CN110970508A - 一种低熔点金属器件的制作方法及太阳能电池的制作方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种低熔点金属器件的制作方法及太阳能电池的制作方法，涉及低熔点金属技术领域。低熔点金属器件的制作方法包括：使用低熔点金属，在基材上形成低熔点金属图案；为低熔点金属图案中的低熔点金属设置引导路径，引导路径用于在封装过程中将低熔点金属图案中的流动的低熔点金属引导至指定区域，指定区域位于基材上或者封装薄膜上；将封装薄膜覆盖于基材上，从封装薄膜和/或基材的一侧开始施加压力，直至封装薄膜与形成有低熔点金属图案的基材复合；将指定区域切割去除，得到低熔点金属器件。本发明的技术方案能够解决在使用封装薄膜对低熔点金属图案进行封装时，低熔点金属溢出造成低熔点金属图案的变形或者破坏的问题。
Description
技术领域
本发明涉及低熔点金属技术领域，尤其涉及一种低熔点金属器件的制作 方法及太阳能电池的制作方法。
背景技术
低熔点金属的熔点低于300摄氏度，其具有导电性好、熔点低、导热性 好等优势，成为了近年来发展迅速的一种新兴功能材料。在应用低熔点金属 的过程中，在基材上制作完成低熔点金属图案后，通常需要对低熔点金属图 案进行封装，以对低熔点金属图案进行有效保护，提高低熔点金属器件的稳 定性。
目前，常用的封装方法包括以下几种：
第一种，将未固化的PDMS或硅胶材料填充到形成有低熔点金属图案的 基材上，利用高温或者自然固化，使得封装材料凝固。这种方法需要等待较 长的时间，封装厚度以及均匀度都很难得到保证。
第二种，将未固化的光固化树脂填充到形成有低熔点金属图案的基材上， 利用紫外光照射，使得光固化树脂固化。这种方法虽然时间上大幅缩短，但 是封装厚度和均匀度依然难以保证。
第三种，使用封装薄膜与基材贴合进行封装。这种方法可以很好的解决 封装厚度和均匀度的问题，而且封装速度很快。
但是，发明人发现，第三种封装方法仍然存在一定问题，例如，针对熔 点低的低熔点金属，其在室温或者封装过程的高温状态下为液态，封装薄膜 与基材的贴合需要加压，压力会导致液态的低熔点金属溢出，从而导致低熔 点金属图案的变形或者破坏。
发明内容
本发明提供一种低熔点金属器件的制作方法及太阳能电池的制作方法， 可以解决在使用封装薄膜对低熔点金属图案进行封装时，低熔点金属溢出造 成低熔点金属图案的变形或者破坏的问题。
第一方面，本发明提供一种低熔点金属器件的制作方法，采用如下技术 方案：
所述低熔点金属器件的制作方法包括：
步骤S1、提供一基材和一封装薄膜；
步骤S2、使用低熔点金属，在所述基材上形成低熔点金属图案，所述低 熔点金属的熔点低于封装过程中的温度；
步骤S3、为所述低熔点金属图案中的低熔点金属设置引导路径，所述引 导路径用于在封装过程中将所述低熔点金属图案中的流动的低熔点金属引导 至指定区域，所述指定区域位于所述基材上或者所述封装薄膜上；
步骤S4、将所述封装薄膜覆盖于所述基材上形成有所述低熔点金属图案 的一面上，从所述封装薄膜和/或所述基材的一侧开始施加压力，直至所述封 装薄膜与形成有所述低熔点金属图案的所述基材复合，完成对所述低熔点金 属图案的封装；
步骤S5、将所述指定区域切割去除，得到所述低熔点金属器件。
可选地，所述步骤S2中，所述低熔点金属图案覆盖所述基材的一面，或 者，所述低熔点金属图案包括至少一个线条，所述线条的主延伸方向为第一 方向；所述步骤S3中，所述引导路径为所述线条中沿所述第一方向延伸的部 分；所述步骤S4中，从所述封装薄膜和/或所述基材的一侧开始沿所述第一 方向施加压力。
可选地，所述步骤S2中，所述低熔点金属图案包括至少一个线条，所述 线条的主延伸方向为第一方向；所述步骤S3中，所述引导路径为沿所述第一 方向延伸的凹槽，且所述凹槽的一端与所述线条的一端连接；所述步骤S4中， 从所述封装薄膜和/或所述基材的一侧开始沿所述第一方向施加压力。
可选地，所述低熔点金属图案包括多个U形的线条，U形的所述线条的 直线部分沿所述第一方向延伸。
可选地，所述第一方向与所述基材的边缘平行。
可选地，沿所述第一方向，所述凹槽的宽度和/或深度逐渐增加。
可选地，所述凹槽的内壁上设置有疏低熔点金属层。
可选地，所述指定区域位于所述封装薄膜上。
可选地，所述步骤S4中，通过滚动或者滑动的方式从所述封装薄膜和/ 或所述基材的一侧开始施加压力。
可选地，所述步骤S4中，施加在所述封装薄膜和/或所述基材上的压强 为1MPa～30MPa；所述步骤S4还包括对封装过程中的温度进行控制，其中， 采用冷压覆膜工艺时，控制所述温度为-30℃～30℃，采用热压覆膜工艺时， 控制所述温度为50℃～200℃。
第二方面，本发明提供一种太阳能电池的制作方法，采用如下技术方案：
所述太阳能电池的制作方法包括：
在基材上形成薄膜电池；
使用低熔点金属，在形成有所述薄膜电池的所述基材上，形成汇流线， 所述低熔点金属的熔点低于室温；
为所述汇流线中的低熔点金属设置引导路径，所述引导路径用于在封装 过程中将所述汇流线中的流动的低熔点金属引导至指定区域，所述指定区域 位于所述基材上或者封装薄膜上；
将所述封装薄膜覆盖于所述基材上形成有所述汇流线的一面上，从所述 封装薄膜和/或所述基材的一侧开始施加压力，直至所述封装薄膜与形成有所 述汇流线的所述基材复合，完成对所述汇流线的封装；
将所述指定区域切割去除，得到所述太阳能电池。
可选地，所述汇流线包括一个低熔点金属线条，所述低熔点金属线条为 任意形状，且所述低熔点金属线条的一端延伸至所述太阳能电池外部；
或者，所述汇流线包括多个低熔点金属线条，各所述低熔点金属线条均 为任意形状，且各所述低熔点金属线条均相互分立，各所述低熔点金属线条 的一端均延伸至所述太阳能电池外部；
或者，所述汇流线包括多个低熔点金属线条，各所述低熔点金属线条均 为任意形状，至少两个所述低熔点金属线条通过一条连接线相互连接，且所 述连接线的一端延伸至所述太阳能电池外部。
本发明提供一种低熔点金属器件的制作方法及太阳能电池的制作方法， 使用该低熔点金属器件的制作方法制作低熔点金属器件的过程如下：先提供 一基材和一封装薄膜，然后使用低熔点金属，在基材上形成低熔点金属图案， 低熔点金属的熔点低于封装过程中的温度，然后为低熔点金属图案中的低熔 点金属设置引导路径，引导路径用于在封装过程中将低熔点金属图案中的流 动的低熔点金属引导至指定区域，指定区域位于基材上或者封装薄膜上，然 后将封装薄膜覆盖于基材上形成有低熔点金属图案的一面上，然后，从封装 薄膜和/或基材的一侧开始施加压力，直至封装薄膜与形成有低熔点金属图案 的基材复合，完成对低熔点金属图案的封装，最后将指定区域切割去除，得 到低熔点金属器件。在封装过程中，如果有低熔点金属流动时，引导路径可 以将低熔点金属图案中的流动的低熔点金属引导至指定区域，并将指定区域 切割去除，使得低熔点金属不会从低熔点金属图案溢出，不会造成低熔点金 属图案的变形或者破坏。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实 施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下 面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在 不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例提供的低熔点金属器件的制作方法的流程图；
图2为本发明实施例提供的低熔点金属器件的制作过程示意图；
图3为本发明实施例提供的在基材上制作低熔点金属图案的流程图；
图4为本发明实施例提供的低熔点金属图案的示意图；
图5为本发明实施例提供的通过滚动的方式对封装薄膜施加压力的示意 图；
图6为本发明实施例提供的汇流线的示意图一；
图7为本发明实施例提供的汇流线的示意图二；
图8为本发明实施例提供的汇流线的示意图三。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发 明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述， 显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于 本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获 得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
需要说明的是，在不冲突的情况下本发明实施例中的各技术特征均可以 相互结合。
本发明实施例提供一种低熔点金属器件的制作方法，具体地，如图1和 图2所示，图1为本发明实施例提供的低熔点金属器件的制作方法的流程图， 图2为本发明实施例提供的低熔点金属器件的制作过程示意图，所述低熔点 金属器件的制作方法包括：
步骤S1、提供一基材1和一封装薄膜2。
可选地，基材1为不粘附低熔点金属的基材1，例如，打印纸、卡纸、 牛皮纸、铜版纸、芳纶纸、铜箔、铁箔、聚乙烯薄膜、聚碳酸酯片、聚酰亚 胺薄膜、聚四氟乙烯片、棉布、麻布、蚕丝布、涤纶布、锦纶布、丙纶布、 粘胶纤维布、无尘布、醋酸纤维布、离型纸中的一种。
可选地，基材1为粘附低熔点金属的基材1，例如，聚氯乙烯基材、聚 对苯二甲酸乙二醇酯基材、聚对苯二甲酸丁二醇酯基材、聚丙烯基材、聚己 二酸-对苯二甲酸丁二酯基材、硅橡胶基材、天然橡胶基材、异戊橡胶基材、 丁苯橡胶基材、顺丁橡胶基材、氯丁橡胶基材、乙丙橡胶基材、丁腈橡胶基 材、硅橡胶基材、聚硫橡胶基材、玻璃基材、聚氯酯基材、亚克力基材、不 锈钢基材、硅基材、尼龙布中的一种。
可选地，封装薄膜2为塑料层(例如PET)与树脂层的复合薄膜、塑料 层(例如PET)与粘接剂层的复合薄膜、塑料膜(例如保鲜膜)、橡胶膜或者 室温固态粘接剂薄膜、固态金属薄膜(例如铜薄膜、铁薄膜等)、聚乙烯薄膜、 聚碳酸酯薄膜、聚酰亚胺薄膜或者聚四氟乙烯薄膜等。具有以上材质的封装 薄膜根据其封装工艺的不同，也可以分为热压膜、冷裱膜、静电吸附膜等， 本领域技术人员可以根据实际需求进行选择。
需要说明的是，基材1是否粘附低熔点金属可以通过以下方式确定：将 基材1倾斜放置于测试台上，基材1的倾斜角度为20°，使低熔点金属液滴 (体积为80μL～120μL，以80μL为例)从一定高度(2cm～5cm，以2cm为 例)滴落至基材1上，若基材1上无低熔点金属残留，则表示基材1不粘附 低熔点金属，若基材1上有低熔点金属残留，则表示基材1粘附低熔点金属。
步骤S2、使用低熔点金属，在基材1上形成低熔点金属图案3。
步骤S2中所选用的低熔点金属的熔点低于300℃，可选地，步骤S2中 所选用的低熔点金属的熔点低于步骤S4中的温度，即低熔点金属的熔点低于 封装过程中的温度。
根据基材1对低熔点金属的粘附程度的不同，本发明实施例通过不同的 方法在基材1上制作低熔点金属图案3，以下进行举例说明：
在一个例子中，针对粘附低熔点金属的基材1，可以通过印刷、移印、 喷涂、打印中的一种，在基材1粘附低熔点金属的一面上制作低熔点金属图 案3。其中，印刷包括钢网印刷、丝网印刷、喷墨印刷、凹版印刷、凸版印 刷、平板印刷、柔性版印刷中的一种。
在又一个例子中，针对不粘附低熔点金属的基材1，如图3所示，图3 为本发明实施例提供的在基材上制作低熔点金属图案的流程图，在基材1上 制作低熔点金属图案3包括：
步骤S21、选择可粘附基材，且可粘附低熔点金属的油墨。
可选地，步骤S21中，油墨为水性油墨、油性自挥发油墨、加热固化油 墨、紫外固化油墨、电子束固化油墨、激光固化油墨中的一种。
类似地，油墨是否粘附低熔点金属，以及油墨是否粘附基材也可以通过 之前所述的方式进行确定，此处不再进行赘述。
步骤S22、在基材表面用油墨印制油墨图案。
其中，可以根据选择的基材，以及选择的油墨对所需的方式进行选择。 可选地，步骤S22中，通过钢网印刷、丝网印刷、喷墨印刷、紫外打印、凹 版印刷、凸版印刷、平板印刷、热转印印刷、静电印刷中的一种方式，用油 墨印制油墨图案。
步骤S23、使基材表面的油墨固化。
其中，可以根据选择的油墨，以及选择的基材对油墨固化的方式进行选 择。可选地，步骤S23中，油墨固化的方式包括室温固化、加热固化、紫外 光照固化、电子束辐照固化、激光固化中至少一种。
步骤S24、在基材表面印刷低熔点金属，仅油墨图案上覆盖有低熔点金 属，得到低熔点金属图案。
可选地，低熔点金属的熔点等于或低于室温时，步骤S24中，在基材表 面印刷低熔点金属包括：将液态的低熔点金属印刷至基材表面；低熔点金属 的熔点高于室温时，步骤S24中，在基材表面印刷低熔点金属包括：对固态 的低熔点金属进行加热，使低熔点金属完全熔化呈液态，将液态的低熔点金 属印刷至基材表面。
为了防止印刷过程中低熔点金属温度过低固化或者粘稠度太大无法印 刷，步骤S24中在基材表面印刷低熔点金属时的工作温度可以高于低熔点金 属的熔点。具体可以结合基材的可承受温度，以及低熔点金属的熔点进行合 理选择。
可选地，如图4和图5所示，图4为本发明实施例提供的低熔点金属图 案的示意图一，图5为本发明实施例提供的低熔点金属图案的示意图二，如 图4所示，步骤S2中，在基材1上形成的低熔点金属图案3覆盖基材1的一 面，或者，如图5所示，步骤S2中，在基材1上形成的低熔点金属图案3包 括至少一个线条，线条的主延伸方向为第一方向x。可选地，如图4所示， 低熔点金属图案3包括多个U形的线条，U形的线条的直线部分沿第一方向 x延伸。可选地，如图4所示，第一方向x与基材1的边缘平行。
步骤S3、为低熔点金属图案3中的低熔点金属设置引导路径4。
引导路径4用于在封装过程中将低熔点金属图案3中的流动的低熔点金 属引导至指定区域，指定区域位于基材1上或者封装薄膜2上。可选地，指 定区域位于封装薄膜2上，从而使得在后续切割过程中仅切割封装薄膜2即 可，切割工艺简单，且造成的材料浪费少，有利于降低成本。
可选地，当步骤S2中形成的低熔点金属图案3覆盖基材1的一面，或者， 低熔点金属图案3包括至少一个线条，线条的主延伸方向为第一方向x时， 步骤S3中，引导路径4可以为线条中沿第一方向x延伸的部分，或者，如图 2所示，引导路径4为沿第一方向x延伸的凹槽，且凹槽的一端与线条的一 端连接。
需要说明的是，当引导路径4为沿第一方向x延伸的凹槽时，步骤S2和 步骤S3的顺序也可以交换，即先执行步骤S3，再执行步骤S2。
引导路径4为沿第一方向x延伸的凹槽时，可选地，沿第一方向x，凹 槽的宽度和/或深度逐渐增加，即凹槽的宽度逐渐增加，或者，凹槽的深度逐 渐增加，或者，凹槽的宽度和深度均逐渐增加，以使得低熔点金属在引导路 径4中的流动更加顺畅，进一步确保低熔点金属不会从低熔点金属图案溢出。
另外，引导路径4为沿第一方向x延伸的凹槽时，可选地，凹槽的内壁 上设置有疏低熔点金属层，以使得在低熔点金属的流动过程中，低熔点金属 不会粘附在凹槽的内壁上，对低熔点金属的流动造成阻碍。示例性地，疏低 熔点金属层的材质可以为二十二烷、硬脂酸、棕榈酸、花生酸、木蜡、棕榈 蜡、米糠蜡、荷荷芭蜡、蓖麻蜡、杨梅蜡、小烛树蜡、自蜂蜡、虫白蜡、羊 毛蜡、鲸蜡、石蜡、微晶石蜡、石油蜡、乳化蜡、褐煤蜡、费托蜡、聚乙烯 蜡、聚丙烯蜡、氯化石蜡、乙烯-乙酸乙烯共聚蜡、氧化乙烯蜡中的一种或几 种。
可选地，通过喷涂、滴涂，印刷等中的一种，将包括以上物质(称为改 性剂)的溶液施加至凹槽的内壁上，然后通过自然干燥、风干、加热干燥(加 热温度为0～200℃)中的一种方式使凹槽的内壁干燥。可选地，溶液中的溶 剂包括乙醚、石油醚、正庚烷、正己烷、环己烷、乙酸乙酯、甲醇、乙醇、 醋酸、氯仿、四氯化碳、苯、甲苯和二甲苯中的一种或几种。
可选地，溶液中改性剂的浓度为1～40mg/mL，其中，改性剂的浓度越 大，所需的溶液的量越少，处理的时间越短，本领域技术人员可以根据实际 需要进行选择。
步骤S4、将封装薄膜2覆盖于基材1上形成有低熔点金属图案3的一面 上，从封装薄膜2和/或基材1的一侧开始施加压力，直至封装薄膜2与形成 有低熔点金属图案3的基材1复合，完成对低熔点金属图案3的封装。
可选地，当步骤S2中形成的低熔点金属图案3包括至少一个线条，线条 的主延伸方向为第一方向x，步骤S3中，引导路径5可以为线条中沿第一方 向x延伸的部分，或者，引导路径5为沿第一方向x延伸的凹槽，且凹槽的 一端与线条的一端连接时，步骤S5中，从封装薄膜2和/或基材1的一侧开 始沿第一方向x施加压力。
可选地，步骤S4中，通过滚动或者滑动的方式从封装薄膜2和/或基材1 的一侧开始施加压力。如图5所示，图5为本发明实施例提供的通过滚动的 方式对封装薄膜施加压力的示意图，滚动的方式是指封装薄膜2和基材1贴 合后，使用滚动的辊子5对封装薄膜2或基材1施加压力。滑动的方式是指 封装薄膜2和基材1贴合后，施压部件以在封装薄膜2或者基材1表面滑动 的方式，对封装薄膜2和基材1施加压力。
可选地，步骤S4中，施加在封装薄膜2和/或基材1上的压强为1MPa ～30MPa，以使得封装薄膜2可以与基材1结合牢固，且不会破坏低熔点金属 图案3。
可选地，步骤S4还包括对封装过程中的温度进行控制，其中，采用冷压 覆膜工艺(适用于冷裱膜)时，控制温度为-30℃～30℃，采用热压覆膜工艺 (适用于热压膜)时，控制温度为50℃～200℃。
当步骤S2中所选用的低熔点金属的熔点低于步骤S4中的温度时，在步 骤S4中低熔点金属的流动性较好，本发明实施例提供的低熔点金属器件的制 备方法的优势越明显。
步骤S5、将指定区域切割去除，得到低熔点金属器件。
本发明实施例提供一种低熔点金属器件的制作方法，使用该制作方法制 作低熔点金属器件的过程如下：先提供一基材和一封装薄膜，然后使用低熔 点金属，在基材上形成低熔点金属图案，然后为低熔点金属图案中的低熔点 金属设置引导路径，引导路径用于在封装过程中将低熔点金属图案中的流动 的低熔点金属引导至指定区域，指定区域位于基材上或者封装薄膜上，然后 将封装薄膜覆盖于基材上形成有低熔点金属图案的一面上，从封装薄膜和/或 基材的一侧开始施加压力，直至封装薄膜与形成有低熔点金属图案的基材复 合，最后将指定区域切割去除，得到低熔点金属器件。在封装过程中，如果 有低熔点金属流动时，引导路径可以将低熔点金属图案中的流动的低熔点金 属引导至指定区域，并将指定区域切割去除，使得低熔点金属不会从低熔点 金属图案溢出，不会造成低熔点金属图案的变形或者破坏。
另外，本发明实施例中，使用封装薄膜2进行封装，封装厚度可以降低 至几个微米，而且可以保证厚度均匀，且有成熟的覆膜设备可以使用，覆膜 速度极快，不需要固化时间，时间快。
另外，本发明实施例中的低熔点金属器件的制备方法适用于简单的低熔 点金属图案时，优势更加明显。示例性地，太阳能薄膜电池表面的汇流线的 图案较为简单，通常包括多个相同的U形线条，可以选用熔点为15.5℃ (Ga75.5％In24.5％)的低熔点金属，以及选用PET层和树脂层的复合薄膜作 为封装薄膜，利用本发明实施例中的低熔点金属器件的制作方法进行制作。
具体地，本发明实施例还提供一种太阳能电池的制作方法，具体地，该 太阳能电池的制作方法包括：
在基材上形成薄膜电池；使用低熔点金属，在形成有薄膜电池的所述基 材上，形成汇流线，低熔点金属的熔点低于室温；为汇流线中的低熔点金属 设置引导路径，引导路径用于在封装过程中将汇流线中的流动的低熔点金属 引导至指定区域，指定区域位于基材上或者封装薄膜上；将封装薄膜覆盖于 基材上形成有所述汇流线的一面上，从封装薄膜和/或基材的一侧开始施加压 力，直至封装薄膜与形成有汇流线的基材复合，完成对汇流线的封装；将指 定区域切割去除，得到太阳能电池。
其中，汇流线的具体实现方式可以有多种：
在一个例子中，如图6所示，图6为本发明实施例提供的汇流线的结构 示意图一，汇流线6包括一个低熔点金属线条，低熔点金属线条为任意形状， 且低熔点金属线条的一端延伸至太阳能电池外部。以上任意形状可以为直线、 折线、曲线以及以上多种的结合形成的复杂形状。
在又一个例子中，如图7所示，图7为本发明实施例提供的汇流线的结 构示意图二，汇流线6包括多个低熔点金属线条，各低熔点金属线条均为任 意形状，且各低熔点金属线条均相互分立，各低熔点金属线条的一端均延伸 至太阳能电池外部。以上任意形状可以为直线、折线、曲线以及以上多种的 结合形成的复杂形状。
在又一个例子中，如图8所示，图8为本发明实施例提供的汇流线的结 构示意图三，汇流线6包括多个低熔点金属线条，各低熔点金属线条均为任 意形状，至少两个低熔点金属线条通过一条连接线相互连接(图8中以所有 低熔点金属线条均通过一条连接线相互连接为例)，且连接线的一端延伸至太 阳能电池外部。以上任意形状可以为直线、折线、曲线以及以上多种的结合 形成的复杂形状。
其中，以上所述的太阳能电池的制作方法中的具体细节均可以参照之前 所述的低熔点金属器件的制作方法的具体细节进行选择，此处不再进行赘述。 需要说明的是，薄膜电池对低熔点金属的粘附性较好，因此，可以通过印刷、 移印、喷涂、打印中的一种，在薄膜电池粘上制作汇流线。
现有技术中的汇流线一般由固体金属导线丝构成，位于薄膜电池和封装 薄膜中间，其存在一些缺点：固体金属导线丝构成的汇流线只是在封装薄膜 的包裹下与薄膜电池表面复合，当薄膜电池发生弯曲变形时，固体金属导线 丝和薄膜电池表面的接触面积会发生变化，甚至从薄膜电池表面脱离，使得 汇流线和薄膜电池之间的接触电阻大幅增大，大大降低了电池效率；固体金 属导线丝制作的汇流线，会使得封装薄膜在汇流线区域及周边形成凸起，无 法和薄膜电池表面紧密复合，这将导致凸起区域的透光率下降，从而降低了薄膜电池的光电转化效率。
而采用本发明实施例中的技术方案，通过选择熔点低于室温的低熔点金 属，低熔点金属在常温下为液态，用其制作汇流线，可以随着薄膜电池的形 变而保持在薄膜电池表面的附着，而且，覆膜封装下的低熔点金属汇流线， 厚度最小可以降至1μm，可以确保封装薄膜和薄膜电池表面的完全复合，不 留下明显的空隙。
最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对 其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通 技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改， 或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并 不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。
Claims (10)
1.一种低熔点金属器件的制作方法，其特征在于，包括：
步骤S1、提供一基材和一封装薄膜；
步骤S2、使用低熔点金属，在所述基材上形成低熔点金属图案，所述低熔点金属的熔点低于封装过程中的温度；
步骤S3、为所述低熔点金属图案中的低熔点金属设置引导路径，所述引导路径用于在封装过程中将所述低熔点金属图案中的流动的低熔点金属引导至指定区域，所述指定区域位于所述基材上或者所述封装薄膜上；
步骤S4、将所述封装薄膜覆盖于所述基材上形成有所述低熔点金属图案的一面上，从所述封装薄膜和/或所述基材的一侧开始施加压力，直至所述封装薄膜与形成有所述低熔点金属图案的所述基材复合，完成对所述低熔点金属图案的封装；
步骤S5、将所述指定区域切割去除，得到所述低熔点金属器件。
2.根据权利要求1所述的低熔点金属器件的制作方法，其特征在于，所述步骤S2中，所述低熔点金属图案包括至少一个线条，所述线条的主延伸方向为第一方向；所述步骤S3中，所述引导路径为所述线条中沿所述第一方向延伸的部分；所述步骤S4中，从所述封装薄膜和/或所述基材的一侧开始沿所述第一方向施加压力。
3.根据权利要求1所述的低熔点金属器件的制作方法，其特征在于，所述步骤S2中，所述低熔点金属图案覆盖所述基材的一面，或者，所述低熔点金属图案包括至少一个线条，所述线条的主延伸方向为第一方向；所述步骤S3中，所述引导路径为沿所述第一方向延伸的凹槽，且所述凹槽的一端与所述线条的一端连接；所述步骤S4中，从所述封装薄膜和/或所述基材的一侧开始沿所述第一方向施加压力。
4.根据权利要求2或3所述的低熔点金属器件的制作方法，其特征在于，所述第一方向与所述基材的边缘平行。
5.根据权利要求3所述的低熔点金属器件的制作方法，其特征在于，沿所述第一方向，所述凹槽的宽度和/或深度逐渐增加。
6.根据权利要求3所述的低熔点金属器件的制作方法，其特征在于，所述凹槽的内壁上设置有疏低熔点金属层。
7.根据权利要求1所述的低熔点金属器件的制作方法，其特征在于，所述步骤S4中，通过滚动或者滑动的方式从所述封装薄膜和/或所述基材的一侧开始施加压力。
8.根据权利要求1所述的低熔点金属器件的制作方法，其特征在于，所述步骤S4中，施加在所述封装薄膜和/或所述基材上的压强为1MPa～30MPa；所述步骤S4还包括对封装过程中的温度进行控制，其中，采用冷压覆膜工艺时，控制所述温度为-30℃～30℃，采用热压覆膜工艺时，控制所述温度为50℃～200℃。
9.一种太阳能电池的制作方法，其特征在于，包括：
在基材上形成薄膜电池；
使用低熔点金属，在形成有所述薄膜电池的所述基材上，形成汇流线，所述低熔点金属的熔点低于室温；
为所述汇流线中的低熔点金属设置引导路径，所述引导路径用于在封装过程中将所述汇流线中的流动的低熔点金属引导至指定区域，所述指定区域位于所述基材上或者封装薄膜上；
将所述封装薄膜覆盖于所述基材上形成有所述汇流线的一面上，从所述封装薄膜和/或所述基材的一侧开始施加压力，直至所述封装薄膜与形成有所述汇流线的所述基材复合，完成对所述汇流线的封装；
将所述指定区域切割去除，得到所述太阳能电池。
10.根据权利要求9所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述汇流线包括一个低熔点金属线条，所述低熔点金属线条为任意形状，且所述低熔点金属线条的一端延伸至所述太阳能电池外部；
或者，所述汇流线包括多个低熔点金属线条，各所述低熔点金属线条均为任意形状，且各所述低熔点金属线条均相互分立，各所述低熔点金属线条的一端均延伸至所述太阳能电池外部；
或者，所述汇流线包括多个低熔点金属线条，各所述低熔点金属线条均为任意形状，至少两个所述低熔点金属线条通过一条连接线相互连接，且所述连接线的一端延伸至所述太阳能电池外部。
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2018
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