CN110970298A - 一种环氧封装微型二极管及制作工艺 - Google Patents

一种环氧封装微型二极管及制作工艺 Download PDF

Info

Publication number
CN110970298A
CN110970298A CN201911403212.3A CN201911403212A CN110970298A CN 110970298 A CN110970298 A CN 110970298A CN 201911403212 A CN201911403212 A CN 201911403212A CN 110970298 A CN110970298 A CN 110970298A
Authority
CN
China
Prior art keywords
acid
epoxy
tube core
lead
equal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201911403212.3A
Other languages
English (en)
Other versions
CN110970298B (zh
Inventor
刘德军
闫义奇
丁晓宏
张开云
迟鸿燕
杨春梅
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
China Zhenhua Group Yongguang Electronics Coltd
Original Assignee
China Zhenhua Group Yongguang Electronics Coltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by China Zhenhua Group Yongguang Electronics Coltd filed Critical China Zhenhua Group Yongguang Electronics Coltd
Priority to CN201911403212.3A priority Critical patent/CN110970298B/zh
Publication of CN110970298A publication Critical patent/CN110970298A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN110970298B publication Critical patent/CN110970298B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
    • H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
    • H01L29/66083—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by variation of the electric current supplied or the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched, e.g. two-terminal devices
    • H01L29/6609—Diodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/858—Bonding techniques
    • H01L2224/85801—Soldering or alloying

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
  • Weting (AREA)

Abstract

本发明提供的一种环氧封装微型二极管及制作工艺，其步骤为：本发明通过加工具有弹性的引线，将重量很轻的管芯夹在引线的开口两端完成管芯和引线的装配，加工完成后再将电极引线剪开，使微型二极管能够采用传统工艺进行加工。

Description

一种环氧封装微型二极管及制作工艺
技术领域
本发明涉及一种环氧封装微型二极管及制作工艺。
背景技术
传统的轴向二极管的生产工艺是：将生产好的管芯、焊料、引出电极等，通过专用的模具将其组装好，再通过高温将焊料熔化，使用焊料将管芯和引出电极焊接在一起，再对管芯部分进行腐蚀、钝化、封装。
随着电子设备向集成化，小型化方向发展，这就要求分立器件的引线细、体积要小，重量要轻；某轴向引线微型二极管市场需求很大，其要求是：管体直径小于1mm，管体长度小于0.25mm，引线直径小于0.15mm(铜、镍等金属材料)，因其管芯面积小、电极引线直径小、重量轻、电极引线无墩头，管芯和电极引线无法装配、焊接，采用传统工艺已无法生产如此小的二极管。
发明内容
为解决上述技术问题，本发明提供了一种环氧封装微型二极管及制作工艺。
本发明通过以下技术方案得以实现。
本发明提供的一种环氧封装微型二极管及制作工艺，其步骤为：
1管芯制作：按常规工艺制作硅片后将其裂片为管芯；
2引线加工：用具有弹性的金属丝制作引线；
3管芯装配：使用引线将管芯夹紧在引线之间；
4引线焊接：将管芯缓慢放入融化的锡锅中再缓慢取出冷却；
5腐蚀：使用腐蚀液对管芯台面进行酸腐蚀、碱腐蚀、清洗、钝化；
7台面钝化：在管芯上涂上硅橡胶；
6封装：使用环氧树脂涂覆管芯后固化；
7引线正负极分离：将引线中部剪开，加工完成。
所述引线为U型,其两末端折弯90°后接触。
所述步骤4中使用镊子尖端夹住管芯放入锡锅中1～3秒,然后取出冷却1～3秒。
所述步骤5中酸腐蚀采用酸腐蚀液，酸腐蚀液按质量百分比是分析纯的65％～68％的硝酸、≥40％的氢氟酸、95％～98％的硫酸、≥99.5％的冰乙酸、≥99.5％的磷酸按体积比1.2：1：1：2：2的混合溶液。由于产品属于微型器件，在进行腐蚀清洗时必须考虑腐蚀液对组件的腐蚀速率，到其中硝酸和氢氟酸对二氧化硅有络合作用，在氧化和络合的作用下硅不断的溶解，1.2:1的硝酸和氢氟酸的比例能够使硅的腐蚀速度在70μm/min左右在通过冰乙酸为缓冲剂，硅的腐蚀速度为50μm/min左右，当硫酸与硝酸的比例为1:1时硅的腐蚀速度没有明显变化，但加入硫酸能很好抑制腐蚀液对引线的腐蚀作用，避免引线受到过量腐蚀，但硫酸属于强酸，硫酸量加入过多会使芯片台面出现氧化现象，通过加入磷酸作为缓冲剂，更好控制了混合酸的腐蚀速率，以硝酸为氧化剂,氢氟酸为络合剂,硫酸为缓蚀剂,磷酸为缓冲剂，冰乙酸为缓冲剂。
所述步骤5中碱腐蚀采用碱腐蚀液，碱腐蚀液为3％～6％的氢氧化钾溶液，其碱腐蚀温度为58～98℃。氢氧化钾能够去除酸腐蚀中硅片的损伤。同时去除酸腐蚀形成的染色层，减少界面效应对器件的影响，形成更清洁、平整的台面造型，使器件具有更稳定的反向性能。
所述步骤5中钝化采用钝化液，钝化液按质量百分比是≥30％的双氧水、≥85％的磷酸和离子水按2:2:5混合的混合液。使用磷酸减少了结表面的氧化物和碱金属离子存在的几率，同时能生产一层二氧化硅钝化层，从而减小了漏电电流。
所述步骤5中清洗采用清洗液，清洗剂按质量百分比是65％～68％的硝酸、≥40％的氢氟酸、95％～98％的硫酸、≥99.5％的冰乙酸按体积比8:2:2:5的混合溶液。。
所述步骤6中固化采用低温固化，低温成型的升温速率10～15℃/min，升温时间45～65min，烧结温度600～680℃，恒温时间5～40min，降温速率≤5℃/min。
本发明的有益效果在于：通过加工具有弹性的引线，将重量很轻的管芯夹在引线的开口两端完成管芯和引线的装配、焊接，加工完成后在将电极引线剪开，使微型二极管能够采用传统工艺进行加工。
附图说明
图1是本发明的电极引线和管芯装配结构图；
具体实施方式
下面进一步描述本发明的技术方案，但要求保护的范围并不局限于所述。
一种环氧封装微型二极管及制作工艺，其步骤为：
1管芯制作：按常规工艺制作硅片后将其裂片为管芯；
2引线加工：用具有弹性的金属丝制作引线；
3管芯装配：使用引线将管芯夹紧在引线之间；
4引线焊接：将管芯缓慢放入融化的锡锅中再缓慢取出冷却；
5腐蚀：使用腐蚀液对管芯台面进行酸腐蚀、碱腐蚀、清洗、钝化；
7台面钝化：在管芯上涂上硅橡胶；
6封装：使用环氧树脂涂覆管芯后固化；
7引线正负极分离：将引线中部剪开，加工完成。
所述引线为U型,其两末端折弯90°后接触。
所述步骤4中使用镊子尖端夹住管芯放入锡锅中1～3秒,然后取出冷却1～3秒。
所述步骤5中酸腐蚀采用酸腐蚀液，酸腐蚀液按质量百分比是分析纯的65％～68％的硝酸、≥40％的氢氟酸、95％～98％的硫酸、≥99.5％的冰乙酸、≥99.5％的磷酸按体积比1.2：1：1：2：2的混合溶液。
所述步骤5中碱腐蚀采用碱腐蚀液，碱腐蚀液为3％～6％的氢氧化钾溶液，其碱腐蚀温度为58～98℃。
所述步骤5中钝化采用钝化液，钝化液按质量百分比是≥30％的双氧水、≥85％的磷酸和离子水按2:2:5混合的混合液。
所述步骤5中清洗采用清洗液，清洗剂按质量百分比是65％～68％的硝酸、≥40％的氢氟酸、95％～98％的硫酸、≥99.5％的冰乙酸按体积比8:2:2:5的混合溶液。。
所述步骤6中固化采用低温固化，低温成型的升温速率10～15℃/min，升温时间45～65min，烧结温度600～680℃，恒温时间5～40min，降温速率≤5℃/min。

Claims (8)

1.一种环氧封装微型二极管及制作工艺，其步骤为：
1)管芯制作：按常规工艺制作硅片后将其裂片为管芯；
2)引线加工：用具有弹性的金属丝制作引线；
3)管芯装配：使用引线将管芯夹紧在引线之间；
4)引线焊接：将管芯缓慢放入融化的锡锅中再缓慢取出冷却；
5)腐蚀：使用腐蚀液对管芯台面进行酸腐蚀、碱腐蚀、清洗、钝化；
7)台面钝化：在管芯上涂上硅橡胶；
6)封装：使用环氧树脂涂覆管芯后固化；
7)引线正负极分离：将引线中部剪开，加工完成。
2.如权利要求1所述的环氧封装微型二极管及制作工艺，其特征在于：所述引线为U型,其两末端折弯90°后接触。
3.如权利要求1所述的环氧封装微型二极管及制作工艺，其特征在于：所述步骤4)中使用镊子尖端夹住管芯放入锡锅中1～3秒,然后取出冷却1～3秒。
4.如权利要求1所述的环氧封装微型二极管及制作工艺，其特征在于：所述步骤5)中酸腐蚀采用酸腐蚀液，酸腐蚀液按质量百分比是分析纯的65％～68％的硝酸、≥40％的氢氟酸、95％～98％的硫酸、≥99.5％的冰乙酸、≥99.5％的磷酸按体积比1.2：1：1：2：2的混合溶液。
5.如权利要求1所述的环氧封装微型二极管及制作工艺，其特征在于：所述步骤5)中碱腐蚀采用碱腐蚀液，碱腐蚀液为3％～6％的氢氧化钾溶液，其碱腐蚀温度为58～98℃。
6.如权利要求1所述的环氧封装微型二极管及制作工艺，其特征在于：所述步骤5)中钝化采用钝化液，钝化液按质量百分比是≥30％的双氧水、≥85％的磷酸和离子水按2:2:5混合的混合液。
7.如权利要求1所述的环氧封装微型二极管及制作工艺，其特征在于：所述步骤5)中清洗采用清洗液，清洗剂按质量百分比是65％～68％的硝酸、≥40％的氢氟酸、95％～98％的硫酸、≥99.5％的冰乙酸按体积比8:2:2:5的混合溶液。
8.如权利要求1所述的环氧封装微型二极管及制作工艺，其特征在于：所述步骤6)中固化采用低温固化，低温成型的升温速率10～15℃/min，升温时间45～65min，烧结温度600～680℃，恒温时间5～40min，降温速率≤5℃/min。
CN201911403212.3A 2019-12-30 2019-12-30 一种环氧封装微型二极管及制作工艺 Active CN110970298B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201911403212.3A CN110970298B (zh) 2019-12-30 2019-12-30 一种环氧封装微型二极管及制作工艺

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201911403212.3A CN110970298B (zh) 2019-12-30 2019-12-30 一种环氧封装微型二极管及制作工艺

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN110970298A true CN110970298A (zh) 2020-04-07
CN110970298B CN110970298B (zh) 2023-08-04

Family

ID=70037462

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201911403212.3A Active CN110970298B (zh) 2019-12-30 2019-12-30 一种环氧封装微型二极管及制作工艺

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN110970298B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114864437A (zh) * 2022-03-28 2022-08-05 上海聚跃检测技术有限公司 一种去除砷化镓芯片封装的方法

Citations (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05190717A (ja) * 1992-08-10 1993-07-30 Rohm Co Ltd 半導体製造用フレームおよびこれを用いた半導体装置ならびに半導体製造方法
JP2000100844A (ja) * 1998-09-24 2000-04-07 Rohm Co Ltd 樹脂封止型半導体装置の製造方法
JP2002057265A (ja) * 2000-08-10 2002-02-22 Hitachi Ltd 半導体装置およびその製造方法
US20020081775A1 (en) * 2000-09-01 2002-06-27 Venkateshwaran Vaiyapuri Dual LOC semiconductor assembly employing floating lead finger structure
CN201898147U (zh) * 2010-03-19 2011-07-13 邵奕翔 微型发光导线与非导电纱线的结构
CN102263140A (zh) * 2011-08-10 2011-11-30 山东沂光电子股份有限公司 一种塑封功率二极管及其制造工艺
CN102329587A (zh) * 2011-08-24 2012-01-25 贵州振华亚太高新电子材料有限公司 无溶剂型具有稳定接触电阻的导电银胶
CN102789857A (zh) * 2012-08-01 2012-11-21 孝感华工高理电子有限公司 一种小型玻封二极管结构ntc热敏电阻及其制备方法
JP2014132688A (ja) * 2014-03-25 2014-07-17 Apic Yamada Corp Ｌｅｄパッケージ用基板、ｌｅｄパッケージ用基板の製造方法、及び、ｌｅｄパッケージの製造方法
CN205368525U (zh) * 2016-01-26 2016-07-06 中国振华集团云科电子有限公司 芯片电容专用挂镀夹具
CN106024625A (zh) * 2016-07-23 2016-10-12 中国振华集团永光电子有限公司（国营第八七三厂） 一种高可靠抗辐照玻璃钝化电压调整二极管制造方法
CN107393822A (zh) * 2017-07-17 2017-11-24 中国振华集团永光电子有限公司（国营第八七三厂） 一种具有瞬态电压抑制和整流功能的玻璃钝化续流二极管的制造方法
KR101881405B1 (ko) * 2017-09-28 2018-07-25 김종은 반도체 패키지용 리드 포밍 금형 장치
CN109935564A (zh) * 2017-12-18 2019-06-25 Ixys有限责任公司 含面对面安装管芯无内部接合线薄轮廓功率半导体器件封装

Patent Citations (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05190717A (ja) * 1992-08-10 1993-07-30 Rohm Co Ltd 半導体製造用フレームおよびこれを用いた半導体装置ならびに半導体製造方法
JP2000100844A (ja) * 1998-09-24 2000-04-07 Rohm Co Ltd 樹脂封止型半導体装置の製造方法
JP2002057265A (ja) * 2000-08-10 2002-02-22 Hitachi Ltd 半導体装置およびその製造方法
US20020081775A1 (en) * 2000-09-01 2002-06-27 Venkateshwaran Vaiyapuri Dual LOC semiconductor assembly employing floating lead finger structure
CN201898147U (zh) * 2010-03-19 2011-07-13 邵奕翔 微型发光导线与非导电纱线的结构
CN102263140A (zh) * 2011-08-10 2011-11-30 山东沂光电子股份有限公司 一种塑封功率二极管及其制造工艺
CN102329587A (zh) * 2011-08-24 2012-01-25 贵州振华亚太高新电子材料有限公司 无溶剂型具有稳定接触电阻的导电银胶
CN102789857A (zh) * 2012-08-01 2012-11-21 孝感华工高理电子有限公司 一种小型玻封二极管结构ntc热敏电阻及其制备方法
JP2014132688A (ja) * 2014-03-25 2014-07-17 Apic Yamada Corp Ｌｅｄパッケージ用基板、ｌｅｄパッケージ用基板の製造方法、及び、ｌｅｄパッケージの製造方法
CN205368525U (zh) * 2016-01-26 2016-07-06 中国振华集团云科电子有限公司 芯片电容专用挂镀夹具
CN106024625A (zh) * 2016-07-23 2016-10-12 中国振华集团永光电子有限公司（国营第八七三厂） 一种高可靠抗辐照玻璃钝化电压调整二极管制造方法
CN107393822A (zh) * 2017-07-17 2017-11-24 中国振华集团永光电子有限公司（国营第八七三厂） 一种具有瞬态电压抑制和整流功能的玻璃钝化续流二极管的制造方法
KR101881405B1 (ko) * 2017-09-28 2018-07-25 김종은 반도체 패키지용 리드 포밍 금형 장치
CN109935564A (zh) * 2017-12-18 2019-06-25 Ixys有限责任公司 含面对面安装管芯无内部接合线薄轮廓功率半导体器件封装

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114864437A (zh) * 2022-03-28 2022-08-05 上海聚跃检测技术有限公司 一种去除砷化镓芯片封装的方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN110970298B (zh) 2023-08-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN105977309B (zh) 一种高可靠抗辐照玻璃钝化快恢复整流二极管制造方法
US11160171B2 (en) Circuit forming method using selective etching of electrically conductive metal this film seed layer and etching solution composition
CN107393821A (zh) 一种高可靠玻璃钝化微型表贴二极管的制造方法
CN106024625B (zh) 一种高可靠抗辐照玻璃钝化电压调整二极管制造方法
CN204391122U (zh) 一种微型玻璃钝化封装整流二极管
CN104659111A (zh) 一种微型玻璃钝化封装整流二极管
CN109321957A (zh) 一种环保型外壳镀覆前处理蚀刻液工艺及镀覆方法
CN102732865A (zh) 一种化学镀镍液及碳硅铝镀覆方法
CN110970298A (zh) 一种环氧封装微型二极管及制作工艺
CN109750353B (zh) 单晶硅片倒金字塔制绒用辅助剂及其应用
JP2001284792A (ja) 半田材料及びそれを用いた半導体装置の製造方法
CN112376090A (zh) 一种铜基镀钯镍合金键合丝的制备方法
CN112530896A (zh) 一种用于半导体封装的引线框架及其制备方法
CN107301949A (zh) 一种采用钨电极制造高可靠瞬态电压抑制二极管的制造方法
CN104795335B (zh) 一种高可靠玻璃钝化高压硅堆的制造方法
JPH0653262A (ja) 半導体デバイス等の金属表面からプラスチックのばり等を電解除去する方法及びその方法に使用する溶液組成物
CN107245761A (zh) 金刚线多晶硅片制绒辅助剂及其应用
CN112458542B (zh) 应用于热电器件的p型碲化铋基材料的表面处理剂及方法
JP2018040030A (ja) 銅製部材の表面処理方法及び半導体実装用基板の製造方法
CN115873509A (zh) 一种高平整度硅片的碱抛光添加剂以及抛光方法
CN101521161B (zh) 无铅二极管的台面制作工艺
CN111489957A (zh) 二极管制备方法及二极管
CN102522329B (zh) 一种半导体芯片的加工方法
CN202662595U (zh) 四边扁平无引脚多圈排列ic芯片封装件
CN108231909A (zh) 一种高可靠超小型玻璃钝化复合二极管及其制备方法和应用

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant