CN101483139A - 一种可提高器件良率的绝缘介质制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种可提高器件良率的绝缘介质制造方法，其在一具有反应腔的化学气相沉积设备中进行。现有技术中在化学气相沉积设备中沉积预设数量的晶圆后仅通过等离子体清洗工艺清洗反应腔，无法去除反应腔中较小直径的颗粒而使该颗粒在绝缘介质中形成缺陷，该缺陷会影响器件的良率和可靠性。本发明首先将晶圆设置在反应腔中沉积绝缘介质；接着判断化学气相沉积设备是否满足清洗条件，并在否时继续在反应腔中沉积氮化硅，而在是时进行等离子体清洗工艺清洗该反应腔；最后对该反应腔进行惰性气体吹扫工艺，之后又可在反应腔中沉积绝缘介质。本发明可避免绝缘介质中出现因反应腔中小直径颗粒所引起的缺陷，并可大大提高器件的良率和可靠性。
Description
技术领域
本发明涉及绝缘介质制造工艺，尤其涉及一种可提高器件良率的绝缘介质制造方法。
背景技术
氮化硅广泛应用在半导体制造领域中，其不仅用于充当绝缘介质层，还用于充当化学机械剖光工艺的剖光停止层和刻蚀工艺的接触抗蚀层，故氮化硅质量会对半导体器件的质量有着重要的影响。现在多采用产量高和反应温度低的等离子增强化学气相沉积(PECVD)工艺来制造氮化硅，为确保氮化硅的质量，现在PECVD设备中完成预设数量(例如在具有四个反应腔的PECVD设备中，该预设数量为12片)晶圆的氮化硅沉积后，会采用等离子体清洗工艺来清洗反应腔，等离子体清洗工艺通常采用氟化氮和氩气作为反应气体，其流量分别为2000和1000标况毫升每分(sccm)。但是，通过上述等离子体清洗工艺清洗后的反应腔中还残留有直径小于0.16微米的颗粒，该些颗粒会在氮化硅上形成直径约为0.5微米的缺陷，该缺陷会影响器件的良率和可靠性。
因此，如何提供一种可提高器件良率的绝缘介质制造方法以避免等离子体清洗工艺清洗后反应腔中的小直径颗粒在绝缘介质上形成缺陷，并有效提高器件的良率和可靠性，已成为业界亟待解决的技术问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种可提高器件良率的绝缘介质制造方法，通过所述制造方法可避免完成等离子体清洗工艺后反应腔中的小直径颗粒在绝缘介质上形成缺陷，并可大大提高绝缘介质的质量和器件的良率及成品率。
本发明的目的是这样实现的：一种可提高器件良率的绝缘介质制造方法，其在一具有反应腔的化学气相沉积设备中进行，该方法包括以下步骤：a、将晶圆设置在反应腔中沉积该绝缘介质；b、判断化学气相沉积设备是否满足清洗条件，若是则继续步骤c，若否则返回步骤a；c、进行等离子体清洗工艺清洗该反应腔；d、对该反应腔进行惰性气体吹扫工艺，接着返回步骤a。
在上述的可提高器件良率的绝缘介质制造方法中，在步骤d中，该惰性气体吹扫工艺的惰性气体流量为5000至8000标况毫升每分，吹扫时间为15至30秒。
在上述的可提高器件良率的绝缘介质制造方法中，该惰性气体为氮气或氩气。
在上述的可提高器件良率的绝缘介质制造方法中，该化学气相沉积设备为具有四个反应腔的等离子增强化学气相沉积设备。
在上述的可提高器件良率的绝缘介质制造方法中，在步骤b中，该清洗条件为化学气相沉积设备在清洗后沉积晶圆的数量超过预设数量。
在上述的可提高器件良率的绝缘介质制造方法中，该预设数量为12片。
在上述的可提高器件良率的绝缘介质制造方法中，该绝缘介质为氮化硅。
在上述的可提高器件良率的绝缘介质制造方法中，在步骤a中，沉积氮化硅的沉积温度为400摄氏度，压力范围为500帕斯卡，微波功率为1000瓦。
在上述的可提高器件良率的绝缘介质制造方法中，在步骤c中，该等离子体清洗工艺的清洗气体包括氟化氮和氩气，其流量分别为2000和1000标况毫升每分。
与现有技术中在化学气相沉积设备中沉积预设数量的晶圆后仅通过等离子体清洗工艺清洗反应腔，无法去除反应腔中较小直径的颗粒而使该颗粒在绝缘介质中形成缺陷，该缺陷会影响器件的良率和可靠性相比，本发明的可提高器件良率的绝缘介质制造方法在通过等离子体清洗反应腔后还进行惰性气体吹扫工艺，可将反应腔中较小直径的颗粒吹出反应腔且排至外界，从而避免了该较小直径的颗粒在绝缘介质中形成缺陷，同时可大大提高器件的良率和可靠性。
附图说明
本发明的可提高器件良率的绝缘介质制造方法由以下的实施例及附图给出。
图1为本发明的可提高器件良率的绝缘介质制造方法的流程图。
具体实施方式
以下将对本发明的可提高器件良率的绝缘介质制造方法作进一步的详细描述。
本发明的可提高器件良率的绝缘介质制造方法，其在一具有反应腔的化学气相沉积设备中进行。在本实施例中，所述化学气相沉积设备为具有四个反应腔的等离子增强化学气相沉积设备。
参见图1，本发明的可提高器件良率的绝缘介质制造方法先进行步骤S10，将晶圆设置在反应腔中沉积所述绝缘介质。在本实施例中，所述绝缘介质为氮化硅，沉积氮化硅的沉积温度为400摄氏度，压力范围为500帕斯卡，微波功率为1000瓦。
接着继续步骤S11，判断化学气相沉积设备是否满足清洗条件，若是则继续步骤S12，若否则返回步骤S10。在本实施例中，所述清洗条件为化学气相沉积设备在清洗后沉积晶圆的数量超过预设数量，所述预设数量为12片。
在步骤S12中，进行等离子体清洗工艺清洗所述反应腔。在本实施例中，所述等离子体清洗工艺的清洗气体包括氟化氮和氩气，其流量分别为2000和1000标况毫升每分。
接着继续步骤S13，对所述反应腔进行惰性气体吹扫工艺，然后返回步骤S10，其中，所述惰性气体吹扫工艺的惰性气体流量为5000至8000标况毫升每分，吹扫时间为15至30秒，所述惰性气体为氮气或氩气。在本实施例中，吹扫气体为氮气，吹扫氮气流量为6000标况毫升每分，吹扫时间为20秒。
对经过步骤S13处理的等离子增强化学气相沉积设备反应腔进行检测，发现反应腔里小直径的颗粒数量已大大减小，相应地所述小直径的颗粒在氮化硅上所形成的缺陷数量也大大减小。
综上所述，本发明的可提高器件良率的绝缘介质制造方法在通过等离子体清洗反应腔后还进行惰性气体吹扫工艺，可将反应腔中较小直径的颗粒吹出反应腔且排至外界，从而避免了所述较小直径的颗粒在绝缘介质上形成缺陷，同时可大大提高器件的良率和可靠性。
Claims (9)
1、一种可提高器件良率的绝缘介质制造方法，其在一具有反应腔的化学气相沉积设备中进行，该方法包括以下步骤：a、将晶圆设置在反应腔中沉积该绝缘介质；b、判断化学气相沉积设备是否满足清洗条件，若是则继续步骤c，若否则返回步骤a；c、进行等离子体清洗工艺清洗该反应腔；其特征在于，该方法还包括以下步骤：d、对该反应腔进行惰性气体吹扫工艺，接着返回步骤a。
2、如权利要求1所述的可提高器件良率的绝缘介质制造方法，其特征在于，在步骤d中，该惰性气体吹扫工艺的惰性气体流量为5000至8000标况毫升每分，吹扫时间为15至30秒。
3、如权利要求1所述的可提高器件良率的绝缘介质制造方法，其特征在于，该惰性气体为氮气或氩气。
4、如权利要求1所述的可提高器件良率的绝缘介质制造方法，其特征在于，该化学气相沉积设备为具有四个反应腔的等离子增强化学气相沉积设备。
5、如权利要求1所述的可提高器件良率的绝缘介质制造方法，其特征在于，在步骤b中，该清洗条件为化学气相沉积设备在清洗后沉积晶圆的数量超过预设数量。
6、如权利要求5所述的可提高器件良率的绝缘介质制造方法，其特征在于，该预设数量为12片。
7、如权利要求1所述的可提高器件良率的绝缘介质制造方法，其特征在于，该绝缘介质为氮化硅。
8、如权利要求7所述的可提高器件良率的绝缘介质制造方法，其特征在于，在步骤a中，沉积氮化硅的沉积温度为400摄氏度，压力范围为500帕斯卡，微波功率为1000瓦。
9、如权利要求1所述的可提高器件良率的绝缘介质制造方法，其特征在于，在步骤c中，该等离子体清洗工艺的清洗气体包括氟化氮和氩气，其流量分别为2000和1000标况毫升每分。
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| CN110943003A (zh) * | 2018-09-21 | 2020-03-31 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 一种工艺气体的吹扫方法 |
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| CN110943003B (zh) * | 2018-09-21 | 2023-08-18 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 一种工艺气体的吹扫方法 |
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