CN110910825B - 一种显示面板及显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种显示面板及显示装置，通过使数据写入电路包括：第一子数据写入晶体管、第二子数据写入晶体管以及分布电容；其中，通过设置第一子数据写入晶体管和第二子数据写入晶体管，可以相当于增加了晶体管的沟道区的长度，由于晶体管的电流与沟道区的长度成反比，因此在沟道区的长度增大时，晶体管的电流可以减小，从而可以降低漏电流。并且，通过设置分布电容，可以利用分布电容存储电荷的作用，以使晶体管的漏电流被存储到分布电容中，从而可以减小第一子数据写入晶体管和第二子数据写入晶体管两端的电压差，进而减小漏电流。

Description

一种显示面板及显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种显示面板及显示装置。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，OLED)显示器是当今平板显示器研究领域的热点之一，与液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)相比，OLED显示器具有低能耗、生产成本低、自发光、宽视角及响应速度快等优点。其中，用于控制发光器件L发光的像素电路11是OLED显示器的核心技术内容，具有重要的研究意义。然而，由于像素电路11中晶体管的漏电流特性，导致驱动晶体管M0的栅极的电压不稳定，进而导致发光不稳定，造成亮度不均的问题。
发明内容
本发明实施例提供一种显示面板及显示装置，用以改善由于漏电流导致的驱动晶体管M0的栅极电压不稳定的问题。
本发明实施例提供了一种显示面板，包括：衬底基板，位于所述衬底基板上的多个子像素、多条扫描信号线、多条数据线；一行子像素对应至少一条所述扫描信号线，一列子像素对应至少一条所述数据线；各所述子像素包括像素电路；所述像素电路包括数据写入电路和驱动晶体管；所述数据写入电路包括：第一子数据写入晶体管、第二子数据写入晶体管以及分布电容；
所述第一子数据写入晶体管的栅极和所述第二子数据写入晶体管的栅极均与对应的扫描信号线电连接，所述第一子数据写入晶体管的第一端与对应的数据线电连接，所述第一子数据写入晶体管的第二端与所述第二子数据写入晶体管的第一端电连接，所述第二子数据写入晶体管的第二端与所述驱动晶体管的栅极电连接；
所述分布电容的第一电极与所述第一子数据写入晶体管的第二端电连接，所述分布电容的第二电极与固定电压信号端电连接。
可选地，在本发明实施例中，所述第一子数据写入晶体管的有源层包括第一子源极区、第一子漏极区以及位于所述第一子源极区和所述第一子漏极区之间的第一子沟道区；其中，所述第一子源极区作为所述第一子数据写入晶体管的第一端，所述第一子漏极区作为所述第一子数据写入晶体管的第二端；
所述第二子数据写入晶体管的有源层包括第二子源极区、第二子漏极区以及位于所述第二子源极区和所述第二子漏极区之间的第二子沟道区；其中，所述第二子源极区作为所述第二子数据写入晶体管的第一端，所述第二子漏极区作为所述第二子数据写入晶体管的第二端；
所述显示面板还包括：位于各所述子像素中的导电部；其中，所述第一子漏极区和所述第二子源极区中的至少一个在所述衬底基板的正投影与所述导电部在所述衬底基板的正投影具有交叠区；
所述导电部为所述分布电容的第二电极，与所述导电部具有交叠区的所述第一子漏极区和所述第二子源极区中的至少一个为所述分布电容的第一电极。
可选地，在本发明实施例中，所述导电部在所述衬底基板的正投影与所述扫描信号线在所述衬底基板的正投影不交叠。
可选地，在本发明实施例中，所述导电部包括第一导电部；
所述显示面板还包括：所述第一子数据写入晶体管的有源层与所述衬底基板之间的缓冲层；所述第一导电部位于所述缓冲层与所述衬底基板之间。
可选地，在本发明实施例中，所述导电部包括第二导电部；
所述像素电路还包括：与所述驱动晶体管的栅极电连接的存储电容；其中，所述驱动晶体管的栅极作为所述存储电容的第一电极，所述存储电容的第二电极位于所述驱动晶体管的栅极背离所述衬底基板一侧；
所述第二导电部与所述存储电容的第二电极同层且绝缘设置。
可选地，在本发明实施例中，所述显示面板还包括：多条发光控制信号线和第一电源线；一行子像素对应一条所述发光控制信号线；
所述像素电路还包括：发光控制晶体管；其中，所述发光控制晶体管的栅极与对应的发光控制信号线电连接，所述发光控制晶体管的第一极与所述第一电源线电连接，所述发光控制晶体管的第二极与所述驱动晶体管的第一极电连接。
可选地，在本发明实施例中，所述固定电压信号端与所述第一电源线电连接。
可选地，在本发明实施例中，所述第一电源线与所述数据线同层且绝缘设置，所述导电部与所述第一电源线异层绝缘设置；
所述导电部在所述衬底基板的正投影与对应的数据线在所述衬底基板的正投影具有交叠区。
可选地，在本发明实施例中，针对同一行子像素对应的所述扫描信号线和所述发光控制信号线，在垂直于所述显示面板所在平面的方向上，所述导电部位于所述扫描信号线和所述发光控制信号线之间。
可选地，在本发明实施例中，所述显示面板还包括：多条复位信号线和初始化信号线；一行子像素对应一条所述复位信号线；
所述像素电路还包括：复位晶体管；其中，所述复位晶体管的栅极与对应的复位信号线电连接，所述复位晶体管的第一极与所述初始化信号线电连接，所述复位晶体管的第二极与所述驱动晶体管的第二极电连接。
可选地，在本发明实施例中，所述固定电压信号端与所述初始化信号线电连接。
本发明实施例还提供了一种显示装置，包括上述显示面板。
本发明有益效果如下：
本发明实施例提供的显示面板及显示装置，通过使数据写入电路包括：第一子数据写入晶体管、第二子数据写入晶体管以及分布电容；其中，通过设置第一子数据写入晶体管和第二子数据写入晶体管，可以相当于增加了晶体管的沟道区的长度，由于晶体管的电流与沟道区的长度成反比，因此在沟道区的长度增大时，晶体管的电流可以减小，从而可以降低漏电流。并且，通过设置分布电容，可以利用分布电容存储电荷的作用，以使晶体管的漏电流被存储到分布电容中，从而可以减小第一子数据写入晶体管和第二子数据写入晶体管两端的电压差，进而减小漏电流。
附图说明
图1为本发明实施例中的显示面板的结构示意图；
图2为本发明实施例中的子像素的结构示意图；
图3为本发明实施例中的信号时序图；
图4为本发明实施例中的像素电路的布局示意图；
图5为图4中的布局示意图沿AA’方向上的剖视结构图；
图6为本发明实施例中的像素电路的布局示意图；
图7为图6中的布局示意图沿AA’方向上的剖视结构图；
图8为本发明实施例中的像素电路的布局示意图；
图9为图8中的布局示意图沿AA’方向上的剖视结构图。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例的附图，对本发明实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。并且在不冲突的情况下，本发明中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。基于所描述的本发明的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
除非另外定义，本发明使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本发明中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。
需要注意的是，附图中各图形的尺寸和形状不反映真实比例，目的只是示意说明本发明内容。并且自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。
本发明实施例提供了一种显示面板，如图1与图2所示，可以包括：包括：衬底基板10，位于衬底基板10上的多个子像素spx、多条扫描信号线GA、多条数据线DA；一行子像素spx对应至少一条扫描信号线GA，一列子像素spx对应至少一条数据线DA；各子像素spx包括像素电路11；像素电路11包括数据写入电路12和驱动晶体管M0；数据写入电路12包括：第一子数据写入晶体管M11、第二子数据写入晶体管M12以及分布电容CF；
第一子数据写入晶体管M11的栅极和第二子数据写入晶体管M12的栅极均与对应的扫描信号线GA电连接，第一子数据写入晶体管M11的第一端与对应的数据线DA电连接，第一子数据写入晶体管M11的第二端与第二子数据写入晶体管M12的第一端电连接，第二子数据写入晶体管M12的第二端与驱动晶体管M0的栅极电连接；
分布电容CF的第一电极与第一子数据写入晶体管M11的第二端电连接，分布电容CF的第二电极与固定电压信号端电连接。
本发明实施例提供的上述显示面板，通过使数据写入电路包括：第一子数据写入晶体管M11、第二子数据写入晶体管M12以及分布电容CF；其中，通过设置第一子数据写入晶体管M11和第二子数据写入晶体管M12，可以相当于增加了晶体管的沟道区的长度L，由于晶体管的电流I与沟道区的长度L成反比，因此在沟道区的长度L增大时，晶体管的电流I可以减小，从而可以降低漏电流。并且，通过设置分布电容CF，可以利用分布电容CF存储电荷的作用，以使晶体管的漏电流被存储到分布电容CF中，从而可以减小第一子数据写入晶体管M11和第二子数据写入晶体管M12两端的电压差，进而减小漏电流。
需要说明的是，在理想状态下，晶体管处于关闭状态时，其关态电流为0。然而，在实际应用中，由于晶体管的第一端和第二端之间存在电压差，从而导致漏电流存在。该电压差越大，漏电流越大。本发明实施例提供的显示面板，通过设置分布电容CF，可以利用分布电容CF存储电荷的作用，以使晶体管的漏电流被存储到分布电容CF中，从而可以减小第一子数据写入晶体管M11和第二子数据写入晶体管M12第一端和第二端之间的电压差，进而减小漏电流。
需要说明的是，固定电压信号端可以加载固定电压值的电压信号，这样可以使分布电容CF的第二电极的电压恒定，进一步减小漏电流。
在具体实施时，在本发明实施例中，子像素spx还可以包括发光器件L。其中，发光器件L可以包括层叠设置的阳极、发光功能层以及阴极。在实际应用中，可以使像素单元PX包括红色子像素，绿色子像素、以及蓝色子像素，以通过红绿蓝混色实现图像显示功能。也可以使像素单元PX包括红色子像素、绿色子像素、蓝色子像素、以及白色子像素，以通过红绿蓝白混色实现图像显示功能。
在具体实施时，发光器件L可以包括：有机发光二极管(Organic Light EmittingDiode，OLED)以及量子点发光二极管(Quantum Dot Light Emitting Diodes，QLED)中的至少一种。其中，发光器件L为OLED时，OLED的阳极为发光器件L的第一端，OLED的阴极为发光器件L的第二端。另外，一般发光器件L具有发光阈值电压，在发光器件L两端的电压大于或等于发光阈值电压时进行发光。在实际应用中，可以根据实际应用环境来设计确定发光器件L的具体结构，在此不作限定。
在具体实施时，在本发明实施例中，如图1、图2以及图4所示，显示面板还可以包括：多条发光控制信号线EM、第一电源线VDD、多条复位信号线RE以及初始化信号线VI；一行子像素spx对应一条发光控制信号线EM；一行子像素spx对应一条复位信号线RE。
在具体实施时，在本发明实施例中，如图2所示，像素电路11还可以包括：发光控制晶体管M2、复位晶体管M3、存储电容C1、分压电容C2以及发光器件L；其中，发光控制晶体管M2的栅极与对应的发光控制信号线EM电连接，发光控制晶体管M2的第一极与第一电源线VDD电连接，发光控制晶体管M2的第二极与驱动晶体管M0的第一极电连接。
复位晶体管M3的栅极与对应的复位信号线RE电连接，复位晶体管M3的第一极与初始化信号线VI电连接，复位晶体管M3的第二极与驱动晶体管M0的第二极电连接。
存储电容C1的第一电极与驱动晶体管M0的栅极电连接的，存储电容C1的第二电极与驱动晶体管M0的第二极电连接。
分压电容C2的第一电极与第一电源线VDD电连接的，分压电容C2的第二电极与驱动晶体管M0的第二极电连接。
驱动晶体管M0的第二极与发光器件L的第一端电连接，发光器件L的第二端与第二电源端电连接。
在具体实施时，第一电源线VDD电压可以为高电压，第二电源端的电压可以为低电压或接地电压。当然，在实际应用中，上述电压的具体数值可以根据实际应用环境来设计确定，在此不作限定。
在具体实施时，上述各晶体管可以是薄膜晶体管(TFT，Thin Film Transistor)，也可以是金属氧化物半导体场效应管(MOS，Metal Oxide Scmiconductor)，在此不作限定。并且根据上述各晶体管的类型不同以及各晶体管的栅极的信号的不同，可以将上述晶体管的第一极作为源极，第二极作为漏极，或者将晶体管的第一极作为漏极，第二极作为源极，在此不作具体区分。
图2所示的像素电路11对应的信号时序图，如图3所示，其工作过程如下：
在t1阶段，发光控制信号线EM上的信号em为低电平信号，因此发光控制晶体管M2截止。复位信号线RE上的信号re为高电平信号，因此复位晶体管M3导通，以将初始化信号线VI上的信号提供给驱动晶体管M0的第二极，对驱动晶体管M0的第二极进行初始化。扫描信号线GA上的信号ga为高电平信号，因此第一子数据写入晶体管M11和第二子数据写入晶体管M12导通，以将数据线DA上的复位电压信号提供给驱动晶体管M0的栅极，以对驱动晶体管M0的栅极进行复位。
在t2阶段，复位信号线RE上的信号re为低电平信号，因此复位晶体管M3截止。扫描信号线GA上的信号ga为高电平信号，因此第一子数据写入晶体管M11和第二子数据写入晶体管M12导通，以将数据线DA上的复位电压信号提供给驱动晶体管M0的栅极，使驱动晶体管M0的栅极电压为复位电压信号的电压Vr。发光控制信号线EM上的信号em为高电平信号，因此发光控制晶体管M2导通，以对驱动晶体管M0的第二极进行充电，从而使驱动晶体管M0的第二极变为Vr+Vth时截止。
在t3阶段，复位信号线RE上的信号re为低电平信号，因此复位晶体管M3截止。扫描信号线GA上的信号ga为高电平信号，因此第一子数据写入晶体管M11和第二子数据写入晶体管M12导通，以将数据线DA上的数据信号提供给驱动晶体管M0的栅极，使驱动晶体管M0的栅极电压为数据信号的电压Vd。通过存储电容C1和分压电容C2的作用，驱动晶体管M0的第二极变为：
Figure BDA0002311474990000081
其中，c1代表存储电的电容值，c2代表分压电容C2的电容值，Vth代表驱动晶体管M0的阈值电压。
在t4阶段，复位信号线RE上的信号re为低电平信号，因此复位晶体管M3截止。扫描信号线GA上的信号ga为低电平信号，因此第一子数据写入晶体管M11和第二子数据写入晶体管M12截止。发光控制信号线EM上的信号em为高电平信号，因此发光控制晶体管M2导通，从而使驱动晶体管M0产生电流IL，以通过电流IL驱动发光器件LL发光，且
Figure BDA0002311474990000091
其中，K代表结构参数。并且，由于分布电容的存在，可以使晶体管的漏电流被存储到分布电容CF中，从而可以减小第一子数据写入晶体管M11和第二子数据写入晶体管M12两端的电压差，进而减小漏电流。
图4为上述像素电路11在衬底基板10上的布局(Layout)示意图。图5为图4所示的布局示意图中沿AA’方向的剖视结构示意图。
其中，图4和图5示意出了上述发光控制电路14中的第一导电层100，有源半导体层500、第二导电层200、第三导电层300以及第四导电层400的层叠位置关系的示意图。并且，需要说明的是，显示面板还可以包括：位于第一导电层100和有源半导体层500之间的缓冲层610、位于有源半导体层500与第二导电层200之间的栅绝缘层620，位于第二导电层200与第三导电层300之间的层间介质层630，以及位于第三导电层300与第四导电层400之间的层间绝缘层640。其中，缓冲层610可以使第一导电层100与第一子数据写入晶体管M11的有源层和第二子数据写入晶体管M12的有源层绝缘设置。
在具体实施时，在本发明实施例中，结合图4与图5所示，有源半导体层500可采用半导体材料图案化形成。有源半导体层500可用于制作上述的各晶体管的有源层，各有源层可以包括源极区、漏极区以及源极区和漏极区之间的沟道区。例如，第一子数据写入晶体管M11的有源层可以包括第一子源极区、第一子漏极区以及位于第一子源极区和第一子漏极区之间的第一子沟道区；其中，第一子源极区作为第一子数据写入晶体管M11的第一端，第一子漏极区作为第一子数据写入晶体管M11的第二端。第二子数据写入晶体管M12的有源层包括第二子源极区、第二子漏极区以及位于第二子源极区和第二子漏极区之间的第二子沟道区；其中，第二子源极区作为第二子数据写入晶体管M12的第一端，第二子漏极区作为第二子数据写入晶体管M12的第二端。图4示出了第一子数据写入晶体管M11的第一子漏极区M11-S和第一子沟道区M11-A。第二子数据写入晶体管M12的第二子源极区M12-S、第二子沟道区M12-A以及第二子漏极区M12-D。
示例性地，部分晶体管的有源层可以一体设置。示例性地，有源半导体层500可采用非晶硅、多晶硅、氧化物半导体材料等制作。需要说明的是，上述的源极区和漏极区可为掺杂有n型杂质或p型杂质的区。
在具体实施时，在本发明实施例中，结合图4与图5所示，第二导电层200可以包括：扫描信号线GA、发光控制信号线EM、复位信号线RE、初始化信号线VI、上述像素电路11中的各个晶体管的栅极以及存储电容C1的第一电极和分压电容C2的第一电极。例如，图4与图5示出了复位信号线RE、发光控制信号线EM、第一子数据写入晶体管M11的栅极M11-G、第二子数据写入晶体管M12的栅极M12-G、驱动晶体管M0的栅极M0-G。并且，驱动晶体管M0的栅极M0-G可以作为存储电容C1的第一电极。其中，在垂直于衬底基板10所在平面的方向上，扫描信号线GA、发光控制信号线EM、复位信号线RE与有源半导体层500具有交叠区域。针对扫描信号线GA和有源半导体层500的交叠区域，交叠区域中的扫描信号线GA可以为第一子数据写入晶体管M11的栅极M11-G和第二子数据写入晶体管M12的栅极M12-G，交叠区域中的有源半导体层500可以为第一子数据写入晶体管M11的沟道区M11-A和第二子数据写入晶体管M12的沟道区M12-A。其余同理，在此不作赘述。
在具体实施时，在本发明实施例中，结合图4与图5所示，第三导电层300可以包括：电极导电层310。该电极导电层310作为存储电容C1的第二电极C1-2和分压电容C2的第二电极。也就是说，存储电容C1的第二电极C1-2和分压电容C2的第二电极为一体结构，且存储电容C1的第二电极位于驱动晶体管M0的栅极背离衬底基板10一侧。
在具体实施时，在本发明实施例中，结合图4与图5所示，第四导电层400可以包括：数据线DA，第一电源线VDD、初始化信号线VI以及用于使上述晶体管、存储电容C1，分压电容C2电连接的连接部以及阳极连接层。例如，图4和图5示出了数据线DA，第一电源线VDD、初始化信号线VI、使第二子数据写入晶体管M12和驱动晶体管M0的栅极M0-G电连接的连接部410以及阳极连接层420。其中，连接部410的一端通过贯穿栅绝缘层620、层间介质层630以及层间绝缘层640的过孔与第二子数据写入晶体管M12的第二漏极区M12-D电连接，连接部410的另一端通过贯穿层间介质层630以及层间绝缘层640的过孔与驱动晶体管M0的栅极M0-G电连接。阳极连接层420的一端通过贯穿层间绝缘层640的过孔与存储电容C1的第二电极电连接，阳极连接层420的一端通过贯穿栅绝缘层620、层间介质层630以及层间绝缘层640的过孔与驱动晶体管M0的源极区电连接。
在具体实施时，在本发明实施例中，显示面板还可以包括：位于各子像素spx中的导电部。各导电部间隔设置。且第一子漏极区和第二子源极区中的至少一个在衬底基板10的正投影与导电部在衬底基板10的正投影具有交叠区。并且，导电部为分布电容CF的第二电极，与导电部具有交叠区的第一子漏极区和第二子源极区中的至少一个为分布电容CF的第一电极。以及，导电部与上述晶体管的有源层绝缘设置。
在具体实施时，在本发明是实施例中，导电部在衬底基板10的正投影与扫描信号线GA在衬底基板10的正投影不交叠。这样可以避免导电部对扫描信号线GA上的信号造成干扰。
在具体实施时，在本发明是实施例中，如图4与图5所示，显示面板还可以包括：位于缓冲层610与衬底基板10之间的第一导电层100。导电部包括第一导电部110-1；各第一导电部110-1位于第一导电层100。例如，图4与图5示出了一个第一导电部110-1。
在具体实施时，在本发明是实施例中，如图4与图5所示，第一子漏极区和第二子源极区M12-S中的至少一个在衬底基板10的正投影与第一导电部110-1在衬底基板10的正投影具有交叠区。其中，可以使第一导电部110-1为分布电容CF的第二电极，与第一导电部110-1具有交叠区的第一子漏极区和第二子源极区中的至少一个为分布电容CF的第一电极。并且，第一导电部110-1与固定电压信号端电连接。示例性地，第一子漏极区和第二子源极区M12-S为一体结构，并且第一子漏极区和第二子源极区M12-S在衬底基板10的正投影均与第一导电部110-1在衬底基板10的正投影具有交叠区。则可以使第一导电部110-1为分布电容CF的第二电极，与第一导电部110-1具有交叠区的第一子漏极区和第二子源极区M12-S作为分布电容CF的第一电极。
在具体实施时，在本发明是实施例中，如图4与图5所示，第一导电部110-1在衬底基板10的正投影与扫描信号线GA在衬底基板10的正投影不交叠。
需要说明的是，固定电压信号端与第一导电部110-1电连接，以对第一导电部110-1加载固定电压值的电压信号。
示例性地，可以使固定电压信号端与第一电源线VDD电连接。例如，如图4与图5所示，第一电源线VDD通过贯穿缓冲层610、栅绝缘层620、层间介质层630以及层间绝缘层640的过孔710与第一导电部110-1电连接，以使第一导电部110-1上加载第一电源线VDD上传输的电压。或者，也可以使固定电压信号端与初始化信号线VI电连接，以使第一导电部110-1上加载初始化信号线VI上传输的电压。
在具体实施时，在本发明是实施例中，如图4与图5所示，第一电源线VDD与数据线DA同层且绝缘设置于第四导电层400中。并且导电部与第一电源线VDD异层绝缘设置。并且，导电部在衬底基板10的正投影与对应的数据线DA在衬底基板10的正投影具有交叠区。例如，第一导电部110-1位于第一导电层100中。第一导电部110-1在衬底基板10的正投影与对应的数据线DA在衬底基板10的正投影具有交叠区。
在具体实施时，在本发明是实施例中，如图4与图5所示，针对同一行子像素spx对应的扫描信号线GA和发光控制信号线EM，在垂直于显示面板所在平面的方向上，导电部位于扫描信号线GA和发光控制信号线EM之间。例如，针对同一行子像素spx对应的扫描信号线GA和发光控制信号线EM，在垂直于显示面板所在平面的方向上，第一导电部110-1位于扫描信号线GA和发光控制信号线EM之间。
本发明实施例又提供了一些显示面板，其结构示意图如图6与图7所示，其针对上述实施例的实施方式进行了变形。下面仅说明本实施例与上述实施例的区别之处，其相同之处在此不作赘述。
在具体实施时，在本发明是实施例中，所述导电部包括第二导电部，且所述第二导电部与所述存储电容的第二电极同层且绝缘设置。例如，如图6与图7所示，第二导电部110-2位于第三导电层300，且第二导电部110-2与电极导电层310绝缘设置。
在具体实施时，在本发明是实施例中，如图6与图7所示，第二导电部110-2在衬底基板10的正投影与扫描信号线GA在衬底基板10的正投影不交叠。
示例性地，可以使固定电压信号端与第一电源线VDD电连接。例如，如图6与图7所示，第一电源线VDD通过贯穿层间绝缘层640的过孔720与第二导电部110-2电连接，以使第二导电部110-2上加载第一电源线VDD上传输的电压。或者，也可以使固定电压信号端与初始化信号线VI电连接，以使第二导电部110-2上加载初始化信号线VI上传输的电压。
在具体实施时，在本发明是实施例中，如图6与图7所示，第二导电部110-2在衬底基板10的正投影与对应的数据线DA在衬底基板10的正投影具有交叠区。
在具体实施时，在本发明是实施例中，如图6与图7所示，针对同一行子像素spx对应的扫描信号线GA和发光控制信号线EM，在垂直于显示面板所在平面的方向上，第二导电部110-2位于扫描信号线GA和发光控制信号线EM之间。
本发明实施例又提供了一些显示面板，其结构示意图如图8与图9所示，其针对上述实施例的实施方式进行了变形。下面仅说明本实施例与上述实施例的区别之处，其相同之处在此不作赘述。
在具体实施时，在本发明是实施例中，所述导电部包括第一导电部110-1和第二导电部110-2。例如，如图8与图9所示，各第一导电部110-1位于第一导电层100。第二导电部110-2位于第三导电层300，且第二导电部110-2与电极导电层310绝缘设置。
在具体实施时，在本发明是实施例中，如图8与图9所示，第一导电部110-1和第二导电部110-2在衬底基板10的正投影与扫描信号线GA在衬底基板10的正投影不交叠。
示例性地，可以使固定电压信号端与第一电源线VDD电连接。例如，如图8与图9所示，第一电源线VDD通过贯穿层间绝缘层640的过孔730与第二导电部110-2电连接，第二导电部110-2通过贯穿缓冲层610、栅绝缘层620、层间介质层630的过孔740与第一导电部110-1电连接，以使第一导电部110-1和第二导电部110-2上加载第一电源线VDD上传输的电压。或者，也可以使固定电压信号端与初始化信号线VI电连接，以使第一导电部110-1和第二导电部110-2上加载初始化信号线VI上传输的电压。
在具体实施时，在本发明是实施例中，如图8与图9所示，第一导电部110-1和第二导电部110-2在衬底基板10的正投影与对应的数据线DA在衬底基板10的正投影具有交叠区。
在具体实施时，在本发明是实施例中，如图8与图9所示，针对同一行子像素spx对应的扫描信号线GA和发光控制信号线EM，在垂直于显示面板所在平面的方向上，第一导电部110-1和第二导电部110-2位于扫描信号线GA和发光控制信号线EM之间。
基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种显示装置，包括本发明实施例提供的上述显示面板。该显示装置解决问题的原理与前述显示面板相似，因此该显示装置的实施可以参见前述显示面板的实施，重复之处在此不再赘述。
在具体实施时，在本发明实施例中，显示装置可以为：手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。对于该显示装置的其它必不可少的组成部分均为本领域的普通技术人员应该理解具有的，在此不做赘述，也不应作为对本发明的限制。
本发明实施例提供的显示面板及显示装置，通过使数据写入电路包括：第一子数据写入晶体管、第二子数据写入晶体管以及分布电容；其中，通过设置第一子数据写入晶体管和第二子数据写入晶体管，可以相当于增加了晶体管的沟道区的长度，由于晶体管的电流与沟道区的长度成反比，因此在沟道区的长度增大时，晶体管的电流可以减小，从而可以降低漏电流。并且，通过设置分布电容，可以利用分布电容存储电荷的作用，以使晶体管的漏电流被存储到分布电容中，从而可以减小第一子数据写入晶体管和第二子数据写入晶体管两端的电压差，进而减小漏电流。
显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (11)

1.一种显示面板，包括：衬底基板，位于所述衬底基板上的多个子像素、多条扫描信号线、多条数据线；一行子像素对应至少一条所述扫描信号线，一列子像素对应至少一条所述数据线；各所述子像素包括像素电路；所述像素电路包括数据写入电路和驱动晶体管；其特征在于，所述数据写入电路包括：第一子数据写入晶体管、第二子数据写入晶体管以及分布电容；
所述第一子数据写入晶体管的栅极和所述第二子数据写入晶体管的栅极均与对应的扫描信号线电连接，所述第一子数据写入晶体管的第一端与对应的数据线电连接，所述第一子数据写入晶体管的第二端与所述第二子数据写入晶体管的第一端电连接，所述第二子数据写入晶体管的第二端与所述驱动晶体管的栅极电连接；
所述分布电容的第一电极与所述第一子数据写入晶体管的第二端电连接，所述分布电容的第二电极与固定电压信号端电连接；
所述第一子数据写入晶体管的有源层包括第一子源极区、第一子漏极区以及位于所述第一子源极区和所述第一子漏极区之间的第一子沟道区；其中，所述第一子源极区作为所述第一子数据写入晶体管的第一端，所述第一子漏极区作为所述第一子数据写入晶体管的第二端；
所述第二子数据写入晶体管的有源层包括第二子源极区、第二子漏极区以及位于所述第二子源极区和所述第二子漏极区之间的第二子沟道区；其中，所述第二子源极区作为所述第二子数据写入晶体管的第一端，所述第二子漏极区作为所述第二子数据写入晶体管的第二端；
所述显示面板还包括：位于各所述子像素中的导电部；其中，所述第一子漏极区和所述第二子源极区中的至少一个在所述衬底基板的正投影与所述导电部在所述衬底基板的正投影具有交叠区；
所述导电部为所述分布电容的第二电极，与所述导电部具有交叠区的所述第一子漏极区和所述第二子源极区中的至少一个为所述分布电容的第一电极；
所述导电部在所述衬底基板的正投影与对应的数据线在所述衬底基板的正投影具有交叠区。
2.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述导电部在所述衬底基板的正投影与所述扫描信号线在所述衬底基板的正投影不交叠。
3.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述导电部包括第一导电部；
所述显示面板还包括：所述第一子数据写入晶体管的有源层与所述衬底基板之间的缓冲层；所述第一导电部位于所述缓冲层与所述衬底基板之间。
4.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述导电部包括第二导电部；
所述像素电路还包括：与所述驱动晶体管的栅极电连接的存储电容；其中，所述驱动晶体管的栅极作为所述存储电容的第一电极，所述存储电容的第二电极位于所述驱动晶体管的栅极背离所述衬底基板一侧；
所述第二导电部与所述存储电容的第二电极同层且绝缘设置。
5.如权利要求1-4任一项所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括：多条发光控制信号线和第一电源线；一行子像素对应一条所述发光控制信号线；
所述像素电路还包括：发光控制晶体管；其中，所述发光控制晶体管的栅极与对应的发光控制信号线电连接，所述发光控制晶体管的第一极与所述第一电源线电连接，所述发光控制晶体管的第二极与所述驱动晶体管的第一极电连接。
6.如权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述固定电压信号端与所述第一电源线电连接。
7.如权利要求6所述的显示面板，其特征在于，所述第一电源线与所述数据线同层且绝缘设置，所述导电部与所述第一电源线异层绝缘设置。
8.如权利要求5所述的显示面板，其特征在于，针对同一行子像素对应的所述扫描信号线和所述发光控制信号线，在垂直于所述显示面板所在平面的方向上，所述导电部位于所述扫描信号线和所述发光控制信号线之间。
9.如权利要求1-4任一项所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括：多条复位信号线和初始化信号线；一行子像素对应一条所述复位信号线；
所述像素电路还包括：复位晶体管；其中，所述复位晶体管的栅极与对应的复位信号线电连接，所述复位晶体管的第一极与所述初始化信号线电连接，所述复位晶体管的第二极与所述驱动晶体管的第二极电连接。
10.如权利要求9所述的显示面板，其特征在于，所述固定电压信号端与所述初始化信号线电连接。
11.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-10任一项所述的显示面板。
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