层的多层结构。
盖层200设置在共电极613上。例如,盖层200设置在共电极613与第二基底102之间。盖层200可以包括与包括在第一绝缘中间层150中的材料基本相同的材料。
第二基底102设置在盖层200上。第二基底102可以包括玻璃或塑料。第二基底102的面积小于第一基底101的面积。
如图5中所示,第一密封部分881设置在第一基底101与第二基底102之间。例如,第一密封部分881设置在第一基底101的非垫区域的边缘与第二基底102的边缘之间。第一密封部分881具有闭环形状。例如,第一密封部分881可以具有包围显示区域100a、扫描驱动器111和发射控制驱动器112的闭环形状。
在示例性实施例中,数据驱动器113设置在第一密封部分881的外部的垫区域101c中。
如图3中所示,第一密封部分881可以具有四边形形状(例如,矩形形状)。例如,第一密封部分881可以具有矩形形状,在该矩形形状中,在X轴方向上彼此面对的两条边S3和S4比在Y轴方向上彼此面对的两条边S1和S2长。
这里,当元件具有多条边时,一些边可以被称为短边而一些边可以被称为长边。将理解,短边和长边相对于彼此描述。例如,短边比长边短,长边比短边长。
第一密封部分881的下表面接触第一基底101上的第二绝缘中间层160,并且第一密封部分881的上表面接触第二基底102。
通孔TH位于第一基底101的显示区域100a中。通孔TH沿第一基底101和第二基底102彼此面对所沿的方向通过第一基底101、第二基底102和设置在第一基底101与第二基底102之间的元件来限定。例如,通孔TH沿Z轴方向通过第一基底101、第二基底102和设置在第一基底101与第二基底102之间的元件来限定。Z轴方向也可以称为显示装置1000的厚度方向。因此,如图5中所示,在示例性实施例中,第二基底102在显示装置1000的厚度方向上面对第一基底101,并且通孔TH沿厚度方向通过第一基底101和第二基底102来限定。
第二密封部分882设置在第一基底101与第二基底102之间。第二密封部分882设置在显示区域100a中。第二密封部分882被第一密封部分881所包围。第二密封部分882具有包围(例如,完全包围)通孔TH的闭环形状。第二密封部分882限定通孔TH的中心部分。例如,由第二密封部分882包围的空间是通孔TH的中心部分。
如图3和图4中所示,第二密封部分882可以具有圆形形状。
如图5中所示,在示例性实施例中,第一密封部分881的宽度W1可以约等于第二密封部分882的宽度W2。可选地,在示例性实施例中,第二密封部分882的宽度W2可以小于第一密封部分881的宽度W1。当第二密封部分882的宽度W2小于第一密封部分881的宽度W1时,可以显著减小或者最小化显示区域100a中由于第二密封部分882而导致的显示区域100a的平面面积的减小。
第一密封部分881可以包括粘合剂、玻璃或可固化树脂组合物。第二密封部分882可以包括与包括在第一密封部分881中的材料基本相同的材料。
如图4和图5中所示,虚设区域101d在第二密封部分882与第一密封部分881之间定位在第一基底101上方。例如,虚设区域101d定位在第二密封部分882与第一密封部分881的一侧之间。例如,在示例性实施例中,在第一密封部分881的第一边S1、第二边S2、第三边S3和第四边S4中,第一边S1定位为最靠近第二密封部分882,并且虚设区域101d定位在第一边S1与第二密封部分882之间。在这样的示例性实施例中,第一密封部分881的一侧与第二密封部分882之间的距离指连接第一密封部分881的所述一侧和第二密封部分882的中心点(或通孔TH的中心点)的垂直线的长度。
虚设区域101d的一部分可以位于第一基底101的显示区域100a中,虚设区域101d的另一部分可以位于第一基底101的非显示区域100b中。
在示例性实施例中,当第一密封部分881的第一边S1、第二边S2、第三边S3和第四边S4中的两条不同边(例如,第一边S1和第三边S3)定位在距第二密封部分882相同的距离处,并且定位为比其他两条靠近第二密封部分882的边(例如,第二边S2和第四边S4)更靠近第二密封部分882时,虚设区域101d可以定位在所述两条不同边(例如,第一边S1和第三边S3)中的一条边与第二密封部分882之间。
这里,“第一”、“第二”、“第三”等术语用于将一个元件与另一元件区分开,并且这些元件不受这些术语的限制。因此,示例性实施例中的“第一”元件可以在另一示例性实施例中被描述为“第二”元件。
如图4中所示,虚设区域101d可以具有包括第一边S11、第二边S22、第三边S33和第四边S44的多边形形状。在这样的示例性实施例中,虚设区域101d的第一边S11指虚设区域101d与第一密封部分881的第一边S1之间的界面,虚设区域101d的第二边S22指虚设区域101d与第二密封部分882之间的界面。
虚设区域101d的沿第一密封部分881的长边(例如,第三边S3和第四边S4)彼此面对所沿的方向设置的第三边S33和第四边S44可以均具有曲线形状。例如,虚设区域101d的在X轴方向上彼此面对的第三边S33和第四边S44中的每条边可以具有曲线形状。虚设区域101d的第三边S33的长度和虚设区域101d的第四边S44的长度可以大致彼此相等。
虚设区域101d的第三边S33的曲率和虚设区域101d的第四边S44的曲率可以大致彼此相等。另外,第二密封部分882的曲率可以约等于或小于虚设区域101d的第三边S33(或第四边S44)的曲率。
虚设区域101d的第三边S33和虚设区域101d的第四边S44可以具有彼此对称的形状。例如,第三边S33和第四边S44可以相对于数据线DL的延伸方向(例如,Y轴方向)具有对称形状。例如,第三边S33和第四边S44可以相对于穿过第二密封部分882的中心点(或通孔TH的中心点)的数据线DL的延伸方向(例如,Y轴方向)具有对称形状。
当第一密封部分881的最靠近第二密封部分882设置的一条边(例如,第一边S1)被定义为参考边S1时,第三边S33与第四边S44之间的距离可以沿着从参考边S1朝向第二密封部分882的方向(例如,与Y轴方向相反的方向)逐渐增加。
虚设区域101d的沿第一密封部分881的短边(例如,第一边S1和第二边S2)彼此面对所沿的方向设置的第一边S11和第二边S22可以分别具有直线形状和弯曲形状。例如,虚设区域101d的在Y轴方向上彼此面对的第一边S11和第二边S22中的一条边(例如,第一边S11)可以具有直线形状,并且其另一边(例如,第二边S22)可以具有曲线形状。例如,在虚设区域101d的在Y轴方向上彼此面对的第一边S11和第二边S22中,与第一密封部分881相邻的第一边S11可以具有直线形状,与第二密封部分882相邻的第二边S22可以具有曲线形状。在示例性实施例中,与第一密封部分881相邻的第一边S11接触第一密封部分881,并且与第二密封部分882相邻的第二边S22接触第二密封部分882。例如,在示例性实施例中,第一边S11的形状可以对应于第一边S11与第一密封部分881接触的区域中的第一密封部分881的形状,第二边S22的形状可以对应于第二边S22与第二密封部分882接触的区域中的第二密封部分882的形状。
虚设区域101d的第二边S22的长度大于虚设区域101d的第一边S11的长度。
缓冲层120、半导体层321、栅极绝缘层140、栅电极GE、第一绝缘中间层150、第二绝缘中间层160、源电极SE、漏电极DE、平坦化层180、像素电极PE、像素限定层190、间隔件442、共电极613、盖层200和第二基底102可以设置在第一基底101的虚设区域101d中。例如,缓冲层120、半导体层321、栅极绝缘层140、栅电极GE、第一绝缘中间层150、第二绝缘中间层160、源电极SE、漏电极DE、平坦化层180、像素电极PE、像素限定层190、间隔件442、共电极613和盖层200可以对应于虚设区域101d设置在第一基底101与第二基底102之间。
例如,发光层512不设置在第一基底101的虚设区域101d中。另外,上述的空穴注入层661、空穴传输层662、电子传输层664和电子注入层665不设置在第一基底101的虚设区域101d中。例如,在示例性实施例中,发光层512、空穴注入层661、空穴传输层662、电子传输层664和电子注入层665仅选择性地设置在第一基底101的显示区域100a和虚设区域101d之中的显示区域100a中。
在形成第一密封部分881和第二密封部分882之前形成发光层512、空穴注入层661、空穴传输层662、电子传输层664和电子注入层665。在这样的示例性实施例中,使用具有多个图案孔的掩模在显示区域100a的发光区域900中选择性地沉积包括发光层512、空穴注入层661、空穴传输层662、电子传输层664和电子注入层665的图案层。掩模的图案孔与多个发光区域900对应地对准。
在示例性实施例中,图案孔不定位在掩模的对应于其中将形成第一密封部分881(在下文中称为第一密封区域)的区域和其中将形成第二密封部分882(在下文中称为第二密封区域)的区域的部分处。在这样的示例性实施例中,掩模的对应于第一密封区域的部分将被限定为第一掩模部分,掩模的对应于第二密封区域的部分将被限定为第二掩模部分。第二掩模部分连接到第一掩模部分,这可以防止第二掩模部分的下垂,第二掩模部分和第一掩模部分通过设置在它们之间的虚设掩模部分连接。在这样的示例性实施例中,虚设掩模部分对应于上述虚设区域101d而定位。在示例性实施例中,图案孔不定位在虚设掩模部分处。这是因为如果图案孔定位在虚设掩模部分处,则虚设掩模部分的支撑力会减小,虚设掩模部分和第二掩模部分会向下下垂。为此,在示例性实施例中,图案孔不定位在虚设掩模部分处。因此,在示例性实施例中,上述的发光层512、空穴注入层661、空穴传输层662、电子传输层664和电子注入层665不形成在虚设区域101d中。
图6是根据示例性实施例的沿图3和图4的线I-I'截取的剖视图。
在示例性实施例中,如图6中所示,缓冲层120、栅极绝缘层140、第二绝缘中间层160和第二基底102可以设置在第一基底101的虚设区域101d中。例如,缓冲层120、栅极绝缘层140和第二绝缘中间层160可以对应于虚设区域101d设置在第一基底101与第二基底102之间。
例如,如图6中所示,包括缓冲层120、栅极绝缘层140和第二绝缘中间层160的绝缘层642具有凹凸形状。
例如,在示例性实施例中,发光层512不设置在第一基底101的虚设区域101d中。另外,空穴注入层661、空穴传输层662、电子传输层664和电子注入层665如上所述不设置在第一基底101的虚设区域101d中。
图7是根据示例性实施例的沿图3和图4的线I-I'截取的剖视图。
在示例性实施例中,如图7中所示,第二基底102设置在第一基底101的虚设区域101d上方。例如,在示例性实施例中,不在第一基底101与第二基底102之间对应于虚设区域101d设置任何组件。
例如,在示例性实施例中,发光层512不设置在第一基底101的虚设区域101d中。另外,空穴注入层661、空穴传输层662、电子传输层664和电子注入层665如上所述不设置在第一基底101的虚设区域101d中。
图8示出了图3的第一基底101的发光层512的布置。
如图8中所示,在示例性实施例中,发光层512设置在第一基底101的显示区域100a中。然而,发光层512不设置在第一基底101的虚设区域101d中。此外,发光层512不设置在第一密封部分881、第二密封部分882和通孔TH处。
当利用激光照射通过第一密封部分881和第二密封部分882彼此结合的第一基底101和第二基底102时可以限定通孔TH。激光入射到被第二密封部分882包围的结合基底(例如,第一基底101和第二基底102)。例如,当激光穿透结合基底时,限定通孔TH。
在示例性实施例中,如果有机材料(例如,发光层512)存在于与通孔TH对应的区域中,则可能因激光的照射而从发光层512产生脱气。脱气可能损坏周围像素的发光层。因此,有机材料(例如,发光层512、空穴注入层661、空穴传输层662、电子传输层664和电子注入层665)不形成在第一基底101的与通孔TH对应的部分处。
图9是示出根据示例性实施例的包括图1的元件的显示装置的平面图。图10是图9的部分A的放大图。为了便于说明,图10中省略了第二基底102以为了清楚地描述第一密封部分881和第二密封部分882的形式。
如图9和图10中所示,可以靠近第一基底101的垫区域101c设置第二密封部分882。
如图9和图10中所示,虚设区域101d在第二密封部分882与第一密封部分881之间定位在第一基底101上方。例如,虚设区域101d定位在第一密封部分881的一侧与第二密封部分882之间。例如,在第一密封部分881的第一边S1、第二边S2、第三边S3和第四边S4中,第二边S2定位为最靠近第二密封部分882,并且虚设区域101d定位在第二边S2与第二密封部分882之间。虚设区域101d与上述图4的虚设区域101d基本相同。
图11是示出根据示例性实施例的虚设区域101d的视图。
如图11中所示,虚设区域101d可以具有包括第一边S11、第二边S22、第三边S33和第四边S44的多边形形状。在这样的示例性实施例中,虚设区域101d的第一边S11指虚设区域101d与第一密封部分881的第一边S1之间的界面,虚设区域101d的第二边S22指虚设区域101d与第二密封部分882之间的界面。
虚设区域101d的沿第一密封部分881的长边(例如,第三边S3和第四边S4)彼此面对所沿的方向设置的第三边S33和第四边S44可以均具有直线形状。例如,虚设区域101d的在X轴方向上彼此面对的第三边S33和第四边S44中的每条可以具有直线形状。虚设区域101d的第三边S33的长度和虚设区域101d的第四边S44的长度可以大致彼此相等。
虚设区域101d的第三边S33和虚设区域101d的第四边S44可以具有彼此对称的形状。例如,第三边S33和第四边S44可以相对于数据线DL的延伸方向(例如,Y轴方向)具有对称形状。例如,第三边S33和第四边S44可以相对于穿过第二密封部分882的中心点(或通孔TH的中心点)的数据线DL的延伸方向(例如,Y轴方向)具有对称形状。
当第一密封部分881的最靠近第二密封部分882设置的一条边(例如,第一边S1)被定义为参考边S1时,第三边S33与第四边S44之间的距离可以沿着从参考边S1朝向第二密封部分882的方向(例如,与Y轴方向相反的方向)逐渐减小。
虚设区域101d的沿第一密封部分881的短边(例如,第一边S1和第二边S2)彼此面对所沿的方向设置的第一边S11和第二边S22可以分别具有直线形状和弯曲形状例如,虚设区域101d的在Y轴方向上彼此面对的第一边S11和第二边S22中的一条边(例如,第一边S11)可以具有直线形状,并且其另一边(例如,第二边S22)可以具有曲线形状。例如,在虚设区域101d的在Y轴方向上彼此面对的第一边S11和第二边S22中,与第一密封部分881相邻的第一边S11可以具有直线形状,与第二密封部分882相邻的第二边S22可以具有曲线形状。
虚设区域101d的第一边S11的长度可以大于虚设区域101d的第二边S22的长度。在示例性实施例中,当第三边S33与第四边S44之间的距离沿着与Y轴方向相反的方向逐渐增加时,第二边S22的长度可以大于虚设区域101d的第一边S11的长度。
图12是示出根据示例性实施例的虚设区域101d的视图。
如图12中所示,虚设区域101d可以具有包括第一边S11、第二边S22、第三边S33和第四边S44的多边形形状。在这样的示例性实施例中,虚设区域101d的第一边S11指虚设区域101d与第一密封部分881的第一边S1之间的界面,虚设区域101d的第二边S22指虚设区域101d与第二密封部分882之间的界面。
虚设区域101d的沿第一密封部分881的长边(例如,第三边S3和第四边S4)彼此面对所沿的方向设置的第三边S33和第四边S44可以均具有曲线形状。例如,虚设区域101d的在X轴方向上彼此面对的第三边S33和第四边S44中的每条可以具有曲线形状。虚设区域101d的第三边S33的长度和虚设区域101d的第四边S44的长度可以大致彼此相等。
虚设区域101d的第三边S33的曲率和虚设区域101d的第四边S44的曲率可以大致彼此相等。另外,第二密封部分882的曲率可以约等于或小于虚设区域101d的第三边S33(或第四边S44)的曲率。
虚设区域101d的第三边S33和虚设区域101d的第四边S44可以具有彼此对称的形状。例如,第三边S33和第四边S44可以相对于数据线DL的延伸方向(例如,Y轴方向)具有对称形状。例如,第三边S33和第四边S44可以相对于穿过第二密封部分882的中心点(或通孔TH的中心点)的数据线DL的延伸方向(例如,Y轴方向)具有对称形状。
当第一密封部分881的最靠近第二密封部分882设置的一条边(例如,第一边S1)被定义为参考边S1时,第三边S33与第四边S44之间的距离可以沿着从参考边S1朝向第二密封部分882的方向(例如,与Y轴方向相反的方向)逐渐减小。
虚设区域101d的沿第一密封部分881的短边(例如,第一边S1和第二边S2)彼此面对所沿的方向设置的第一边S11和第二边S22可以分别具有直线形状和弯曲形状。例如,虚设区域101d的在Y轴方向上彼此面对的第一边S11和第二边S22中的一条边(例如,第一边S11)可以具有直线形状,并且其另一边(例如,第二边S22)可以具有曲线形状。例如,在虚设区域101d的在Y轴方向上彼此面对的第一边S11和第二边S22中,与第一密封部分881相邻的第一边S11可以具有直线形状,与第二密封部分882相邻的第二边S22可以具有曲线形状。
虚设区域101d的第二边S22的长度小于虚设区域101d的第一边S11的长度。
图13是示出根据示例性实施例的虚设区域101d的视图。
如图13中所示,虚设区域101d可以具有包括第一边S11、第二边S22、第三边S33和第四边S44的多边形形状。在这样的示例性实施例中,虚设区域101d的第一边S11指虚设区域101d与第一密封部分881的第一边S1之间的界面,虚设区域101d的第二边S22指虚设区域101d与第二密封部分882之间的界面。
虚设区域101d的沿第一密封部分881的长边(例如,第三边S3和第四边S4)彼此面对所沿的方向设置的第三边S33和第四边S44可以均具有曲线形状。例如,虚设区域101d的在X轴方向上彼此面对的第三边S33和第四边S44中的每条可以具有曲线形状。虚设区域101d的第三边S33的长度和虚设区域101d的第四边S44的长度可以大致彼此相等。
虚设区域101d的第三边S33的曲率和虚设区域101d的第四边S44的曲率可以大致彼此相等。另外,第二密封部分882的曲率可以约等于或小于虚设区域101d的第三边S33(或第四边S44)的曲率。
虚设区域101d的第三边S33和虚设区域101d的第四边S44可以具有彼此对称的形状。例如,第三边S33和第四边S44可以相对于数据线DL的延伸方向(例如,Y轴方向)具有对称形状。例如,第三边S33和第四边S44可以相对于穿过第二密封部分882的中心点(或通孔TH的中心点)的数据线DL的延伸方向(例如,Y轴方向)具有对称形状。
当第一密封部分881的最靠近第二密封部分882设置的一条边(例如,第一边S1)被定义为第一参考边S1,虚设区域101d的面对第一参考边S1的一条边(例如,第二边S22)被定义为第二参考边S22,并且连接第三边S33的中心点和第四边S44的中心点的虚线被定义为中心线时,第三边S33与第四边S44之间的距离沿着从第一参考边S1朝向中心线的方向(例如,与Y轴方向相反的方向)逐渐减小,并且第三边S33与第四边S44之间的距离沿着从第二参考边S22朝向中心线的方向(例如,Y轴方向)逐渐减小。因此,第三边S33和第四边S44可以具有凹透镜形状。例如,第三边S33可以具有“)”的形状,并且第四边S44可以具有“(”的形状。
虚设区域101d的沿第一密封部分881的短边(例如,第一边S1和第二边S2)彼此面对所沿的方向设置的第一边S11和第二边S22可以分别具有直线形状和弯曲形状。例如,虚设区域101d的在Y轴方向上彼此面对的第一边S11和第二边S22中的一条边(例如,第一边S11)可以具有直线形状,并且其另一边(例如,第二边S22)可以具有曲线形状。例如,在虚设区域101d的在Y轴方向上彼此面对的第一边S11和第二边S22中,与第一密封部分881相邻的第一边S11可以具有直线形状,与第二密封部分882相邻的第二边S22可以具有曲线形状。
虚设区域101d的第二边S22的长度大于虚设区域101d的第一边S11的长度。
图14是示出根据示例性实施例的虚设区域101d的视图。
如图14中所示,虚设区域101d可以具有包括第一边S11、第二边S22、第三边S33和第四边S44的多边形形状。在这样的示例性实施例中,虚设区域101d的第一边S11指虚设区域101d与第一密封部分881的第一边S1之间的界面,虚设区域101d的第二边S22指虚设区域101d与第二密封部分882之间的界面。
虚设区域101d的沿第一密封部分881的长边(例如,第三边S3和第四边S4)彼此面对所沿的方向设置的第三边S33和第四边S44可以均具有曲线形状。例如,虚设区域101d的在X轴方向上彼此面对的第三边S33和第四边S44中的每条可以具有曲线形状。虚设区域101d的第三边S33的长度和虚设区域101d的第四边S44的长度可以大致彼此相等。
虚设区域101d的第三边S33的曲率和虚设区域101d的第四边S44的曲率可以大致彼此相等。另外,第二密封部分882的曲率可以约等于或小于虚设区域101d的第三边S33(或第四边S44)的曲率。
虚设区域101d的第三边S33和虚设区域101d的第四边S44可以具有彼此对称的形状。例如,第三边S33和第四边S44可以具有相对于数据线DL的延伸方向(例如,Y轴方向)的对称形状。例如,第三边S33和第四边S44可以具有相对于穿过第二密封部分882的中心点(或通孔TH的中心点)的数据线DL的延伸方向(例如,Y轴方向)的对称形状。
当第一密封部分881的最靠近第二密封部分882设置的一条边(例如,第一边S1)被定义为第一参考边S1,虚设区域101d的面对第一参考边S1的一条边(例如,第二边S22)被定义为第二参考边S22,并且连接第三边S33的中心点和第四边S44的中心点的虚线被定义为中心线时,第三边S33与第四边S44之间的距离沿着从第一参考边S1朝向中心线的方向(例如,与Y轴方向相反的方向)逐渐增大,并且第三边S33与第四边S44之间的距离沿着从第二参考边S22朝向中心线的方向(例如,Y轴方向)逐渐增大。因此,第三边S33和第四边S44可以具有凸透镜形状。例如,第三边S33可以具有“(”的形状,并且第四边S44可以具有“)”的形状。
虚设区域101d的沿第一密封部分881的短边(例如,第一边S1和第二边S2)彼此面对所沿的方向设置的第一边S11和第二边S22可以分别具有直线形状和弯曲形状。例如,虚设区域101d的在Y轴方向上彼此面对的第一边S11和第二边S22中的一条边(例如,第一边S11)可以具有直线形状,并且其另一边(例如,第二边S22)可以具有曲线形状。例如,在虚设区域101d的在Y轴方向上彼此面对的第一边S11和第二边S22中,与第一密封部分881相邻的第一边S11可以具有直线形状,与第二密封部分882相邻的第二边S22可以具有曲线形状。
虚设区域101d的第二边S22的长度大于虚设区域101d的第一边S11的长度。
图15是示出根据示例性实施例的虚设区域101d的视图。
如图15中所示,虚设区域101d可以具有包括第一边S11、第二边S22、第三边S33和第四边S44的多边形形状。在这样的示例性实施例中,虚设区域101d的第一边S11指虚设区域101d与第一密封部分881的第一边S1之间的界面,虚设区域101d的第二边S22指虚设区域101d与第二密封部分882之间的界面。
虚设区域101d的沿第一密封部分881的长边(例如,第三边S3和第四边S4)彼此面对所沿的方向设置的第三边S33和第四边S44可以均具有弯曲的直线形状。例如,虚设区域101d的在X轴方向上彼此面对的第三边S33和第四边S44中的每条可以具有弯曲的直线形状。例如,在示例性实施例中,虚设区域101d的在X轴方向上彼此面对的第三边S33和第四边S44中的每条可以包括第一直线部分和连接到第一直线部分的第二直线部分。可以在对应的第一直线部分与第二直线部分之间形成角。虚设区域101d的第三边S33的长度和虚设区域101d的第四边S44的长度可以大致彼此相等。
虚设区域101d的第三边S33和虚设区域101d的第四边S44可以具有彼此对称的形状。例如,第三边S33和第四边S44可以具有相对于数据线DL的延伸方向(例如,Y轴方向)的对称形状。例如,第三边S33和第四边S44可以具有相对于穿过第二密封部分882的中心点(或通孔TH的中心点)的数据线DL的延伸方向(例如,Y轴方向)的对称形状。
当第一密封部分881的最靠近第二密封部分882设置的一条边(例如,第一边S1)被定义为第一参考边S1,虚设区域101d的面对第一参考边S1的一条边(例如,第二边S22)被定义为第二参考边S22,并且连接第三边S33的中心点和第四边S44的中心点的虚线被定义为中心线时,第三边S33与第四边S44之间的距离沿着从第一参考边S1朝向中心线的方向(例如,与Y轴方向相反的方向)逐渐减小,并且第三边S33与第四边S44之间的距离沿着从第二参考边S22朝向中心线的方向(例如,Y轴方向)逐渐减小。例如,第三边S33可以具有“>”的形状,第四边S44可以具有“<”的形状。
虚设区域101d的沿第一密封部分881的短边(例如,第一边S1和第二边S2)彼此面对所沿的方向设置的第一边S11和第二边S22可以分别具有直线形状和弯曲形状。例如,虚设区域101d的在Y轴方向上彼此面对的第一边S11和第二边S22中的一条边(例如,第一边S11)可以具有直线形状,并且其另一边(例如,第二边S22)可以具有曲线形状。例如,在虚设区域101d的在Y轴方向上彼此面对的第一边S11和第二边S22中,与第一密封部分881相邻的第一边S11可以具有直线形状,与第二密封部分882相邻的第二边S22可以具有曲线形状。
虚设区域101d的第二边S22的长度大于虚设区域101d的第一边S11的长度。
图16是示出根据示例性实施例的虚设区域101d的视图。
如图16中所示,虚设区域101d可以具有包括第一边S11、第二边S22、第三边S33和第四边S44的多边形形状。在这样的示例性实施例中,虚设区域101d的第一边S11指虚设区域101d与第一密封部分881的第一边S1之间的界面,虚设区域101d的第二边S22指虚设区域101d与第二密封部分882之间的界面。
虚设区域101d的沿第一密封部分881的长边(例如,第三边S3和第四边S4)彼此面对所沿的方向设置的第三边S33和第四边S44可以均具有弯曲的直线形状。例如,虚设区域101d的在X轴方向上彼此面对的第三边S33和第四边S44中的每条可以具有弯曲的直线形状。例如,在示例性实施例中,虚设区域101d的在X轴方向上彼此面对的第三边S33和第四边S44中的每条可以包括第一直线部分和连接到第一直线部分的第二直线部分。可以在对应的第一直线部分与第二直线部分之间形成角。虚设区域101d的第三边S33的长度和虚设区域101d的第四边S44的长度可以大致彼此相等。
虚设区域101d的第三边S33和虚设区域101d的第四边S44可以具有彼此对称的形状。例如,第三边S33和第四边S44可以具有相对于数据线DL的延伸方向(例如,Y轴方向)的对称形状。例如,第三边S33和第四边S44可以具有相对于穿过第二密封部分882的中心点(或通孔TH的中心点)的数据线DL的延伸方向(例如,Y轴方向)的对称形状。
当第一密封部分881的最靠近第二密封部分882设置的一条边(例如,第一边S1)被定义为第一参考边S1,虚设区域101d的面对第一参考边S1的一条边(例如,第二边S22)被定义为第二参考边S22,并且连接第三边S33的中心点和第四边S44的中心点的虚线被定义为中心线时,第三边S33与第四边S44之间的距离沿着从第一参考边S1朝向中心线的方向(例如,与Y轴方向相反的方向)逐渐增大,并且第三边S33与第四边S44之间的距离沿着从第二参考边S22朝向中心线的方向(例如,Y轴方向)逐渐增大。例如,第三边S33可以具有“<”的形状,第四边S44可以具有“>”的形状。
虚设区域101d的沿第一密封部分881的短边(例如,第一边S1和第二边S2)彼此面对所沿的方向设置的第一边S11和第二边S22可以分别具有直线形状和弯曲形状。例如,虚设区域101d的在Y轴方向上彼此面对的第一边S11和第二边S22中的一条边(例如,第一边S11)可以具有直线形状,并且其另一边(例如,第二边S22)可以具有曲线形状。例如,在虚设区域101d的在Y轴方向上彼此面对的第一边S11和第二边S22中,与第一密封部分881相邻的第一边S11可以具有直线形状,与第二密封部分882相邻的第二边S22可以具有曲线形状。
虚设区域101d的第二边S22的长度大于虚设区域101d的第一边S11的长度。
可选地,在示例性实施例中,图11至图16的第二密封部分882可以靠近第一密封部分881的第二边S2设置,第一密封部分881的第二边S2靠近垫区域101c。
图17是示出根据示例性实施例的第一密封部分881和第二密封部分882的平面图。
如图17中所示,在示例性实施例中,第二密封部分882可以连接到第一密封部分881。例如,第二密封部分882可以连接到第一密封部分881的最靠近第二密封部分882的第一边S1。
第一密封部分881可以在第一密封部分881与第二密封部分882之间的连接点处具有凹口444。例如,凹口444可以定位在第一密封部分881的与第一密封部分881和第二密封部分882之间的接触表面相对的部分处。
可选地,在示例性实施例中,第二密封部分882可以连接到第一密封部分881的靠近垫区域101c的第二边S2。
图18A至图18C是示出包括根据示例性实施例的显示装置的电子设备的视图。
参照图18A,根据上述示例性实施例的显示装置1000可以应用于智能手机3000。元件3200(例如,相机)可以定位在通孔TH中。例如,元件3200(例如,相机)可以定位在被第二密封部分882包围的区域中。
参照图18B,根据上述示例性实施例的显示装置1000可以应用于智能手表4000。包括分针和时针的驱动单元DU可以设置在通孔TH中。例如,驱动单元DU可以设置在被第二密封部分882包围的区域中。
参照图18C,根据上述示例性实施例的显示装置1000可以应用于车辆的仪表盘5000。包括指示发动机速度(RPM)的指针的第一驱动单元DU1和包括指示速度的指针的第二驱动单元DU2可以分别设置在通孔TH中。例如,第一驱动单元DU1和第二驱动单元DU2可以分别设置在被两个第二密封部分882包围的两个区域中。
本发明的显示装置可以是包括发光层512作为显示元件的LED装置。然而,本发明的显示装置不限于此。例如,本发明的显示装置可以是包括液晶层作为其显示元件的LCD装置。
如上所述,根据一个或更多个示例性实施例的显示装置可以提供以下效果。
可以在其中安装例如相机的通孔定位在显示区域中,因此可以加宽显示装置的用于显示图像的显示区域。
另外,由于通孔被密封部分密封,因此可以阻挡湿气可能通过通孔渗透所沿的路径。
虽然已经参照本发明的示例性实施例示出并描述了本发明,但是对于本领域普通技术人员将明显的是,在不脱离由权利要求限定的本发明的精神和范围的情况下,可以对其进行形式和细节上的各种改变。
Claims (20)
1.一种显示装置,所述显示装置包括:
第一基底,包括显示区域和非显示区域;
显示元件,设置在所述第一基底的所述显示区域中;
第一密封部分,设置在所述第一基底的所述非显示区域中;
第二基底,在第一方向上面对所述第一基底;
孔,在所述显示区域中沿所述第一方向通过所述第一基底和所述第二基底限定;以及
第二密封部分,设置在所述第一基底与所述第二基底之间并包围所述孔。
2.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述第一基底还包括定位在所述第一密封部分与所述第二密封部分之间的虚设区域。
3.根据权利要求2所述的显示装置,其中,所述虚设区域定位在所述第二密封部分与所述第一密封部分的最靠近所述第二密封部分设置的一侧之间。
4.根据权利要求3所述的显示装置,其中,所述虚设区域具有包括四条边的多边形形状。
5.根据权利要求4所述的显示装置,其中,所述虚设区域的沿着所述第一密封部分的长边彼此面对所沿的第二方向设置的第三边和第四边中的每条边具有曲线形状,并且
所述虚设区域的沿着所述第一密封部分的短边彼此面对所沿的第三方向设置的第一边和第二边分别具有直线形状和曲线形状。
6.根据权利要求5所述的显示装置,其中,所述第三边与所述第四边之间的距离沿着所述第三方向从所述第一密封部分的最靠近所述第二密封部分设置的所述一侧朝向所述第二密封部分逐渐增加。
7.根据权利要求5所述的显示装置,其中,所述第三边的曲率等于所述第四边的曲率。
8.根据权利要求5所述的显示装置,其中,所述第二密封部分具有圆形形状,并且
所述第二密封部分的曲率等于或小于所述第三边的曲率。
9.根据权利要求5所述的显示装置,其中,所述第一边与所述第一密封部分相邻,
所述第二边与所述第二密封部分相邻,并且
所述第二边的长度大于所述第一边的长度。
10.根据权利要求4所述的显示装置,其中,所述虚设区域的沿着所述第一密封部分的长边彼此面对所沿的第二方向设置的第三边和第四边中的每条边具有直线形状,并且
所述虚设区域的沿着所述第一密封部分的短边彼此面对所沿的第三方向设置的第一边和第二边分别具有直线形状和曲线形状。
11.根据权利要求10所述的显示装置,其中,所述第三边与所述第四边之间的距离沿着所述第三方向从所述第一密封部分的最靠近所述第二密封部分设置的所述一侧朝向所述第二密封部分逐渐减小。
12.根据权利要求10所述的显示装置,其中,所述第一边与所述第一密封部分相邻,
所述第二边与所述第二密封部分相邻,并且
所述第二边的长度大于所述第一边的长度。
13.根据权利要求2所述的显示装置,其中,所述显示元件包括发光层,并且
所述发光层选择性地仅设置在所述显示区域和所述虚设区域中的所述显示区域中。
14.根据权利要求13所述的显示装置,其中,空穴注入层、空穴传输层、电子传输层和电子注入层进一步选择性地仅设置在所述显示区域和所述虚设区域中的所述显示区域中。
15.根据权利要求2所述的显示装置,所述显示装置还包括:
绝缘层,具有凹凸形状并设置在所述虚设区域中。
16.根据权利要求2所述的显示装置,其中,图案层不存于所述虚设区域中。
17.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述第二密封部分的宽度小于所述第一密封部分的宽度。
18.根据权利要求1所述的显示装置,所述显示装置还包括第一传热层和第二传热层中的至少一者,所述第一传热层设置在所述第一基底与所述第一密封部分之间,所述第二传热层设置在所述第一基底与所述第二密封部分之间。
19.根据权利要求18所述的显示装置,其中,所述第一传热层接触所述第一密封部分,并且
所述第二传热层接触所述第二密封部分。
20.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述第一基底的所述非显示区域包括不与所述第二基底叠置的垫区域以及与所述第二基底叠置的非垫区域,
所述第一密封部分的彼此面对的第一边和第二边中的第一边更邻近于所述非垫区域,并且
所述第二密封部分更邻近于所述第一边和所述第二边中的任何一者。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2018-0117578 | 2018-10-02 | ||
KR1020180117578A KR20200038371A (ko) | 2018-10-02 | 2018-10-02 | 표시 장치 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN110993811A true CN110993811A (zh) | 2020-04-10 |
CN110993811B CN110993811B (zh) | 2024-06-21 |
Family
ID=68136176
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201910948707.8A Active CN110993811B (zh) | 2018-10-02 | 2019-10-08 | 显示装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US11700742B2 (zh) |
EP (1) | EP3633751A1 (zh) |
KR (1) | KR20200038371A (zh) |
CN (1) | CN110993811B (zh) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102168042B1 (ko) | 2018-12-27 | 2020-10-20 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
US11158836B2 (en) * | 2019-03-19 | 2021-10-26 | Innolux Corporation | Light emitting device |
KR20210115104A (ko) * | 2020-03-11 | 2021-09-27 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
WO2021203329A1 (zh) * | 2020-04-08 | 2021-10-14 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制备方法、显示装置 |
KR20220000440A (ko) * | 2020-06-25 | 2022-01-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법 |
WO2022172411A1 (ja) * | 2021-02-12 | 2022-08-18 | シャープ株式会社 | 表示装置 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103258477A (zh) * | 2013-01-11 | 2013-08-21 | 友达光电股份有限公司 | 显示面板与显示装置 |
US20150194625A1 (en) * | 2014-01-07 | 2015-07-09 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light-emitting diode (oled) display and fabrication method for the same |
US20170077192A1 (en) * | 2015-09-11 | 2017-03-16 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light-emitting display apparatus |
CN106980256A (zh) * | 2016-01-18 | 2017-07-25 | 上海和辉光电有限公司 | 一种手表及其制造方法 |
CN107039493A (zh) * | 2015-12-04 | 2017-08-11 | 三星显示有限公司 | 显示设备 |
CN107236927A (zh) * | 2017-06-16 | 2017-10-10 | 京东方科技集团股份有限公司 | 掩膜板模组、有机电致发光显示面板及其制作方法 |
US20180151834A1 (en) * | 2016-11-28 | 2018-05-31 | Japan Display Inc. | Display device |
CN108559948A (zh) * | 2018-06-28 | 2018-09-21 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种掩膜板、有机发光显示面板及显示装置 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102465379B1 (ko) | 2015-12-02 | 2022-11-10 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 |
KR102543487B1 (ko) | 2015-12-28 | 2023-06-16 | 삼성디스플레이 주식회사 | 자기 정전 용량형 터치 스크린 및 이를 구비하는 표시 장치 |
KR102476900B1 (ko) | 2016-06-02 | 2022-12-13 | 엘지디스플레이 주식회사 | 관통부를 구비하는 디스플레이 장치 |
-
2018
- 2018-10-02 KR KR1020180117578A patent/KR20200038371A/ko active IP Right Grant
-
2019
- 2019-07-11 US US16/508,836 patent/US11700742B2/en active Active
- 2019-10-02 EP EP19200949.6A patent/EP3633751A1/en active Pending
- 2019-10-08 CN CN201910948707.8A patent/CN110993811B/zh active Active
-
2023
- 2023-05-31 US US18/326,616 patent/US20230309336A1/en active Pending
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103258477A (zh) * | 2013-01-11 | 2013-08-21 | 友达光电股份有限公司 | 显示面板与显示装置 |
US20150194625A1 (en) * | 2014-01-07 | 2015-07-09 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light-emitting diode (oled) display and fabrication method for the same |
US20170077192A1 (en) * | 2015-09-11 | 2017-03-16 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light-emitting display apparatus |
CN107039493A (zh) * | 2015-12-04 | 2017-08-11 | 三星显示有限公司 | 显示设备 |
CN106980256A (zh) * | 2016-01-18 | 2017-07-25 | 上海和辉光电有限公司 | 一种手表及其制造方法 |
US20180151834A1 (en) * | 2016-11-28 | 2018-05-31 | Japan Display Inc. | Display device |
CN107236927A (zh) * | 2017-06-16 | 2017-10-10 | 京东方科技集团股份有限公司 | 掩膜板模组、有机电致发光显示面板及其制作方法 |
CN108559948A (zh) * | 2018-06-28 | 2018-09-21 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种掩膜板、有机发光显示面板及显示装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20200038371A (ko) | 2020-04-13 |
US20230309336A1 (en) | 2023-09-28 |
CN110993811B (zh) | 2024-06-21 |
US11700742B2 (en) | 2023-07-11 |
US20200106042A1 (en) | 2020-04-02 |
EP3633751A1 (en) | 2020-04-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US11800753B2 (en) | Display device and method for fabricating the same | |
EP3503238B1 (en) | Display device | |
CN110993811B (zh) | 显示装置 | |
US10714561B2 (en) | Display device | |
US11437439B2 (en) | Display device | |
US10411082B2 (en) | Display device | |
CN107644889B (zh) | 显示面板和包括该显示面板的显示装置 | |
US10950822B2 (en) | Display device capable of improving light extraction efficiency | |
US11362304B2 (en) | Display device and method of manufacturing the same | |
US10263203B2 (en) | Display device | |
KR20180046418A (ko) | 표시장치 및 그 제조방법 | |
US10665820B2 (en) | Display device | |
KR20190075751A (ko) | 칩 온 필름 및 이를 포함하는 표시장치 | |
US20230200157A1 (en) | Organic Light Emitting Display Device and Method of Fabricating the Same | |
CN116364697A (zh) | 电致发光显示装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant |