CN110950668A - 一种高疏水性电瓷的制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种高疏水性电瓷的制造方法，包括以下步骤：1)将电瓷原料重量比例1:1的离子水同时匀速流入至配料池内搅拌制成泥浆；2)将步骤1所得的泥浆搅拌、之后过筛和除铁制成泥饼；3)将步骤2中的泥饼经过压胚和修胚工序后，平行放置交流电场中进行烧制得到初始电瓷；4)对步骤3中的初始电瓷外表面涂覆有疏水性层。本发明表面形貌粗糙度影响表面润湿性，表面越粗糙，疏水性越差，丙烯酸酯表面光滑，且机械稳定性高。

Description

一种高疏水性电瓷的制造方法
技术领域
本发明涉及电瓷制造技术领域，尤其涉及一种高疏水性电瓷的制造方法。
背景技术
目前，电瓷在架空输电线路中起着两个基本作用,即支撑导线和防止电流回地,这两个作用必须得到保证，在下雨的环境中，由于水具有导电性，若电瓷表面水渍过多会造成电线短路，而现有的电瓷的疏水效果并不能很好的杜绝因水造成电线短路的危害。
发明内容
本发明为了解决现有技术的上述不足，提出了一种高疏水性电瓷的制造方法。
为了解决上述技术问题，本发明采用以下技术方案一种高疏水性电瓷的制造方法，包括以下步骤：
1)将电瓷原料重量比例1:1的离子水同时匀速流入至配料池内搅拌制成泥浆；
2)将步骤1所得的泥浆搅拌、之后过筛和除铁制成泥饼；
3)将步骤2中的泥饼经过压胚和修胚工序后，平行放置交流电场中进行烧制得到初始电瓷；
4)对步骤3中的初始电瓷外表面涂覆有疏水性层。
优选的，疏水性层在25℃的变形频率为1弧度/秒的条件下测得的弹性模量大于95Pa。
优选的，疏水性层包括以下重量的组分：丙烯酸酯35-55份、全氢聚硅氮烷25-38份和硬脂酸20-35份。
优选的，丙烯酸酯中含有45％-65％重量比的全氟烷基乙基丙烯酸酯。
优选的，疏水性层加入多价盐水溶液，形成聚合颗粒聚集体。
如权利要求3所述的一种高疏水性电瓷的制造方法，其疏水性层的制备方法包括以下步骤：
S1.将原料倒入混合池内搅拌或超声进行混合制成涂层；
S2.将S1得到的涂层在无风且涂覆温度低于20度下进行涂覆。
优选的，在所述S1步骤中，在紫外照射条件下进行低温混合。
优选的，低温温度为10-30°。
优选的，超疏水涂层的表面受到污染或破坏后，对超疏水涂层表面进行机械打磨，恢复其表面超疏水性能。
优选的，在所述步骤2中，烧制温度为常温至常温至1000-1300度，烧制时间为35-45h。
表面形貌粗糙度影响表面润湿性，表面越粗糙，疏水性越差，丙烯酸酯表面光滑，且机械稳定性高，研究显示，锯齿形微结构表面液滴接触角较大，具有超疏水特性，玻璃、水晶、金刚石等二氧化硅宝石微结构均为锯齿形微结构，由此可推断出，二氧化硅具有超高疏水特性，而全氢聚硅氮烷可利用紫外照射的手段，在低温下可转换为疏水性二氧化硅，全氢聚硅氮烷转化得到的二氧化硅涂层具有优异的阻气和阻水的功能。
具体实施方式
下面结合实施例对发明进行详细的说明。
实施例1
本发明提出的一种高疏水性电瓷的制造方法，包括以下步骤：
1)将电瓷原料重量比例1:1的离子水同时匀速流入至配料池内搅拌制成泥浆，原料为泥料、氧化铝、粘合剂和高岭石；
2)将步骤1所得的泥浆搅拌、之后过筛和除铁制成泥饼；
3)将步骤2中的泥饼经过压胚和修胚工序后，平行放置交流电场中进行烧制得到初始电瓷，烧制温度为常温至1000度，烧制时间为35h；
4)对步骤3中的初始电瓷外表面涂覆有疏水性层，疏水性层在25℃的变形频率为1弧度/秒的条件下测得的弹性模量大于95Pa，疏水性层以下重量的组分：丙烯酸酯35份、全氢聚硅氮烷25份和硬脂酸20份，丙烯酸酯中含有45％重量比的全氟烷基乙基丙烯酸酯，疏水性层加入多价盐水溶液，形成聚合颗粒聚集体，其疏水性层的制备方法包括以下步骤：
S1.将原料倒入混合池内搅拌或超声进行混合制成涂层；
S2.将S1得到的涂层在无风且涂覆温度低于20度下进行涂覆，在所述S1步骤中，在紫外照射条件下进行低温混合，低温温度为10°，超疏水涂层的表面受到污染或破坏后，对超疏水涂层表面进行机械打磨，恢复其表面超疏水性能。
实施例2
本发明提出的一种高疏水性电瓷的制造方法，包括以下步骤：
1)将电瓷原料重量比例1:1的离子水同时匀速流入至配料池内搅拌制成泥浆，原料为泥料、氧化铝、粘合剂和高岭石；
2)将步骤1所得的泥浆搅拌、之后过筛和除铁制成泥饼；
3)将步骤2中的泥饼经过压胚和修胚工序后，平行放置交流电场中进行烧制得到初始电瓷，烧制温度为常温至1200度，烧制时间为40h；
4)对步骤3中的初始电瓷外表面涂覆有疏水性层，疏水性层在25℃的变形频率为1弧度/秒的条件下测得的弹性模量大于95Pa，疏水性层以下重量的组分：丙烯酸酯48份、全氢聚硅氮烷30份和硬脂酸31份，丙烯酸酯中含有55％重量比的全氟烷基乙基丙烯酸酯，疏水性层加入多价盐水溶液，形成聚合颗粒聚集体，其疏水性层的制备方法包括以下步骤：
S1.将原料倒入混合池内搅拌或超声进行混合制成涂层；
S2.将S1得到的涂层在无风且涂覆温度低于20度下进行涂覆，在所述S1步骤中，在紫外照射条件下进行低温混合，低温温度为20°，超疏水涂层的表面受到污染或破坏后，对超疏水涂层表面进行机械打磨，恢复其表面超疏水性能。
实施例3
本发明提出的一种高疏水性电瓷的制造方法，包括以下步骤：
1)将电瓷原料重量比例1:1的离子水同时匀速流入至配料池内搅拌制成泥浆，原料为泥料、氧化铝、粘合剂和高岭石；
2)将步骤1所得的泥浆搅拌、之后过筛和除铁制成泥饼；
3)将步骤2中的泥饼经过压胚和修胚工序后，平行放置交流电场中进行烧制得到初始电瓷，烧制温度为常温至1300度，烧制时间为45h；
4)对步骤3中的初始电瓷外表面涂覆有疏水性层，疏水性层在25℃的变形频率为1弧度/秒的条件下测得的弹性模量大于95Pa，疏水性层包括以下重量的组分：丙烯酸酯55份、全氢聚硅氮烷38份和硬脂酸35份，丙烯酸酯中含有65％重量比的全氟烷基乙基丙烯酸酯，疏水性层加入多价盐水溶液，形成聚合颗粒聚集体，其疏水性层的制备方法包括以下步骤：
S1.将原料倒入混合池内搅拌或超声进行混合制成涂层；
S2.将S1得到的涂层在无风且涂覆温度低于20度下进行涂覆，在所述S1步骤中，在紫外照射条件下进行低温混合，低温温度为30°，超疏水涂层的表面受到污染或破坏后，对超疏水涂层表面进行机械打磨，恢复其表面超疏水性能。
对比例1
疏水性层包括以下组分：聚碳酸酯35份、聚丙烯晴35份、硬脂酸38份，该疏水性层在常温常压下制作而成。
分别对实施例1、实施例2、实施例3和对比例1的疏水性层制作出来后，水滴近似球状矗立于这种涂层之上,其静态接触角的数据如下：
静态接触角°
实施例1 158
实施例2 167
实施例3 172
对比例1 90
由此可见，实施例1、实施例2、实施例3的疏水性比对比例1(未添加丙烯酸酯、全氢聚硅氮烷)疏水性好，其中实施例3最好。
上述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利和保护范围应以所附权利要求书为准。

Claims (10)

1.一种高疏水性电瓷的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：
1)将电瓷原料重量比例1:1的离子水同时匀速流入至配料池内搅拌制成泥浆；
2)将步骤1所得的泥浆搅拌、之后过筛和除铁制成泥饼；
3)将步骤2中的泥饼经过压胚和修胚工序后，平行放置交流电场中进行烧制得到初始电瓷；
4)对步骤3中的初始电瓷外表面涂覆有疏水性层。
2.如权利要求1所述的一种高疏水性电瓷的制造方法，其特征在于，所述疏水性层在25℃的变形频率为1弧度/秒的条件下测得的弹性模量大于95Pa。
3.如权利要求2所述的一种高疏水性电瓷的制造方法，其特征在于，所述疏水性层原料包括以下重量的组分：丙烯酸酯35-55份、全氢聚硅氮烷25-38份和硬脂酸20-35份。
4.如权利要求3所述的一种高疏水性电瓷的制造方法，其特征在于，所述丙烯酸酯中含有45％-65％重量比的全氟烷基乙基丙烯酸酯。
5.如权利要求2所述的一种高疏水性电瓷的制造方法，其特征在于，所述疏水性层加入多价盐水溶液，形成聚合颗粒聚集体。
6.如权利要求3所述的一种高疏水性电瓷的制造方法，其特征在于，其疏水性层的制备方法包括以下步骤：
S1.将原料倒入混合池内搅拌或超声进行混合制成涂层；
S2.将S1得到的涂层在无风且温度低于20度下进行涂覆。
7.如权利要求6所述的一种高疏水性电瓷的制造方法，其特征在于，在所述S1步骤中，在紫外照射条件下进行低温混合。
8.如权利要求7所述的一种高疏水性电瓷的制造方法，其特征在于，所述低温温度为10-30°。
9.如权利要求8所述的一种高疏水性电瓷的制造方法，其特征在于，当超疏水涂层的表面受到污染或破坏后，对超疏水涂层表面进行机械打磨。
10.如权利要求1所述的一种高疏水性电瓷的制造方法，其特征在于，在所述步骤2中，烧制温度为常温至1000-1300度，烧制时间为35-45h。
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