CN110892333A - 颗粒抑制系统和方法 - Google Patents

Abstract

物体平台可以包括第一结构和相对于第一结构能够移动的第二结构。第二结构被配置为支撑物体。物体平台还包括能够移动地耦接到第一结构或第二结构、但不同时耦接到两者的密封板。并且所述物体平台包括至少一个致动器，其被配置成移动所述密封板，使得在所述密封板与所述第一结构或所述第二结构中未被耦接至所述密封板的一个之间限定一基本恒定的间隙。

Description

颗粒抑制系统和方法

相关申请的交叉引用

本申请要求于2017年7月28日提交的美国临时专利申请、申请号为62/538,210的优先权，该美国临时专利申请的全部内容以引用的方式并入本文中。

技术领域

本公开涉及例如光刻中的颗粒抑制。

背景技术

光刻设备是一种将所需图案施加到衬底上(通常在衬底的目标部分上)的机器。例如，光刻设备可以用于集成电路(IC)的制造中。在这种情况下，可以将可替代地称为掩模或掩模版的图案形成装置用于生成待形成于集成电路的单层上的电路图案。可以将该图案转移到衬底(例如硅晶片)上的目标部分(例如包括管芯的一部分、一个或更多个管芯)上。通常，通过将图案成像到设置在衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上进行图案的转移。通常，单个衬底将包含被连续形成图案的相邻目标部分的网络。

光刻被广泛认为是制造IC和其他器件和/或结构的关键步骤之一。然而，随着使用光刻制造的特征的尺寸变得越来越小，光刻成为使得能够制造微型IC或其他器件和/或结构的更关键因素。

图案印制极限的理论估计可以通过分辨率的瑞利准则给出，如等式(1)所示：

其中λ是所用辐射的波长，NA是用于印制图案的投影系统的数值孔径，k1是一个与过程有关的调整因子，也称为瑞利常数，CD是印制的特征的特征尺寸(或临界尺寸)。从等式(1)得出，特征的最小可印制尺寸的减小可以以三种方式获得：通过缩短曝光波长λ，通过增加数值孔径NA，或通过减小k1的值。

为了缩短曝光波长并因此减小最小可印制尺寸，已经提出使用极紫外(EUV)辐射源。EUV辐射是波长在5-20nm范围内的电磁辐射，例如在13-14nm范围内。进一步建议，可以使用波长小于10nm的EUV辐射，例如在5-10nm的范围内，例如6.7nm或6.8nm。这种辐射被称为极紫外辐射或软X射线辐射。可能的源包括，例如，激光产生的等离子体源、放电等离子体源或基于由电子存储环提供的同步加速器辐射的源。

光刻设备包括图案形成装置(例如，掩模或掩模版)。通过图案形成装置提供辐射或从图案形成装置反射辐射，以在衬底上形成图像。图案形成装置可以被保持在真空环境中。在此真空环境中，可能会有污染物颗粒源，例如线缆或多个线缆和软管承载件，它们会产生污染物颗粒。如果这些污染物颗粒到达图案形成装置和/或图案形成装置附近的区域，则可能在所形成的图像中出现缺陷。

发明内容

在一些实施例中，用于光刻设备的物体平台包括能够移动的密封板，用于减少或消除可以到达被支撑的物体的污染物颗粒。

在一些实施例中，物体平台包括第一结构和相对于第一结构能够移动的第二结构。第二结构被配置为支撑物体。物体平台还包括能够移动地耦接到第一结构或第二结构、但不同时耦接到两者的密封板。并且所述物体平台包括至少一个致动器，其被配置成移动所述密封板，使得在所述密封板与所述第一结构或所述第二结构中未被耦接至所述密封板的一个之间限定一基本恒定的间隙。

在一些实施例中，被配置为将图案从图案形成装置转印到衬底上的光刻设备包括被配置为保持和沿扫描方向移动衬底的衬底台。光刻设备还包括掩模版平台，该掩模版平台被配置为保持和沿扫描方向移动掩模版。掩模版平台包括第一结构和可相对于第一结构移动的卡盘。卡盘配置成支撑掩模版。掩模版平台包括能够移动地耦接到第一结构或卡盘、但不同时耦接到两者的密封板。掩模版平台还包括至少一个致动器，其被配置成移动所述密封板，使得在所述密封板与所述第一结构或所述卡盘中未被耦接至所述密封板的一个之间限定一基本恒定的间隙。

附图说明

结合在本文中并构成说明书一部分的附图示出了本公开，并且与说明书一起进一步用于解释本公开的原理并使相关领域的技术人员能够做出并使用本发明。

图1A是根据一个实施例的反射性光刻设备的示意图。

图1B是根据一个实施例的透射性光刻设备的示意图。

图2是根据一个实施例的反射性光刻设备的更详细的示意图。

图3是根据一个实施例的光刻单元的示意图。

图4示意性地示出了根据一个实施例的物体平台的横截面。

图5示意性地描绘了根据一个实施例的图4的物体平台的另一横截面。

图6示意性地描绘了根据一个实施例的图4和图5的物体平台的另一横截面。

图7示意性地示出了根据一个实施例的物体平台的横截面。为了说明的目的，省略了真空泵。

图8示意性地描绘了根据一个实施例的图7的物体平台的另一横截面。为了说明的目的，省略了真空泵以及线缆和软管承载件。

图9示意性地示出了根据一个实施例的物体平台的横截面。为了说明的目的，省略了真空泵。

图10示意性地描绘了根据一个实施例的图9的物体平台的另一横截面。为了说明的目的，省略了真空泵以及线缆和软管承载件。

图11示意性地示出了根据一个实施例的物体平台的横截面。为了说明的目的，省略了真空泵。

图12示意性地描绘了根据一个实施例的图11的物体平台的另一横截面。为了说明的目的，省略了真空泵以及线缆和软管承载件。

从下面结合附图阐述的详细描述中，本公开的特征和优点将变得更加明显，在附图中，相似的附图标记始终标识相应的元件。在附图中，相似的附图标记通常表示相同、功能相似和/或结构相似的元件。除非另有说明，否则本公开全文中提供的附图不应解释为按比例绘制的附图。

具体实施方式

本说明书公开了结合了本公开的特征的一个或多个实施例。所公开的实施例仅示例了本公开。本公开的范围不限于所公开的实施例。本公开由所附权利要求书限定。

所描述的实施例以及说明书中对“一个实施例”、“实施例”、“示例性实施例”、“多个实施例”、“示例性的”、“例如”等的引用表示所描述的实施例可以包括特定的特征、结构或特性，但是每个实施例可以不必包括特定的特征、结构或特性。而且，这样的短语不一定指相同的实施例。此外，当关于一实施例描述特定的特征、结构或特性时，应理解，关于明确描述或未明确描述的其他实施例来实现这种特征、结构或特性是在本领域技术人员的知识范围内的。

然而，在更详细地描述这样的实施例之前，提供可在其中实现本公开的实施例的示例环境是有益的。

示例性反射和透射光刻系统

图1A和1B分别是可以实现本公开的实施例的光刻设备100和光刻设备100′的示意图。光刻设备100和光刻设备100′每一个包括：照射系统(照射器)IL，其被配置为调节辐射束B(例如，深紫外辐射或极紫外辐射)；支撑结构(例如，掩模版平台或掩模台)MT，被配置为支撑图案形成装置(例如，掩模、掩模版或动态图案形成装置)MA并且连接至被配置为精确地定位图案形成装置MA的第一定位器PM；以及衬底台(例如，晶片台)WT，其被配置为保持衬底(例如，涂覆有抗蚀剂的晶片)W并且被连接至被配置为精确地定位衬底W的第二定位器PW。光刻设备100和光刻设备100’还具有投影系统PS，该投影系统PS被配置为将通过图案形成装置MA赋予辐射束B的图案投射到衬底W的目标部分(例如，包括一个或多个管芯)C上。在光刻设备100中，图案形成装置MA和投影系统PS是反射型的。在光刻设备100′中，图案形成装置MA和投影系统PS是透射型的。

照射系统IL可以包括各种类型的光学部件，例如折射型、反射型、反射折射型、磁性型、电磁型、静电型或其它类型的光学部件、或其任意组合，以引导、成形、或控制辐射束B。

支撑结构MT以依赖于图案形成装置MA相对于参考框架的方向、光刻设备100和100′中的至少一个的设计以及其他条件(例如，图案形成装置MA是否保持在真空环境中)的方式保持图案形成装置MA。支撑结构MT可以采用机械的、真空的、静电的或其它夹持技术保持图案形成装置MA。所述支撑结构MT可以是框架或台，例如，其可以根据需要成为固定的或可移动的。通过使用传感器，支撑结构MT可以确保图案形成装置MA位于所需的位置上(例如相对于投影系统PS)。

术语“图案形成装置”MA应该被广义地理解为表示能够用于将图案在辐射束B的横截面上赋予辐射束、以便在衬底W的目标部分C上形成图案的任何装置。被赋予辐射束B的图案可以与在目标部分C上形成的器件中的特定的功能层相对应，以形成集成电路。

图案形成装置MA可以是透射的(如在图1B的光刻设备100′中那样)或反射的(如在图1A的光刻设备100中那样)。图案形成装置MA的示例包括掩模版、掩模、可编程反射镜阵列以及可编程液晶显示(LCD)面板。掩模在光刻术中是公知的，并且包括诸如二元掩模类型、交替型相移掩模类型、衰减型相移掩模类型和各种混合掩模类型之类的掩模类型。可编程反射镜阵列的示例采用小反射镜的矩阵布置，每一个小反射镜可以独立地倾斜，以便沿不同的方向反射入射的辐射束。倾斜的反射镜将图案赋予被小反射镜的矩阵反射的辐射束B中。

术语“投影系统”PS可以包括适合于所使用的曝光辐射或者其他因素(诸如在衬底W上使用浸没液体或使用真空)的任何类型的投影系统，包括折射型、反射型、反射折射型、磁性型、电磁型和静电型光学系统、或它们的任何组合。真空环境可用于EUV或电子束辐射，因为其他气体会吸收过多的辐射或电子。因此，借助于真空壁和真空泵可以向整个光路提供真空环境。

光刻设备100和/或光刻设备100′可以是具有两个(双平台)或更多衬底台WT(和/或两个或更多掩模台)的类型。在这种“多平台”机器中，可以并行地使用附加的衬底台WT，或可以在一个或更多个衬底台WT上执行预备步骤的同时，将一个或更多个其它衬底台WT用于曝光。在某些情况下，附加台可以不是衬底台WT。

参考图1A和1B，照射器IL从辐射源SO接收辐射束。源SO和光刻设备100、100′可以是分开的物理实体，例如，当源SO是准分子激光器时。在这种情况下，不将源SO看成是形成了光刻设备100或100’的一部分，且辐射束B借助于包括(例如)合适的定向反射镜和/或扩束器的束传递系统BD(图1B中)的帮助从源SO被传至照射器IL。在其他情况下，例如，当源SO是汞灯时，源SO可以是光刻设备100、100′的组成部分。如果需要的话，源SO和照射器IL以及束传递系统BD可以被称为辐射系统。

照射器IL可以包括用于调整所述辐射束的角强度分布的调整器AD(图1B中)。通常，可以对所述照射器的光瞳平面中的强度分布的至少所述外部和/或内部径向范围(一般分别称为σ-外部和σ-内部)进行调整。另外，照射器IL可以包括各种其他部件(在图1B中)，例如积分器IN和聚光器CO。可以将所述照射器IL用于调节所述辐射束，以在其横截面中具有所需的均匀性和强度分布。

如图1A所示，辐射束B入射到保持在支撑结构(例如，掩模版平台或掩模台)MT上的图案形成装置(例如，掩模)MA上，并由图案形成装置MA来形成图案。在光刻设备100中，辐射束B从图案形成装置(例如，掩模)MA反射。在从图案形成装置(例如，掩模)MA反射之后，辐射束B穿过投影系统PS，投影系统PS将辐射束B聚焦到衬底W的目标部分C上。借助于第二定位器PW及位置传感器IF(例如，干涉量测装置、线性编码器或电容传感器)，可精确地移动衬底台WT，例如，以将不同的目标部分C定位于辐射束B的路径中。类似地，第一定位器PM和另一个位置传感器IF1可以用于相对于辐射束B的路径精确地定位图案形成装置(例如，掩模)MA。图案形成装置(例如，掩模)MA和衬底W可以使用掩模对准标记M1、M2和衬底对准标记P1、P2对准。

如图1B所示，辐射束B入射到保持在支撑结构(例如，掩模版平台或掩模台)MT上的图案形成装置(例如，掩模)MA上，并由图案形成装置MA来形成图案。穿过掩模MA之后，辐射束B穿过投影系统PS，所述投影系统PS将辐射束聚焦到衬底W的目标部分C上。投影系统具有与照射系统光瞳IPU共轭的光瞳PPU。辐射的一部分从照射系统光瞳IPU处的强度分布发出，并穿过掩模图案而不受掩模图案处的衍射的影响，并在照射系统光瞳IPU处生成强度分布的图像。

借助于第二定位器PW及位置传感器IF(例如，干涉量测装置、线性编码器或电容传感器)，可精确地移动衬底台WT，例如，以将不同的目标部分C定位于辐射束B的路径中。类似地，第一定位器PM及另一位置传感器(其未在图1B中示出)可被用于(例如从掩模库的机械获取后或在扫描期间)相对于辐射束B的路径来精确地定位掩模MA。

通常，掩模版平台或掩模台MT的移动可以借助于长行程模块(粗定位)和短行程模块(精细定位)来实现，长行程模块和短行程模块构成第一定位器PM的一部分。类似地，可以使用长行程模块和短行程模块来实现衬底台WT的移动，所述长行程模块和短行程模块形成第二定位器PW的一部分。在步进器的情况下(与扫描器相反)，掩模版平台或掩模台MT可以仅连接至短行程致动器，或者可以是固定的。可以使用掩模对准标记Ml、M2及衬底对准标记P1、P2来对准掩模MA及衬底W。尽管(所图示的)衬底对准标记占据专用目标部分，但衬底对准标记可位于目标部分之间的空间中(这些衬底对准标记被称为划线对齐标记)。类似地，在多于一个管芯设置于掩模MA上的情形中，掩模对准标记可以位于管芯之间。

掩模版平台或掩模台MT和图案形成装置MA可以位于真空室中，其中真空内机械手IVR可用于将诸如掩模或掩模版的图案形成装置移入和移出真空室。可选地，当掩模版平台或掩模台MT和图案形成装置MA在真空室之外时，类似于真空内机械手IVR，真空外机械手可用于各种转移操作。真空内机械手和真空外机械手都需要进行校准，以将任何有效负载(例如掩模)平滑转移到转移站的固定运动支架上。

光刻设备100和100′可以用下方式中的至少一种使用：

1.在步进模式中，在将支撑结构(例如掩模版平台或掩模台)MT和衬底台WT保持为基本静止的同时，将赋予所述辐射束B的整个图案一次投影到目标部分C上(即，单一的静态曝光)。然后将所述衬底台WT沿X和/或Y方向移动，使得可以对不同目标部分C曝光。

2.在扫描模式中，在对支撑结构(例如掩模版平台或掩模台)MT和衬底台WT同步地进行扫描的同时，将赋予所述辐射束B的图案投影到目标部分C上(即，单一的动态曝光)。衬底台WT相对于支撑结构(例如掩模版平台或掩模台)MT的速度和方向可以通过所述投影系统PS的(缩小)放大率和图像反转特征来确定。

3.在另一模式中，将用于保持可编程图案形成装置的支撑结构(例如掩模版平台或掩模台)MT保持为基本静止，并且在对所述衬底台WT进行移动或扫描的同时，将赋予所述辐射束B的图案投影到目标部分C上。采用脉冲辐射源SO，并且在所述衬底台WT的每一次移动之后、或在扫描期间的连续辐射脉冲之间，根据需要更新所述可编程图案形成装置。这种操作模式可易于应用于利用可编程图案形成装置(例如，可编程反射镜阵列)的无掩模光刻术中。

也可以采用上述使用模式的组合和/或变体，或完全不同的使用模式。

在另一个实施例中，光刻设备100包括极紫外(EUV)源，其被配置为产生用于EUV光刻的EUV辐射束。通常，EUV源被配置在辐射系统中，并且相应的照射系统被配置成调节EUV源的EUV辐射束。

图2更详细地示出了光刻设备100，其包括源收集器设备SO、照射系统IL和投影系统PS。源收集器设备SO被构造和布置成使得真空环境可以被保持在源收集器设备SO的封闭结构220中。发射EUV辐射的等离子体210可以由放电产生等离子体源形成。EUV辐射可以由气体或蒸气产生，例如氙气、锂蒸气或锡蒸气，其中产生非常热的等离子体210以发射电磁光谱的EUV范围内的辐射。非常热的等离子体210例如通过放电产生，该放电引起至少部分地电离的等离子体。为了有效地产生辐射，可能需要例如10Pa的Xe、Li、Sn蒸气或任何其他合适的气体或蒸气的分压。在一个实施例中，提供激发锡(Sn)的等离子体以产生EUV辐射。

由热等离子体210发射的辐射通过位于源室211中的开口中或后面的可选气体屏障或污染物阱230(在某些情况下也称为污染物屏障或翼片阱)从源室211进入收集器室212。污染物阱230可包括通道结构。污染物阱230还可包括气体屏障或气体屏障与通道结构的组合。如本领域中已知的，本文进一步指出的污染物阱或污染物屏障230至少包括通道结构。

收集器室212可以包括辐射收集器CO，其可以是所谓的掠入射入射收集器。辐射收集器CO具有上游辐射收集器侧251和下游辐射收集器侧252。穿过收集器CO的辐射可以从光栅光谱滤光器240反射出来，以聚焦在虚拟源点IF上。虚拟源点IF通常被称为中间焦点，并且源收集器设备被布置成使得中间焦点IF位于封闭结构220中的开口219处或附近。虚拟源点IF是发射辐射的等离子体210的图像。光栅光谱滤光器240尤其用于抑制红外(IR)辐射。

随后，辐射穿过照射系统IL，该照射系统IL可以包括琢面场镜装置222和琢面光瞳镜装置224，该琢面场镜装置222和琢面光瞳镜装置224被布置为在图案形成装置MA处提供辐射束221的期望角度分布以及在图案形成装置MA处提供辐射强度的期望的均匀性。当辐射束221在由支撑结构MT保持的图案形成装置MA处反射时，形成图案化束226，并且图案化束226被投影系统PS经由反射元件228、230成像到由晶片平台或衬底台WT保持的衬底W上。

在照射光学单元IL和投影系统PS中通常可以存在比所示的更多的元件。取决于光刻设备的类型，可以可选地存在光栅光谱滤光器240。此外，可能存在比图中所示的更多的反射镜，例如，与图2所示相比，在投影系统PS中可能存在1-6个附加的反射元件。

如图2中所示，收集器光学元件CO被描绘为具有掠入射反射器253、254和255的嵌套收集器，仅作为收集器(或收集器反射镜)的示例。掠入射反射器253、254和255围绕光轴O轴向对称地布置，并且这种类型的收集器光学元件CO优选与由放电产生的等离子体源(通常称为DPP源)结合使用。

光刻设备

图3示出光刻单元300，有时也称为光刻元或光刻簇。光刻设备100或100′可以形成光刻单元300的一部分。光刻单元300还可以包括在衬底上执行曝光前和曝光后处理的设备。常规地，这些设备包括：用于沉积抗蚀剂层的旋涂机SC、用于显影曝光后的抗蚀剂的显影剂DE、激冷板CH和焙烤板BK。衬底处理器或机器人RO从输入/输出端口I/O1、I/O2拾取衬底，在不同的处理设备之间移动衬底，然后将其传送到光刻设备的装载台LB。这些装置通常统称为轨道，并且由轨道控制单元TCU控制，该轨道控制单元TCU本身由管理控制系统SCS控制，该管理控制系统SCS也通过光刻术控制单元LACU来控制光刻设备。因此，可以操作不同的设备以最大化生产量和处理效率。

示例性物体平台

本公开的实施例可以与图1A、图1B、图2和/或图3的一个或多个设备一起使用。例如，本公开的实施例可以应用于被配置为支撑诸如衬底W和图案形成装置MA之类的物体的物体平台，诸如(a)掩模版平台或掩模台MT或(b)衬底台WT。

图4以截面图示意性地示出了物体平台400的一个实施例。在一些实施例中，物体平台400可以是掩模版平台，其被配置为支撑并移动图案形成装置402。尽管以下关于掩模版平台讨论了一些实施例，但是这些实施例可以应用于光刻设备(例如，本公开中描述的光刻设备100和100′)的其他合适的部件(例如，衬底台WT、晶片平台、晶片处理器、掩模版处理器或对颗粒污染物敏感的其他部件)，或其他颗粒敏感的设备，例如计量系统、管、气流导管或气体导管/管线盒。本公开的实施例还可以应用于任何颗粒敏感设备以减少不希望的污染物颗粒的数量。

掩模版平台400可以被配置为消除或减少从第二腔室406到达第一腔室404中的图案形成装置402和/或图案形成装置402附近的区域的污染物颗粒的数量。

例如，如图4所示，掩模版平台400可包括能够相对于彼此移动的第一结构408和第二结构410。在一些实施例中，第一结构408是固定的，而第二结构410是可移动的。在一些实施例中，第一结构408是可移动的，而第二结构410是固定的。并且在一些实施例中，第一结构408和第二结构和410根据需要都是可移动的或固定的。

第一结构408和第二结构和410可以定位在壳体412内。在一些实施例中，如图4所示，第一结构408与第二结构和410分离。在一些实施例(未示出)中，第一结构408是壳体412的一部分。壳体412可限定保持在真空压力(低于大气压的压力)下的体积。在一些实施例中，壳体401包括开口413，开口413被配置为允许辐射从照射系统(例如，如图1A和图1B所示的照射系统IL)传播至图案形成装置412并返回至投影系统(例如，图1A和1B所示的投影系统PS)。在壳体412内，第一结构408和第二结构410中的一个或多个可至少部分地限定至少第一腔室404和第二腔室406。在一些实施例中，壳体401可包括两个以上的真空腔室。在一些实施例中，第一结构408和第二结构410彼此可移动地耦接(例如，使用磁悬浮)，使得在第一结构408和第二结构410之间形成间隙414。在一些实施例中，间隙414在第一腔室404和第二腔室406之间延伸。在一些实施例中，第一腔室404和第二腔室406之间的边界由间隙414限定。

根据一些实施例，第一腔室404和第二腔室406中的每一个可以被保持在真空压力(低于大气压的压力)下。例如，真空压力可以在约0.1Pa至约8.5Pa的范围内。在一些示例中，真空压力可以在约0.5Pa至约8.5Pa的范围内。例如，真空压力可以在约1.5Pa至约8.5Pa的范围内。在一些示例中，真空压力可以在约2Pa至约5Pa的范围内。在一些示例中，真空压力可以在约2Pa至约3Pa的范围内。在一些实施例中，第一腔室404中的压力P404可以与第二腔室406中的压力P406相似或不同。例如，第一腔室404中的压力P404可以大于第二腔室406中的压力P406。例如，第二腔室406中的压力P406可在约0.25Pa至约1Pa的范围内，并且第一腔室404中的压力P404可在约2Pa至约3Pa的范围内。

在一些实施例中，第二腔室406、第一结构408和第二结构410可以包括或容纳作为污染物颗粒源的源的部件。例如，线缆和软管承载件419(有时称为线缆板)位于第二腔室406内。线缆和软管承载件419可以被配置成滚动环构造，并且线缆和软管承载件419可以容纳电线和/或流体软管(例如，液体和气体软管)，电线和/或流体软管将第二结构410电耦接和/或流体耦接到第一结构408。线缆和软管承载件419可具有用于容纳和/或支撑线缆和/或软管的任何合适的构造。在一些实施例中，线缆和软管承载件可以是不分段的、没有机械铰链，或者可以是通过机械铰链分段的。线缆和软管承载件419可以是污染物颗粒的源。当第二结构410移动以定位图案形成装置402时，线缆和软管承载件419也是如此。线缆和软管承载件419的运动可能会产生污染物颗粒，这些污染物颗粒可能会通过间隙414从第二腔室406行进到第一腔室404。

在一些实施例中，间隙414可以被配置实现密封的功能，其消除或减少从第二腔室406到达图案形成装置402和/或第一腔室404中的图案形成装置402附近的区域的污染物颗粒的量。例如，间隙414可以具有大约2.0mm的高度416((a)第一结构408的面对第二结构410的表面418和(b)第二结构410的面对第一结构408的表面420之间的距离)以用于应对致动器错误、设计间隙、碰撞变形、倾斜引起的下垂以及制造公差。在一些实施例中，第一结构408的表面418与第二结构410的表面420相邻的间隙414可具有长度422。例如，间隙414的长度422可以为大约50-350mm。例如，间隙414的长度422可以为大约70-320mm。例如，间隙414的长度422可以为大约75-315mm。然而，应注意，这些是示例性尺寸，并且本公开的实施例不限于这些示例。移动通过间隙414的污染物颗粒在表面418和422之间碰撞反弹。这种碰撞反弹导致颗粒损失能量和速度，由此允许颗粒粘附到表面418和422，或者减慢到允许气体从间隙414流向腔室406(例如，由于腔室404和406中的压力差)以将颗粒推向腔室406的量。因此，间隙414用作密封件，以消除或减少到达图案形成装置402和/或第一腔室404中的图案形成装置402附近的区域的来自第二腔室406的污染物颗粒的量。

在一些实施例中，长度422(其可以对应于表面420的长度)加上第二结构410在扫描方向(例如，沿着图4中的Y轴)上的运动范围小于表面418的长度423。这样，在第二结构410在扫描方向运动中的正常运动期间维持由间隙414形成的密封。

在一些实施例中，第二结构410的表面420可以从第二结构410向内(例如，朝向第二腔室406)或向外(例如，远离第二腔室406)延伸和/或突出。

在一些实施例中，密封可以全部或部分地围绕第二腔室406的周边延伸。密封沿扫描方向(例如，Y轴)和沿扫描方向的横向的的方向(例如，X轴)可以具有相似或不同的长度。在非限制性示例中，密封沿着扫描方向(例如，Y轴)的长度可以比沿着扫描方向的横向(例如，X轴)的方向的长度更长。

在一些实施例中，第一结构408和第二结构410均由金属制成，例如，不锈钢、镀镍的铝或任何其他合适的金属。在一些实施例中，第一结构408和第二结构410均由塑料或任何其他合适的材料制成。第一结构408和第二结构410可以包括相同或不同的材料。

在一些实施例中，图案形成装置402被安装到第二结构410，使得第二结构410可以在第一腔室404内移动图案形成装置402。根据一些实施例，第二结构410可以使图案形成装置402沿扫描方向(例如，沿着图4中的Y轴)和扫描方向的横向的方向(例如，图4中的X轴)移动。

在一些实施例中，第二结构410包括第一部分424和可相对于第一部分424移动的第二部分426。在一些实施例中，图案形成装置402可以安装到第二部分426。在一些实施例中，第二部分426可以是被配置为支撑并移动图案形成装置402的卡盘。

根据一些实施例，第二部分426可以是支持图案形成装置402的掩模版平台400的短行程模块(精细定位)。第二部分426可以耦接到第一部分424，使得第二部分426可以相对于第一部分424移动，但也由第一部分424驱动。在非限制性示例中，第二部分426通过一个或多个致动器(未示出)(例如马达)耦接到第一部分424，该致动器被配置为相对于第一部分424移动第二部分426。在一些实施例中，第二部分426可沿扫描方向(例如，图4中的Y轴)和扫描方向的横向方向(例如，图4中的X轴)移动。根据一些实施例，第一部分424可以是掩模版平台400的长行程模块(粗定位)，其被配置为相对于第一结构408移动，从而移动第二部分426和图案形成装置402。

在一些实施例中，第一部分424可沿扫描方向(例如，图4中的Y轴)和扫描方向的横向的方向(例如，图4中的X轴)移动。根据一些示例，第二部分426可以相对于第一部分424在一运动范围内运动，该运动范围相比于第一部分424相对于第一结构408的运动范围而言较小。短行程和长行程模块分别仅是部分424和部分426的示例，其他结构也可以用作部分424和部分426。此外，以上讨论的部分424和部分426的运动是示例性运动，并且本公开的实施例可以包括其他方向和运动范围。

同样，第二腔室406可以至少部分地由固定的第一结构408和可移动的第二结构410限定。如图4所示，固定的第一结构408还可以限定开口428，一个或多个线缆和软管承载件419穿过该开口428。根据一些示例，被配置为产生负压的泵430，例如抽吸泵、真空泵等，可以被操作地耦接到第二腔室406(例如，在第一结构408的上部)以在第二腔室406和第一腔室404中产生真空压力。泵430产生的流也可从第二腔室406中抽出颗粒。在一些示例中，泵430可以位于壳体412的外部，并且通过导管432操作地耦接至第二腔室406。附加地或替代地，泵430可以在壳体412内并且操作地耦接至第二腔室406。根据一些示例，线缆和软管承载件419可以包括耦接至泵430的一个或多个软管。

尽管泵430被图示为在壳体412的远离开口428的一侧上，但是在一些实施例中，泵430可以定位在其他位置，例如，在开口428附近和/或颗粒污染源附近。在泵430位于开口428附近和/或颗粒污染源附近的一些实施例中，离开腔室404的气流速度被最大化。

图5示意性地示出了根据一个实施例的掩模版平台400的另一横截面，其中出于说明目的省略了各种部件。如图5所示，掩模版平台400还可以包括一个或多个止挡件436，该止挡件436被配置为约束第二结构410相对于第一结构408例如沿着Z轴的运动。尽管在图5中仅示出了一个止挡件436，但掩模版平台400可以包括一个以上的止挡件436。例如，掩模版平台400可在掩模版平台400的每一侧上包括至少一个止挡件436。在一些实施例中，止挡件436固定地耦接至第一结构408，并且向下朝向第二结构410延伸。止挡件436的远端可包括在平行于x轴的方向上延伸的凸缘438。凸缘438被配置为可滑动地容纳在由第二结构410限定的通道440内。如图5所示，通道440的主轴线沿扫描方向(例如，Y轴)延伸。由于制造公差和各种设计要求，通道440的尺寸大于凸缘438的尺寸。通道440和凸缘438之间的这些尺寸差异允许第二结构410相对于第一结构408和止挡件436在除了扫描方向(例如，Y轴)和扫描方向的横向的方向(例如，X轴)之外的方向上移动。例如，相对于第一结构408，第二结构410可在平行于Z轴的方向上平移、绕X轴旋转、和绕Y轴旋转，直到凸缘438接触第二结构410的限定通道440的表面，凸缘438限制了第二结构410的进一步移动。例如在紧急事件期间，例如，当使第二结构410的第一部分424相对于第一结构408运动的致动器发生电源故障时，可以发生这种在除扫描方向和扫描方向的横向的方向之外的方向上运动。

如图6所示，在紧急事件期间，第二结构410可以绕X轴旋转，直到凸缘438接触第二结构410的通道限定表面。由于该旋转，相比于当第二结构410基本在第一结构408水平时(如图5所示)间隙414的高度416，在掩模版平台400的一侧上间隙414的高度416(如图6所示)增加。例如，当在紧急事件期间绕X轴(或Y轴)旋转时，间隙414的高度416可以超过例如2.0mm。间隙414的高度416的这种增加可以允许更多的污染物颗粒通过间隙414，因为可以通过间隙414的颗粒的数量与高度416成线性比例。

具有密封板的示例性物体平台

共同参考图7-图12的实施例，在一些实施例中，掩模版平台400还可包括密封板442，该密封板442配置成移动以使得在第一腔室404和第二腔室406之间延伸的间隙414保持基本恒定(即，间隙414的尺寸，例如间隙高度416，保持基本恒定)，而无论第二结构410相对于第一结构408的位置如何。密封板442可以可移动地耦接至第一结构408或第二结构410。在一些实施例中，密封板442可包括面向第一结构408或第二结构410中的并未可移动地耦接至密封板442一个的表面443。在一些实施例中，表面443可与第一结构408的表面418或第二结构410的表面420中未连接至密封板442的相应一个一起限定间隙414。因此，密封板442(和表面443)可以随着第二结构410相对于第一结构408移动而移动，使得在第一腔室404和第二腔室406之间延伸的间隙414保持基本恒定。例如，参考图8，当第二结构410例如绕X轴旋转时，密封板442绕X轴旋转，使得间隙414保持基本恒定，即间隙414的间隙高度416保持基本恒定。例如，如图7所示的间隙高度416基本等于图8的间隙高度416，尽管第二结构410相对于第一结构408的取向发生了变化。

在一些实施例中，相对于没有密封板442的掩模版平台400的间隙414的间隙高度416(如图4-6所示)，具有密封板442的掩模版平台400的间隙414的间隙高度416可以减小。例如，在一些实施例中，具有密封板442的掩模版平台400的间隙高度416在大约50μm至大约500μm的范围内，例如，大约200μm。相反，例如，没有密封板442的掩模版平台400的间隙高度416通常约为2000μm。间隙高度416的减小有助于进一步抑制可通过间隙414从第二腔室406到达第一腔室404的污染物颗粒的数量，因为作为间隙几何形状的函数的可通过间隙414的颗粒数量是与高度416成线性比例的。在其他实施例中，具有密封板442的掩模版平台400的间隙414的间隙高度416可以在约50μm至约500μm的范围之外。

在一些实施例中，密封板442可以由不锈钢、镀镍的铝、任何其他合适的金属或其任何其他组合制成。例如，密封板442可包括不锈钢箔，该不锈钢箔由围绕不锈钢箔的外周的镀镍铝框架支撑。在一些实施例中，密封板442的质量实质上小于第二结构410的质量，从而在相同的控制频率带宽下比第二结构410提供对密封板442的更好的控制。例如，在一些实施例中，密封板442的质量小于大约10kg，并且第二结构410的质量为大约100kg。

在一些实施例中，一个或多个控制器操作地耦接(无线地或通过有线连接)到监测第二结构410相对于第一结构408的位置的一个或多个传感器(例如，以上参照图1A描述的位置传感器IF1或IF2)和一个或多个致动器446。基于从一个或多个位置传感器接收到的信号，一个或多个控制器可以调节传输到一个或多个致动器446的控制信号-控制器可以基于所确定的第二结构的位置来控制致动器446的致动。

在一些实施例中，传输的控制信号可以是第二结构410的测量的位置的函数，并且控制信号可以指示移动密封板442以使得间隙414保持基本恒定的致动器446的期望参数(例如，长度、位置、形状、或力大小)。

在一些实施例中，密封板442限定开口448，以允许部件例如经过线缆架419从第一结构408到达第二结构410。开口448可以沿着Z轴与由第一结构408限定的开口428对准。

图7和图8示出了具有密封板442的掩模版平台400的一个实施例。如图7所示，在一些实施例中，密封板442能够移动地耦接至第一结构408。在一些实施例中，密封板442可以以以下自由度中的一个或多个运动：沿着Z轴的平移、绕X轴的旋转、以及绕Y轴的旋转。密封板442包括面向第二结构410的表面443，从而与第二结构410的表面420一起限定间隙414。

在一些实施例中，密封板442在扫描方向(例如，沿着图7中的Y轴)上比第二结构410的第一部分424长，以用于第二结构410在常规扫描操作期间的力矩。因此，在常规扫描操作期间，不管第一结构410和密封板442之间的相对位置如何，在表面443和表面418之间形成间隙414。

在一些实施例中，掩模版平台400包括柔性壁444，其在密封板442(例如，如图7所示围绕密封板442的周围)和第一结构408之间延伸以形成柔性气密密封。在一些实施例中，柔性壁444可以是波纹管。当在平面图中观察时，在一些实施例中，柔性壁444可以完全围绕密封板442(例如，整个地围绕密封板442的周围)延伸。在其他实施例中，柔性壁444围绕密封板442的一部分延伸。柔性壁444可以在以下一个或多个自由度中是柔性的：沿着Z轴、绕X轴和绕Y轴。这种柔性允许密封板442相对于第一结构408的相应运动。

掩模版平台400可以包括一个或多个致动器446，其被配置为移动密封板442。在一些实施例中，掩模版平台400包括多个致动器446，每个致动器446在一端耦接到第一结构408、在另一端耦接到密封板442。致动器446可以是例如压电致动器、洛伦兹致动器、磁致动器、形状记忆合金致动器或任何其他合适的致动器。在一些实施例中，致动器446被配置为使密封板442沿着以下一个或多个自由度移动：沿着Z轴的平移、绕X轴的旋转以及绕Y轴的旋转。

例如，如图8所示，一个或多个控制器可以(通过一个或多个位置传感器)检测第二结构410绕X轴的逆时针旋转并将控制信号传输至致动器446以移动密封板442，使得密封板442同样围绕X轴相对于第一结构408逆时针旋转，从而使间隙414保持基本恒定。例如，间隙高度416在第二结构410绕X轴旋转之前(例如，图7)基本上等于旋转之后的间隙高度416(例如，图8)。为了实现这种旋转，例如，在图8的左侧上的致动器446可以增加长度，同时图8右侧的致动器446可以减小长度，从而使密封板442相对于第一结构408绕X轴旋转。尽管第二结构410相对于第一结构408旋转，但密封板442的表面443与第二结构410的表面420之间基本上没有相对旋转。

尽管在图7和图8的实施例中，致动器446被耦接到第一结构408，但在一些实施例(未示出)中，致动器446可以设置在第二结构410上。例如，致动器446可以是设置在第二结构410上的洛伦兹力致动器或压电致动器，其被配置为移动耦接至第一结构408的密封板442。

图9和10示出了具有密封板442的掩模版平台400的另一实施例。如图9和图10所述，在一些实施例中，密封板442可移动地耦接至第二结构410。在一些实施例中，密封板442可以以下自由度中的一个或多个运动：沿着Z轴的平移；绕X轴的旋转；以及绕Y轴的旋转。密封板442的表面443面对第一结构408，从而与第一结构408的表面418一起限定间隙414。

如图9和10所示，柔性壁444在密封板442(例如，如图9和图10所示围绕密封板442的周围)和第二结构410之间延伸，以形成柔性气密密封。当在平面图中观察时，在一些实施例中，柔性壁444可以完全围绕密封板442(例如，整个地围绕密封板442的周围)延伸。在其他实施例中，柔性壁444围绕密封板442的一部分延伸。柔性壁444可以在以下一个或多个自由度中是柔性的：沿着Z轴、绕X轴和绕Y轴。这种柔性允许密封板442相对于第一结构408的相应运动。

如图9和图10所示，掩模版平台400可以包括多个致动器446，每个致动器446在一端耦接到第二结构410、在另一端耦接到密封板442。在一些实施例中，致动器446被配置为使密封板442沿着以下一个或多个自由度移动：沿着Z轴的平移、绕X轴的旋转以及绕Y轴的旋转。尽管在图9和图10的实施例中，致动器446被耦接到第二结构410，但在一些实施例(未示出)中，致动器446可以设置在第一结构408上。

例如，如图10所示，一个或多个控制器可以(通过一个或多个位置传感器)检测运动(诸如第二结构410绕X轴的逆时针旋转)并将控制信号传输至致动器446以移动密封板442，使得密封板442绕X轴相对于第二结构410顺时针旋转(与第二结构410的旋转相反)，从而使间隙414保持基本恒定。例如，第二结构410绕X轴旋转之前的间隙高度416(例如，图9)基本上等于绕X轴旋转之后的间隙高度416(例如，图10)。为了实现这种旋转，例如，在图10的左侧上的致动器446增加长度、同时图10右侧的致动器446减小长度，从而使密封板442相对于第二结构410绕X轴旋转。尽管第二结构410相对于第一结构408旋转，但密封板442的表面443与第一结构408的表面418之间基本上没有相对旋转。

在一些实施例中，密封板442可以被分段，图11和12示出了一个这样的实施例。如图11和图12所示，密封板442可包括多个部段450A、450B、450C和450D，以及连接相邻部段450A、450B、450C和450D的柔性接头452。接头452允许每个部段450A、450B、450C和450D在以下一个或多个自由度中基本上独立于相邻部段移动：沿着Z轴的平移、绕X轴的旋转以及绕Y轴的旋转。例如如图12所示，部段450A可绕X轴独立旋转，同时其他部段450B、450C和450D保持基本静止。

掩模版平台400包括用于每个部段450A、450B、450C和450D的一个或多个致动器446，其被配置为以如下一个或多个自由度移动各个部段450A、450B、450C和450D：沿着Z轴的平移、绕X轴的旋转以及绕Y轴的旋转。例如如图11和12所示，掩模版平台400可包括多个致动器446，其被配置为移动相应的部段450A、450B、450C和450D。如图11和12所示，致动器446在一端耦接到第一结构408、在另一端耦接到相应的部段450A、450B、450C和450D。

在一些实施例中，一个或多个控制器可以(通过一个或多个位置传感器)检测第二结构410相对于第一结构408的运动，例如在紧急事件期间，并且将控制信号传输到致动器446以独立地或共同地移动部段450A、450B、450C和450D，使得每个部段450A、450B、450C和450D以保持间隙414基本恒定的方式移动。例如，第二结构410相对于第一结构408移动之前的间隙高度416A和416D(第二结构410的表面420与部段450A和450D的相应表面443A和443D之间的距离)基本上等于该运动之后的间隙高度416A和416D。

参考例如图12，一个或多个控制器可以(通过一个或多个位置传感器)检测在紧急事件期间的第二结构410的局部变形(例如，图12中的第二结构410的左侧绕X轴的逆时针局部旋转)，并将控制信号传输到致动器446，该致动器446被配置为移动与第二结构410的局部变形相邻的部段450A，从而移动部段450A以使得部段450A同样相对于第一结构408绕X轴逆时针旋转，从而使间隙414保持基本恒定。例如，第二结构410局部地绕X轴旋转之前的间隙高度416A(例如，图11)基本上等于绕X轴旋转之后的间隙高度416A(例如，图12)。为了实现这种旋转，例如，图12中部段450A的左侧上的致动器446可以增加长度、同时部段450A的右侧上的致动器446可以减小长度，从而使部段450A相对于第一结构408绕X轴旋转。尽管第二结构410相对于第一结构408局部旋转，但部段450A的表面443A与第二结构410的表面420之间基本上没有相对旋转。

分段的密封板442可以减小移动密封板442所需的致动器446的力的量，并且可以增加可以精确控制密封板442的频率带宽。

虽然图11和图12示出了能够移动地耦接至第一结构408的分段密封板442，但分段密封板442也可类似于图9和10图的实施例中的密封板442地能够移动地耦接至第二结构410。

可以使用以下方面进一步描述实施例：

1.一种物体平台，包括：

第一结构；

第二结构，相对于所述第一结构能够移动并被配置为支撑物体；

密封板，能够移动地耦接至所述第一结构或所述第二结构，但不同时耦接至两者；和

至少一个致动器，被配置成移动所述密封板，使得在所述密封板与所述第一结构或所述第二结构中未被耦接至所述密封板的一个之间限定一基本恒定的间隙。

2.根据方面1所述的物体平台，其中：

所述第一结构和所述第二结构限定第一腔室；

所述物体位于第二腔室内；和

所述间隙在所述第一腔室和所述第二腔室之间延伸。

3.根据方面2所述的物体平台，其中，所述第一腔室和所述第二腔室每一个处于真空压力下。

4.根据方面1所述的物体平台，其中，所述密封板能够移动地耦接至所述第一结构。

5.根据方面1所述的物体平台，其中，所述密封板能够移动地耦接至所述第二结构。

6.根据方面1所述的物体平台，还包括柔性壁，所述柔性壁在(a)所述密封板与(b)所述第一结构或所述第二结构中被耦接至所述密封板的一个之间形成气密密封。

7.根据方面1所述的物体平台，其中，所述至少一个致动器包括压电致动器、洛伦兹致动器、磁致动器和形状记忆合金致动器中的至少一种。

8.根据方面1所述的物体平台，其中：

所述第二结构是掩模版卡盘；和

所述物体是掩模版。

9.根据方面1所述的物体平台，还包括：

至少一个传感器，被配置为确定所述第二结构的位置；和

控制器，所述控制器操作地耦接到所述至少一个传感器和所述至少一个致动器，并且被配置为基于所确定的所述第二结构的位置来控制所述至少一个致动器的致动。

10.根据方面1所述的物体平台，其中：

所述密封板包括多个部段和多个柔性接头，每个柔性接头耦接相应的相邻部段；和

所述至少一个致动器包括多个致动器，每个致动器耦接到所述多个部段中的相应部段。

11.一种光刻设备，所述光刻设备被配置为将图案从图案形成装置转印到衬底上，所述光刻设备包括：

衬底台，所述衬底台被配置成保持和沿扫描方向移动所述衬底；和

掩模版平台，所述掩模版平台被配置为保持和沿所述扫描方向移动掩模版，所述掩模版平台包括：

第一结构；

卡盘，所述卡盘相对于所述第一结构能够移动并被配置为支撑所述掩模版；

密封板，所述密封板能够移动地耦接至所述第一结构或所述卡盘，但不同时耦接至两者；和

至少一个致动器，被配置成移动所述密封板，使得在所述密封板与所述第一结构或所述卡盘中未被耦接至所述密封板的一个之间限定一基本恒定的间隙。

12.根据方面11所述的光刻设备，其中：

所述第一结构和所述卡盘限定第一腔室；

所述掩模版位于第二腔室内；和

所述间隙在所述第一腔室和所述第二腔室之间延伸。

13.根据方面112所述的光刻设备，其中，所述第一腔室和所述第二腔室均处于真空压力下。

14.根据方面11所述的光刻设备，其中，所述密封板能够移动地耦接至所述第一结构。

15.根据方面11所述的光刻设备，其中，所述密封板能够移动地耦接至所述卡盘。

16.根据方面11所述的光刻设备，还包括柔性壁，所述柔性壁在(a)所述密封板与(b)所述第一结构或所述卡盘中被耦接至所述密封板的一个之间形成气密密封。

17.根据方面11所述的光刻设备，其中，所述至少一个致动器包括压电致动器、洛伦兹致动器、磁致动器和形状记忆合金致动器中的至少一种。

18.根据方面11所述的光刻设备，其中，所述密封板和所述卡盘中的每一个被配置为绕垂直于所述扫描方向的轴线旋转。

19.根据方面11所述的光刻设备，还包括：

至少一个传感器，被配置为确定所述卡盘的位置；和

控制器，所述控制器操作地耦接到所述至少一个传感器和所述至少一个致动器，并且被配置为基于所确定的所述卡盘的位置来控制所述至少一个致动器的致动。

20.根据方面11所述的光刻设备，其中：

所述密封板包括多个部段和多个柔性接头，每个柔性接头耦接相应的相邻部段；和

所述至少一个致动器包括多个致动器，每个致动器耦接到所述多个部段中的相应部段。

本公开的实施例可以用于例如掩模版平台中的颗粒抑制。本公开的实施例还可以用于在光刻设备的其他合适的部件、其他颗粒敏感设备(诸如量测系统的、管道、气流管道或气体管道/管线箱)和/或任何颗粒敏感设备中的颗粒抑制，以减少不希望的污染物颗粒的数量。

尽管在本文中可以具体参考光刻设备在IC制造中的使用，但是应该理解，本文描述的光刻设备可以具有其他应用，例如集成光学系统的制造、用于磁畴存储器的引导和探测图案、平板显示器、液晶显示器(LCD)、薄膜磁头等。本领域技术人员将理解，在这种可替代应用的上下文中，术语“晶片”或“管芯”在此处的任何使用可以分别被认为与更一般的术语“衬底”或“目标部分”同义。这里提到的衬底可以在曝光之前或之后在例如轨道(通常将抗蚀剂层施加到衬底并使曝光的抗蚀剂显影的工具)、量测工具和/或检查工具中进行处理。在适用的情况下，本文的公开内容可以被应用于这种和其他衬底处理工具。此外，衬底可以被处理一次以上，例如以便产生多层IC，使得这里使用的术语衬底也可以指已经包含多个处理过的层的衬底。

尽管上文已经对本公开的实施例在光学光刻术中的情形中使用做出了具体参考，但应该理解的是，本公开可以用于其它应用，例如压印光刻术，并且在上下文允许的情况下不限于光学光刻术。在压印光刻术中，图案形成装置中的拓扑限定了在衬底上产生的图案。图案形成装置的拓扑可以被印制到提供给衬底的抗蚀剂层中，通过施加电磁辐射、热、压力或它们的组合而使抗蚀剂固化。将图案形成装置从抗蚀剂中移出，从而在抗蚀剂固化后留下图案。

应理解，本文中的措辞或术语是出于说明的目的而非限制性的目的，使得本说明书的术语或措辞将由本领域技术人员根据本文的教导来解释。

此外，本文使用的术语“辐射”和“束”涵盖所有类型的电磁辐射，包括紫外线(UV)辐射(例如，具有365、248、193、157或126nm的波长λ)、极紫外线(EUV或软X射线)辐射(例如，波长在5-20nm之间，例如13.5nm)、或工作在小于5nm的硬X射线、以及粒子束，例如离子束或电子束。通常，波长在大约400至大约700nm之间的辐射被认为是可见辐射。波长在大约780-3000nm(或更大)之间的辐射被认为是IR辐射。UV是指波长约为100-400nm的辐射。在光刻术中，术语“UV”也适用于汞放电灯可能产生的波长：G-线436nm；H线405nm；和/或I线365nm。真空UV或VUV(即被气体吸收的UV)是指波长约为100-200nm的辐射。深紫外线(DUV)通常是指波长范围为126nm至428nm的辐射，在一个实施例中，准分子激光器可以产生在光刻设备内使用的DUV辐射。应当理解，具有例如在5-20nm范围内的波长的辐射与具有一定波长带的辐射有关，该波长带的至少一部分在5-20nm的范围内。

如本文所用的术语“衬底”通常描述了其上添加了后续材料层的材料。在实施例中，衬底本身可以被图案化并且添加在其顶部上的材料也可以被图案化，或者可以保留而没有图案化。

应当理解，本文所使用的一个或多个特定特征、结构或特性之间的相对空间描述仅是出于说明的目的，并且本文所描述的结构的实际实现可以包括不对准公差，而不背离本公开的精神和范围。

虽然上面已经描述了本公开的特定实施例，但是应该理解，本公开可以不同于所描述的方式实施。该描述不是为了限制本公开。

应当理解，旨在用于解释权利要求的是“具体实施方式”部分，而不是“发明内容”和“摘要”部分。发明内容部分和摘要部分可以阐述发明人所设想的本公开的一个或多个但不是全部示例性实施例，因此，发明内容部分和摘要部分不旨在以任何方式限制本公开和所附权利要求。

上面已经借助于示出特定功能及其关系的实现的功能构造块描述了本公开。为了描述的方便，在这里已经任意定义了这些功能构件的边界。只要适当执行指定的功能及其关系，就可以定义其他边界。

具体实施方式的前述描述将如此充分地揭示本公开的一般性质，通过应用本领域技术范围内的知识，其他人可以为了各种应用容易地修改和/或适应这样的特定实施方案，而无需过多的实验，而不脱离本公开的一般概念。因此，基于本文给出的教导和指导，这些改变和修改旨在落入所公开实施例的等同物的含义和范围内。

本公开的广度和范围不应受任一上述的示例性实施例限制，而应仅由下述的权利要求书及其等同方案来限定。

Claims (20)

1.一种物体平台，包括：

第一结构；

第二结构，所述第二结构相对于所述第一结构能够移动并被配置为支撑物体；

密封板，所述密封板能够移动地耦接至所述第一结构或所述第二结构，但不同时耦接至两者；和

至少一个致动器，所述至少一个致动器被配置成使所述密封板运动，使得在所述密封板与所述第一结构或所述第二结构中未被耦接至所述密封板的一个之间限定一基本恒定的间隙。

2.根据权利要求1所述的物体平台，其中：

所述第一结构和所述第二结构限定第一腔室；

所述物体位于第二腔室内；和

所述间隙在所述第一腔室和所述第二腔室之间延伸。

3.根据权利要求2所述的物体平台，其中，所述第一腔室和所述第二腔室每一个处于真空压力下。

4.根据权利要求1所述的物体平台，其中，所述密封板能够移动地耦接至所述第一结构。

5.根据权利要求1所述的物体平台，其中，所述密封板能够移动地耦接至所述第二结构。

6.根据权利要求1所述的物体平台，还包括柔性壁，所述柔性壁在(a)所述密封板与(b)所述第一结构或所述第二结构中被耦接至所述密封板的一个之间形成气密密封。

7.根据权利要求1所述的物体平台，其中，所述至少一个致动器包括压电致动器、洛伦兹致动器、磁致动器和形状记忆合金致动器中的至少一种。

8.根据权利要求1所述的物体平台，其中：

所述第二结构是掩模版卡盘；和

所述物体是掩模版。

9.根据权利要求1所述的物体平台，还包括：

至少一个传感器，被配置为确定所述第二结构的位置；和

控制器，所述控制器操作地耦接到所述至少一个传感器和所述至少一个致动器，并且被配置为基于所确定的所述第二结构的位置控制所述至少一个致动器的致动。

10.根据权利要求1所述的物体平台，其中：

所述密封板包括多个部段和多个柔性接头，所述多个柔性接头的每个柔性接头耦接相应的相邻部段；和

所述至少一个致动器包括多个致动器，多个致动器的每个致动器耦接到所述多个部段中的相应部段。

11.一种光刻设备，所述光刻设备被配置为将图案从图案形成装置转印到衬底上，所述光刻设备包括：

衬底台，所述衬底台被配置成保持衬底和沿扫描方向移动所述衬底；和

掩模版平台，所述掩模版平台被配置为保持掩模版和沿所述扫描方向移动掩模版，所述掩模版平台包括：

第一结构；

卡盘，所述卡盘相对于所述第一结构能够移动并被配置为支撑所述掩模版；

密封板，所述密封板能够移动地耦接至所述第一结构或所述卡盘，但不同时耦接至两者；和

至少一个致动器，被配置成移动所述密封板，使得在所述密封板与所述第一结构或所述卡盘中未被耦接至所述密封板的一个之间限定一基本恒定的间隙。

12.根据权利要求11所述的光刻设备，其中：

所述第一结构和所述卡盘限定第一腔室；

所述掩模版位于第二腔室内；和

所述间隙在所述第一腔室和所述第二腔室之间延伸。

13.根据权利要求112所述的光刻设备，其中，所述第一腔室和所述第二腔室每一个处于真空压力下。

14.根据权利要求11所述的光刻设备，其中，所述密封板能够移动地耦接至所述第一结构。

15.根据权利要求11所述的光刻设备，其中，所述密封板能够移动地耦接至所述卡盘。

16.根据权利要求11所述的光刻设备，还包括柔性壁，所述柔性壁在(a)所述密封板与(b)所述第一结构或所述卡盘中被耦接至所述密封板的一个之间形成气密密封。

17.根据权利要求11所述的光刻设备，其中，所述至少一个致动器包括压电致动器、洛伦兹致动器、磁致动器和形状记忆合金致动器中的至少一种。

18.根据权利要求11所述的光刻设备，其中，所述密封板和所述卡盘中的每一个被配置为绕垂直于所述扫描方向的轴线旋转。

19.根据权利要求11所述的光刻设备，还包括：

至少一个传感器，被配置为确定所述卡盘的位置；和

控制器，所述控制器操作地耦接到所述至少一个传感器和所述至少一个致动器，并且被配置为基于所确定的所述卡盘的位置控制所述至少一个致动器的致动。

20.根据权利要求11所述的光刻设备，其中：

所述密封板包括多个部段和多个柔性接头，所述多个柔性接头的每个柔性接头耦接相应的相邻部段；和

所述至少一个致动器包括多个致动器，所述多个致动器的每个致动器耦接到所述多个部段中的相应部段。

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