CN110904432A - 一种mocvd反应器 - Google Patents
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Abstract
本发明提供MOCVD反应腔，所述反应腔体围绕形成反应空间；反应空间底部包括一个旋转基座，用于支撑并驱动设置在旋转基座上的基片托盘旋转，反应腔体顶部包括一进气装置，所述进气装置包括一个气体喷淋板，用于向下通入第一反应气体和第二反应气体；所述进气装置还包括一个长杆形的气体喷头，所述气体喷头穿过位于气体喷淋板中心的通孔向下延伸到低于所述气体喷淋板下表面，所述气体喷头顶部包括一辅助气体输入管道，通过所述辅助气体输入管道与所述第一反应气源或者第二反应气源之一相连接，所述气体喷头底部为气体喷嘴，所述气体喷嘴底面的多个出气通道向下方的基片托盘中心区域喷出来自所述辅助气体输入管道的气体。
Description
技术领域
本发明涉及MOCVD(金属有机化学气相沉积)反应器，还涉及可应用于上述装置的气体供应装置。
背景技术
作为III-V族薄膜中的一种，氮化镓(GaN)是一种广泛应用于制造蓝光、紫光和白光二极管、紫外线检测器和高功率微波晶体管的材料。由于GaN在制造适用于大量用途的低能耗装置(如，LED)中具有实际和潜在的用途，GaN薄膜的生长受到极大的关注。
包括GaN薄膜在内的III-V族薄膜能以多种不同的方式生长，包括分子束外延(MBE)法、氢化物蒸气阶段外延(HVPE)法、金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)法等。目前，MOCVD法是用于为生产LED得到足够质量的薄膜的优选的沉积方法。
MOCVD是金属有机化合物化学气相沉积(Metal-organic Chemical VaporDeposition)的英文缩写。MOCVD工艺通常在一个具有温度控制的环境下的反应室或反应室内进行。通常，由包含第III-V族元素(例如镓(Ga))的第一反应气体和一含氮的第二反应气体(例如氨(NH3))被通入反应室内反应以在基片上形成GaN薄膜。一载流气体(carriergas)也可以被用于协助运输前体气体至基片上方。这些前体气体在被加热的基片表面混合反应，进而形成第III-V族氮化物薄膜(例如GaN薄膜)而沉积在基片表面。其中第一反应气体和第二反应气体在进入反应腔之前需要互相隔离，避免提前反应形成污染物。但是在到达反应腔后又需要快速混合，最终在到达基片时充分反应形成半导体晶体。
第一反应气体和第二反应气体通常经一气体喷淋板注入反应室内，如图1所示为现有技术常用的MOCVD反应器结构，MOCVD反应器包括腔体100，腔体壁中还包括用于流通冷却液的渠道。腔体100围绕而成的内部空间的内底部设置有一个旋转轴12，旋转轴顶部放置有基片托盘10，基片托盘上可以放置一片或者多片的待处理基片。基片托盘下方还包括加热器14和围绕加热器14的热隔离板13。反应器顶部包括一个顶盖，顶盖中的下部为一个气体喷淋板20，气体喷淋板20内包括第一气体扩散腔201和第二气体扩散腔202，这两个气体扩散腔分别连接到第一反应气体源和第二反应气体源。第一气体扩散腔201通过多个第一进气通道211向下输送第一反应气体(g1)到下方的反应空间。第二气体扩散腔202通过多个第二进气通道212输送第二反应气体(g2)到下方反应空间。其中第一进气通道211和第二进气通道212经常是呈互相平行的长条形，这样向下流动过程中能够与相邻的另一种反应气体互相混合。其中气体喷淋头20的底部还包括一水冷渠道25，通过水流带走气体喷淋头上多余热量，控制气体喷淋头稳定在合适温度。反应腔壳体底部通过真空泵抽气使反应腔100内保持真空。气体喷淋头20用于将第一反应气体和第二反应气体注入反应腔100内，第一反应气体和第二反应气体在进入反应腔100前彼此要保持分离，进入反应腔100后开始混合最终到达基片托盘上表面设置的基片，发生充分的反应，从而在基片15表面形成所需的膜层。
上述气体供应结构中，气体喷淋板输出的第一反应气体和第二反应气体在向下扩散过程中会发生部分混合，但是无法保证到达基片托盘10上表面时能够按合适的比例充分混合。为此同时需要控制气体喷淋板下方旋转轴12驱动基片托盘保持高速旋转(600-1200转/分)，这样到达基片托盘上表面的不同种类反应气体在高速旋转的基片托盘上表面的驱动下达到充分混合。但是这种高速旋转保证混合的方式存在缺陷，基片托盘中心区域相对托盘边缘区域旋转的线速度很低，无法足够混合。如图2所示为基片托盘10的顶视图，其中基片托盘10上设置有大量基片15，其中位于中心区域10A区域的基片由于气体混合不充分，所以会出现反应不充分或者其中一种反应气体过量的问题，其余的10B区域由于基片托盘的高速旋转能够实现快速沉积。上述基片托盘中心区域半导体生长不均匀的问题是现有技术无法有效解决的，所以一般基片托盘中心区域不设置基片。
另一方面，反应腔内底部外侧包括抽气口，联通到真空泵，使得反应腔内在反应过程中维持在接近真空的低压。所以从上方向下流的第一、第二反应气体会向外侧边缘流动，所以流到基片托盘120中心区域10A的气流量小于10B区域的流量，这一差异也会导致中心区域的生长效果不佳，无法生长有效的半导体结构。
所以，需要提出一种新的技术进一步减小托盘中心区域中出现的无效生长区域。另一方面，当前部分工艺(用于生产GaN功率器件)中一片托盘上只设置一整片基片，这种应用场合下基片中心出现大片质量无法满足要求的区域也会严重影响生产效率。
发明内容
本发明提供一种MOCVD反应器，使得MOCVD反应器内基片托盘中心区域的反应与周围区域的气体流量和混合比更接近，大幅提高基片中心区域半导体材料的生长质量。
本发明的MOCVD反应器包括：反应腔体，所述反应腔体围绕形成反应空间；反应空间底部包括一个旋转基座，用于支撑并驱动设置在旋转基座上的基片托盘旋转，所述基片托盘用于固定一片或多片待处理基片；反应腔体顶部包括一顶盖，顶盖下部包括一进气装置，所述进气装置包括一个气体喷淋板，用于向下通入第一反应气体和第二反应气体；所述进气装置还包括一个长杆形的气体喷头，所述气体喷头穿过位于气体喷淋板中心的通孔向下延伸到低于所述气体喷淋板下表面，所述气体喷头顶部包括一辅助气体输入管道，通过所述辅助气体输入管道与所述第一反应气源或者第二反应气源之一相连接，所述气体喷头底部为气体喷嘴，所述气体喷嘴底面的多个出气通道向下方的基片托盘中心区域喷出来自所述辅助气体输入管道的气体。其中气体喷头内的辅助气体输入管道也可与抽气装置相联通，以抽走喷头周围多余反应气体。
其中喷头上端通过一个气密装置与所述顶盖连接，气密装置为磁流体密封装置，实现高速旋转的气体喷头与固定安装的顶盖之间的气密。MOCVD反应器还包括一驱动装置，驱动所述气体喷头能够上下移动或者旋转。
本发明的MOCVD反应器用于生长多层材料层，其中用于生长不同材料层时气体喷嘴具有不同高度。
本发明的气体喷头旋转方向与所述基片托盘旋转方向可以选择不同或相同，旋转速度也可以选择与基片托盘的转速相同，使得补充入反应腔的反应气体能够与气体喷淋板在基片托盘上中心区域的气流分布互相补偿，改善生长质量。
本发明中的气体喷嘴包括多组互相隔离的出气通道，第一组出气通道的气体联通到第一反应气体源，第二组出气通道联通到第二反应气体源，所述第一组出气通道和第二组出气通道输出的气体流向基片托盘中心区域内的第一区域和第二区域。所述第一区域内所述第一气体通道的喷出的气体方向与基片托盘平面垂直，第二区域内所述第二气体通道喷出的气体方向与基片托盘平面互相平行或者倾斜相交。
本发明所适用的气体喷淋板底部包括多个互相平行的纵长形气体通道，第一组的气体通道与第一反应气源相联通用于通入第一反应气体，第二组气体通道与第二反应气源相联通用于通入第二反应气体，其中第一组和第二组气体通道交替排布。
所述气体喷嘴侧壁包括多个出气通道，所述侧壁的出气通道使得喷出的第一或第二反应气体倾斜向下流向基片托盘。
所述气体喷头内还包括冷却液通道，所述冷却液通道用以与反应腔外部的冷却液源联通以控制气体喷头的温度。所述冷却液通道内还包括一隔离管道，所述冷却液经过隔离管道内部流入冷却液通道，经过所述隔离管道外壁与所述冷却液通道内壁之间的空间流出冷却液通道。进一步地，所述气体喷头内包括多组围绕所述冷却液通道排布的供气管道，其中第一组供气管道联通到第一反应气体源，第二组气体管道联通到第二反应气体源。其中所述第一组供气管道与第二组供气管道交替排布，且所述第一组供气管道位于第二组供气管道的外围。或者所述气体喷头内还包括第一气体扩散环和第二气体扩散环用于向气体喷头下方或者外周方向输出反应气体，所述第一气体扩散环与所述第一组供气管道联通，第二气体扩散环与第二组供气管道联通，且第一气体扩散环位于第二气体扩散环上方。
附图说明
图1是现有技术MOCVD反应器结构示意图；
图2是现有技术中基片托盘的顶视图；
图3是本发明一个MOCVD反应器的结构示意图；
图4是图3中MOCVD反应器中Z处向上的气体喷淋板和气体喷头的仰视图；
图5a、图5b是本发明气体喷头中的喷嘴结构示意图；
图6是图5所示喷嘴实施例的气流方向示意图；
图7a是本发明气体喷嘴一实施例的垂直剖面示意图；
图7b是图7a的气体喷嘴中X处的水平剖面示意图；
图8a是本发明气体喷嘴另一实施例的垂直剖面示意图；
图8b是图8a的气体喷嘴中Y处的水平剖面示意图。
具体实施方式
下文将结合附图对本发明的技术方案进行详细描述，需强调的是，这里仅是示例性的阐述，不排除有其它利用本发明思想的实施方式。
如图3所示，本发明进气装置除了气体喷淋头20外，还包括一个长杆形气体喷头23，气体喷头23垂直穿过气体喷淋板20的中心区域并向下延伸至气体喷淋板20的下表面下方。气体喷头23的一端连接到反应气体供应源，另一端包括一设置有多个出气通道的气体喷嘴23a，气体喷嘴23a的多个出气通道面向下方基片托盘中心区域喷射反应气体。气体喷头23还连接有冷却液管道，冷却液管道与外部的冷却液源26相连接，以控制气体喷头23维持在一个合理的温度，防止气体喷头变形或者反应气体在气体喷头内部提前分解。
在GaN材料层生长过程中，需要在氧化铝或者单晶硅的基底上逐渐沉积多层缓冲层、量子井等各种结构层，每个不同材料层需要各自不同的气体成分和流量，所以需要经过多个沉积、生长步骤才能最终获得所需要的氮化镓层，每个步骤中通过调节多个参数(温度、反应气体成分、流量)可以使得基片托盘上外围区域10B内能够生产出具有合格质量的材料层。本发明由于在MOCVD反应器中设置了一个辅助供应反应气体的喷头23，可以在每个步骤中通入当前步骤中，中心反应区域即基片托盘中心区域10A对应上方的反应空间所缺乏的反应气体。喷头23的上端需要设置至少一个可切换阀门，使得喷头可以根据需求选择性的连接到上述第一、第二反应气源或者额外的其它气体(如载气N2/H2)。只要能使得基片托盘10上方中心反应区域10A的反应速度或者气体成分比例与区域10B接近就能大幅提高中心区域形成的材料层的质量，最终可以显著提高MOCVD反应器的生产效率。
本发明中气体喷头可以在不同处理步骤中上下移动，这样气体喷嘴23a的高度也可以在不同高度变化，使得喷出的气体具有不同的分布，以适应不同工艺步骤的特殊需求。通过上下移动的气体喷嘴23a可以进一步改善基片托盘中心区域的生长质量，使得基片托盘上方不同区域的基片具有更均一的处理效果。为了保证可以移动的气体喷头23在处理过程中保持与气体喷淋头之间的气密，在气体喷淋头20的上方还需要设置一个磁流体的密封结构24。其中工艺过程中气体喷嘴23a的位置越高，则向下流出的反应气体到达基片的距离越长，气体的扩散范围越大，对下方基片托盘中心区域的气体分布的影响程度较弱，可以小幅度改变中心区域的气体成分和流量比例。适合在中心区域10A与周围区域10B具有较小的生长效果差距的工艺步骤中应用，实现微量补偿。气体喷嘴23a的位置越低，则越靠近下方基片托盘10，对基片托盘中心区域的气体成分和流量改变幅度越大，适合在中心区域10A与周围区域10B具有很大的生长效果差距的工艺步骤中应用。
本发明中气体喷头23还可以进行旋转动作，其中旋转的方向和速度可以根据需要选择。比如气体喷头可以与下方基片托盘的旋转方向相反，这样下方基片托盘旋转时的速度再加上气体喷头23的旋转速度叠加，可以使得流出气体喷头23的补充反应气体与基片托盘上表面的基片具有更高的相对速度，有利于喷头23流出的补充反应气体与气体喷淋头20流出的反应气体快速互相混合，最终使得补充反应气体与原有反应气体的混合物不仅气流量和成分与周围10B相同，而且混合充分。
图4示出为图3中Z处向上看到的气体喷淋头20和气体喷头23的仰视图，当基片托盘旋转时，基片托盘中心区域旋转的线速度较边缘区域旋转的线速度低，由于本发明的第一进气通道211和第二进气通道212为交替设置的平行长条状，在基片托盘中心区域10A对应上方的中心反应空间中存在两个气体混合度特别差的区域1011、1012，这两个区域对应下方的空间中反应气体无法很好的混合。由于气体喷淋头20底面排布的进气通道211和212是互相平行的长条形的，当下方基片托盘10旋转时，中心反应区域中的部分气体供应管道是垂直于下方的旋转方向的，所以两种反应气体能够在基片托盘上很好的混合，但是对应区域1011和1012来说，进气通道211、212内的气体流出通道接近与基片托盘旋转方向平行，这就会导致区域1011中的第一进气通道211内的气体，只会与来自自身进气通道211的反应气体产生位移，但不能快速的与相邻的进气通道212喷出的气体混合。所以在气体喷淋头对应区域1011和1012内的气体混合度极差，要么是第一反应气体g1过多，要么是第二反应气体g2过多，无法有效的生长材料层。
本发明由于气体喷头23可以旋转，可以选择性的控制通过气体喷头23输出的反应气体到特定的基片托盘区域如1011、1012。比如气体喷头23与基片托盘10同步旋转，气体喷头23底部的气体喷嘴23a底面的通气孔中对应1011和1012区域流出的反应气体中第一反应气体或者第二反应气体占据多数，这样正好与气体喷淋头20产生的初始气体分布互相补偿，最终实现基片托盘中心区域气体的良好混合。更进一步的，气体喷嘴23a可以在底面或者底面和侧壁设置不同的出气通道，这些出气通道流出的反应气体分别具有不同的朝向，分别补偿区域1011、1012中每一个反应气体混合不均的区域。因此本发明中的气体喷头23通过选择不同的旋转速度、旋转方向和气体喷嘴23a出气通道朝向的设计可以实现基片托盘中心区域10A反应气体的有效混合，使得中心区域不再是无效的生长区域，能够极大的提高生产效率。本发明的气体喷头23能够与下方的基片托盘同步旋转，所以除了能够改善补偿区域的1011、1012的气体混合比例，还能改善中心区域10A内任何位置出现的气体流量分布不均。只要在生产工艺中发现局部混合不均，就可以通过选择设计喷嘴通孔的形状和位置，使得气体喷嘴向该发生混合不均问题的区域定向喷射补偿气体，最终使得整个基片上都能达到均匀的处理效果。
本发明的气体喷头23除了可以是向中心区域补充流入特定反应气体，使得中心区域的反应气体达到充分混合，也可以是向外抽气的，比如对于1011区域中第一反应气体过多的区域，可以选择抽走部分多余的反应气体，在抽走多余第一反应气体的同时，周围的第二反应气体可以在气压差的推动下更多的流向该区域，最终也能改善反应气体混合度不均。
本发明中气体喷头23通入MOCVD反应器或者抽出MOCVD反应器的反应气体主要是补偿中心区域10A气流分布不均的问题，所以所需要的气流量极小，通常经过气体喷头23的气体流量小于经过气体喷淋头20的流量的1/15，不会对周围区域10B的气流分布产生干扰，所以能够在保持整体生长效果的同时，大幅改善中心区域的材料层生长质量。
如图5a所示为本发明气体喷嘴23a的立体图，其中气体喷嘴23a的底部包括多个沿圆周排布的弧形出气通道，也包括气体喷嘴23a侧壁设置的多个长条形出气通道。
如图5b是本发明气体喷嘴23a’另一个实施例的立体示意图，其中气体喷嘴23a底部包括多个均匀分布的圆形出气通道，气体喷嘴23a的侧壁也设置有大量圆形出气通道。
图6所示为本发明中图5a或者5b中流出的反应气体的流向示意图，其中气体喷嘴23a底面的出气通道流出的气体都向下流动到喷头下方的区域，侧壁下端的出气通道倾斜向下流到喷头周围的区域，侧壁上端的气孔水平向外侧流出扩散到较远的外围区域，或者侧壁上气流流出方向反向排布。上述通孔开口的设置可以根据需要自行选择，使得不同位置的通孔分别对应喷射反应气体到基片托盘不同区域，而且这些对应不同区域的通孔可以喷出相同或不同成分的反应气体。
如图7a所示喷嘴23a内部结构图，其中喷嘴包括位于中心的冷却液通道，冷却液通道由喷嘴23a内部的内壁32围绕而成，内壁32内部的冷却液通道作为冷却液流通管道。其中冷却液流通管道内还包括分隔管道34，分隔管围绕而成的内部通道236a中，冷却液流入。分隔管34外壁与内壁32之间的外部通道236b作为冷却液流出管道。内壁32和喷嘴外侧壁之间包括多个供气管道231、233、235向下延伸，直到位于喷嘴底部的多个扩散腔，扩散腔由喷嘴23a的内壁32、侧壁和底壁围绕而成，通常扩散腔内的气流流动截面积大于上方供气管道231、233的截面积，这样的结构可以使得气流更好的扩散，均匀的从位于的喷嘴外侧壁和底部的多个出气通道喷出。图7b是图7a所示喷嘴结构图中X处的横截面示意图，图中可见供气管道231、233、235分别向下通入A、B、C三种反应气体，其中A和B为第一第二反应气体，比如TMG和氨气；C为隔离气体，不参与反应但能够调节气流中有效气体的浓度。三种调节气体可以同时通过气体喷头23同时喷入反应腔内空间，也可以只经过其中一个或两个供气管道输送两种调节气体。
图8a所示，为另一个实施例的喷嘴23a内部结构图，其中喷嘴包括位于中心的冷却液通道，冷却液通道由喷嘴23a内部的内壁32’围绕而成，内壁内壁还包括分隔管道34’，将冷却液管道进一步分隔为冷却液流入管道236a’和冷却液流出管道236b’。喷嘴内围绕冷却液管道中还设置有多个上下延伸的供气管道239、237，其中多个供气管道237靠近并围绕所述内壁32’均匀排布，用于向下通入反应气体B；多个供气管道239位于供气管道237外围，围绕供气管道237均匀排布，用于向下通入反应气体A。其中供气管道237向下延伸到气体喷嘴底部，与气体扩散环236联通，气体扩散环236上设置有多个向下方和向外侧壁喷出反应气体B的出气通道。供气管道239向下延伸与气体扩散环238互相联通，气体扩散环238上设置有多个向外侧壁喷出反应气体A的出气通道。其中气体扩散环238位于气体扩散环236上方，反应气体A可以是TMG气体，反应气体B为氨气，气体扩散环236位于更下方，所以接受下方辐射的热量更大，温度会高于上方气体扩散环238的温度，通过高度不同可以使得更容易热分解的反应气体TMG不易在气体供应管道和气体扩散环中提前分解并形成污染物。如图8b为图8a所示喷嘴23a中Y处的横截面图，可以看到第一、第二供气管道的水平方向的是呈内外圈均匀排布的。
本发明通过在顶部气体喷淋头中心位置额外添加一个进气的气体喷头，从喷头底部的喷嘴向下通入少量的补偿反应气体，或者抽出过量反应气体使得中心区域的气体能够与周围区域一样均匀。喷头可以上下运动以适应不同处理步骤中不同的补偿需要。而且喷头可以被外部驱动器驱动旋转，通过对旋转方向和旋转速度的选择可以使得补充入基片托盘中心的反应气体与下方原有反应气体互相补偿，得到最佳的反应气体混合度，使得基片托盘中心区域材料层的质量大幅改善。
本发明的气体喷头特别适用于如图4所示的的实施例，第一进气通道211和第二进气通道212在气体喷淋头底部成纵长形排布，每个第一反应气体进气通道211、第二反应气体进气通道212均交替排布，这种互相平行的进气通道在基片托盘中心区域的局部位置(1011、1012)会出现明显的气流混合度不佳，而且无法通过上方气体喷淋头的气流调整来解决。通过本发明设置的气体喷头，通过通入少量补偿反应气体能很好的解决这一问题。根据上述发明原理，本发明中第一、第二反应气体进气通道也可以是其它结构的，比如是排成一列的多个进气通孔，不限于长条形的进气槽。或者在第一、第二反应气体进气通道(211、212)之外设置一列第三气体进气通道，位于第一第二反应气体进气通道之间，起隔离作用，以防止第一、第二反应气体流出气体喷淋头20下表面后过早混合发生反应。
尽管本发明的内容已经通过上述优选实施例作了详细介绍，但应当认识到上述的描述不应被认为是对本发明的限制。在本领域技术人员阅读了上述内容后，对于本发明的多种修改和替代都将是显而易见的。因此，本发明的保护范围应由所附的权利要求来限定。
Claims (18)
1.一种MOCVD反应器，包括：
反应腔体，所述反应腔体围绕形成反应空间；
反应空间底部包括一个旋转基座，用于支撑并驱动设置在旋转基座上的基片托盘旋转，所述基片托盘用于固定一片或多片待处理基片；
反应腔体顶部包括一顶盖，顶盖包括一进气装置，所述进气装置包括位于顶盖下部的一个气体喷淋板，用于向下通入第一反应气体和第二反应气体；
所述进气装置还包括一个长杆形的气体喷头，所述气体喷头穿过位于气体喷淋板中心的通孔向下延伸到低于所述气体喷淋板下表面，所述气体喷头顶部包括一辅助气体输入管道，通过所述辅助气体输入管道与第一反应气源和/或第二反应气源相连接，所述气体喷头底部为气体喷嘴，所述气体喷嘴底面的多个出气通道向下方的基片托盘中心区域喷出来自所述辅助气体输入管道的气体。
2.如权利要求1所述的MOCVD反应器，其特征在于，所述气体喷头上端通过一个气密装置与所述顶盖连接，气密装置为磁流体密封装置。
3.如权利要求1所述的MOCVD反应器，其特征在于，所述MOCVD反应器还包括一驱动装置，驱动所述气体喷头能够上下移动或者旋转。
4.如权利要求3所述的MOCVD的反应器，其特征在于，所述MOCVD反应器用于生长多层材料层，其中用于生长不同材料层时气体喷嘴具有不同高度。
5.如权利要求3所述的MOCVD的反应器，其特征在于，所述气体喷头旋转方向与所述基片托盘旋转方向不同。
6.如权利要求3所述的MOCVD反应器，其特征在于，所述气体喷头的旋转方向与所述基片托盘的旋转方向相同。
7.如权利要求6所述MOCVD反应器，其特征在于所述气体喷头的旋转速度与基片托盘的转速相同。
8.如权利要求6所述的MOCVD反应器，其特征在于，所述气体喷嘴包括多组互相隔离的出气通道，第一组出气通道的气体联通到第一反应气体源，第二组出气通道联通到第二反应气体源，所述第一组出气通道和第二组出气通道输出的气体流向基片托盘中心区域内的第一区域和第二区域。
9.如权利要求8所述的MOCVD反应器，其特征在于，所述第一区域内所述第一气体通道的喷出的气体方向与基片托盘平面垂直，第二区域内所述第二气体通道喷出的气体方向与基片托盘平面互相平行或者倾斜相交。
10.如权利要求1所述的MOCVD反应器，其特征在于，所述气体喷淋板底部包括多个互相平行的纵长形气体通道，第一组的气体通道与第一反应气源相联通用于通入第一反应气体，第二组气体通道与第二反应气源相联通用于通入第二反应气体，其中第一组和第二组气体通道交替排布。
11.如权利要求1所述的MOCVD反应器，其特征在于，所述气体喷嘴的侧壁包括多个出气通道，所述气体喷嘴侧壁的出气通道使得喷出的第一或第二反应气体倾斜向下流向基片托盘。
12.如权利要求1所述的MOCVD反应器，其特征在于，所述气体喷头内还包括冷却液通道，所述冷却液通道用以与反应腔外部的冷却液源联通以控制气体喷头的温度。
13.如权利要求12所述的MOCVD反应器，其特征在于，所述冷却液通道内还包括一隔离管道，所述冷却液经过隔离管道内部流入冷却液通道，经过所述隔离管道的外壁与所述冷却液通道的内壁之间的空间流出冷却液通道。
14.如权利要求12所述的MOCVD反应器，其特征在于，所述气体喷头内包括多组围绕所述冷却液通道排布的供气管道，其中第一组供气管道联通到第一反应气体源，第二组气体管道联通到第二反应气体源。
15.如权利要求14所述的MOCVD反应器，其特征在于，所述第一组供气管道与第二组供气管道交替排布。
16.如权利要求14所述的MOCVD反应器，其特征在于，所述第一组供气管道位于第二组供气管道的外围。
17.如权利要求14所述的MOCVD反应器，其特征在于，所述气体喷头内还包括第一气体扩散环和第二气体扩散环用于向气体喷头下方或者外周方向输出反应气体，所述第一气体扩散环与所述第一组供气管道联通，第二气体扩散环与第二组供气管道联通，且第一气体扩散环位于第二气体扩散环上方。
18.如权利要求1所述的MOCVD反应器，其特征在于，所述气体喷头内的辅助气体输入管道与抽气装置相联通，以抽走喷头周围多余反应气体。
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