CN110952095A - 一种tft-lcd铝蚀刻液 - Google Patents

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王润杰
卢洪庆
陈浩
严増源
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Suzhou Boyang Chemicals Co ltd
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Suzhou Boyang Chemicals Co ltd
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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
    • C23F1/10—Etching compositions
    • C23F1/14—Aqueous compositions
    • C23F1/16—Acidic compositions
    • C23F1/20—Acidic compositions for etching aluminium or alloys thereof

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Abstract

本发明公开了一种TFT‑LCD铝蚀刻液配方，其特征在于，按照重量份数计算，包括：无机酸60‑70份，无极强酸5‑10份，调节剂10‑15份，缓蚀剂0.1‑1份，络合剂0.1‑1份。本发明的有益效果：该蚀刻液增加了新型酰胺类络合剂络合剂，蚀刻时表面的铝离子化合物有序络合，易冲离表面，不良品率由5%降至2~3%，而且增加了羟基磷酸盐缓蚀剂缓蚀剂，降低侧蚀，使侧蚀由200nm降低至120~150nm。

Description

一种TFT-LCD铝蚀刻液
技术领域
本发明涉及蚀刻液技术领域，具体为一种TFT-LCD铝蚀刻液。
背景技术
传统铝蚀刻液多为磷硝醋体系，但是因蚀刻出的铝离子化合物易在蚀刻表面造成蚀刻现象，蚀刻良率较低，而且传统铝蚀刻液侧蚀较严重，侧蚀达到200nm。
发明内容
本发明的目的在于提供一种TFT-LCD铝蚀刻液，以解决上述背景技术中提出的问题。
为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种TFT-LCD铝蚀刻液配方，按照重量份数计算，包括：
Figure BDA0002285147420000011
优选的，所述无机酸为60份到70份的磷酸。
优选的，所述无极强酸为5份到10份的硝酸。
优选的，所述调节剂为10份到15份的冰醋酸。
优选的，所述缓蚀剂为0.1份到1份的羟基磷酸盐缓蚀剂。
优选的，所述络合剂为0.1份到1份的新型酰胺类络合剂。
有益效果
该蚀刻液增加了新型酰胺类络合剂络合剂，蚀刻时表面的铝离子化合物有序络合，易冲离表面，不良品率由5％降至2～3％，而且增加了羟基磷酸盐缓蚀剂缓蚀剂，降低侧蚀，使侧蚀由200nm降低至120～150nm。
具体实施方式
以下是本发明的具体实施例，对本发明的技术方案作进一步的描述，但本发明并不限于这些实施例。
实施例1
一种TFT-LCD铝蚀刻液配方，按照重量份数计算，包括：
Figure BDA0002285147420000021
实施例2
一种TFT-LCD铝蚀刻液配方，按照重量份数计算，包括：
Figure BDA0002285147420000022
实施例3
一种TFT-LCD铝蚀刻液配方，按照重量份数计算，包括：
Figure BDA0002285147420000023
Figure BDA0002285147420000031
实施例4
一种TFT-LCD铝蚀刻液配方，按照重量份数计算，包括：
Figure BDA0002285147420000032
实施例5
一种TFT-LCD铝蚀刻液配方，按照重量份数计算，包括：
Figure BDA0002285147420000033
实施例6
一种TFT-LCD铝蚀刻液配方，按照重量份数计算，包括：
Figure BDA0002285147420000034
最后应说明的是：以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明性的保护范围之内的发明内容。

Claims (6)

1.一种TFT-LCD铝蚀刻液配方，其特征在于，按照重量份数计算，包括：
Figure FDA0002285147410000011
2.根据权利要求1所述的TFT-LCD铝蚀刻液配方，其特征在于：所述无机酸为60份到70份的磷酸。
3.根据权利要求1所述的TFT-LCD铝蚀刻液配方，其特征在于：所述无极强酸为5份到10份的硝酸。
4.根据权利要求1所述的TFT-LCD铝蚀刻液配方，其特征在于：所述调节剂为10份到15份的冰醋酸。
5.根据权利要求1所述的TFT-LCD铝蚀刻液配方，其特征在于：所述缓蚀剂为0.1份到1份的羟基磷酸盐缓蚀剂。
6.根据权利要求1所述的TFT-LCD铝蚀刻液配方，其特征在于：所述络合剂为0.1份到1份的新型酰胺类络合剂。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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CN105908188A (zh) * 2016-05-23 2016-08-31 杭州格林达化学有限公司 一种用于tft铜钼叠层的双氧水系蚀刻液
KR20170041367A (ko) * 2015-10-07 2017-04-17 주식회사 이엔에프테크놀로지 실리콘산화막 및 실리콘질화막 에칭액 조성물
CN107587135A (zh) * 2016-07-08 2018-01-16 深圳新宙邦科技股份有限公司 一种钼铝钼蚀刻液

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