CN110970309B - 一种低熔点金属器件的制作方法及太阳能电池的制作方法 - Google Patents

一种低熔点金属器件的制作方法及太阳能电池的制作方法 Download PDF

Info

Publication number
CN110970309B
CN110970309B CN201811137234.5A CN201811137234A CN110970309B CN 110970309 B CN110970309 B CN 110970309B CN 201811137234 A CN201811137234 A CN 201811137234A CN 110970309 B CN110970309 B CN 110970309B
Authority
CN
China
Prior art keywords
point metal
low
melting
substrate
melting point
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201811137234.5A
Other languages
English (en)
Other versions
CN110970309A (zh
Inventor
卢双豪
梁赟
朱唐
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Beijing Dream Ink Technology Co Ltd
Original Assignee
Beijing Dream Ink Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Beijing Dream Ink Technology Co Ltd filed Critical Beijing Dream Ink Technology Co Ltd
Priority to CN201811137234.5A priority Critical patent/CN110970309B/zh
Publication of CN110970309A publication Critical patent/CN110970309A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN110970309B publication Critical patent/CN110970309B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/48Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
    • H01L21/4814Conductive parts
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)

Abstract

本发明提供一种低熔点金属器件的制作方法及太阳能电池的制作方法,涉及低熔点金属技术领域。本发明提供的低熔点金属器件的制作方法包括:提供一基材和一封装薄膜;使用低熔点金属,在基材上形成低熔点金属图案,低熔点金属的熔点低于封装过程中的温度;通过金属粘附结构从低熔点金属图案上粘附低熔点金属;将封装薄膜覆盖于基材上形成有低熔点金属图案的一面上,向封装薄膜和/或基材上施加压力,完成对低熔点金属图案的封装,得到低熔点金属器件。本发明的技术方案能够解决在使用封装薄膜对低熔点金属图案进行封装时,低熔点金属溢出造成低熔点金属图案的变形或者破坏的问题。

Description

一种低熔点金属器件的制作方法及太阳能电池的制作方法
技术领域
本发明涉及低熔点金属技术领域,尤其涉及一种低熔点金属器件的制作方法及太阳能电池的制作方法。
背景技术
低熔点金属的熔点低于300摄氏度,其具有导电性好、熔点低、导热性好等优势,成为了近年来发展迅速的一种新兴功能材料。在应用低熔点金属的过程中,在基材上制作完成低熔点金属图案后,通常需要对低熔点金属图案进行封装,以对低熔点金属图案进行有效保护,提高低熔点金属器件的稳定性。
目前,常用的封装方法包括以下几种:
第一种,将未固化的PDMS或硅胶材料填充到形成有低熔点金属图案的基材上,利用高温或者自然固化,使得封装材料凝固。这种方法需要等待较长的时间,封装厚度以及均匀度都很难得到保证。
第二种,将未固化的光固化树脂填充到形成有低熔点金属图案的基材上,利用紫外光照射,使得光固化树脂固化。这种方法虽然时间上大幅缩短,但是封装厚度和均匀度依然难以保证。
第三种,使用封装薄膜与基材贴合进行封装。这种方法可以很好的解决封装厚度和均匀度的问题,而且封装速度很快。
但是,发明人发现,第三种封装方法仍然存在一定问题,例如,针对熔点低的低熔点金属,其在室温或者封装过程的高温状态下为液态,封装薄膜与基材的贴合需要加压,压力会导致液态的低熔点金属溢出,从而导致低熔点金属图案的变形或者破坏。
发明内容
本发明提供一种低熔点金属器件的制作方法及太阳能电池的制作方法,可以解决在使用封装薄膜对低熔点金属图案进行封装时,低熔点金属溢出造成低熔点金属图案的变形或者破坏的问题。
第一方面,本发明提供一种低熔点金属器件的制作方法,采用如下技术方案:
所述低熔点金属器件的制作方法包括:
步骤S1、提供一基材和一封装薄膜;
步骤S2、使用低熔点金属,在所述基材上形成低熔点金属图案,所述低熔点金属的熔点低于封装过程中的温度;
步骤S3、通过金属粘附结构从所述低熔点金属图案上粘附所述低熔点金属;
步骤S4、将所述封装薄膜覆盖于所述基材上形成有所述低熔点金属图案的一面上,向所述封装薄膜和/或所述基材上施加压力,完成对所述低熔点金属图案的封装,得到所述低熔点金属器件。
可选地,所述低熔点金属中添加有颗粒填料,所述颗粒填料的熔点高于封装过程中的温度。
可选地,在所述低熔点金属与所述颗粒填料的混合物中,所述颗粒填料的重量百分比小于或等于40%。
可选地,所述颗粒填料为镍颗粒、金颗粒、铂颗粒、银颗粒、铜颗粒、导电炭黑颗粒、导电石墨颗粒、碳纳米管颗粒、镍包石墨颗粒、银包铜颗粒、银包镍颗粒、四氧化三铁颗粒中的一种或几种。
可选地,所述颗粒填料的粒径为1nm~100μm。
可选地,在所述低熔点金属中还添加有分散润湿剂、偶联剂、附着力促进剂中的一种或几种。
可选地,所述金属粘附结构为粘附辊或者粘附压板。
可选地,所述金属粘附结构的材质为硅胶。
可选地,所述金属粘附结构包括支撑体以及位于支撑体外的粘附层,所述粘附层的材质为树脂或者粘接剂。
可选地,所述金属粘附结构为粘附辊,所述粘附辊的邵氏硬度为50,所述步骤S4中,所述粘附辊上施加的压力为10N。
第二方面,本发明提供一种太阳能电池的制作方法,采用如下技术方案:
所述太阳能电池的制作方法包括:
在基材上形成薄膜电池;
使用低熔点金属,在形成有所述薄膜电池的所述基材上,形成汇流线,所述低熔点金属的熔点低于室温;
通过金属粘附结构从所述汇流线上粘附所述低熔点金属;
将封装薄膜覆盖于所述基材上形成有所述汇流线的一面上,向所述封装薄膜和/或所述基材上施加压力,完成对所述汇流线的封装,得到所述太阳能电池。
可选地,所述汇流线包括一个低熔点金属线条,所述低熔点金属线条为任意形状,且所述低熔点金属线条的一端延伸至所述太阳能电池外部;
或者,所述汇流线包括多个低熔点金属线条,各所述低熔点金属线条均为任意形状,且各所述低熔点金属线条均相互分立,各所述低熔点金属线条的一端均延伸至所述太阳能电池外部;
或者,所述汇流线包括多个低熔点金属线条,各所述低熔点金属线条均为任意形状,至少两个所述低熔点金属线条通过一条连接线相互连接,且所述连接线的一端延伸至所述太阳能电池外部。
本发明提供了一种低熔点金属器件的制作方法及太阳能电池的制作方法,使用该制作方法制作低熔点金属器件的过程如下:先提供一基材和一封装薄膜,然后使用低熔点金属,在基材上形成低熔点金属图案,低熔点金属的熔点低于封装过程中的温度,然后通过金属粘附结构从低熔点金属图案上粘附低熔点金属,然后将封装薄膜覆盖于基材上形成有低熔点金属图案的一面上,向封装薄膜和/或基材上施加压力,完成对低熔点金属图案的封装,得到低熔点金属器件。由于在以上过程中,使用粘附低熔点金属的金属粘附结构预先对低熔点金属图案加压,粘走多余的易于流动的低熔点金属,剩下的低熔点金属不易流动,因此在封装过程中不会产生低熔点金属流动的问题,有效解决了在使用封装薄膜对低熔点金属图案进行封装时,低熔点金属溢出造成低熔点金属图案的变形或者破坏的问题。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动性的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例提供的低熔点金属器件的制作方法的流程图;
图2为本发明实施例提供的低熔点金属器件的制作过程示意图;
图3为本发明实施例提供的在基材上制作低熔点金属图案的流程图;
图4为本发明实施例提供的汇流线的示意图一;
图5为本发明实施例提供的汇流线的示意图二;
图6为本发明实施例提供的汇流线的示意图三。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
需要说明的是,在不冲突的情况下本发明实施例中的各技术特征均可以相互结合。
本发明实施例提供了一种低熔点金属器件的制作方法,具体地,如图1和图2所示,图1为本发明实施例提供的低熔点金属器件的制作方法的流程图,图2为本发明实施例提供的低熔点金属器件的制作过程示意图,低熔点金属器件的制作方法包括:
步骤S1、提供一基材1和一封装薄膜2。
可选地,基材1为不粘附低熔点金属的基材1,例如,打印纸、卡纸、牛皮纸、铜版纸、芳纶纸、铜箔、铁箔、聚乙烯薄膜、聚碳酸酯片、聚酰亚胺薄膜、聚四氟乙烯片、棉布、麻布、蚕丝布、涤纶布、锦纶布、丙纶布、粘胶纤维布、无尘布、醋酸纤维布、离型纸中的一种。
可选地,基材1为粘附低熔点金属的基材1,例如,聚氯乙烯基材、聚对苯二甲酸乙二醇酯基材、聚对苯二甲酸丁二醇酯基材、聚丙烯基材、聚己二酸-对苯二甲酸丁二酯基材、硅橡胶基材、天然橡胶基材、异戊橡胶基材、丁苯橡胶基材、顺丁橡胶基材、氯丁橡胶基材、乙丙橡胶基材、丁腈橡胶基材、硅橡胶基材、聚硫橡胶基材、玻璃基材、聚氯酯基材、亚克力基材、不锈钢基材、硅基材、尼龙布中的一种。
可选地,封装薄膜2为塑料层(例如PET)与树脂层的复合薄膜、塑料层(例如PET)与粘接剂层的复合薄膜、塑料膜(例如保鲜膜)、橡胶膜或者室温固态粘接剂薄膜、固态金属薄膜(例如铜薄膜、铁薄膜等)、聚乙烯薄膜、聚碳酸酯薄膜、聚酰亚胺薄膜或者聚四氟乙烯薄膜等。具有以上材质的封装薄膜根据其封装工艺的不同,也可以分为热压膜、冷裱膜、静电吸附膜等,本领域技术人员可以根据实际需求进行选择。
需要说明的是,基材1是否粘附低熔点金属可以通过以下方式确定:将基材1倾斜放置于测试台上,基材1的倾斜角度为20°,使低熔点金属液滴(体积为80μL~120μL,以80μL为例)从一定高度(2cm~5cm,以2cm为例)滴落至基材1上,若基材1上无低熔点金属残留,则表示基材1不粘附低熔点金属,若基材1上有低熔点金属残留,则表示基材1粘附低熔点金属。
步骤S2、使用低熔点金属,在基材1上形成低熔点金属图案3,低熔点金属的熔点低于封装过程中的温度。
其中,根据基材1对低熔点金属的粘附程度的不同,本发明实施例通过不同的方法在基材1上制作低熔点金属图案3,本发明实施例将在后续内容中进行举例说明。
另外,本发明实施例中选择,低熔点金属中添加有颗粒填料,颗粒填料的熔点高于封装过程中的温度。其中,在封装过程中,颗粒填料不会熔化,仍然为固态,其可以提供支撑将低熔点金属限制在颗粒填料之间的缝隙中,不仅可以避免封装过程中低熔点金属的流动,还可以避免在后续步骤中金属粘附结构将过多的低熔点金属粘走。
从材质上说,以上颗粒填料可以为金属颗粒、非金属颗粒等中的一种或几种,从性能上说,以上颗粒填料可以具有导电性、磁性等中的一种或几种,本领域技术人员可以根据低熔点金属图案3的用途选择对应的颗粒填料。
可选地,颗粒填料为镍颗粒、金颗粒、铂颗粒、银颗粒、铜颗粒、导电炭黑颗粒、导电石墨颗粒、碳纳米管颗粒、镍包石墨颗粒、银包铜颗粒、银包镍颗粒、四氧化三铁颗粒中的一种或几种。
发明人发现,若颗粒填料的量过大会使得包括低熔点金属和颗粒填料的混合物过于粘稠,不利于形成低熔点金属图案3,基于此,本发明实施例中选择,在低熔点金属与颗粒填料的混合物中,颗粒填料的重量百分比小于或等于40%。
另外,发明人还发现,若颗粒填料的粒径过大,则较难在低熔点金属中均匀分布,会使得低熔点金属的性能不均匀,若导电性增强材料的粒径过小,则会使得颗粒填料较难制备,成本较高,基于此,本发明实施例中选择颗粒填料的粒径在1nm~100μm。其中,当被测颗粒的某种物理特性或物理行为与某一直径的同质球体(或组合)最相近时,就把该球体的直径(或组合)作为被测颗粒的粒径。
可选地,在低熔点金属中还添加有分散润湿剂、偶联剂、附着力促进剂等中的一种或几种,以使得包括低熔点金属和颗粒填料的混合物的性能更优。其中,分散润湿剂用于使颗粒填料较好地分散在低熔点金属中,且改善低熔点金属的润湿性,使其可以润湿不同表面;偶联剂用于使颗粒填料较好地分散在低熔点金属中;附着力促进剂用于改善低熔点金属的附着力,使其更好地附着不同表面。
步骤S3、通过金属粘附结构4从低熔点金属图案3上粘附低熔点金属。
其中,金属粘附结构4对低熔点金属的粘附性越强,单次可以粘掉的低熔点金属越多,低熔点金属越不会发生流动,但残留的低熔点金属的厚度较难控制,金属粘附结构4对低熔点金属的粘附性越弱,单次可以粘掉的低熔点金属越少,需要进行多次操作,残留的低熔点金属的厚度较易控制。本领域技术人员可以根据实际需求对金属粘附结构4进行选择。可选地,金属粘附结构4对低熔点金属的粘附性小于基材1对低熔点金属的粘附性,或者,金属粘附结构4对低熔点金属的粘附性与基材1对低熔点金属的粘附性相同,或者,金属粘附结构4对低熔点金属的粘附性大于基材1对低熔点金属的粘附性。
可选地,金属粘附结构4为粘附辊或者粘附压板,以使得通过金属粘附结构4从低熔点金属图案3上粘附低熔点金属的方式较易实现。
当金属粘附结构4为粘附辊时,使粘附辊从基材1的一侧开始向另一侧滚动,即可实现从低熔点金属图案3上粘附低熔点金属。可选地,金属粘附结构4的材质为对低熔点金属具有较强粘附性的硅胶。
其中,除粘附辊对低熔点金属的粘附性以外,粘附辊的硬度、粘附辊上施加的压力等均会对粘附效果产生影响,其中,粘附辊越硬,基材1上残留的低熔点金属的厚度越小,流动性越差,粘附辊越软,基材1上残留的低熔点金属的厚度越大,流动性越好,类似地,压力越大,基材1上残留的低熔点金属的厚度越小,流动性越差,压力越小,基材1上残留的低熔点金属的厚度越大,流动性越好。基于此,综合考虑基材1上残留的低熔点金属的厚度和流动性之后,本发明实施例中选择,粘附辊的邵氏硬度为50,步骤S4中,粘附辊上施加的压力为10N。
当金属粘附结构4为粘附压板时,使粘附压板置于基材1上,从粘附压板侧或者基材1侧加压,即可实现从低熔点金属图案3上粘附低熔点金属。
可选地,金属粘附结构4包括支撑体以及位于支撑体外的粘附层,粘附层的材质为树脂或者粘接剂。
步骤S4、将封装薄膜2覆盖于基材1上形成有低熔点金属图案3的一面上,向封装薄膜2和/或基材1上施加压力,完成对低熔点金属图案3的封装,得到低熔点金属器件。
可选地,通过滚动的方式、滑动的方式或者静压的方式向封装薄膜2和/或基材1上施加压力,完成对低熔点金属图案3的封装,得到低熔点金属器件。其中,滚动的方式是指封装薄膜2和基材1贴合后,使用滚动的辊子5对封装薄膜2或基材1施加压力。滑动的方式是指封装薄膜2和基材1贴合后,施压部件以在封装薄膜2或者基材1表面滑动的方式,对封装薄膜2和基材1施加压力。静压的方式是指施压部件对封装薄膜2或基材1施加压力,施压部件相对封装薄膜2或者基材1保持静止。
可选地,步骤S4中,施加在封装薄膜2和/或基材1上的压强为1MPa~30MPa,以使得封装薄膜2可以与基材1结合牢固,且不会破坏低熔点金属图案3。
可选地,步骤S4还包括对封装过程中的温度进行控制,其中,采用冷压覆膜工艺(适用于冷裱膜)时,控制温度为-30℃~30℃,采用热压覆膜工艺(适用于热压膜)时,控制温度为50℃~200℃。
下面本发明实施例对如何根据基材1对低熔点金属的粘附程度,选择本不同的方法在基材1上制作低熔点金属图案3进行举例说明。
在一个例子中,针对粘附低熔点金属的基材1,可以通过印刷、移印、喷涂、打印中的一种,在基材1粘附低熔点金属的一面上制作低熔点金属图案3。其中,印刷包括钢网印刷、丝网印刷、喷墨印刷、凹版印刷、凸版印刷、平板印刷、柔性版印刷中的一种。
在又一个例子中,针对不粘附低熔点金属的基材1,如图3所示,图3为本发明实施例提供的在基材上制作低熔点金属图案的流程图,在基材1上制作低熔点金属图案3包括:
步骤S21、选择可粘附基材,且可粘附低熔点金属的油墨。
可选地,步骤S21中,油墨为水性油墨、油性自挥发油墨、加热固化油墨、紫外固化油墨、电子束固化油墨、激光固化油墨中的一种。
类似地,油墨是否粘附低熔点金属,以及油墨是否粘附基材也可以通过之前所述的方式进行确定,此处不再进行赘述。
步骤S22、在基材表面用油墨印制油墨图案。
其中,可以根据选择的基材,以及选择的油墨对所需的方式进行选择。可选地,步骤S22中,通过钢网印刷、丝网印刷、喷墨印刷、紫外打印、凹版印刷、凸版印刷、平板印刷、热转印印刷、静电印刷中的一种方式,用油墨印制油墨图案。
步骤S23、使基材表面的油墨固化。
其中,可以根据选择的油墨,以及选择的基材对油墨固化的方式进行选择。可选地,步骤S23中,油墨固化的方式包括室温固化、加热固化、紫外光照固化、电子束辐照固化、激光固化中至少一种。
步骤S24、在基材表面印刷低熔点金属,仅油墨图案上覆盖有低熔点金属,得到低熔点金属图案。
可选地,低熔点金属的熔点等于或低于室温时,步骤S24中,在基材表面印刷低熔点金属包括:将液态的低熔点金属印刷至基材表面;低熔点金属的熔点高于室温时,步骤S24中,在基材表面印刷低熔点金属包括:对固态的低熔点金属进行加热,使低熔点金属完全熔化呈液态,将液态的低熔点金属印刷至基材表面。
为了防止印刷过程中低熔点金属温度过低固化或者粘稠度太大无法印刷,步骤S24中在基材表面印刷低熔点金属时的工作温度可以高于低熔点金属的熔点。具体可以结合基材的可承受温度,以及低熔点金属的熔点进行合理选择。
示例性地,采用本发明实施例提供的低熔点金属器件的制作方法可以在铜版纸表面制作低熔点金属图案作为装饰,具体包括以下步骤:
(1)使用含10%(重量百分比)镍颗粒(粒径为10μm)的熔点为15.5℃的低熔点金属(Ga75.5%In24.5%)在铜版纸上印制低熔点金属图案。
(2)使用低熔点金属粘附性很强的材质为硅胶的粘附辊,粘附辊的邵氏硬度为50,以10N的压力,在基材1的表面滚压而过。
(3)多余的流动的低熔点金属被粘附辊吸附走,剩余的低熔点金属案由紧密分布的镍颗粒和中间填充缝隙的的低熔点金属组成,填充在镍颗粒缝隙的低熔点金属再次受到压力时,由于有镍颗粒作为支撑,不再具有流动性。
(4)使用覆膜机,在110℃的温度下,将预制BOPP热压膜和铜版纸复合,完成对低熔点金属图案的封装。
本发明提供了一种低熔点金属器件的制作方法,使用该制作方法制作低熔点金属器件的过程如下:先提供一基材和一封装薄膜,然后使用低熔点金属,在基材上形成低熔点金属图案,低熔点金属的熔点低于封装过程中的温度,然后通过金属粘附结构从低熔点金属图案上粘附低熔点金属,然后将封装薄膜覆盖于基材上形成有低熔点金属图案的一面上,向封装薄膜和/或基材上施加压力,完成对低熔点金属图案的封装,得到低熔点金属器件。由于在以上过程中,使用粘附低熔点金属的金属粘附结构预先对低熔点金属图案加压,粘走多余的易于流动的低熔点金属,剩下的低熔点金属不易流动,因此在封装过程中不会产生低熔点金属流动的问题,有效解决了在使用封装薄膜对低熔点金属图案进行封装时,低熔点金属溢出造成低熔点金属图案的变形或者破坏的问题。
另外,本发明实施例中,使用封装薄膜2进行封装,封装厚度可以降低至几个微米,而且可以保证厚度均匀,且有成熟的覆膜设备可以使用,覆膜速度极快,不需要固化时间,时间快。
此外,本发明实施例还提供一种太阳能电池的制作方法,具体地,该太阳能电池的制作方法包括:在基材上形成薄膜电池;使用低熔点金属,在形成有所述薄膜电池的所述基材上,形成汇流线,所述低熔点金属的熔点低于室温;通过金属粘附结构从所述汇流线上粘附所述低熔点金属;将封装薄膜覆盖于所述基材上形成有所述汇流线的一面上,向所述封装薄膜和/或所述基材上施加压力,完成对所述汇流线的封装,得到所述太阳能电池。
其中,汇流线44的具体实现方式可以有多种:
在一个例子中,如图4所示,图4为本发明实施例提供的汇流线的结构示意图一,汇流线5包括一个低熔点金属线条,低熔点金属线条为任意形状,且低熔点金属线条的一端延伸至太阳能电池外部。以上任意形状可以为直线、折线、曲线以及以上多种的结合形成的复杂形状。
在又一个例子中,如图5所示,图5为本发明实施例提供的汇流线的结构示意图二,汇流线5包括多个低熔点金属线条,各低熔点金属线条均为任意形状,且各低熔点金属线条均相互分立,各低熔点金属线条的一端均延伸至太阳能电池外部。以上任意形状可以为直线、折线、曲线以及以上多种的结合形成的复杂形状。
在又一个例子中,如图6所示,图6为本发明实施例提供的汇流线的结构示意图三,汇流线5包括多个低熔点金属线条,各低熔点金属线条均为任意形状,至少两个低熔点金属线条通过一条连接线相互连接(图6中以所有低熔点金属线条均通过一条连接线相互连接为例),且连接线的一端延伸至太阳能电池外部。以上任意形状可以为直线、折线、曲线以及以上多种的结合形成的复杂形状。
其中,以上所述的太阳能电池的制作方法中的具体细节均可以参照之前所述的低熔点金属器件的制作方法的具体细节进行选择,此处不再进行赘述。需要说明的是,薄膜电池对低熔点金属的粘附性较好,因此,可以通过印刷、移印、喷涂、打印中的一种,在薄膜电池粘上制作汇流线。
现有技术中的汇流线一般由固体金属导线丝构成,位于薄膜电池和封装薄膜中间,其存在一些缺点:固体金属导线丝构成的汇流线只是在封装薄膜的包裹下与薄膜电池表面复合,当薄膜电池发生弯曲变形时,固体金属导线丝和薄膜电池表面的接触面积会发生变化,甚至从薄膜电池表面脱离,使得汇流线和薄膜电池之间的接触电阻大幅增大,大大降低了电池效率;固体金属导线丝制作的汇流线,会使得封装薄膜在汇流线区域及周边形成凸起,无法和薄膜电池表面紧密复合,这将导致凸起区域的透光率下降,从而降低了薄膜电池的光电转化效率。
而采用本发明实施例中的技术方案,通过选择熔点低于室温的低熔点金属,低熔点金属在常温下为液态,用其制作汇流线,可以随着薄膜电池的形变而保持在薄膜电池表面的附着,而且,覆膜封装下的低熔点金属汇流线,厚度最小可以降至1μm,可以确保封装薄膜和薄膜电池表面的完全复合,不留下明显的空隙。
最后应说明的是:以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案,而非对其限制;尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明,本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换;而这些修改或者替换,并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。

Claims (9)

1.一种低熔点金属器件的制作方法,其特征在于,包括:
步骤S1、提供一基材和一封装薄膜;
步骤S2、使用低熔点金属,在所述基材上形成低熔点金属图案,所述低熔点金属的熔点低于封装过程中的温度;
步骤S3、通过金属粘附结构从所述低熔点金属图案上粘附所述低熔点金属,所述金属粘附结构为粘附辊或者粘附压板;
步骤S4、将所述封装薄膜覆盖于所述基材上形成有所述低熔点金属图案的一面上,向所述封装薄膜和/或所述基材上施加压力,完成对所述低熔点金属图案的封装,得到所述低熔点金属器件。
2.根据权利要求1所述的低熔点金属器件的制作方法,其特征在于,所述低熔点金属中添加有颗粒填料,所述颗粒填料的熔点高于封装过程中的温度。
3.根据权利要求2所述的低熔点金属器件的制作方法,其特征在于,在所述低熔点金属与所述颗粒填料的混合物中,所述颗粒填料的重量百分比小于或等于40%。
4.根据权利要求2所述的低熔点金属器件的制作方法,其特征在于,所述颗粒填料为镍颗粒、金颗粒、铂颗粒、银颗粒、铜颗粒、导电炭黑颗粒、导电石墨颗粒、碳纳米管颗粒、镍包石墨颗粒、银包铜颗粒、银包镍颗粒、四氧化三铁颗粒中的一种或几种。
5.根据权利要求2所述的低熔点金属器件的制作方法,其特征在于,在所述低熔点金属中还添加有分散润湿剂、偶联剂、附着力促进剂中的一种或几种。
6.根据权利要求1所述的低熔点金属器件的制作方法,其特征在于,所述金属粘附结构的材质为硅胶。
7.根据权利要求1所述的低熔点金属器件的制作方法,其特征在于,所述金属粘附结构包括支撑体以及位于支撑体外的粘附层,所述粘附层的材质为树脂或者粘接剂。
8.一种太阳能电池的制作方法,其特征在于,包括:
在基材上形成薄膜电池;
使用低熔点金属,在形成有所述薄膜电池的所述基材上,形成汇流线,所述低熔点金属的熔点低于室温;
通过金属粘附结构从所述汇流线上粘附所述低熔点金属,所述金属粘附结构为粘附辊或者粘附压板;
将封装薄膜覆盖于所述基材上形成有所述汇流线的一面上,向所述封装薄膜和/或所述基材上施加压力,完成对所述汇流线的封装,得到所述太阳能电池。
9.根据权利要求8所述的太阳能电池的制作方法,其特征在于,所述汇流线包括一个低熔点金属线条,所述低熔点金属线条为任意形状,且所述低熔点金属线条的一端延伸至所述太阳能电池外部;
或者,所述汇流线包括多个低熔点金属线条,各所述低熔点金属线条均为任意形状,且各所述低熔点金属线条均相互分立,各所述低熔点金属线条的一端均延伸至所述太阳能电池外部;
或者,所述汇流线包括多个低熔点金属线条,各所述低熔点金属线条均为任意形状,至少两个所述低熔点金属线条通过一条连接线相互连接,且所述连接线的一端延伸至所述太阳能电池外部。
CN201811137234.5A 2018-09-30 2018-09-30 一种低熔点金属器件的制作方法及太阳能电池的制作方法 Active CN110970309B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201811137234.5A CN110970309B (zh) 2018-09-30 2018-09-30 一种低熔点金属器件的制作方法及太阳能电池的制作方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201811137234.5A CN110970309B (zh) 2018-09-30 2018-09-30 一种低熔点金属器件的制作方法及太阳能电池的制作方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN110970309A CN110970309A (zh) 2020-04-07
CN110970309B true CN110970309B (zh) 2020-11-06

Family

ID=70026701

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201811137234.5A Active CN110970309B (zh) 2018-09-30 2018-09-30 一种低熔点金属器件的制作方法及太阳能电池的制作方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN110970309B (zh)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4057671A (en) * 1975-06-27 1977-11-08 Ppg Industries, Inc. Heated laminated window and method of assembling same
CN105934105A (zh) * 2016-04-29 2016-09-07 北京梦之墨科技有限公司 一种光固化树脂封装液态金属印刷电路的方法
CN106252236A (zh) * 2015-06-10 2016-12-21 全南大学校产学协力团 可伸缩电路基板及其制作方法
CN106986300A (zh) * 2016-01-21 2017-07-28 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 微纳机电晶圆的圆片级封装方法及结构

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4057671A (en) * 1975-06-27 1977-11-08 Ppg Industries, Inc. Heated laminated window and method of assembling same
CN106252236A (zh) * 2015-06-10 2016-12-21 全南大学校产学协力团 可伸缩电路基板及其制作方法
CN106986300A (zh) * 2016-01-21 2017-07-28 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 微纳机电晶圆的圆片级封装方法及结构
CN105934105A (zh) * 2016-04-29 2016-09-07 北京梦之墨科技有限公司 一种光固化树脂封装液态金属印刷电路的方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN110970309A (zh) 2020-04-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6494695B2 (ja) 異方性導電フィルム、接続構造体、及び接続構造体の製造方法
CN105453001A (zh) 将电子部件粘结到图案化纳米线透明导体
CN107112657B (zh) 各向异性导电膜、其制造方法及连接构造体
US20150319867A1 (en) Anisotropic conductive film and method of producing the same
US20070007267A1 (en) Method and apparatus for manufacturing thin film heaters
CN108754385B (zh) 一种低熔点金属的印刷方法
CN105358641A (zh) 导电性粘接膜的制造方法、导电性粘接膜、连接体的制造方法
JP2012151095A (ja) 透明導電性フィルム、静電容量式タッチパネルの透明電極及びタッチパネル
CN101395974B (zh) 热印导电带及其制造方法
CN110970309B (zh) 一种低熔点金属器件的制作方法及太阳能电池的制作方法
WO2022102672A1 (ja) 回路接続用接着剤フィルム及びその製造方法、並びに、接続構造体及びその製造方法
CN106550548B (zh) 一种柔性电路的激光打印成型方法
CN103725214B (zh) 层叠体
CN110970526B (zh) 一种低熔点金属器件的制作方法及太阳能电池的制作方法
JP2011031507A (ja) 印刷用版
WO2017104087A1 (ja) 印刷用ブランケットの製造方法
JP2013202911A (ja) 透明導電層付き基体の製造方法
CN110970508B (zh) 一种低熔点金属器件的制作方法及太阳能电池的制作方法
KR101041486B1 (ko) 투명 전극 제조 방법 및 이에 의한 투명 전극
US20170140850A1 (en) Anisotropic conductive film and production method of the same
US20220247111A1 (en) Glazing having an electrical connector
KR20230109659A (ko) 회로 접속용 접착제 필름, 및, 접속 구조체 및 그 제조 방법
CN110970518B (zh) 一种低熔点金属器件的制作方法及太阳能电池的制作方法
CN111531981A (zh) 用于覆铜板压合工艺的缓冲垫及其制备方法
KR20210033513A (ko) 이방성 도전 필름, 접속 구조체, 접속 구조체의 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant