CN110970576A - 一种显示面板及其制备方法、显示装置 - Google Patents
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- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 7
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims abstract description 115
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 claims abstract description 93
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims description 125
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 58
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 47
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 29
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 28
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 claims description 15
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 abstract description 47
- 239000005022 packaging material Substances 0.000 abstract description 26
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 9
- 230000009194 climbing Effects 0.000 abstract description 8
- 239000011344 liquid material Substances 0.000 abstract 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 545
- 239000010408 film Substances 0.000 description 145
- 239000000463 material Substances 0.000 description 37
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 26
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 19
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 15
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 5
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 5
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 5
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 3
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 3
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 3
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 3
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 3
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 2
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 2
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 2
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010406 cathode material Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 235000015220 hamburgers Nutrition 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
Images
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/873—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/844—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
-
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/1201—Manufacture or treatment
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
本发明公开了一种显示面板及其制备方法、显示装置。显示面板包括显示区和位于显示区一侧的边框区,所述边框区包括靠近显示区的过渡区和远离显示区的外缘区,过渡区的结构包括基底结构层、设置在所述基底结构层上的绝缘层、设置在所述绝缘层上的构造结构以及依次设置在所述构造结构上的第一无机封装层和有机封装层,所述第一无机封装层呈凹凸结构。在有机封装材料固化前,凹凸结构的凹部可以收纳多余的液态有机封装材料,凸部可以有效地阻碍液态材料的爬坡,减缓液态材料的流动,有效地防止了液态有机封装材料的溢出,保证了有机封装层的封装可靠性,提高了封装效果。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域,具体涉及一种显示面板及其制备方法、显示装置。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode,OLED)为主动发光显示器件,具有自发光、广视角、高对比度、较低耗电、反应速度快等优点。OLED显示器因其色彩鲜艳、功耗低、薄型化、可弯曲等优点,广泛被客户所接受。随着显示技术的不断发展,OLED技术越来越多地应用在各种显示装置中,特别是手机和平板电脑等智能终端产品中。
OLED器件中使用的有机发光材料和阴极材料对水和氧气特别敏感,过于潮湿或氧气含量过高都将影响OLED器件的使用寿命。为了保证OLED器件的寿命,OLED显示器普遍采用无机-有机-无机的汉堡式结构进行封装,该封装技术称为薄膜封装技术。在对OLED显示器进行薄膜封装时,第一封装层和第三封装层均为无机封装层,可以采用金属掩膜进行沉积制备而成,第二封装层为有机封装层,可以采用喷墨打印的方式制备而成。有机封装层固化前为液态,流动性较大,在显示面板的异形区、边角等位置容易溢出(overflow),导致OLED器件封装效果变差,降低了OLED器件的寿命。
发明内容
本发明实施例的目的是,提供一种显示面板及其制备方法、显示装置,以防止液态有机封装材料的溢出。
为了解决上述技术问题,本发明实施例提出了一种显示面板,包括显示区和位于显示区一侧的边框区,所述边框区包括靠近显示区的过渡区和远离显示区的外缘区,显示面板在过渡区的结构包括基底结构层、设置在所述基底结构层上的绝缘层、设置在所述绝缘层上的构造结构以及依次设置在所述构造结构上的第一无机封装层和有机封装层,所述第一无机封装层在过渡区呈凹凸结构。
可选地,所述构造结构包括设置在所述绝缘层上的第一结构层,所述第一结构层的朝向所述第一无机封装层的一侧设置有凹槽,所述第一无机封装层呈凹凸结构。
可选地,所述凹槽的数量为多个,多个所述凹槽自显示区朝向边缘区方向依次并列设置,
可选地,所述构造结构还包括叠设在所述第一结构层的背离所述绝缘层一侧上的第二结构层,所述第二结构层包括柱状体,所述柱状体设置在相邻两个所述凹槽之间。
可选地,所述柱状体的宽度小于与所述柱状体相邻的两个凹槽之间的距离,凹凸结构的凹部与凸部通过阶梯状连接壁连接,所述宽度为所述柱状体在沿多个凹槽排列方向上的尺寸。
可选地,所述显示面板在显示区的结构包括基底结构层、设置在所述基底结构层上的驱动结构层、设置在所述驱动结构层上的平坦层、设置在所述平坦层上的像素定义层,所述第一结构层与所述平坦层同层设置,所述柱状体与所述像素定义层同层设置。
可选地,所述构造结构包括设置在所述绝缘层上的第一结构层以及设置在所述第一结构层的背离所述绝缘层一侧上的第二结构层,所述第一结构层的朝向所述第一无机封装层的一侧呈平坦表面,所述第二结构层包括柱状体,所述第一无机封装层呈凹凸结构。
可选地,所述显示面板在显示区的结构包括基底结构层、设置在所述基底结构层上的驱动结构层、设置在所述驱动结构层上的平坦层、设置在所述平坦层上的像素定义层,所述第一结构层与所述平坦层同层设置,所述柱状体与所述像素定义层同层设置。
可选地,所述构造结构包括设置在所述绝缘层上的第二结构层,所述第二结构层包括多个依次间隔的柱状体,所述第一无机封装层呈凹凸结构,所述显示面板在显示区的结构包括基底结构层、设置在所述基底结构层上的驱动结构层、设置在所述驱动结构层上的平坦层、设置在所述平坦层上的像素定义层,所述第二结构层与所述像素定义层同层设置。
为了解决上述技术问题,本发明实施例提出了一种显示面板的制备方法,所述显示面板包括显示区和位于显示区一侧的边框区,所述边框区包括靠近显示区的过渡区和远离显示区的外缘区,所述方法包括:
形成基底结构层;
在所述基底结构层上形成位于过渡区的绝缘层;
在过渡区依次形成位于所述绝缘层上的构造结构和第一无机封装层,所述第一无机封装层呈凹凸结构;
采用喷墨打印工艺形成位于所述第一无机封装层上的有机封装层。
可选地,在过渡区依次形成位于所述绝缘层上的构造结构和第一无机封装层,所述第一无机封装层呈凹凸结构,包括:
在所述绝缘层上形成平坦薄膜,对所述平坦薄膜进行图案化处理,形成位于显示区的平坦层和位于过渡区的第一结构层,所述第一结构层的朝向所述第一无机封装层的一侧设置有凹槽;
在所述第一结构层上形成第一无机封装层,所述第一无机封装层在过渡区呈凹凸结构。
可选地,在所述第一结构层上形成第一无机封装层,所述第一无机封装层在过渡区呈凹凸结构,包括:
在所述平坦层和所述第一结构层上形成像素定义薄膜,对所述像素定义薄膜进行图案化处理,在显示区形成像素定义层,在过渡区形成叠设在所述第一结构层上的第二结构层,所述第二结构层包括柱状体,所述柱状体位于相邻两个所述凹槽之间;
在所述像素定义层和所述第二结构层上形成第一无机封装层,所述第一无机封装层在过渡区呈凹凸结构。
可选地,在过渡区依次形成位于所述绝缘层上的构造结构和第一无机封装层,所述第一无机封装层呈凹凸结构,包括:
在所述绝缘层上形成平坦薄膜,采用半色调掩膜对所述平坦薄膜进行图案化处理,去除位于显示区的部分平坦薄膜而形成平坦层,去除位于过渡区的部分平坦薄膜而形成第一结构层和位于第一结构层的背离所述绝缘层一侧上的第二结构层,所述第一结构层的朝向所述第一无机封装层的一侧设置有多个凹槽,所述第二结构层包括柱状体,所述柱状体位于相邻两个所述凹槽之间;
在所述平坦层和所述第二结构层上形成像素定义薄膜,对所述像素定义薄膜进行图案化处理,形成位于显示区的像素定义层,去除过渡区的像素定义薄膜;
在所述像素定义层上形成第一无机封装层,所述第一无机封装层在过渡区呈凹凸结构。
可选地,在过渡区依次形成位于所述绝缘层上的构造结构和第一无机封装层,所述第一无机封装层呈凹凸结构,包括:
在过渡区依次形成位于所述绝缘层上的平坦薄膜和像素定义薄膜;
采用半色调掩膜对所述像素定义薄膜和平坦薄膜进行图案化处理,在过渡区去除部分像素定义薄膜和部分平坦薄膜而形成第一结构层和位于第一结构层的背离所述绝缘层一侧上的第二结构层,所述第一结构层的朝向所述第一无机封装层的一侧设置有多个凹槽,所述第二结构层包括柱状体,所述柱状体位于相邻两个所述凹槽之间;
在所述第二结构层上形成第一无机封装层,所述第一无机封装层在过渡区呈凹凸结构。
可选地,在过渡区依次形成位于所述绝缘层上的构造结构和第一无机封装层,所述第一无机封装层呈凹凸结构,包括:
在绝缘层上形成平坦薄膜,对平坦薄膜进行图案化处理,保留显示区的平坦薄膜而形成平坦层,保留构造结构位置的平坦薄膜而形成第一结构层,所述第一结构层的朝向第一无机封装层的一侧呈平坦表面;
在所述平坦层和所述第一结构层上形成像素定义薄膜,对像素定义薄膜进行图案化处理,在显示区形成像素定义层,在过渡区形成叠设在第一结构层上的第二结构层,所述第二结构层包括柱状体,所述第一无机封装层呈凹凸结构。
可选地,在过渡区依次形成位于所述绝缘层上的构造结构和第一无机封装层,所述第一无机封装层呈凹凸结构,包括:
在所述绝缘层上形成平坦薄膜,对所述平坦薄膜进行图案化处理,形成位于显示区的平坦层,去除位于过渡区的平坦薄膜;
在所述平坦层上形成像素定义薄膜,对所述像素定义薄膜进行图案化处理,在显示区形成像素定义层,在过渡区形成位于所述绝缘层上的第二结构层,所述第二结构层包括柱状体,所述第一无机封装层呈凹凸结构。
为了解决上述技术问题,本发明实施例提出了一种显示装置,该显示装置包括以上所述的显示面板。
本发明实施例的显示面板,第一无机封装层在过渡区呈凹凸结构,从而,当采用喷墨打印工艺在第一无机封装层上形成液态有机封装材料后,固化前,凹凸结构的凹部可以收纳多余的液态有机封装材料,同时,凹凸结构的凸部可以有效地阻碍液态有机封装材料的爬坡,减缓液态有机封装材料的流动,有效地防止了液态有机封装材料的溢出,保证了有机封装层的封装可靠性,提高了封装效果。
本发明的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述,并且,部分地从说明书中变得显而易见,或者通过实施本发明而了解。本发明的目的和其他优点可通过在说明书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
附图说明
附图用来提供对本发明技术方案的进一步理解,并且构成说明书的一部分,与本申请的实施例一起用于解释本发明的技术方案,并不构成对本发明技术方案的限制。
图1为一种OLED显示面板的边框区的截面结构示意图;
图2为本发明第一实施例显示面板的平面结构示意图;
图3为图2中的B-B截面结构示意图;
图4a为显示面板中形成基底结构层后的结构示意图;
图4b为显示面板中形成绝缘层后的结构示意图;
图4c为显示面板中形成第一结构层后的结构示意图;
图4d为显示面板中形成柱状体后的结构示意图;
图4e为形成第二子挡墙和第五子挡墙后的结构示意图;
图4f为显示面板中形成第一无机封装层后的结构示意图;
图4g为显示面板中形成有机封装层后的结构示意图;
图5a为另一实施例显示面板中形成第一结构层和柱状体后的结构示意图;
图5b为另一实施例显示面板中形成像素定义层后的结构示意图;
图6为另一实施例显示面板形成平坦层后的结构示意图;
图7为另一个实施例中显示面板的B-B截面结构示意图;
图8为另一实施例显示面板中形成柱状体后的结构示意图;
图9为另一个实施例中显示面板的B-B截面结构示意图。
附图标记说明:
11—基底结构层; 111—第一柔性基底; 112—缓冲层;
113—第二柔性基底; 12—绝缘层; 121—镂空结构;
13—平坦层; 131—第一结构层; 132—凹槽;
134—防裂坝; 141—像素定义层; 142—柱状体;
21—第一无机封装层; 22—有机封装层; 23—第二无机封装层;
30—第一挡墙; 31—第一子挡墙; 32—第二子挡墙;
40—第二挡墙; 41—第三子挡墙; 42—第四子挡墙;
43—第五子挡墙; 100—显示区; 200—过渡区;
300—边缘区; 400—边框区。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白,下文中将结合附图对本发明的实施例进行详细说明。需要说明的是,在不冲突的情况下,本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互任意组合。
图1为一种OLED显示面板的边框区的截面结构示意图。OLED显示面板包括显示区100以及边框区。如图1所示,显示区的结构与本领域常规OLED显示面板的显示区的结构相同,显示区100的上侧为封装结构层,封装结构层依次包括第一无机封装层21、有机封装层22和第二无机封装层23。通常,有机封装层22采用喷墨打印工艺形成,一般在显示区喷墨打印有机封装材料。固化前,有机封装材料会从显示区朝向边框区流动。边框区包括靠近显示区100的过渡区200和远离显示区100的外缘区300。过渡区200用于提供供有机封装材料流动的区域,有机封装材料会流动到过渡区200,因此,过渡区200的结构包括基底结构层11、设置在基底结构层11上的绝缘层12、设置在绝缘层12上的平坦层13、依次设置在平坦层13上的第一无机封装层21、有机封装层22和第二无机封装层23。相关技术中,采用喷墨打印的方式在第一无机封装层21上形成液态的有机封装材料,液态有机封装材料固化后形成有机封装层22。在固化前,液态有机封装材料流动性较大,在显示面板的异形区、边角等位置,液态有机封装材料容易从过渡区溢出(overflow),如图1所示,在图1中,液态有机封装材料从过渡区溢出到外缘区,导致OLED器件封装效果变差,降低了OLED器件的寿命。
为了解决上述技术问题,本发明实施例提出了一种显示面板。该显示面板包括显示区和位于显示区一侧的边框区,所述边框区包括靠近显示区的过渡区和远离显示区的外缘区,显示面板在过渡区的结构包括基底结构层、设置在所述基底结构层上的绝缘层、设置在所述绝缘层上的构造结构以及依次设置在所述构造结构上的第一无机封装层和有机封装层,所述第一无机封装层呈凹凸结构。
本发明实施例的显示面板,第一无机封装层在过渡区呈凹凸结构,从而,当采用喷墨打印工艺在第一无机封装层上形成液态有机封装材料后,固化前,凹凸结构的凹部可以收纳多余的液态有机封装材料,同时,凹凸结构的凸部可以有效地阻碍液态有机封装材料的爬坡,减缓液态有机封装材料的流动,有效地防止了液态有机封装材料溢出到边缘区,保证了有机封装层的封装可靠性,提高了封装效果。
下面将通过具体的实施例详细介绍本发明的技术内容。
第一实施例:
图2为本发明第一实施例显示面板的平面结构示意图,图3为图2中的B-B截面结构示意图。如图2所示,显示面板可以为OLED显示面板,显示面板包括显示区100和边框区400,边框区400包括靠近显示区100的过渡区200和远离显示区的外缘区300。显示面板在过渡区200的结构包括基底结构层11、设置在基底结构层11上的绝缘层12、设置在绝缘层12上的构造结构、以及依次设置在构造结构上的第一无机封装层21和有机封装层22。有机封装层22采用喷墨打印工艺形成。第一无机封装层21在过渡区呈凹凸结构。
本发明实施例的显示面板,第一无机封装层21在过渡区呈凹凸结构,从而,当采用喷墨打印工艺在第一无机封装层21上形成液态有机封装材料后,固化前,凹凸结构的凹部可以收纳多余的液态有机封装材料,同时,凹凸结构的凸部可以有效地阻碍液态有机封装材料的爬坡,减缓液态有机封装材料的流动,有效地防止了液态有机封装材料的溢出,保证了有机封装层的封装可靠性,提高了封装效果。
相比于图1所示的显示面板,图3所示的显示面板中,由于凹凸结构的设置,在液态有机封装材料固化前,凹部收纳了多余的液态有机封装材料,同时,凸部有效地阻碍了液态有机封装材料的爬坡,减缓了液态有机封装材料的流动,避免了液态有机封装材料溢出到外缘区,提高了有机封装层的封装可靠性,提高了封装效果,提高了产品性能,延长了产品的使用寿命。
在具体实施中,可以根据需要将凹凸结构设置在液态有机封装材料容易溢出的位置,例如显示面板的下边框内、异形区、边角等位置。
在本实施例中,对凹凸结构的凹部和凸部的具体截面形状不作限定,可以根据实际需要确定,例如,凹凸结构可以呈锯齿状、波浪状,凹部的截面形状可以为梯形、矩形、弧形等。构造结构的具体形状可以根据凹凸结构的形状确定。
在一个实施例中,如图3所示,构造结构可以包括设置在绝缘层12上的第一结构层131,第一结构层131的朝向第一无机封装层的一侧设置有凹槽132,从而使得后续形成的第一无机封装层21在过渡区呈凹凸结构。凹槽132的数量可以为一个或多个,当凹槽132的数量为多个时,多个凹槽132可以自显示区100朝向边缘区300依次并列设置。从而,多个凹槽可以依次收纳多余的液态有机封装材料,进一步避免有机封装材料溢出到外缘区300。
为了使得凹槽更充分地收纳多余的液态有机封装材料,凹槽132可以沿与显示区和过渡区的交界线平行的方向延伸设置,亦即,凹槽132呈条状,凹槽132沿过渡区的延伸方向延伸设置。例如,过渡区围绕显示区设置,那么凹槽132也围绕显示区设置。
凹槽132的截面形状可以为梯形、矩形、弧形等,具体形状可以根据实际需要确定。
在一个实施例中,如图3所示,构造结构还可以包括第二结构层,第二结构层设置在第一结构层131的背离绝缘层12的一侧上。凹槽132的数量为多个,多个凹槽132自显示区100朝向边缘区300依次并列设置,多个凹槽132均匀间隔设置。第二结构层包括柱状体142,柱状体142位于相邻两个凹槽132之间。柱状体142的数量可以与凹槽132的数量相匹配,多个柱状体142依次设置在相邻两个凹槽132之间。柱状体142也呈条状,柱状体142可以沿与显示区和过渡区的交界线平行的方向延伸设置,亦即,柱状体142沿与凹槽132平行的方向延伸设置。柱状体142的设置可以使得后续形成的第一无机封装层21的凹凸结构的凹和凸的高度差增大,从而,凹凸结构的凹部更深,凸部更高,更深的凹部可以收纳更多的液态有机封装材料,更高的凸部可以更加有效地阻碍液态有机封装材料的爬坡,进一步减缓液态有机封装材料的流动,避免液态有机封装材料的溢出。柱状体142的截面形状可以为梯形、矩形、三角形、半圆形等,具体形状可以根据实际需要确定。
在一个实施例中,如图3所示,第一无机封装层21的凹凸结构的凹部与凸部通过阶梯状连接壁连接。这样的结构,可以进一步提高凹凸结构对液态有机封装材料的爬坡阻碍性,进一步减缓液态有机封装材料的流动,避免液态有机封装材料的溢出。
如图3所示,柱状体142的宽度小于与该柱状体142相邻的两个凹槽132之间的距离,从而,在后续形成第一无机封装层21时,获得的凹凸结构的凹部与凸部通过阶梯状连接壁连接。此处,柱状体的宽度为柱状体在沿多个凹槽排列方向上的尺寸,在图3中,柱状体的宽度为柱状体在沿纸面宽度方向上的尺寸。
如图3所示,显示面板还包括覆盖有机封装层22的第二无机封装层23。
容易理解的是,显示面板在显示区的结构可以包括基底结构层11、设置在基底结构层11上的驱动结构层、设置在驱动结构层上的平坦层13、设置在平坦层13上的像素定义层141。驱动结构层包括薄膜晶体管,在形成驱动结构层过程中,同时形成位于过渡区的绝缘层12。第一结构层131可以与显示区的平坦层同层设置,亦即,第一结构层131与平坦层13通过一次图案化工艺形成。在一个实施例中,如图3所示,第二结构层与像素定义层同层设置,亦即,柱状体142与显示区的像素定义层通过一次图案化工艺形成。柱状体142的背离基底结构层的一侧表面相对于像素定义层141的背离基底结构层的一侧表面靠近基底结构层,也就是说,柱状体142的上表面低于像素定义层141的上表面。在其它实施例中,柱状体的上表面也可以与像素定义层的上表面平齐。
如图3所示,显示面板在外缘区的结构包括基底结构层11、设置在基底结构层11上的绝缘层12,以及设置在绝缘层12上的第一挡墙30和第二挡墙40,第二挡墙40位于第一挡墙30的背离显示区的一侧。在一个实施例中,第二挡墙40的高度大于第一挡墙30的高度,此处的“高度”为挡墙在垂直于显示面板的方向上的尺寸。外缘区的结构还包括依次覆盖在第一挡墙30和第二挡墙40上的第一无机封装层21和第二无机封装层23。第一挡墙30和第二挡墙40可以起保护作用,阻挡液态有机封装材料,避免有机液态封装材料溢流到显示面板外缘位置。第一挡墙30和第二挡墙40可以延长第一无机封装层21和第二无机封装层23的封装路径,增强水氧阻隔效果。
在一个实施例中,第一挡墙30包括自绝缘层12朝向第一无机封装层21的方向依次层叠的第一子挡墙31和第二子挡墙32,第一子挡墙31与显示区的像素定义层141同层设置,以及第一子挡墙31与显示区的像素定义层141通过一次图案化工艺形成。第二挡墙40包括自绝缘层12朝向第一无机封装层21的方向依次层叠的第三子挡墙41、第四子挡墙42和第五子挡墙43。第三子挡墙41与第一结构层131同层设置,亦即,第三子挡墙41与第一结构层131通过一次图案化工艺形成,第四子挡墙42与显示区的像素定义层141同层设置,亦即,第四子挡墙42与显示区的像素定义层141通过一次图案化工艺形成,第五子挡墙43与第二子挡墙32同层设置。
如图3所示,在一个实施例中,绝缘层12的靠近显示面板外边缘的位置设置有镂空结构121,镂空结构121位置设置有覆盖镂空结构121的防裂坝134。防裂坝134与第一结构层131同层设置。防裂坝134可以防止显示面板产生裂纹。
下面通过本实施例如图3所示显示面板的制备过程进一步说明本发明实施例的技术方案。容易理解的是,本实施例中所说的“图案化”,当图案化的材质为无机材质或金属时,“图案化”包括涂覆光刻胶、掩膜曝光、显影、刻蚀、剥离光刻胶等工艺,当图案化的材质为有机材质时,“图案化”包括掩模曝光、显影等工艺,本实施例中所说的蒸镀、沉积、涂覆、涂布等均是相关技术中成熟的制备工艺。
显示面板的制备过程包括:
S1:形成基底结构层;
S2:在所述基底结构层上形成位于过渡区的绝缘层;
S3:在过渡区依次形成位于所述绝缘层上的构造结构和第一无机封装层,所述第一无机封装层呈凹凸结构;
S4:采用喷墨打印工艺形成位于所述第一无机封装层上的有机封装层。
S1:形成基底结构层11。具体包括:在硬质衬底上依次形成第一柔性基底111、缓冲层112和第二柔性基底113,如图4a所示,图4a为显示面板中形成基底结构层后的结构示意图。第一柔性基底111和第二柔性基底113的材质可以相同,柔性基底可以采用聚酰亚胺PI、聚对苯二甲酸乙二酯PET或经表面处理的聚合物软膜等材料。缓冲层112可以采用氮化硅SiNx或氧化硅SiOx等,可以是单层,也可以是氮化硅/氧化硅的多层结构。
S2:形成位于显示区的驱动结构层和位于过渡区的绝缘层12。具体包括:在基底结构层11上形成驱动结构层,驱动结构层包括位于显示区的薄膜晶体管。在形成驱动结构层的过程中,形成位于边框区(即过渡区和外缘区)的绝缘层12,如图4b所示,图4b为显示面板中形成绝缘层后的结构示意图。在一个实施例中,如图4b所示,绝缘层12的靠近显示面板外边缘的位置设置有镂空结构121,基底结构层11通过镂空结构121暴露出来。绝缘层12可以包括在形成薄膜晶体管过程中的栅绝缘层、层间绝缘层等。例如,以顶栅型薄膜晶体管为例,在基底结构层11上形成位于显示区的有源层,在有源层上形成栅绝缘层,在栅绝缘层上形成栅电极,在栅电极上形成层间绝缘层,在层间绝缘层上形成源电极和漏电极,源电极和漏电极分别通过穿过层间绝缘层和栅绝缘层的过孔与源电极电连接。那么,绝缘层12则可以包括栅绝缘层和层间绝缘层。在形成用于连接源/漏电极和有源层的过孔过程中同时形成镂空结构121。绝缘层12可以为无机绝缘层,绝缘层12的材质可以包括氮化硅SiNx和氧化硅SiOx等中的至少一种。
S3可以包括:
S311:在过渡区形成位于绝缘层上的第一结构层131。具体包括:在绝缘层12上形成平坦薄膜;对平坦薄膜进行图案化处理,在显示区形成平坦层13,在过渡区形成第一结构层131,第一结构层131的朝向第一无机封装层的一侧表面形成有多个自显示区朝向边缘区方向依次并列设置的凹槽132,在第二挡墙位置形成第三子挡墙41,在镂空结构121位置形成覆盖镂空结构121的防裂坝134,去除其它位置的平坦薄膜,如图4c所示,图4c为显示面板中形成第一结构层后的结构示意图。在一个实施例中,平坦薄膜的材质可以包括有机材质,采用涂覆工艺形成平坦薄膜;可以采用半色调(Halftone)掩膜对平坦薄膜进行曝光、显影,完成平坦薄膜的图案化处理。在一个实施例中,多个凹槽132等间距并列设置,凹槽132的深度小于平坦薄膜的厚度。在平坦薄膜上形成凹槽132,那么相邻两个凹槽132之间便形成凸起,从而,第一结构层的背离基底结构层的一侧呈凹凸结构,如图4c所示。容易理解的是,采用半色调掩膜进行曝光时,不同位置透光度不同,从而实现不同厚度光刻胶的失效,显影后,可以得到不同高度的图案,例如图4c中的第三子挡墙41的高度与凹槽132的深度不相同。
S312:形成第二结构层。具体包括:在形成有平坦层13和第一结构层131的基底结构层11上形成像素定义薄膜;对像素定义薄膜进行图案化处理,在显示区形成具有像素开口的像素定义层141,在过渡区形成叠设在第一结构层131上的第二结构层,第二结构层包括柱状体142,柱状体142位于相邻两个凹槽132之间,在第一挡墙位置形成位于绝缘层12上的第一子挡墙31,在第二挡墙位置形成位于第三子挡墙41上的第四子挡墙42,去除其它位置的像素定义薄膜,如图4d所示,图4d为显示面板中形成柱状体后的结构示意图。其中,像素定义薄膜可以采用有机材料,例如聚酰亚胺、亚克力或聚对苯二甲酸乙二醇酯等。具体实施中,可以采用半色调掩膜对像素定义薄膜进行图案化处理,形成的柱状体142的厚度可以小于像素定义层141的厚度。
在一个实施例中,在形成柱状体142过程中,为了避免曝光显影工艺对凹槽132产生影响,当像素定义薄膜和平坦薄膜的材质均为有机材质时,像素定义薄膜和平坦薄膜的材质的光照性能相反,即当平坦薄膜采用正性有机材料(与正性光刻胶具有相同光照性能的有机材料)时,例如正性光刻胶,像素定义薄膜采用负性有机材料(与负性光刻胶具有相同光照性能的有机材料),例如负性光刻胶。当平坦薄膜采用负性有机材料时,像素定义薄膜采用正性有机材料。
柱状体142的设置,可以增加过渡区的凹部与凸部的高度差,进而在后续形成第一无机封装层时,可以使得第一无机封装层的凹凸结构的凹凸更强烈。在一个实施例中,柱状体142在基底结构层11上的正投影小于与该柱状体142相邻的两个凹槽132之间的距离,从而,凹与凸之间呈阶梯状过渡,从而,在后续形成第一无机封装层21时,获得的凹凸结构的凹部与凸部通过阶梯状连接壁连接。
S313:形成位于第一子挡墙31上的第二子挡墙32以及位于第四子挡墙42上的第五子挡墙43,如图4e所示,图4e为形成第二子挡墙和第五子挡墙后的结构示意图。可以采用现有技术中方法形成第二子挡墙和第五子挡墙,在此不再赘述。第二子挡墙和第五子挡墙的材质可以为有机材质或无机材质等。
S314:形成第一无机封装层21。具体包括:在形成有第二子挡墙和第五子挡墙的基底结构层上形成第一无机封装层21,可以采用金属掩膜板作为掩膜,沉积形成第一无机封装层21,如图4f所示,图4f为显示面板中形成第一无机封装层后的结构示意图。凹槽132和柱状体142的设置使得第一无机封装层21在过渡区呈凹凸结构,如图4f所示,在过渡区,第一无机封装层21的凹与凸之间通过阶梯状连接壁连接。第一无机封装层21自显示区覆盖至第二挡墙,未覆盖防裂坝134以及靠近显示面板边缘部分的区域,如图4f所示。
本领域技术人员明白,通常,在形成第一无机封装层21之前,还要在像素定义层上形成有机功能层和阴极。在边框区,有机功能层和阴极不会对第一无机封装层的结构产生影响,因此,在此省略了有机功能层和阴极的形成步骤。
S4:采用喷墨打印方法形成位于第一无机封装层21上的有机封装层22。具体包括:采用喷墨打印方法在第一无机封装层21上形成液态有机封装材料,固化后形成有机封装层22,如图4g所示,图4g为显示面板中形成有机封装层后的结构示意图。容易理解的是,在喷墨打印有机封装材料时,需要确保显示区的有机封装材料的平坦性,以保证有机封装层在显示区的平坦性。喷墨打印的范围可以根据具体情况确定,通常,过渡区的有机封装材料是由显示区的液态有机封装材料流过来的。
在有机封装层22固化前,有机封装材料呈液态,第一无机封装层21在过渡区的凹凸结构,凹部可以收纳多余的液态有机封装材料,同时,凸部可以有效地阻碍液态有机封装材料的爬坡,减缓了液态有机封装材料的流动,有效地防止了液态有机封装材料从过渡区溢出到边缘区,保证了有机封装层的封装可靠性,提高了封装效果。
另外,第一无机封装层在过渡区呈凹凸结构,延长了第一无机封装层的封装路径,提高了第一无机封装层的水氧阻隔性能,避免了由于封装失效导致的黑团(GDS)缺陷,提升了显示面板的性能,延长了显示面板的使用寿命。
显示面板的制备方法还可以包括:
S5:在有机封装层22上形成第二无机封装层23,如图3所示。可以采用金属掩膜板作为掩膜,沉积形成第二无机封装层23,第二无机封装层23覆盖在第一无机封装层21上。
在另一个实施例中,柱状体142可以与第一结构层131的材质相同,柱状体142可以与第一结构层131通过一次图案化工艺形成。在该实施例中,S3可以包括:
S321:形成第一结构层131和第二结构层。具体包括:在绝缘层12上形成平坦薄膜;采用半色调掩膜对平坦薄膜进行图案化处理,去除位于显示区的部分平坦薄膜而形成平坦层13,去除位于过渡区的部分平坦薄膜而形成第一结构层131和位于第一结构层的背离所述绝缘层一侧上的第二结构层,所述第一结构层131的朝向所述第一无机封装层的一侧设置有多个凹槽132,所述第二结构层包括柱状体142,所述柱状体142位于相邻两个凹槽132之间;去除位于第二挡墙位置的部分平坦薄膜而形成第三子挡墙41,去除位于镂空结构121位置的部分平坦薄膜而形成防裂坝134,去除其它位置的平坦薄膜,如图5a所示,图5a为另一实施例显示面板中形成第一结构层和柱状体后的结构示意图。在本实施例中,柱状体142的背离绝缘层12的一侧表面相对于平坦层13的背离绝缘层12的一侧表面远离绝缘层12,也就是说,柱状体142的上表面高于平坦层13的上表面。
S322:形成位于显示区的像素定义层。具体包括:在形成有平坦层13和第二结构层的基底结构层上形成像素定义薄膜;对像素定义薄膜进行图案化处理,在显示区形成具有像素开口的像素定义层141,在第一挡墙位置形成位于绝缘层12上的第一子挡墙31,在第二挡墙位置形成位于第三子挡墙41上的第四子挡墙42,去除其它位置的像素定义薄膜,如图5b所示,图5b为另一实施例显示面板中形成像素定义层后的结构示意图。
在本实施例中,为了避免曝光显影工艺对凹槽132和柱状体142产生影响,当像素定义薄膜和平坦薄膜的材质均为有机材质时,像素定义薄膜和平坦薄膜的材质的光照性能相反,即当平坦薄膜采用正性有机材料(与正性光刻胶具有相同光照性能的有机材料)时,例如正性光刻胶,像素定义薄膜采用负性有机材料(与负性光刻胶具有相同光照性能的有机材料),例如负性光刻胶。当平坦薄膜采用负性有机材料时,像素定义薄膜采用正性有机材料。
在另一个实施例中,第二结构层、第一结构层131与显示区的像素定义层的材质相同,第二结构层、第一结构层131与显示区的像素定义层通过一次图案化工艺形成。在该实施例中,S3可以包括:
S331:在过渡区形成位于绝缘层上的平坦薄膜。具体包括:在绝缘层12上形成平坦薄膜;对平坦薄膜进行图案化处理,保留显示区的平坦薄膜而形成平坦层,保留构造结构位置的平坦薄膜,保留第二挡墙位置和镂空结构121位置的平坦薄膜而分别形成第三子挡墙41和防裂坝134,去除其它位置的平坦薄膜,从而,在过渡区形成平坦薄膜,如图6所示,图6为另一实施例显示面板形成平坦层后的结构示意图。
S332:形成像素定义层、柱状体和第一结构层。具体包括:在形成有平坦层13的基底结构层上形成像素定义薄膜,从而,在过渡区形成位于平坦薄膜上的像素定义薄膜;采用半色调掩膜对像素定义薄膜和平坦薄膜进行图案化处理,在显示区形成具有像素开口的像素定义层141,在过渡区去除部分像素定义薄膜和部分平坦薄膜而形成第一结构层131和位于第一结构层131的背离所述绝缘层12一侧上的第二结构层,第一结构层131的朝向第一无机封装层21的一侧设置有多个凹槽132,第二结构层包括柱状体142,柱状体142位于相邻两个所述凹槽132之间;在第一挡墙位置保留像素定义薄膜而形成位于绝缘层12上的第一子挡墙31,在第二挡墙位置保留像素定义薄膜而形成位于第三子挡墙41上的第四子挡墙42,去除其它位置的像素定义薄膜,如图4d所示。在该实施例中,平坦薄膜和像素定义薄膜为材质相同的有机材料。
图7为另一个实施例中显示面板的B-B截面结构示意图。与图3所示实施例不同的是,如图7所示,在本实施例中,构造结构包括设置在绝缘层12上的第一结构层131以及设置在第一结构层131的背离绝缘层12一侧上的第二结构层。第一结构层131的朝向第一无机封装层21的一侧呈平坦表面。第二结构层包括柱状体142,柱状体142的数量为多个,多个柱状体142自显示区朝向边缘区的方向依次并列设置,从而使得后续形成的第一无机封装层21在过渡区呈凹凸结构。在该实施例中,与前述实施例显示面板的制备方法不同的步骤,包括:
S341:在过渡区形成位于绝缘层上的第一结构层131。具体包括:在绝缘层12上形成平坦薄膜;对平坦薄膜进行图案化处理,保留显示区的平坦薄膜而形成平坦层13,保留构造结构位置的平坦薄膜而形成第一结构层131,第一结构层131的朝向第一无机封装层21的一侧呈平坦表面;保留第二挡墙位置和镂空结构121位置的平坦薄膜而分别形成第三子挡墙41和防裂坝134,去除其它位置的平坦薄膜,如图6所示。
S342:形成像素定义层和柱状体。具体包括:在形成有平坦层13和第一结构层131的基底结构层上形成像素定义薄膜;采用半色调掩膜对像素定义薄膜进行图案化处理,在显示区形成具有像素开口的像素定义层141,在过渡区去除部分像素定义薄膜而形成叠设在第一结构层131上的第二结构层,第二结构层包括柱状体142,柱状体142的数量为多个,多个柱状体142依次间隔设置,在第一挡墙位置保留像素定义薄膜而形成位于绝缘层12上的第一子挡墙31,在第二挡墙位置保留像素定义薄膜而形成位于第三子挡墙41上的第四子挡墙42,去除其它位置的像素定义薄膜,如图8所示,图8为另一实施例显示面板中形成柱状体后的结构示意图。
在本实施例中,在形成柱状体142过程中,为了避免曝光显影工艺对第一结构层的平坦表面产生影响,当像素定义薄膜和平坦薄膜的材质均为有机材质时,像素定义薄膜和平坦薄膜的材质的光照性能相反,即当平坦薄膜采用正性有机材料(与正性光刻胶具有相同光照性能的有机材料)时,例如正性光刻胶,像素定义薄膜采用负性有机材料(与负性光刻胶具有相同光照性能的有机材料),例如负性光刻胶。当平坦薄膜采用负性有机材料时,像素定义薄膜采用正性有机材料。
图9为另一个实施例中显示面板的B-B截面结构示意图。与图7所示实施例不同的是,如图9所示,在本实施例中,所述构造结构包括设置在绝缘层12上的第二结构层,所述第二结构层包括多个自显示区100朝向边缘区300方向依次并列设置的柱状体142,使得所述第一无机封装层21呈凹凸结构。所述显示面板在显示区的结构包括基底结构层、设置在所述基底结构层上的驱动结构层、设置在所述驱动结构层上的平坦层13、设置在所述平坦层上的像素定义层,所述第二结构层与所述像素定义层通过一次图案化工艺形成。在该实施例中,S3可以包括:
S351:在绝缘层12上形成平坦薄膜;对平坦薄膜进行图案化处理,保留显示区的平坦薄膜而形成平坦层13,保留第二挡墙位置和镂空结构121位置的平坦薄膜而分别形成第三子挡墙41和防裂坝134,去除过渡区和其它位置的平坦薄膜,如图9所示。
S352:形成像素定义层和第二结构层。具体包括:在形成有平坦层13的基底结构层上形成像素定义薄膜;采用半色调掩膜对像素定义薄膜进行图案化处理,在显示区形成具有像素开口的像素定义层141,在过渡区去除部分像素定义薄膜而形成位于绝缘层12上的第二结构层,第二结构层包括柱状体142,柱状体142的数量为一个或多个,多个柱状体142自显示区100朝向边缘区300方向依次并列设置,在第一挡墙位置保留像素定义薄膜而形成位于绝缘层12上的第一子挡墙31,在第二挡墙位置保留像素定义薄膜而形成位于第三子挡墙41上的第四子挡墙42,去除其它位置的像素定义薄膜,如图9所示。
第二实施例:
基于上述实施例的发明构思,本发明第二实施例提供了一种显示面板的制备方法,所述显示面板包括显示区和位于显示区一侧的边框区,所述边框区包括靠近显示区的过渡区和远离显示区的外缘区,所述方法包括:
S1:形成基底结构层;
S2:在所述基底结构层上形成位于过渡区的绝缘层;
S3:在过渡区依次形成位于所述绝缘层上的构造结构和第一无机封装层,所述第一无机封装层呈凹凸结构;
S4:采用喷墨打印工艺形成位于所述第一无机封装层上的有机封装层。
在一个实施例中,S3可以包括:
在所述绝缘层上形成平坦薄膜,对所述平坦薄膜进行图案化处理,形成位于显示区的平坦层和位于过渡区的第一结构层,所述第一结构层的朝向所述第一无机封装层的一侧设置有凹槽;
在所述第一结构层上形成第一无机封装层,所述第一无机封装层在过渡区呈凹凸结构。
可选地,在所述第一结构层上形成第一无机封装层,所述第一无机封装层在过渡区呈凹凸结构,包括:
在所述平坦层和所述第一结构层上形成像素定义薄膜,对所述像素定义薄膜进行图案化处理,在显示区形成像素定义层,在过渡区形成叠设在所述第一结构层上的第二结构层,所述第二结构层包括柱状体,所述柱状体位于相邻两个所述凹槽之间;
在所述像素定义层和所述第二结构层上形成第一无机封装层,所述第一无机封装层在过渡区呈凹凸结构。
在一个实施例中,S3可以包括:
在所述绝缘层上形成平坦薄膜,采用半色调掩膜对所述平坦薄膜进行图案化处理,去除位于显示区的部分平坦薄膜而形成平坦层,去除位于过渡区的部分平坦薄膜而形成第一结构层和位于第一结构层的背离所述绝缘层一侧上的第二结构层,所述第一结构层的朝向所述第一无机封装层的一侧设置有多个凹槽,所述第二结构层包括柱状体,所述柱状体位于相邻两个所述凹槽之间;
在所述平坦层和所述第二结构层上形成像素定义薄膜,对所述像素定义薄膜进行图案化处理,形成位于显示区的像素定义层,去除过渡区的像素定义薄膜;
在所述像素定义层上形成第一无机封装层,所述第一无机封装层在过渡区呈凹凸结构。
在一个实施例中,S3可以包括:
在过渡区依次形成位于所述绝缘层上的平坦薄膜和像素定义薄膜;
采用半色调掩膜对所述像素定义薄膜和平坦薄膜进行图案化处理,在过渡区去除部分像素定义薄膜和部分平坦薄膜而形成第一结构层和位于第一结构层的背离所述绝缘层一侧上的第二结构层,所述第一结构层的朝向所述第一无机封装层的一侧设置有多个凹槽,所述第二结构层包括柱状体,所述柱状体位于相邻两个所述凹槽之间;
在所述第二结构层上形成第一无机封装层,所述第一无机封装层在过渡区呈凹凸结构。
在一个实施例中,S3可以包括:
在绝缘层上形成平坦薄膜,对平坦薄膜进行图案化处理,保留显示区的平坦薄膜而形成平坦层,保留构造结构位置的平坦薄膜而形成第一结构层,所述第一结构层的朝向第一无机封装层的一侧呈平坦表面;
在所述平坦层和所述第一结构层上形成像素定义薄膜,对像素定义薄膜进行图案化处理,在显示区形成像素定义层,在过渡区形成叠设在第一结构层上的第二结构层,所述第二结构层包括柱状体,所述第一无机封装层呈凹凸结构。
在一个实施例中,S3可以包括:
在所述绝缘层上形成平坦薄膜,对所述平坦薄膜进行图案化处理,形成位于显示区的平坦层,去除位于过渡区的平坦薄膜;
在所述平坦层上形成像素定义薄膜,对所述像素定义薄膜进行图案化处理,在显示区形成像素定义层,在过渡区形成位于所述绝缘层上的第二结构层,所述第二结构层包括柱状体,所述第一无机封装层呈凹凸结构。
显示面板的具体制备过程已经在第一实施例中说明,在此不再赘述。
第三实施例:
基于前述实施例的发明构思,本发明实施例还提供了一种显示装置,该显示装置包括采用前述实施例的显示面板。显示装置可以为:手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
在本发明实施例的描述中,需要理解的是,术语“中部”、“上”、“下”、“前”、“后”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本发明和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本发明的限制。
在本发明实施例的描述中,需要说明的是,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或一体地连接;可以是机械连接,也可以是电连接;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言,可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
虽然本发明所揭露的实施方式如上,但所述的内容仅为便于理解本发明而采用的实施方式,并非用以限定本发明。任何本发明所属领域内的技术人员,在不脱离本发明所揭露的精神和范围的前提下,可以在实施的形式及细节上进行任何的修改与变化,但本发明的专利保护范围,仍须以所附的权利要求书所界定的范围为准。
Claims (17)
1.一种显示面板,包括显示区和位于显示区一侧的边框区,其特征在于,所述边框区包括靠近显示区的过渡区和远离显示区的外缘区,显示面板在过渡区的结构包括基底结构层、设置在所述基底结构层上的绝缘层、设置在所述绝缘层上的构造结构以及依次设置在所述构造结构上的第一无机封装层和有机封装层,所述第一无机封装层在过渡区呈凹凸结构。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述构造结构包括设置在所述绝缘层上的第一结构层,所述第一结构层的朝向所述第一无机封装层的一侧设置有凹槽,所述第一无机封装层呈凹凸结构。
3.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述凹槽的数量为多个,多个所述凹槽自显示区朝向边缘区方向依次并列设置。
4.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述构造结构还包括叠设在所述第一结构层的背离所述绝缘层一侧上的第二结构层,所述第二结构层包括柱状体,所述柱状体设置在相邻两个所述凹槽之间。
5.根据权利要求4所述的显示面板,其特征在于,所述柱状体的宽度小于与所述柱状体相邻的两个凹槽之间的距离,凹凸结构的凹部与凸部通过阶梯状连接壁连接,所述宽度为所述柱状体在沿多个凹槽排列方向上的尺寸。
6.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,
所述显示面板在显示区的结构包括基底结构层、设置在所述基底结构层上的驱动结构层、设置在所述驱动结构层上的平坦层、设置在所述平坦层上的像素定义层,所述第一结构层与所述平坦层同层设置,所述柱状体与所述像素定义层同层设置。
7.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述构造结构包括设置在所述绝缘层上的第一结构层以及设置在所述第一结构层的背离所述绝缘层一侧上的第二结构层,所述第一结构层的朝向所述第一无机封装层的一侧呈平坦表面,所述第二结构层包括柱状体,所述第一无机封装层呈凹凸结构。
8.根据权利要求7所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板在显示区的结构包括基底结构层、设置在所述基底结构层上的驱动结构层、设置在所述驱动结构层上的平坦层、设置在所述平坦层上的像素定义层,所述第一结构层与所述平坦层同层设置,所述柱状体与所述像素定义层同层设置。
9.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述构造结构包括设置在所述绝缘层上的第二结构层,所述第二结构层包括多个依次间隔的柱状体,所述第一无机封装层呈凹凸结构,所述显示面板在显示区的结构包括基底结构层、设置在所述基底结构层上的驱动结构层、设置在所述驱动结构层上的平坦层、设置在所述平坦层上的像素定义层,所述第二结构层与所述像素定义层同层设置。
10.一种显示面板的制备方法,其特征在于,所述显示面板包括显示区和位于显示区一侧的边框区,所述边框区包括靠近显示区的过渡区和远离显示区的外缘区,所述方法包括:
形成基底结构层;
在所述基底结构层上形成位于过渡区的绝缘层;
在过渡区依次形成位于所述绝缘层上的构造结构和第一无机封装层,所述第一无机封装层呈凹凸结构;
采用喷墨打印工艺形成位于所述第一无机封装层上的有机封装层。
11.根据权利要求10所述的制备方法,其特征在于,在过渡区依次形成位于所述绝缘层上的构造结构和第一无机封装层,所述第一无机封装层呈凹凸结构,包括:
在所述绝缘层上形成平坦薄膜,对所述平坦薄膜进行图案化处理,形成位于显示区的平坦层和位于过渡区的第一结构层,所述第一结构层的朝向所述第一无机封装层的一侧设置有凹槽;
在所述第一结构层上形成第一无机封装层,所述第一无机封装层在过渡区呈凹凸结构。
12.根据权利要求11所述的制备方法,其特征在于,在所述第一结构层上形成第一无机封装层,所述第一无机封装层在过渡区呈凹凸结构,包括:
在所述平坦层和所述第一结构层上形成像素定义薄膜,对所述像素定义薄膜进行图案化处理,在显示区形成像素定义层,在过渡区形成叠设在所述第一结构层上的第二结构层,所述第二结构层包括柱状体,所述柱状体位于相邻两个所述凹槽之间,
在所述像素定义层和所述第二结构层上形成第一无机封装层,所述第一无机封装层在过渡区呈凹凸结构。
13.根据权利要求10所述的制备方法,其特征在于,在过渡区依次形成位于所述绝缘层上的构造结构和第一无机封装层,所述第一无机封装层呈凹凸结构,包括:
在所述绝缘层上形成平坦薄膜,采用半色调掩膜对所述平坦薄膜进行图案化处理,去除位于显示区的部分平坦薄膜而形成平坦层,去除位于过渡区的部分平坦薄膜而形成第一结构层和位于第一结构层的背离所述绝缘层一侧上的第二结构层,所述第一结构层的朝向所述第一无机封装层的一侧设置有多个凹槽,所述第二结构层包括柱状体,所述柱状体位于相邻两个所述凹槽之间;
在所述平坦层和所述第二结构层上形成像素定义薄膜,对所述像素定义薄膜进行图案化处理,形成位于显示区的像素定义层,去除过渡区的像素定义薄膜;
在所述像素定义层上形成第一无机封装层,所述第一无机封装层在过渡区呈凹凸结构。
14.根据权利要求10所述的制备方法,其特征在于,在过渡区依次形成位于所述绝缘层上的构造结构和第一无机封装层,所述第一无机封装层呈凹凸结构,包括:
在过渡区依次形成位于所述绝缘层上的平坦薄膜和像素定义薄膜;
采用半色调掩膜对所述像素定义薄膜和平坦薄膜进行图案化处理,在过渡区去除部分像素定义薄膜和部分平坦薄膜而形成第一结构层和位于第一结构层的背离所述绝缘层一侧上的第二结构层,所述第一结构层的朝向所述第一无机封装层的一侧设置有多个凹槽,所述第二结构层包括柱状体,所述柱状体位于相邻两个所述凹槽之间;
在所述第二结构层上形成第一无机封装层,所述第一无机封装层在过渡区呈凹凸结构。
15.根据权利要求10所述的制备方法,其特征在于,在过渡区依次形成位于所述绝缘层上的构造结构和第一无机封装层,所述第一无机封装层呈凹凸结构,包括:
在绝缘层上形成平坦薄膜,对平坦薄膜进行图案化处理,保留显示区的平坦薄膜而形成平坦层,保留构造结构位置的平坦薄膜而形成第一结构层,所述第一结构层的朝向第一无机封装层的一侧呈平坦表面;
在所述平坦层和所述第一结构层上形成像素定义薄膜,对像素定义薄膜进行图案化处理,在显示区形成像素定义层,在过渡区形成叠设在第一结构层上的第二结构层,所述第二结构层包括柱状体,所述第一无机封装层呈凹凸结构。
16.根据权利要求10所述的制备方法,其特征在于,在过渡区依次形成位于所述绝缘层上的构造结构和第一无机封装层,所述第一无机封装层呈凹凸结构,包括:
在所述绝缘层上形成平坦薄膜,对所述平坦薄膜进行图案化处理,形成位于显示区的平坦层,去除位于过渡区的平坦薄膜;
在所述平坦层上形成像素定义薄膜,对所述像素定义薄膜进行图案化处理,在显示区形成像素定义层,在过渡区形成位于所述绝缘层上的第二结构层,所述第二结构层包括柱状体,所述第一无机封装层呈凹凸结构。
17.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求1~9中任意一项所述的显示面板。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201911319660.5A CN110970576B (zh) | 2019-12-19 | 2019-12-19 | 一种显示面板及其制备方法、显示装置 |
US16/901,018 US20210193960A1 (en) | 2019-12-19 | 2020-06-15 | Display Panel and Preparation Method Thereof, and Display Apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201911319660.5A CN110970576B (zh) | 2019-12-19 | 2019-12-19 | 一种显示面板及其制备方法、显示装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN110970576A true CN110970576A (zh) | 2020-04-07 |
CN110970576B CN110970576B (zh) | 2022-08-09 |
Family
ID=70035255
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201911319660.5A Active CN110970576B (zh) | 2019-12-19 | 2019-12-19 | 一种显示面板及其制备方法、显示装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20210193960A1 (zh) |
CN (1) | CN110970576B (zh) |
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-
2019
- 2019-12-19 CN CN201911319660.5A patent/CN110970576B/zh active Active
-
2020
- 2020-06-15 US US16/901,018 patent/US20210193960A1/en active Pending
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US20210193960A1 (en) | 2021-06-24 |
CN110970576B (zh) | 2022-08-09 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |