CN110993485A - 一种氮化硅陶瓷覆铜基板的表面钝化方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及半导体技术领域。一种氮化硅陶瓷覆铜基板的表面钝化方法，在完成图形蚀刻以后进行氮化硅陶瓷覆铜基板的表面钝化；步骤一，用1％～5％浓度氢氟酸溶液将氮化硅陶瓷覆铜基板浸泡钝化；步骤二，氮化硅陶瓷覆铜基板用去离子水超声浸泡清洗；步骤三，氮化硅陶瓷覆铜基板用异丙醇浸泡清洗；步骤四，将氮化硅陶瓷覆铜基板热风烘干。通过以上钝化工序，可有效去除产品表面亲水性键合结构(Si‑OH)，从而降低氮化硅表面漏电流随环境变化的漂移值，提高产品绝缘可靠性。
Description
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，具体是氮化硅陶瓷覆铜基板。
背景技术
氮化硅陶瓷覆铜基板是一种高机械强度、高导热和具有电绝缘性的电路基板，主要应用于大功率及发热较大的半导体模块及功率半导体器件。目前市场上氮化硅陶瓷覆铜基板的制程主要包括：氮化硅和铜进行活性金属钎焊烧结、图形转移及蚀刻、表面处理等。
氮化硅陶瓷覆铜基板经过碱性蚀刻体系清除焊料层后，其表面容易残存亲水性键合结构(Si-OH)，而这种亲水性键合结构用常规的清洗工艺(去离子水超声浸泡-异丙醇浸泡-热风烘干)无法去除，这会导致Si3N4陶瓷覆铜基板电绝缘性能出现漂移，主要表现在产品岛间漏电流值存在一定的漂移性。尤其在湿度大，高电压使用环境下将可能引起绝缘不良，导致产品或器件失效。
发明内容
针对现有技术存在的问题，本发明提供一种氮化硅陶瓷覆铜基板的表面钝化方法，以解决以上至少一个技术问题。
为了达到上述目的，本发明提供了一种氮化硅陶瓷覆铜基板的表面钝化方法，其特征在于，在完成图形蚀刻以后进行氮化硅陶瓷覆铜基板的表面钝化；
步骤一，用1％～5％浓度氢氟酸溶液将氮化硅陶瓷覆铜基板浸泡钝化；
步骤二，氮化硅陶瓷覆铜基板用去离子水超声浸泡清洗；
步骤三，氮化硅陶瓷覆铜基板用异丙醇浸泡清洗；
步骤四，将氮化硅陶瓷覆铜基板热风烘干。
进一步优选地，步骤一中，浸泡钝化的时间为10～20min。
进一步优选地，步骤一中，1％～5％浓度氢氟酸溶液采用49％的氢氟酸溶液稀释获得。
进一步优选地，步骤二中，浸泡清洗时间为3～5min。
进一步优选地，步骤三中，浸泡清洗时间为1～5min。
进一步优选地，步骤四中，热风烘干的温度为80±5℃，时间5～10min。
有益效果：通过以上钝化工序，可有效去除产品表面亲水性键合结构(Si-OH)，从而降低氮化硅表面漏电流随环境变化的漂移值，提高产品绝缘可靠性。
具体实施方式
下面对本发明做进一步的说明。
一种氮化硅陶瓷覆铜基板的表面钝化方法，在完成图形蚀刻以后进行氮化硅陶瓷覆铜基板的表面钝化；
步骤一，用49％的氢氟酸溶液稀释获得1％～5％浓度氢氟酸溶液将氮化硅陶瓷覆铜基板浸泡钝化10～20min；
步骤二，氮化硅陶瓷覆铜基板用去离子水超声浸泡清洗3～5min；
步骤三，氮化硅陶瓷覆铜基板用异丙醇浸泡清洗1～5min；
步骤四，将氮化硅陶瓷覆铜基板热风烘干，温度为80±5℃，时间5～10min。
有益效果：通过以上钝化工序，可有效去除产品表面亲水性键合结构(Si-OH)，从而降低氮化硅表面漏电流随环境变化的漂移值，提高产品绝缘可靠性。避免了漏电流大会引起产品绝缘不良，造成产品报废的问题。
去离子水温度为常温。
上述钝化与清洗结合的钝化方法与传统的清洗效果进行比较，漏电流值测试比较结果如下：
| 测试条件(间隔时间) | 本专利的钝化方法 | 常规清洗工艺 |
| 清洗后0.5h漏电流/nA | 8.7 | 10.7 |
| 清洗后5h再测漏电流/nA | 2.06 | 15.5 |
| 清洗后20h再测漏电流/nA | 2.98 | 41.3 |
| 清洗后44h再测漏电流/nA | ＜1 | 8.11 |
测试条件：1)测试间隔时间：0.5h、5h、20h、44h；
2)电流：1000V DC；
3)室温、无湿度控制。
上述测试结果采用的常规的清洗工艺，包括如下步骤，去离子水超声浸泡3～5min；异丙醇浸泡1～5min；热风烘干温度为80±5℃，时间5～10min。
以上仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。
Claims (6)
1.一种氮化硅陶瓷覆铜基板的表面钝化方法，其特征在于，在完成图形蚀刻以后进行氮化硅陶瓷覆铜基板的表面钝化；
步骤一，用1％～5％浓度氢氟酸溶液将氮化硅陶瓷覆铜基板浸泡钝化；
步骤二，氮化硅陶瓷覆铜基板用去离子水超声浸泡清洗；
步骤三，氮化硅陶瓷覆铜基板用异丙醇浸泡清洗；
步骤四，将氮化硅陶瓷覆铜基板热风烘干。
2.根据权利要求1所述的一种氮化硅陶瓷覆铜基板的表面钝化方法，其特征在于：步骤一中，浸泡钝化的时间为10～20min。
3.根据权利要求1所述的一种氮化硅陶瓷覆铜基板的表面钝化方法，其特征在于：步骤一中，1％～5％浓度氢氟酸溶液采用49％的氢氟酸溶液稀释获得。
4.根据权利要求1所述的一种氮化硅陶瓷覆铜基板的表面钝化方法，其特征在于：步骤二中，浸泡清洗时间为3～5min。
5.根据权利要求1所述的一种氮化硅陶瓷覆铜基板的表面钝化方法，其特征在于：步骤三中，浸泡清洗时间为1～5min。
6.根据权利要求1所述的一种氮化硅陶瓷覆铜基板的表面钝化方法，其特征在于：步骤四中，热风烘干的温度为80±5℃，时间5～10min。
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|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| TA01 | Transfer of patent application right |
Effective date of registration: 20201117 Address after: 224200 No. 18 Hongda Road, Chengdong New District, Dongtai City, Yancheng City, Jiangsu Province Applicant after: JIANGSU FULEDE SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY Co.,Ltd. Address before: 224200 No. 18 Hongda Road, Chengdong New District, Dongtai City, Yancheng City, Jiangsu Province Applicant before: JIANGSU FULEDE SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY Co.,Ltd. Applicant before: SHANGHAI SHENHE THERMO-MAGNETICS ELECTRONICS Co.,Ltd. |
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| TA01 | Transfer of patent application right | ||
| CB02 | Change of applicant information |
Address after: 224200 No. 18 Hongda Road, Chengdong New District, Dongtai City, Yancheng City, Jiangsu Province Applicant after: Jiangsu fulehua Semiconductor Technology Co.,Ltd. Address before: 224200 No. 18 Hongda Road, Chengdong New District, Dongtai City, Yancheng City, Jiangsu Province Applicant before: JIANGSU FULEDE SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY Co.,Ltd. |
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| CB02 | Change of applicant information | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |