CN107799399B - 在中温下弹坑检测的预处理方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开一种在中温下弹坑检测的预处理方法，先将待检硅片浸入装有腐蚀液A的1号烧杯中，然后将整个1号烧杯中温水浴5‑10分钟，接着取出待检硅片并用纯水冲洗干燥，然后将待检硅片放入装有腐蚀液B的2号烧杯中，并将整个2号烧杯中温水浴5‑10分钟，最后将预处理后的待检硅片取出清洗干净，置于高倍显微镜下检测。上述在中温下弹坑检测的预处理方法，通过腐蚀液A、腐蚀液B在中温状态下先后腐蚀，即可实现AL‑Si‑CU电极层上铜丝球焊质量的检测，整个预处理过程快速高效、安全环保，且操作方便。

Description

在中温下弹坑检测的预处理方法
技术领域
本发明涉及一种在中温下弹坑检测的预处理方法，属于集成电路制造领域。
背景技术
目前针对半导体集成电路键合工艺所用材料大部分由金丝改用铜丝，由于铜丝与金丝材料特性不同，铜丝的球焊工艺方法与金丝的球焊工艺方法有所不同，虽然都是用高压电火花将铜（金）丝端部熔成球，然后在芯片焊位上加热加压加超声波使接触面产生结合完成球焊，但是由于铜丝材料的特性没有金丝好，加工过程较为困难与复杂，如工艺控制偏差会造成芯片正面AL-Si-CU电极层电路受到损伤，对该焊点的要求是铜球既要与芯片正面的AL-Si-CU电极层结合力强又不能损伤芯片AL-Si-CU电极层，如果这个结合点伤及到芯片AL-Si-CU电极层，产品就会失效或者存在潜在的失效可能，这既影响产品的合格率同时潜在的失效又影响客户端产品的使用寿命，对产品直接造成不利影响，因此需要了解判断铜球是否与芯片AL-Si-CU电极层接合后对芯片AL-Si-CU电极层造成了影响，我们业内称之为弹坑的检测至关重要，成为了集成电路封装键合过程中关键的质量控制点。传统的方法对AL-Si-CU合金电路层的芯片的检测效果较差，而现今此类合金层的集成电路芯片比例越来越多。申请号为2011018646.6的专利《一种检测铜丝球焊质量的工艺方法》，公开了一种检测铜丝球焊质量的方法，但该检测方法需要加热至95-1200C，如此高的温度会造成操作不方便、不安全，且对环境影响较大。
有鉴于此，本发明人对此进行研究，专门开发出一种在中温下弹坑检测的预处理方法，本案由此产生。
发明内容
为了解决现有技术中高温、不安全等问题，本发明提供在一种中温下弹坑检测的预处理方法。
为了实现上述目的，本发明的解决方案是：
在中温下弹坑检测的预处理方法，先将待检硅片浸入装有腐蚀液A的1号烧杯中，然后将整个1号烧杯中温水浴5-10分钟，接着取出待检硅片并用纯水冲洗干燥，然后将待检硅片放入装有腐蚀液B的2号烧杯中，并将整个2号烧杯中温水浴5-10分钟，最后将预处理后的待检硅片取出清洗干净，置于高倍显微镜下检测。
作为优选，所述腐蚀液A为10-20%NaOH，所述百分比为体积浓度。
作为优选，所述腐蚀液B为10-20%硫酸+3-5%醋酸+20-30%磷酸，所述百分比为体积浓度。
作为优选，所述无水乙醇的浓度为90-100%，所述百分比为体积浓度。
作为优选，所述中温为40-60℃。
作为优选，所述预处理后的待检硅片清洗包括：先用纯水冲洗，然后用无水乙醇脱水清洗干净。
作为优选，所述高倍显微镜为200倍或200倍以上的显微镜。
本发明所述的在中温下弹坑检测的预处理方法，通过腐蚀液A、腐蚀液B在40-60℃的中温状态下先后腐蚀，即可实现AL-Si-CU电极层上铜丝球焊质量的检测，整个预处理过程快速高效、安全环保，且操作方便。
以下结合具体实施例对本发明做进一步详细描述。
具体实施方式
实施例1
在中温下弹坑检测的预处理方法，先将待检硅片浸入装有腐蚀液A的1号烧杯中，所述腐蚀液A为浓度10%NaOH；然后将整个1号烧杯中温水浴7分钟，所述中温为50℃；接着取出待检硅片并用纯水冲洗干燥，然后将待检硅片放入装有腐蚀液B的2号烧杯中，所述腐蚀液B为浓度10%硫酸+5%醋酸+20%磷酸。并将整个2号烧杯中温水浴8分钟，所述中温为50℃，然后将预处理后的待检硅片取出，先用纯水冲洗，然后用浓度为95%的无水乙醇脱水清洗干净。最后将硅片置于高倍显微镜下检测。所述高倍显微镜为200倍或200倍以上的显微镜。所述的1号烧杯和2号烧杯为普通实验室所用的烧杯。上述溶液浓度均为体积浓度。
本实施例所述的在中温下弹坑检测的预处理方法，通过腐蚀液A、腐蚀液B在50℃的中温状态下先后腐蚀，即可实现AL-Si-CU电极层上铜丝球焊质量的检测，整个预处理过程快速高效、安全环保，且操作方便。
实施例2
在中温下弹坑检测的预处理方法，先将待检硅片浸入装有腐蚀液A的1号烧杯中，所述腐蚀液A为浓度20%NaOH；然后将整个1号烧杯中温水浴5分钟，所述中温为40℃；接着取出待检硅片并用纯水冲洗干燥，然后将待检硅片放入装有腐蚀液B的2号烧杯中，所述腐蚀液B为浓度20%硫酸+3%醋酸+25%磷酸。并将整个2号烧杯中温水浴6分钟，所述中温为40℃，然后将预处理后的待检硅片取出，先用纯水冲洗，然后用浓度为90%的无水乙醇脱水清洗干净。最后将硅片置于高倍显微镜下检测。所述高倍显微镜为200倍或200倍以上的显微镜。所述的1号烧杯和2号烧杯为普通实验室所用的烧杯。上述溶液浓度均为体积浓度。
本实施例所述的在中温下弹坑检测的预处理方法，通过腐蚀液A、腐蚀液B在40℃的中温状态下先后腐蚀，即可实现AL-Si-CU电极层上铜丝球焊质量的检测，整个预处理过程快速高效、安全环保，且操作方便。
实施例3
在中温下弹坑检测的预处理方法，先将待检硅片浸入装有腐蚀液A的1号烧杯中，所述腐蚀液A为浓度15%NaOH；然后将整个1号烧杯中温水浴10分钟，所述中温为60℃；接着取出待检硅片并用纯水冲洗干燥，然后将待检硅片放入装有腐蚀液B的2号烧杯中，所述腐蚀液B浓度为15%硫酸+4%醋酸+30%磷酸。并将整个2号烧杯中温水浴9分钟，所述中温为60℃，然后将预处理后的待检硅片取出，先用纯水冲洗，然后用浓度为100%的无水乙醇脱水清洗干净。最后将硅片置于高倍显微镜下检测。所述高倍显微镜为200倍或200倍以上的显微镜。所述的1号烧杯和2号烧杯为普通实验室所用的烧杯。上述溶液浓度均为体积浓度。
本实施例所述的在中温下弹坑检测的预处理方法，通过腐蚀液A、腐蚀液B在60℃的中温状态下先后腐蚀，即可实现AL-Si-CU电极层上铜丝球焊质量的检测，整个预处理过程快速高效、安全环保，且操作方便。
上述实施例并非限定本发明的产品形态和式样，任何所属技术领域的普通技术人员对其所做的适当变化或修饰，皆应视为不脱离本发明的专利范畴。

Claims (3)

1.在中温下弹坑检测的预处理方法，其特征在于：先将待检硅片浸入装有腐蚀液A的1号烧杯中，然后将整个1号烧杯中温水浴5-10分钟，接着取出待检硅片并用纯水冲洗干燥，然后将待检硅片放入装有腐蚀液B的2号烧杯中，并将整个2号烧杯中温水浴5-10分钟，然后将预处理后的待检硅片取出清洗干净，置于高倍显微镜下检测，所述高倍显微镜为200倍以上的显微镜；所述腐蚀液A为10-20%NaOH，该百分比为体积浓度；所述腐蚀液B为10-20%硫酸+3-5%醋酸+20-30%磷酸，该百分比为体积浓度；所述中温为40-60℃。
2.如权利要求1所述的在中温下弹坑检测的预处理方法，其特征在于：所述预处理后的待检硅片清洗包括：先用纯水冲洗，然后用无水乙醇脱水清洗干净。
3.如权利要求2所述的在中温下弹坑检测的预处理方法，其特征在于：所述无水乙醇的浓度为95%，该百分比为体积浓度。
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