CN110969985A - 一种像素电路驱动方法及像素电路 - Google Patents

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Abstract

一种像素电路驱动方法及像素电路，所述像素电路包括开关管T1、T2，电容C1、C2，所述T1的栅极与扫描信号连接，源极与数据信号线Vdata连接，漏极与C1的一端和T2的栅极连接，所述T2的源极与片上电压OVDD连接，所述T2的源极和漏极之间通过电容C2连接，T2的漏极还与C1的另一端连接，T2的漏极接像素的正极，像素的负极与片上电压OVSS连接；本发明像素驱动电路TFT数量少，占用面板面积小，有利于高PPI设计，提高画面清晰度，同时通过电路驱动方法能够有效地消除和降低Vth差异及OVDD的RC loading所带来的影响，增强面板显示均匀性。

Description

一种像素电路驱动方法及像素电路
技术领域
本发明涉及一种稳定电压补偿的像素电路及驱动方法。
背景技术
OLED(Organic Light Emitting Diode，有机发光二极管)显示面板具有高亮度、宽视角、响应速度快、低功耗等优点，目前已被广泛地应用于高性能显示领域中。其中，如图1-1所示，在OLED显示器面板中，每一像素通常采用由两个晶体管与一个电容构成，俗称2T1C电路，由于晶体管存在阈值电压漂移的问题以及OLED器件退化，OVDD金属走线IR_Drop等不良因素会导致OLED显示器显示不均匀，因此，OLED像素驱动电路需要相应的补偿结构。目前，OLED像素驱动电路的补偿结构较为复杂，在面板设计布局时，像素占用大量面积，不利于高PPI(Pixels Per Inch，像素密度)显示面板的设计
有鉴于此，如何设计一种用于高PPI显示面板，是业内相关技术人员亟待解决的一项课题。
发明内容
因此，需要提供一种补偿电路结构设计，达到稳定驱动补偿电路的技术效果。
为实现上述目的，发明人提供了一种像素电路驱动方法，所述像素电路包括开关管T1、T2，电容C1、C2，所述T1的栅极与扫描信号连接，源极与数据信号线Vdata连接，漏极与C1的一端和T2的栅极连接，所述T2的源极与片上电压OVDD连接，所述T2的源极和漏极之间通过电容C2连接，T2的漏极还与C1的另一端连接，T2的漏极接像素的正极，像素的负极与片上电压OVSS连接；
所述驱动方法包括步骤，在复位阶段，扫描信号使能，片上电压OVSS从低电平变为高电平，数据信号线通入参考电压Vref；在补偿阶段，扫描信号、OVSS和数据信号线均保持；在写入阶段，数据信号线写入数据信号Vdata；在发光阶段，扫描信号、OVSS和数据信号线变为低电平。
具体地，所述开关管为薄膜晶体管。
具体地，所述OVDD输入高电平。
一种像素电路，包括开关管T1、T2，电容C1、C2，所述T1的栅极与扫描信号连接，源极与数据信号线Vdata连接，漏极与C1的一端和T2的栅极连接，所述T2的源极与片上电压OVDD连接，所述T2的源极和漏极之间通过电容C2连接，T2的漏极还与C1的另一端连接，T2的漏极接像素的正极，像素的负极与片上电压OVSS连接。
本发明像素驱动电路TFT数量少，占用面板面积小，有利于高PPI设计，提高画面清晰度，同时通过电路驱动方法能够有效地消除和降低Vth差异及OVDD的RC loading所带来的影响，增强面板显示均匀性。
附图说明
图1为具体实施方式所述的像素电路示意图；
图2为具体实施方式所述的像素电路及信号示意图；
图3为具体实施方式所述的复位阶段示意图；
图4为具体实施方式所述的补偿阶段示意图；
图5为具体实施方式所述的数据写入阶段示意图；
图6为具体实施方式所述的发光阶段示意图。
具体实施方式
为详细说明技术方案的技术内容、构造特征、所实现目的及效果，以下结合具体实施例并配合附图详予说明。
图1的实施例中展示了一种2T1C的电路示意图，在本实施例中，常用做法是保持OVSS的低电平，同时在scan扫描信号的使能区间内，Vdata线始终通入数据信号电压。
图2展示了一种新的像素电路及驱动方法，像素电路包括开关管T1、T2，电容C1、C2。这里的开关管可以是三极管等开关功能的元件，本方案中可选为薄膜晶体管TFT。如图中所示，所述T1的栅极与扫描信号连接，源极与数据信号线Vdata连接，漏极与C1的一端和T2的栅极连接，所述T2的源极与片上电压OVDD连接，所述T2的源极和漏极之间通过电容C2连接，T2的漏极还与C1的另一端连接，T2的漏极接像素的正极，像素的负极与片上电压OVSS连接。相应的驱动方式如图2中右侧所示，在复位阶段，扫描信号使能，片上电压OVSS从低电平变为高电平，数据信号线通入参考电压Vref；在补偿阶段，扫描信号、OVSS和数据信号线均保持；在写入阶段，数据信号线写入数据信号Vdata；在发光阶段，扫描信号、OVSS和数据信号线变为低电平。
具体的原理可以如图3-图6所示，阶段I(复位阶段)：图3，Scan高电压，T1开启,Data写入Vref电压，让T2处于开启状态，由于OVSS此时写入VB电压，高于OVDD电压，这样OLED不发光；。各点对应电压：VG＝Vref电路及波形如图1-3所示。
阶段II(补偿阶段))：图4，Scan持续写入高电压，T1开启，此时data电压保持Vref高电平，T2开启。OVDD持续写入给S点充电至Vref-Vth,T2关闭,完成Vth提取。此时各个点电压为：VG＝Vref,VS＝Vref-Vth；电路及波形如图1-4所示。
阶段III(data写入阶段))：图5，Scan持续写入高电压，T1开启，此时data电压写入Vdata高电平。通过电容C1及C2的耦合作用，S点变化影响G点变化。此时各个点电压为：VS＝Vref-Vth+(Vdata-Vref)*C1/(C1+C2)，VG＝Vdata；电路及波形如图1-5所示。
阶段IV(发光阶段))：图6，Scan写入低电压，T1关闭，此时data电压写入低电压.此时OVSS写入一个低电压保证OLED发光。由于OLED发光，这样OLED器件会有一个VOLED的压降。此时各个点电压为：VS＝VOLED+OVSS，VG＝Vdata+【VOLED+OVSS-{Vref-Vth+(Vdata-Vref)*C1/(C1+C2)}】；电路及波形如图3-6所示。
那么OLED的发光电流公式如下：
IOLED＝1/2μnCoxW/L(VGS-Vth)2
将G，S电压代入公式得下：
IOLED＝1/2(μnCoxW/L){(Vref–Vdata)C2/(C1+C2}2
(注μn为场效应迁移率，Cox为单位面积的绝缘层电容；W/L为TFT沟道宽度和长度)
从OLED发光电流公式可以了解OLED电流只与Vdata，Vref有关，除Vdata，Vref这二项以外，而无另外其他参数影响到电流；而且补偿电路已经消除Vth漂移,OLED寿命退化以及VDD差异的问题，达到了我们的设计目的。通过电路驱动方法能够有效地消除和降低Vth差异及OVDD的RC loading所带来的影响，增强面板显示均匀性。
需要说明的是，尽管在本文中已经对上述各实施例进行了描述，但并非因此限制本发明的专利保护范围。因此，基于本发明的创新理念，对本文所述实施例进行的变更和修改，或利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，直接或间接地将以上技术方案运用在其他相关的技术领域，均包括在本发明的专利保护范围之内。

Claims (4)

1.一种像素电路驱动方法，其特征在于，所述像素电路包括开关管T1、T2，电容C1、C2，所述T1的栅极与扫描信号连接，源极与数据信号线Vdata连接，漏极与C1的一端和T2的栅极连接，所述T2的源极与片上电压OVDD连接，所述T2的源极和漏极之间通过电容C2连接，T2的漏极还与C1的另一端连接，T2的漏极接像素的正极，像素的负极与片上电压OVSS连接；
所述驱动方法包括步骤，在复位阶段，扫描信号使能，片上电压OVSS从低电平变为高电平，数据信号线通入参考电压Vref；在补偿阶段，扫描信号、OVSS和数据信号线均保持；在写入阶段，数据信号线写入数据信号Vdata；在发光阶段，扫描信号、OVSS和数据信号线变为低电平。
2.根据权利要求1所述的像素电路驱动方法，其特征在于，所述开关管为薄膜晶体管。
3.根据权利要求1所述的像素电路驱动方法，其特征在于，所述OVDD输入高电平。
4.一种像素电路，其特征在于，包括开关管T1、T2，电容C1、C2，所述T1的栅极与扫描信号连接，源极与数据信号线Vdata连接，漏极与C1的一端和T2的栅极连接，所述T2的源极与片上电压OVDD连接，所述T2的源极和漏极之间通过电容C2连接，T2的漏极还与C1的另一端连接，T2的漏极接像素的正极，像素的负极与片上电压OVSS连接。
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