CN110943003A - 一种工艺气体的吹扫方法 - Google Patents

一种工艺气体的吹扫方法 Download PDF

Info

Publication number
CN110943003A
CN110943003A CN201811107764.5A CN201811107764A CN110943003A CN 110943003 A CN110943003 A CN 110943003A CN 201811107764 A CN201811107764 A CN 201811107764A CN 110943003 A CN110943003 A CN 110943003A
Authority
CN
China
Prior art keywords
gas
purging
inlet pipeline
reaction chamber
stage
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201811107764.5A
Other languages
English (en)
Other versions
CN110943003B (zh
Inventor
林伟华
魏明蕊
吴艳华
王玉霞
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Beijing Naura Microelectronics Equipment Co Ltd
Original Assignee
Beijing Naura Microelectronics Equipment Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Beijing Naura Microelectronics Equipment Co Ltd filed Critical Beijing Naura Microelectronics Equipment Co Ltd
Priority to CN201811107764.5A priority Critical patent/CN110943003B/zh
Publication of CN110943003A publication Critical patent/CN110943003A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN110943003B publication Critical patent/CN110943003B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/40—Oxides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02656—Special treatments
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02656—Special treatments
    • H01L21/02658—Pretreatments
    • H01L21/02661—In-situ cleaning
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)

Abstract

本发明提供一种工艺气体的吹扫方法，包括：工艺前阶段，在被加工工件进行主工艺之前，向进气管路通入吹扫气体，以对进气管路进行吹扫，且使吹扫后的气体直接进入排气管路；工艺后阶段，在被加工工件进行主工艺之后且移出反应腔室后，向进气管路通入吹扫气体，以对进气管路和反应腔室进行吹扫。本发明提供的工艺气体的吹扫方法，其可以减少进气管路和反应腔室中残留的工艺气体，使加工工艺后的被加工工件上的颗粒数量减少，从而满足颗粒度控制的标准。

Description

一种工艺气体的吹扫方法
技术领域
本发明涉及微电子制造技术领域，具体地，涉及一种工艺气体的吹扫方法。
背景技术
目前，在微电子制造技术领域，随着半导体器件的尺寸越来越小，芯片的集成度越来越高，各项工艺指标的要求变得越来越严格，其中颗粒度控制是氧化成膜工艺中检验膜质的一项重要的工艺指标，在氧化成膜工艺中，采用DCE(C2H2CL2，二氯乙烯)氧化工艺，可以提升氧化层生长速率，提高氧化层质量，但是由于其物理特性，会对颗粒度控制产生影响。
现有技术中，DCE氧化工艺一般包括加载阶段(Load)，氧化成膜阶段(DCE Oxide)，清洁阶段(Purge)和移出阶段(Unload)，在进行工艺时，通入气体携带DCE通过管路进入反应腔室，对反应腔室中的晶圆(Wafer)进行氧化成膜工艺，为了更好的应用DCE氧化工艺，减少其对颗粒度控制的影响，通常是在氧化成膜阶段后进入吹扫阶段，即通入一定量的气体，将残留在管路和反应腔室中的DCE吹扫下来，并排放至排气系统，来达到控制颗粒的目的。
但在上述方法中，在工艺后进行吹扫阶段时，由于晶圆仍处于腔室中，而通入气体的流量和时间会对晶圆成膜厚度有影响，所以造成吹扫时间短，气体流量低，管路中仍会有DCE残留，从而造成工艺后的颗粒度控制超标。
发明内容
本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种工艺气体的吹扫方法，其可以减少进气管路和反应腔室中残留的工艺气体，使加工工艺后的被加工工件上的颗粒数量减少，从而满足颗粒度控制的标准。
为实现本发明的目的而提供一种工艺气体的吹扫方法，包括：
工艺前阶段，在被加工工件进行主工艺之前，向进气管路通入吹扫气体，以对所述进气管路进行吹扫，且使吹扫后的气体直接进入排气管路；
工艺后阶段，在所述被加工工件进行所述主工艺之后且移出反应腔室后，向所述进气管路通入所述吹扫气体，以对所述进气管路和所述反应腔室进行吹扫。
优选的，所述工艺后阶段，在所述被加工工件移出所述反应腔室之后，向所述进气管路通入氧气，且使所述氧气通入所述反应腔室内，以使所述氧气在所述反应腔室内与工艺气体进行反应。
优选的，所述工艺前阶段，包括：
第一吹扫阶段，在将所述被加工工件装载至所述反应腔室内的同时，向所述进气管路通入所述吹扫气体，以对所述进气管路进行吹扫，且使吹扫后的气体直接进入所述排气管路；
第二吹扫阶段，在对所述被加工工件进行预加热的同时，向所述进气管路通入所述吹扫气体，以对所述进气管路进行吹扫，且使吹扫后的气体直接进入所述排气管路。
优选的，在所述第一吹扫阶段，向所述进气管路通入氧气，以对所述进气管路进行吹扫，且使吹扫后的气体直接进入所述排气管路。
优选的，在所述第二吹扫阶段，向所述进气管路通入氧气，以对所述进气管路进行吹扫，且使吹扫后的气体直接进入所述排气管路。
优选的，所述工艺前阶段还包括：
第三吹扫阶段，向与所述进气管路连接的工艺气体源瓶通入所述吹扫气体，并使所述吹扫气体携带所述工艺气体通过所述进气管路直接进入所述排气管路。
优选的，所述工艺后阶段，在所述被加工工件移出所述反应腔室之前，包括：
第四吹扫阶段，在所述被加工工件进行加工工艺之后且移出所述反应腔室前，向所述进气管路通入所述吹扫气体，且使所述吹扫气体通入所述反应腔室内，以对所述反应腔室进行吹扫；
第五吹扫阶段，对所述被加工工件进行降温，向所述进气管路通入所述吹扫气体，以对所述进气管路进行吹扫，且使吹扫后的气体直接进入所述排气管路。
优选的，在所述第四吹扫阶段中，向所述进气管路通入氧气，且使所述氧气通入所述反应腔室内，以使所述氧气在所述反应腔室内与工艺气体进行反应。
优选的，还包括：
工艺中阶段，向与所述进气管路连接的工艺气体源瓶通入所述吹扫气体，以携带所述工艺气体通过所述进气管路进入所述反应腔室进行工艺反应。
优选的，在所述工艺后阶段和所述工艺前阶段中，向所述进气管路通入所述吹扫气体的气体流量的取值范围为300sccm-1000sccm。
本发明具有以下有益效果：
本发明提供的吹扫方法，其通过在工艺前阶段，对进气管路进行吹扫，可以减少进气管路中残留的工艺气体。通过在工艺后阶段，在被加工工件移出反应腔室之后对进气管路和反应腔室进行吹扫，可以减少进气管路与反应腔室中残留的工艺气体，由于是在被加工工件移出反应腔室之后进行吹扫，反应腔室中残留的工艺气体不会与被加工工件接触，从而即使延长通入进气管路的吹扫气体的时间，增大气体流量，也不会影响加工工艺效果，进而可以大幅减少进气管路以及反应腔室中残留的工艺气体，使加工工艺后的被加工工件上的颗粒数量明显减少，继而满足颗粒度控制的标准。
附图说明
图1为本发明提供的吹扫方法的流程框图；
图2为本发明提供的吹扫方法使用的吹扫设备；
图3为本发明中氧化成膜工艺的过程的流程框图；
图4为本发明提供的吹扫方法的一个具体过程的流程框图；
图5为本发明提供的吹扫方法的另一个具体过程的流程框图；
图6为本发明提供的吹扫方法的又一个具体过程流程框图；
具体实施方式
为使本领域的技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图来对本发明提供的吹扫方法进行详细描述。
如图1和图2所示，本发明提供的吹扫方法包括以下步骤：
S1，工艺前阶段，在被加工工件进行主工艺之前，向进气管路2通入吹扫气体，以对进气管路2进行吹扫，且使吹扫后的气体直接进入排气管路4；
S2，在工艺后阶段，在被加工工件进行主工艺之后且移出反应腔室3后，向进气管路2通入吹扫气体，以对进气管路2和反应腔室3进行吹扫。
在本实施例中，其通过在工艺前阶段，对进气管路2进行吹扫，可以减少进气管路2中残留的工艺气体。通过在工艺后阶段，在被加工工件移出反应腔室3之后对进气管路2和反应腔室3进行吹扫，可以减少进气管路2与反应腔室3中残留的工艺气体，由于是在被加工工件移出反应腔室3之后进行吹扫，反应腔室3中残留的工艺气体不会与被加工工件接触，从而即使延长通入进气管路2的吹扫气体的时间，增大气体流量，也不会影响加工工艺效果，进而可以大幅减少进气管路2以及反应腔室3中残留的工艺气体，使加工工艺后的被加工工件上的颗粒数量明显减少，继而满足颗粒度控制的标准。
如图2所示，本发明提供的吹扫方法采用的吹扫设备包括：工艺气体源瓶1，进气管路2，反应腔室3和排气管路4，其中，进气管路2分别与工艺气体源瓶1，反应腔室3和排气管路4连接，工艺气体源瓶1中装有液态的工艺气体，工作人员可以向工艺气体源瓶1中通入吹扫气体，并使进气管路2与工艺气体源瓶1连通，以使吹扫气体携带工艺气体进入进气管路2，也可以使进气管路2与工艺气体源瓶1断开，直接向进气管路2中通入吹扫气体，以对进气管路2进行吹扫，还可以在进气管路2与工艺气体源瓶1断开时，向进气管路2中通入氧气，使氧气与残留的工艺气体发生反应，提高吹扫效果。当仅对进气管路2进行吹扫时，工作人员可以将进气管路2与反应腔室断开，与排气管路4连通，以使进气管路2中的气体直接进入排气管路4，当对进气管路2与反应腔室3进行吹扫时，可以将进气管路2与反应腔室连通，与排气管路4断开，以使进气管路2中的气体进入反应腔室3，对反应腔室3进行吹扫。
在本实施例中，吹扫气体为氮气，工艺气体为DCE(C2H2CL2，二氯乙烯)，被加工工件与工艺气体进行氧化成膜加工工艺，不过，吹扫气体，工艺气体和加工工艺不限于此，吹扫气体也可以是惰性气体。
下面以吹扫气体为氮气，工艺气体为二氯乙烯的氧化成膜加工工艺为例对本发明的提供的吹扫方法进行详细描述。
如图3所示，图3为本发明中氧化成膜工艺的过程的流程框图，工艺过程包括：装载阶段，升温阶段，稳流阶段，氧化成膜阶段，清洁阶段，降温阶段，移出阶段和冷却阶段。
在工艺过程中，首先进行装载阶段，将被加工工件装载至反应腔室3内，之后进入升温阶段，对被加工工件进行预加热，在被将加工工件加热到工艺温度后进入稳流阶段，使进气管路2中形成稳定的携带有二氯乙烯的氮气气流，之后进入氧化成膜阶段，通过氧气与而二氯乙烯在反应腔室3内的反应，使被加工工件的表面生成氧化膜，之后进入清洁阶段，对进气管路2和反应腔室3进行吹扫，随后进入降温阶段，对被加工工件进行降温，降温后进入移出阶段，将被加工工件移出反应腔室3，最后进行冷却阶段。
在工艺后阶段，在被加工工件移出反应腔室3之后，进行冷却阶段，将进气管路2与工艺气体源瓶1断开，与排气管路4断开，与反应腔室3连通，向进气管路2通入氮气，使氮气能够进入反应腔室3，从而借助氮气将进气管路2中残留的二氯乙烯吹扫至反应腔室3，并将反应腔室3内的二氯乙烯一同吹扫至反应腔室3外，从而减少进气管路2与反应腔室3中残留的二氯乙烯。
可选的，在工艺后阶段，在被加工工件移出反应腔室3之后，向进气管路2通入氧气，且使氧气通入反应腔室3内，以使氧气在反应腔室3内与工艺气体进行反应。具体的，向进气管路2和反应腔室3内中通入氧气，可以使进气管路2与反应腔室3中残留的二氯乙烯与氧气发生反应，由于被加工工件处于反应腔室3之外，二氯乙烯与氧气反应以及二氯乙烯自身都不会影响被加工工件，因此，在该阶段中，可以大量以及长时间的通入氮气和氧气，从而进一步减少进气管路2与反应腔室3中残留的二氯乙烯，以大幅减少进气管路2以及反应腔室3中残留的工艺气体，使加工工艺后的被加工工件上的颗粒数量明显减少，从而满足颗粒度控制的标准。
如图4所示，上述步骤S1具体包括以下步骤：
S11，第一吹扫阶段，在将被加工工件装载至反应腔室3内的同时，向进气管路2通入吹扫气体，以对进气管路2进行吹扫，且使吹扫后的气体直接进入排气管路4；
S12，第二吹扫阶段，在对被加工工件进行预加热的同时，向进气管路2通入吹扫气体，以对进气管路2进行吹扫，且使吹扫后的气体直接进入排气管路4。
S13，第三吹扫阶段，向与进气管路2连接的工艺气体源瓶1通入吹扫气体，并使吹扫气体携带工艺气体通过进气管路2直接进入排气管路4。
第一吹扫阶段伴随装载阶段进行，第二吹扫阶段伴随升温阶段进行，在这两个阶段中，将进气管路2与排气管路4连通，与工艺气体源瓶1断开，与反应腔室3断开，向进气管路2通入氮气，借助氮气将进气管路2中残留的二氯乙烯吹扫至排气管路4，从而减少进气管路2中残留的二氯乙烯。
第三吹扫阶段伴随稳流阶段进行，在该阶段中将进气管路2与工艺气体源瓶1连通，与排气管路4连通，与反应腔室3断开，向工艺气体源瓶1中通入氮气，使氮气能够携带二氯乙烯进入进气管路2，并使携带有二氯乙烯的氮气进入排气管路4，持续向工艺气体源瓶1中通入氮气，以使氮气携带二氯乙烯在进气管路2中形成稳定的气流，便于在进行氧化成膜工艺时，反应腔室3内能够快速的充入二氯乙烯，与氧气进行反应，利于加工工艺的顺利进行，需要注意的是，在该阶段中进气管路2中携带有二氯乙烯的氮气气体流量将会影响氧化成膜工艺中，被加工工件的氧化膜厚度，因此，携带有二氯乙烯的氮气的气体流量要与之后的氧化成膜阶段中一致。
可选的，在第一吹扫阶段，向进气管路2通入氧气，以对进气管路2进行吹扫，且使吹扫后的气体直接进入排气管路4。
可选的，在第二吹扫阶段，向进气管路2通入氧气，以对进气管路2进行吹扫，且使吹扫后的气体直接进入排气管路4。
在第一吹扫阶段和第二吹扫阶段，通入氮气的同时，还可以向进气管路2通入氧气，一方面可以在进气管路2中形成稳定的氧气气流，便于在进行氧化成膜工艺时，反应腔室3内能够快速的充入氧气，与二氯乙烯进行反应，利于加工工艺的顺利进行，另一方面可以使进气管路2中残留的二氯乙烯与氧气发生反应，从而达到更好的吹扫效果。
如图5所示，在本实施例中，吹扫方法还包括步骤：
S3，工艺中阶段，向与进气管路2连接的工艺气体源瓶1通入吹扫气体，以携带工艺气体通过进气管路2进入反应腔室3进行工艺反应。
工艺中阶段处于稳流阶段之后，伴随工艺阶段的氧化成膜阶段进行，在工艺中阶段，将进气管路2与排气管路4断开，与工艺气体源瓶1连通，与反应腔室3连通，将氮气通入工艺气体源瓶1，使氮气携带二氯乙烯进入进气管路2，在氧化成膜阶段中，同时向进气管路2中通入氧气，使携带二氯乙烯的氮气和氧气能够进入反应腔室3内，从而在反应腔室3通过氧气和二氯乙烯发生反应，在被加工工件表面形成氧化膜。
需要说明的是，在氧化成膜阶段，进气管路中携带二氯乙烯的氮气气体流量，要根据被加工工件表面上所需要形成氧化膜的厚度进行设定，防止被加工工件的氧化膜厚度不满足工艺要求。
如图6所示，在工艺后阶段，在被加工工件移出反应腔室3之前，在上述步骤S3之后，且步骤S2之前还包括以下步骤：
S21，第四吹扫阶段，在被加工工件进行加工工艺之后且移出反应腔室3前，向进气管路2通入吹扫气体，且使吹扫气体通入反应腔室3内，以对反应腔室3进行吹扫；
S22，第五吹扫阶段，对被加工工件进行降温，向进气管路2通入吹扫气体，以对进气管路2进行吹扫，且使吹扫后的气体直接进入排气管路4；
S23，第六吹扫阶段，在将被加工工件移出反应腔室3的过程中，向进气管路2通入吹扫气体，以对进气管路2进行吹扫，且使吹扫后的气体直接进入排气管路4。
第四吹扫阶段伴随清洁阶段进行，在该阶段中，将进气管路2与工艺气体源瓶1断开，与排气管路4断开，与反应腔室3连通，向进气管路2通入氮气，使氮气能够进入反应腔室3，从而借助氮气将进气管路2中残留的二氯乙烯吹扫至反应腔室3，并将反应腔室3内的二氯乙烯一同吹扫至反应腔室3外，从而减少进气管路2与反应腔室3中残留的二氯乙烯，优选的，在通入氮气的同时，还可以向进气管路2中通入氧气，可以使进气管路2与反应腔室3中残留的二氯乙烯与氧气发生反应，从而达到更好的吹扫效果，需要说明的是，由于在该阶段中，二氯乙烯会在反应腔室3中与被加工工件接触，从而使被加工工件表面的氧化膜厚度发生改变，因此，通入进气管路2的氮气气体流量要与氧化成膜工艺中携带二氯乙烯的氮气气体流量一致，防止被加工工件的氧化膜厚度不满足工艺要求。
第五吹扫阶段伴随降温阶段进行，第六吹扫阶段伴随移出阶段进行，在这两个阶段中，将进气管路2与排气管路4连通，与工艺气体源瓶1和反应腔室3断开，向进气管路2通入氮气，借助氮气将进气管路2中残留的二氯乙烯吹扫至排气管路4，从而减少进气管路2中残留的二氯乙烯。
可选的，在第四吹扫阶段中，向进气管路2通入氧气，且使氧气通入反应腔室3内，以使氧气在反应腔室内3与工艺气体进行反应。需要注意的是，在被加工工件移出反应腔室3之前，由于此时，被加工工件处于反应腔室3之内，二氯乙烯与氧气的反应以及二氯乙烯自身都会影响被加工工件，因此，在该阶段中，需要控制进入进气管路2以及反应腔室3内的氧气和氮气，避免影响被加工工件的工艺结果。
在本实施例中，在工艺后阶段和工艺前阶段中，向进气管路2通入吹扫气体的气体流量的取值范围为300sccm-1000sccm，通入进气管路2的吹扫气体的气体流量越大，则对进气管路2和反应腔室3的吹扫效果越好，因此，当残留的二氯乙烯不会与被加工工件接触时，可以提高通入进气管路2中二氯乙烯的气体流量。
在本实施例中，在装载阶段，升温阶段，降温阶段，移出阶段和冷却阶段中，可以提高通入进气管路2中二氯乙烯的气体流量。
在本实施例中，可以定期针对进气管路2进行吹扫工艺，进一步减少进气管路2中残留的二氯乙烯。
综上所述，本发明提供的吹扫方法通过在装载阶段，升温阶段，降温阶段，移出阶段和冷却阶段提高通入进气管路2中氮气的气体流量，从而大幅减少进气管路2和反应腔室3中残留的二氯乙烯，使加工工艺后的被加工工件上的颗粒数量明显减少，从而满足颗粒度控制的标准。
可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种工艺气体的吹扫方法，其特征在于，包括：
工艺前阶段，在被加工工件进行主工艺之前，向进气管路通入吹扫气体，以对所述进气管路进行吹扫，且使吹扫后的气体直接进入排气管路；
工艺后阶段，在所述被加工工件进行所述主工艺之后且移出反应腔室后，向所述进气管路通入所述吹扫气体，以对所述进气管路和所述反应腔室进行吹扫。
2.根据权利要求1所述的吹扫方法，其特征在于，所述工艺后阶段，在所述被加工工件移出所述反应腔室之后，向所述进气管路通入氧气，且使所述氧气通入所述反应腔室内，以使所述氧气在所述反应腔室内与工艺气体进行反应。
3.根据权利要求1所述的吹扫方法，其特征在于，所述工艺前阶段，包括：
第一吹扫阶段，在将所述被加工工件装载至所述反应腔室内的同时，向所述进气管路通入所述吹扫气体，以对所述进气管路进行吹扫，且使吹扫后的气体直接进入所述排气管路；
第二吹扫阶段，在对所述被加工工件进行预加热的同时，向所述进气管路通入所述吹扫气体，以对所述进气管路进行吹扫，且使吹扫后的气体直接进入所述排气管路。
4.根据权利要求3所述的吹扫方法，其特征在于，在所述第一吹扫阶段，向所述进气管路通入氧气，以对所述进气管路进行吹扫，且使吹扫后的气体直接进入所述排气管路。
5.根据权利要求3所述的吹扫方法，其特征在于，在所述第二吹扫阶段，向所述进气管路通入氧气，以对所述进气管路进行吹扫，且使吹扫后的气体直接进入所述排气管路。
6.根据权利要求3所述的吹扫方法，其特征在于，所述工艺前阶段还包括：
第三吹扫阶段，向与所述进气管路连接的工艺气体源瓶通入所述吹扫气体，并使所述吹扫气体携带所述工艺气体通过所述进气管路直接进入所述排气管路。
7.根据权利要求1所述的吹扫方法，其特征在于，所述工艺后阶段，在所述被加工工件移出所述反应腔室之前，包括：
第四吹扫阶段，在所述被加工工件进行加工工艺之后且移出所述反应腔室前，向所述进气管路通入所述吹扫气体，且使所述吹扫气体通入所述反应腔室内，以对所述反应腔室进行吹扫；
第五吹扫阶段，对所述被加工工件进行降温，向所述进气管路通入所述吹扫气体，以对所述进气管路进行吹扫，且使吹扫后的气体直接进入所述排气管路。
8.根据权利要求7所述的吹扫方法，其特征在于，在所述第四吹扫阶段中，向所述进气管路通入氧气，且使所述氧气通入所述反应腔室内，以使所述氧气在所述反应腔室内与工艺气体进行反应。
9.根据权利要求1-8任一项所述的吹扫方法，其特征在于，还包括：
工艺中阶段，向与所述进气管路连接的工艺气体源瓶通入所述吹扫气体，以携带所述工艺气体通过所述进气管路进入所述反应腔室进行工艺反应。
10.根据权利要求1所述的吹扫方法，其特征在于，在所述工艺后阶段和所述工艺前阶段中，向所述进气管路通入所述吹扫气体的气体流量的取值范围为300sccm-1000sccm。
CN201811107764.5A 2018-09-21 2018-09-21 一种工艺气体的吹扫方法 Active CN110943003B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201811107764.5A CN110943003B (zh) 2018-09-21 2018-09-21 一种工艺气体的吹扫方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201811107764.5A CN110943003B (zh) 2018-09-21 2018-09-21 一种工艺气体的吹扫方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN110943003A true CN110943003A (zh) 2020-03-31
CN110943003B CN110943003B (zh) 2023-08-18

Family

ID=69904407

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201811107764.5A Active CN110943003B (zh) 2018-09-21 2018-09-21 一种工艺气体的吹扫方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN110943003B (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112323042A (zh) * 2020-10-26 2021-02-05 北京北方华创微电子装备有限公司 抽气装置、半导体工艺设备及抽气装置的控制方法
CN112885745A (zh) * 2021-01-19 2021-06-01 长鑫存储技术有限公司 制程设备及制程方法

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1632164A (zh) * 2003-12-24 2005-06-29 上海宏力半导体制造有限公司 低压化学气相沉积设备中减少微粒的方法
KR20060084345A (ko) * 2005-01-19 2006-07-24 삼성전자주식회사 4-웨이밸브를 포함하는 반도체소자 제조장치, 반도체소자제조장치의 밸브 제어방법 및 이를 이용한 반도체소자의제조방법
CN101483139A (zh) * 2008-01-07 2009-07-15 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 一种可提高器件良率的绝缘介质制造方法
CN102414786A (zh) * 2009-04-28 2012-04-11 应用材料公司 在原位清洁后利用nh3净化对mocvd腔室进行去污染处理
CN104805418A (zh) * 2014-01-23 2015-07-29 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 常压化学气相淀积中的工艺流程控制方法及系统
CN105088192A (zh) * 2015-08-12 2015-11-25 上海华力微电子有限公司 多管路液体气化反应成膜设备气流控制方法
CN206363989U (zh) * 2017-01-17 2017-07-28 中芯国际集成电路制造（天津）有限公司 半导体设备

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1632164A (zh) * 2003-12-24 2005-06-29 上海宏力半导体制造有限公司 低压化学气相沉积设备中减少微粒的方法
KR20060084345A (ko) * 2005-01-19 2006-07-24 삼성전자주식회사 4-웨이밸브를 포함하는 반도체소자 제조장치, 반도체소자제조장치의 밸브 제어방법 및 이를 이용한 반도체소자의제조방법
CN101483139A (zh) * 2008-01-07 2009-07-15 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 一种可提高器件良率的绝缘介质制造方法
CN102414786A (zh) * 2009-04-28 2012-04-11 应用材料公司 在原位清洁后利用nh3净化对mocvd腔室进行去污染处理
CN104805418A (zh) * 2014-01-23 2015-07-29 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 常压化学气相淀积中的工艺流程控制方法及系统
CN105088192A (zh) * 2015-08-12 2015-11-25 上海华力微电子有限公司 多管路液体气化反应成膜设备气流控制方法
CN206363989U (zh) * 2017-01-17 2017-07-28 中芯国际集成电路制造（天津）有限公司 半导体设备

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112323042A (zh) * 2020-10-26 2021-02-05 北京北方华创微电子装备有限公司 抽气装置、半导体工艺设备及抽气装置的控制方法
CN112885745A (zh) * 2021-01-19 2021-06-01 长鑫存储技术有限公司 制程设备及制程方法
CN112885745B (zh) * 2021-01-19 2022-04-26 长鑫存储技术有限公司 制程设备及制程方法
WO2022156201A1 (zh) * 2021-01-19 2022-07-28 长鑫存储技术有限公司 制程设备和制程方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN110943003B (zh) 2023-08-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2018063804A1 (en) Low temperature formation of high quality silicon oxide films in semiconductor device manufacturing
WO2020189288A1 (ja) 成膜方法および成膜装置
US11104992B2 (en) Substrate processing apparatus, non-transitory computer-readable recording medium thereof and semiconductor manufacturing method by employing thereof
TW201324655A (zh) 清洗方法、半導體裝置之製造方法、基板處理裝置及記錄媒體
US20140302254A1 (en) Plasma cleaning method
JP5881612B2 (ja) 半導体装置の製造方法および製造装置
CN110943003A (zh) 一种工艺气体的吹扫方法
CN105280482A (zh) 衬底处理装置及半导体器件的制造方法
CN111218668A (zh) 半导体处理设备及薄膜沉积方法
US12116675B2 (en) Adhesion removal method and film-forming method
TW201717269A (zh) 自然氧化膜去除方法及自然氧化膜去除裝置
CN110473783B (zh) 颗粒控制方法
CN111696848B (zh) 一种成膜设备和成膜方法
JP3125280B2 (ja) Ｃｖｄ装置のクリーニング方法
CN105088175B (zh) 一种对沉积薄膜反应装置的处理方法、薄膜沉积方法
EP4047636A1 (en) Dry etching method, method for producing semiconductor device, and etching device
JP5598407B2 (ja) 成膜処理装置および成膜方法
JPH03126874A (ja) Ｂｐｓｇ膜の成膜方法
CN115050625A (zh) 半导体工艺腔室及其清洗方法
TW202312259A (zh) 由腔室移除含金屬膜之製程與設備
JP2007096350A (ja) 半導体装置の製造方法
JP2003282457A (ja) 半導体装置の製造方法
US20070031596A1 (en) Method for reducing particle contamination in a low pressure CVD apparatus
JP2006210671A (ja) 半導体製造装置のクリーニング方法
JPS6272130A (ja) 気相反応方法及びその方法の実施に直接使用する気相反応装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
TG01 Patent term adjustment
TG01 Patent term adjustment