CN110890020B - 电子装置 - Google Patents
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- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 30
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 41
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 16
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 15
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- 229920001230 polyarylate Polymers 0.000 description 2
- 229920001707 polybutylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920012266 Poly(ether sulfone) PES Polymers 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
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- G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
- G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
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- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
- G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
- G09F9/30—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
- G09F9/33—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements being semiconductor devices, e.g. diodes
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- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
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- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
- G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
- G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
- G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
- G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
- H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
- H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
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Abstract
本发明提出一种电子装置,包括第一信号线和第二信号线。该第一信号线设置于该电子装置,且该第一信号线至少包含一第一区段,该第一区段朝一第一方向延伸。该第二信号线相邻该第一信号线设置,且该第二信号线至少包含一第二区段,该第二区段朝一第二方向延伸,该第二方向不同于该第一方向。其中于该电子装置的俯视方向上,该第二区段交错该第一区段。
Description
技术领域
本发明说明书主要是有关于一信号线配置技术,特别是有关于一种电子装置的信号线配置技术。
背景技术
随着科技的发展,电子装置的应用也越来越广泛。近年来,电子装置应用于拼接式电子装置时,为了缩小两相邻电子装置的因拼接所产生的边框,每一电子装置于拼接边的空间将会受到限制。因此,如何将每一电子装置的电子组件和信号线(数据线和/或扫描线)妥适地拼接将是值得讨论的课题。
发明内容
有鉴于上述先前技术的问题,本发明提供了一种电子装置的信号线配置技术。
本发明的一种电子装置,该电子装置包括第一信号线和第二信号线。第一信号线设置于该电子装置,且该第一信号线至少包含一第一区段。第二信号线,相邻该第一信号线设置,且该第二信号线至少包含一第二区段。该第一区段的一第一延伸方向不同于该第二区段的一第二延伸方向,且于该电子装置的俯视方向上,该第二区段交错该第一区段。
在本发明的一实施例中,该第一信号线是一数据线,且该第二信号线是另一数据线,或该第一信号线是一扫描线,且该第二信号线是另一扫描线。
在本发明的一实施例中,该电子装置更包括显示区和非显示区。其中该非显示区邻近于该显示区设置,且该非显示区的一外边缘与该显示区之间的最小长度小于该非显示区的另一外边缘与该显示区之间的最小长度,其中该外边缘的一延伸方向平行该第二方向且该另一外边缘的一延伸方向平行该第一方向。
在本发明的一实施例中,该电子装置更包括:至少设置一控制芯片,其特征在于,该第二区段电性连接该控制芯片。
在本发明的一实施例中,该控制芯片邻近该另一外边缘设置于该非显示区。
在本发明的一实施例中,该第一信号线更包含一第三区段,且该第三区段沿该第二方向延伸,且于该电子装置的俯视方向上,该第三区段与该第一区段交错。
在本发明的一实施例中,在该电子装置的剖面方向上,更包含一绝缘层,且该绝缘层设置于一第一金属层与一第二金属层之间,且该第一金属层至少包含该第一区段,该第二金属层至少包含该第三区段。
在本发明的一实施例中,该绝缘层包含一通孔,该第一区段透过该通孔电性连接该第三区段。
在本发明的一实施例中,该电子装置更包括第三信号线和第四信号线。该第三信号线,沿该第二方向延伸,且与该第一区段交错。该第四信号线,沿该第二方向延伸,与该第三信号线相邻设置,且该第四信号线与该第一区段交错。其中该第三信号线和该第四信号线是和该第一信号线和该第二信号线为不同类型的信号线,其中该第二区段和该第三区段设置于该第三信号线和该第四信号线之间。
在本发明的一实施例中,该电子装置更包括第五信号线。该第五信号线沿该第二方向延伸且与该第四信号线相邻设置,且该第五信号线与该第一区段交错。其中该第五信号线和该第四信号线或该第三信号线为相同类型的信号线,其中该第三信号线和该第四信号线之间会设置多个区段,且该第四信号线和该第五信号线之间设也会置多个其他区段,其中设置于该第三信号线和该第四信号线之间的该多个区段的数目和设置于该第四信号线和该第五信号线之间的该多个其他区段的数目不相同。
关于本发明其他附加的特征与优点,此领域的熟习技术人士,在不脱离本发明的精神和范围内,当可根据本案实施方法中所揭露的电子装置,做些许的更动与润饰而得到。
附图说明
为让本发明的上述目的、特征和优点能更明显易懂,以下结合附图对本发明的具体实施方式作详细说明,其中:
图1A为一发光二极管电子装置的示意图。
图1B为一发光二极管背光电子装置的示意图。
图2A为根据本发明的一实施例所述的电子装置100的示意图。
图2B为根据本发明的另一实施例所述的电子装置100的示意图。
图3为根据本发明的一实施例所述的电子装置200的示意图。
图4为根据本发明的一实施例所述的电子装置100的部分剖面图。
图5A为根据本发明的一实施例所述的数据线区段配置于扫描线之间示意图。
图5B为根据本发明的一实施例所述的数据线区段配置于扫描线之间示意图。
图5C为根据本发明的一实施例所述的数据线区段配置于扫描线之间示意图。
图中元件标号说明:
100、200 电子装置
110 基板
111、211、511 显示区
112、212 非显示区
112-1 非显示区之外边缘
112-2 非显示区的另一外边缘
120_1~120_9、B1、B1~B45 多个背光单元
130、G11、G12、G21、G22、230-1、230-2 栅极驱动电路
140、240-1、240-2、240-3 控制芯片
410 第一金属层
420 绝缘层
430 第二金属层
d1 非显示区112对应第一延伸方向的长度
d2非显示区112对应第二延伸方向的长度
b11、b12、b13 子像素
D1~DM、D11~D1L、D1~D3 数据线
D11、D12、D21、D22、D31、D32、250-1~250-P、270、280、290、data_001~data_160数据线区段
GTO_S 栅极驱动电路的信号线
H、H1、H2、H3 穿透孔
LED_1~LED_9 发光二极管
P1 像素
p11、p12、p13 子像素
S1、S2…SN、S11、S12…S1K、S1~S3、scan_01~scan_45、260-1~260-Q 扫描线
S11、S12、S21、S22、S31、S32 扫描线区段
Y 第一延伸方向
X 第二延伸方向
Z 俯视方向/剖面方向
具体实施方式
以下的说明提供了许多不同的实施例,用来实施本发明的不同特征。以下各实施例所描述的组件和排列方式,仅用来精简地表达本发明,而并非用以限制本发明。本发明的保护范围当视所附的权利要求书所界定者为准。
本发明的附图中的各个组件的外型或尺寸大小(包括宽度、长度、厚度等)仅为示意,本发明并不以此为限。在本说明书中以及申请专利范围中的序号,例如“第一”、“第二”等等,仅是为了方便说明,彼此之间并没有顺序上的先后关系。
在此,“约”、“大约”的用语通常表示在一给定值或范围的20%之内,较佳是10%之内,且更佳是5%之内。在此给定的数量为大约的数量,意即在没有特定说明的情况下,仍可隐含“约”、“大约”的含义。
在本发明一些实施例中,相对性的用语例如“下”、“上”、“水平”、“垂直”、“的下”、“的上”等等应被理解为该段以及相关图式中所绘示的方位。此相对性的用语仅是为了方便说明的用,其并不代表其所叙述的装置需以特定方位来制造或运作。而关于接合、连接的用语例如“连接”、“互连”等,除非特别定义,否则可指两个结构是直接接触,或者也可指两个结构并非直接接触,其特征在于,有其它结构设于此两个结构之间。且此关于接合、连接的用语也可包括两个结构都可移动,或者两个结构都固定的情况。
特别说明地是,在本发明所述的“信号线”可以是表示不同类型的信号线,例如:数据线、扫描线、电源电压(VDD)线、共享信号线(Vcom)等,但本发明不以此为限。此外,在本发明的实施例中的“信号线”仅是以数据线和扫描线为例,但本发明不以此为限。
本发明的实施例可应用于一发光二极管(Light-emitting diode,LED)电子装置(如图1A所示),或一应用于当作背光源的发光二极管背光电子装置(如图1B所示),但本发明不以此为限。如图1A所示,发光二极管电子装置1可包含多个像素单元(pixel)、多条信号线(包含多条扫描线S1、S2…SN和多条数据线D1、D2…DM)、栅极驱动电路G11、栅极驱动电路G12,和一控制芯片10。发光二极管电子装置1的每一像素单元可至少包含一发光二极管(LED)。举例来说,如图1A右侧所示,发光二极管电子装置1的一像素P1可包含3个子像素p11,p12和p13,且子像素p11,p12和p13会包含于一发光二极管封装(LED packet)LP1中。子像素p11,p12和p13可包含不同颜色(例如:红色、绿色与蓝色)或相同颜色的发光二极管。于一实施例中,若子像素p11,p12和p13包含相同颜色的发光二极管,则可在这些相同颜色发光二极管的发光方向上,放置色彩转换层来形成红色、绿色与蓝色的三颜色,其中该色彩转换层可为彩色光阻或量子点转换层,上述仅是举例,本发明不以此为限。发光二极管的结构态样可为垂直式结构或水平式结构的发光二极管,举例来说若发光二极管为垂直式结构,则于发光二极管电子装置的俯视方向上(Z方向),发光二极管的两电极至少部分重叠,相反地若为水平式结构,发光二极管的两电极为不重叠。上述的像素设计与发光二极管的结构态样也可适用于后续的发光二极管背光电子装置,不再赘述。如图1B所示,发光二极管背光电子装置2可包含多个背光单元(back light unit,BLU)、多条信号线(包含多条扫描线S11、S12…S1K和多条数据线D11、D12…D1L)、栅极驱动电路G21、栅极驱动电路G22,和一控制芯片20。发光二极管背光电子装置2的每一背光单元可至少包含一发光二极管。如图1B右侧所示,发光二极管背光电子装置2的一背光单元B1可包含3个子像素b11,b12和b13,且子像素b11,b12和b13会包含于一发光二极管封装(LED packet)LP2中,但上述不以此为限,于另一实施例中,该发光单元B1可包含仅有一颗子像素,该子像素的颜色可为白色或其他适合用以当背光电子装置2的颜色。此外,如第1A和1B图所示,由于在发光二极管电子装置设置的发光二极管的密度比较高,因此发光二极管电子装置可具有比发光二极管背光电子装置具有高的分辨率,于一实施例中,于Z轴的俯视方向来看,发光二极管电子装置1的像素P1的截面积约为1.5mm*1.5mm,而发光二极管背光电子装置2的一背光单元B1的截面积约为5mm*5mm,上述仅是举例,本发明不以此为限。特别说明地是,底下为了简化说明,电子装置100仅是以发光二极管背光电子装置为例,但本发明不以此为限。底下实施例所发明的控制芯片、数据线,或扫描线的配置方式也可应用在发光二极管电子装置中。
特别说明地是,在本发明所述的“区段”是表示一信号线对应不同延伸方向的部分。举例来说,如图2A所示,数据线D1可包含沿Y方向延伸的数据线区段D11和沿X方向延伸的数据线区段D11,但本发明不以此为限。此外,在本发明所述的“区段”的长度可依不同电子装置的尺寸去做调整。在本发明的一些实施例中,沿相同方向延伸的区段的长度可相同。在本发明的一些实施例中,沿不同方向延伸的区段的长度可相同或不相同。
图2A是显示根据本发明的一实施例所述的电子装置100的示意图。电子装置100可是为一发光二极管背光电子装置。如图2A所示,电子装置100可包括一基板110、多个背光单元120_1~120_9、多条数据线D1(包括数据线区段D11和数据线区段D12)、D2(包括数据线区段D21和数据线区段D22)以及D3(包括数据线区段D31和数据线区段D32)、多条扫描线S1~S3、一栅极驱动电路(Gate on panel,GOP)(或扫描线驱动电路)130,以及一控制芯片140,该控制芯片可为一时序控制芯片(Tcon,timing controller)或其他合适的控制芯片。一实施例中,基板110可包含非软性基板或软性基板,举例如说,非软性基板可包含玻璃基板、蓝宝石基板或者其他适合的基板,而软性基板则可包含陶瓷基板、塑料基板、或者其他适合的基板,其中塑料基板的材料可为聚酰亚胺(PI)、聚乙烯对苯二甲酸酯(PET)、聚碳酸酯(PC)、聚醚砜(PES)、聚对苯二甲酸丁二醇酯(PBT)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)或聚芳酯(PAR)、其他适当的材料、或其组合,但本发明不以此为限。又一实施例中,此外,如图2A所示,每一背光单元120_1~120_9可包括一发光二极管LED_1~LED_9。于一实施例中,发光二极管LED_1~LED_9可例如为有机发光二极管(organic light emitting diode,LED),或者为非有机发光二极管,例如量子点发光二极管(quantum dot light emitting diode,Q-LED)、微型发光二极管(micro LED)或次毫米发光二极管(mini LED),但本发明不以此为限。特别说明地是,图2A所示的示意图仅为了方便说明本发明的实施例,图标中的背光单元、扫描线、数据线或其它线路的数量仅绘制局部的部分,但本发明并不以此为限。电子装置100中也可包含其它组件。
如图2A所示,基板110具有一显示区111以及一非显示区112,其中非显示区112邻近(围绕)设置于显示区111的四周。在显示区111中可配置背光单元120_1~120_9、数据线D1~D3以及扫描线S1~S3。此外,在此实施例中,非显示区112的一外边缘112-1对应第一延伸方向(例如:Y方向)与该显示区111之间的一最小长度d1小于非显示区的另一外边缘112-2对应该第二延伸方向(例如:X方向)与该显示区111之间的一最小长度d2,但本发明不以此为限。也就是说,在此实施例中,非显示区112在左右两侧(非拼接边)的边框区域(borderarea)将具有较大的空间可供利用,可进而缩小两相邻电子装置100的各自非显示区112在上下两侧边(拼接边)的边框区域。但在本发明另一实施例中,非显示区112也可在上下两侧的边框具有较大的空间可供利用。在本发明的实施例中,控制芯片140会设置在非显示区112的边框区域具有较大空间的位置。也就是说,在本发明中,不管电子装置100是横式(landscape)电子装置或是直式(portrait)电子装置,可根据电子装置100非显示区112的空间配置,将控制芯片140设置在非显示区112的边框区域具有较大空间的位置,以使两相邻电子装置100有较佳拼接效果,但本发明并不以此为限。
根据本发明一实施例,当非显示区112在左右两侧的边框区域具有较大的空间时,控制芯片140会设置在非显示区112的左右两侧的其中一侧。此外,在此实施例中,控制芯片140可根据功率分配的配置,或是机构间的限制(例如:控制芯片140和软式印刷电路(Flexible Print Circuit,FPC)之间的干涉),配置在非显示区112的左右两侧的边框的其中一侧的上方、中间,或是下方,但本发明并不以此为限。
根据本发明另一实施例,当非显示区112在上下两侧的边框区域具有较大的空间时,控制芯片140会设置在非显示区112的上下两侧的边框的其中一侧。此外,在此实施例中,控制芯片140可根据功率分配的配置,或是机构间的限制(例如:控制芯片140和软式印刷电路之间的干涉),配置在非显示区112的上下两侧的边框的其中一侧的左方、中间,或是右方,但本发明并不以此为限。
根据本发明一实施例,控制芯片140可是以薄膜覆晶(Chip on Film,COF)方式形成,或以玻璃覆晶(Chip on Glass,COG)方式形成,但本发明不以此为限。控制芯片140可用以控制或传递不同的信号分别给于数据线D1~D3和扫描线S1~S3。
根据本发明一实施例,数据线D1会包含数据线区段D11和数据线区段D12、数据线D2会包含数据线区段D21和数据线区段D22,以及数据线D3会包含数据线区段D31和数据线区段D32。如图2A所示,数据线区段D12、数据线区段D22和数据线区段D33会分别电性连接至控制芯片140,且栅极驱动电路130的信号线GTO_S也会电性连接至控制芯片140。此外,扫描线S1~S3则会分别电性连接至栅极驱动电路130。
此外,如图2A所示,从电子装置100的俯视方向(Z方向),数据线区段D11会分别和数据线区段D12、数据线区段D22以及数据线区段D32交错;数据线区段D21会分别和数据线区段D12、数据线区段D22以及数据线区段D32交错;以及数据线区段D31会分别和数据线区段D12、数据线区段D22以及数据线区段D32交错。数据线D1的数据线区段D11、数据线D2的数据线区段D21和数据线D3的数据线区段D31会实质上沿Y方向延伸,且会沿X方向依序间隔设置,数据线区段D11、数据线区段D21和数据线区段D31可具有波浪状、弯折状、网状或者其他合适的形状,但实质上仍朝Y方向延伸。此外,数据线D1的数据线区段D12、数据线D2的数据线区段D22和数据线D3的数据线区段D32会实质上沿X方向延伸,且会沿Y方向依序间隔设置,数据线区段D12、数据线区段D22和数据线区段D32可具有波浪状、弯折状网状或者其他合适的形状,但实质上仍朝X方向延伸。
扫描线S1~S3会实质上沿X方向延伸,且会沿Y方向依序间隔设置,扫描线S1~S3可具有波浪状、弯折状、网状或者其他合适的形状,但实质上仍朝X方向延伸。扫描线S1~S3和数据线区段D11、数据线区段D21以及数据线区段D31相互交错。
图2B是显示根据本发明的另一实施例所述的电子装置100的示意图。如图2B所示,于另一实施例中,数据线D1-D3也可与扫描线S1-S3交换配置。也就是说,如图2B所示,扫描线S1可包含扫描线区段S11和S12、扫描线S2可包含扫描线区段S21和S22,且扫描线S3可包含扫描线区段S31和S32。从电子装置200的俯视方向(Z方向),扫描线区段S11会分别和扫描线区段S12、扫描线区段S22以及扫描线区段S32交错;扫描线区段S21会分别和扫描线区段S12、扫描线区段S22以及扫描线区段S32交错;以及扫描线区段S31会分别和扫描线区段S12、扫描线区段S22以及扫描线区段S32交错。扫描线S1的扫描线区段S11、扫描线S2的数据线区段S21和扫描线S3的扫描线区段S31会实质上沿Y方向延伸,且会沿X方向依序间隔设置,扫描线区段S11、扫描线区段S21和扫描线区段S31可具有波浪状、弯折状、网状或者其他合适的形状,但实质上仍朝Y方向延伸。此外,扫描线S1的扫描线区段S12、扫描线S2的扫描线区段S22和扫描线S3的扫描线区段S32会实质上沿X方向延伸,且会沿Y方向依序间隔设置,扫描线区段S12、扫描线区段S22和扫描线区段S32可具有波浪状、弯折状、网状或者其他合适的形状,但实质上仍朝X方向延伸。此外,数据线D1~D3会实质上沿X方向延伸,且会沿Y方向依序间隔设置,数据线D1~D3可具有波浪状、弯折状、网状或者其他合适的形状,但实质上仍朝X方向延伸。数据线D1~D3和扫描线区段S11、扫描线区段S21以及扫描线区段S31相互交错。注意地是,由于栅极驱动电路130和控制芯片140的配置方式也类似图2A所示,因此在图2B中在此就不再赘述。
根据本发明一实施例,一电子装置中也可配置多个控制芯片,底下将以图3来做说明。图3是为根据本发明的一实施例所述的电子装置200的示意图。如图3所示,电子装置200中可包含一显示区211、一非显示区212、两个栅极驱动电路230-1/230-2、控制芯片240-1、控制芯片240-2、控制芯片240-3、沿Y方向延伸的多个条数据线区段250-1、250-2…250-P、沿X方向延伸的多个数据线区段270、280和290以及多条扫描线260-1、260-2…260-Q。如图3所示,在此实施例中,每一条数据线会包含两区段。控制芯片240-1可控制多条数据线区段270、控制芯片240-2可控制多条数据线区段280,以及控制芯片240-3可控制多条数据线区段290。此外,在此实施例中,控制芯片240-1、控制芯片240-2以及控制芯片240-3也会配置在电子装置200的非显示区212的边框区域中具有较大空间的位置。注意地是,图3所示的示意图仅为了方便说明本发明的实施例,但本发明不以此为限。此外,在本发明的实施例中所发明其他如何配置信号线区段的方式,也可应用在本实施例中。此外,图3主要是用以说明多个控制芯片的实施例,因此,关于电子装置200的其他组件之内容可参考图2A所述。在图3中就不再赘述这些其他组件相关之内容。此外,在图3所示的数据线区段250-1、250-2…250-P之间具有不同的间隔,但本发明不以此为限。在其他实施例中,数据线区段250-1、250-2…250-P之间的间隔也可实值上相同。
图4是显示根据本发明的一实施例所述的电子装置100的部分剖面图。先特别说明地是,图4所示的剖面图仅是用以说明本发明的实施例,但本发明并不以此为限。在电子装置100的剖面图中也会包含其他层的结构。根据本发明的一实施例,如图4所示,在电子装置100中可设置一第一金属层410。第一金属层410经图样化制程(例如经由光刻、蚀刻等制程方式但本发明不限于此)可形成沿Y方向依序设置的数据线区段(例如:数据线D1的数据线区段D11、数据线D2的数据线区段D21和数据线D3的数据线区段D31),但本发明并不以此为限。接着,一绝缘层(insulation layer)420可设置在第一金属层410上。绝缘层420可是由氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx),或氧化硅(SiOx)和氮化硅(SiNx)的组合所构成,但本发明不以此为限。接着,将绝缘层420经由图样化制程形成多个穿透孔H(例如:图2A所示的H1、H2和H3),并沉积一第二金属层430于绝缘层420上,以将第二金属层430填入此些穿透孔中而使得第一金属层410可与第二金属层430接触。第二金属层430经图样化制程(例如经由光刻、蚀刻等制程方式但本发明不限于此)可形成沿X方向依序设置的数据线区段(例如:数据线D1的数据线区段D12、数据线D2的数据线区段D22和数据线D3的数据线区段D32),但本发明不限于此。第一金属层410的数据线区段可经由穿透孔电性连接至第二金属层430的数据线区段。举例来说,数据线D1的数据线区段D11可经由穿透孔H1电性连接至数据线D1的数据线区段D12,数据线D2的数据线区段D21可经由穿透孔H2电性连接至数据线D2的数据线区段D22,以及数据线D3的数据线区段D31可经由穿透孔H3电性连接至数据线D3的数据线区段D32。因此,数据线区段D11的信号将可传送至数据线区段D12;数据线区段D21的信号将可传送至数据线区段D22;以及数据线区段D31的信号将可传送至数据线区段D32。在此实施例中,第一金属层410及第二金属层430可使用本技术领域常用的导电材料,如金属、合金、金属氧化物、金属氮氧化物、或其他本技术领域常用的材料。此外,在一些实施例中,第一金属层410或第二金属层430可为至少两层结构以上的导电层,举例来说,沿着剖面方向上(Z方向),第一金属层410或第二金属层430若为三层结构,则其使用的材料由下至上可为钼/铝/钼或钛/铜/钛。在一些实施例中,第一金属层410及第二金属层430可为单层的导电层。
根据本发明的一实施例,沿Y方向依序设置的数据线区段(例如:数据线D1的数据线区段D12、数据线D2的数据线区段D22和数据线D3的数据线区段D32)可平均配置在扫描线之间格中。根据本发明的另一实施例,沿Y方向依序设置的数据线区段(例如:数据线D1的数据线区段D12、数据线D2的数据线区段D22和数据线D3的数据线区段D32)可随机配置在扫描线之间隔中。底下将会以图5A-5C来说明。但注意地是,图5A-5C所示的数据线区段配置的方式,仅是用以说明本发明的实施例的一些实施方式,但本发明不以此为限。在本发明的其他实施例中,可根据控制芯片140配置的位置的不同,或根据不同制成的需求,来调整数据线区段配置的方式,用以缩小两相邻电子装置100的各自非显示区112拼接边因拼接所产生的边框。
图5A是显示根据本发明的一实施例所述的数据线区段配置于扫描线之间格的示意图。如图5A所示,若一电子装置的显示区511中有背光单元B1~B45、45条扫描线scan_01~scan_45和160条数据线区段data_001~data_160,即表示这些扫描线scan_01~scan_45有44个间隔可用来配置160条数据线区段data_001~data_160。若决定置中配置数据线区段data_001~data_160,且决定在一间隔中配置4条数据线区段,如图5A所示,160条数据线区段data_001~data_160可每4条数据线区段平均配置在扫描线scan_03~scan_43中的间隔中,但本发明不以此为限,于一实施例中,置中配置意指控制芯片140设置于电子装置100非显示区112的区域内且沿着Y方向中的大约1/2的位置。
图5B是显示根据本发明的另一实施例所述的数据线区段配置于扫描线之间隔的示意图。如图5B所示,若一电子装置的显示区511中有背光单元B1~B45、45条扫描线scan_01~scan_45和160条数据线区段data_001~data_160,即表示扫描线scan_01~scan_45有44个间隔可用来配置160条数据线区段。若决定置中配置数据线区段data_001~data_160,且在一间隔中配置8条数据线区段,如图5B所示,160条数据线区段data_001~data_160可每8条平均配置在扫描线scan_13~scan_33中的间隔中,但本发明不以此为限。
图5C是显示根据本发明的另一实施例所述的数据线区段配置于扫描线之间隔的示意图。如图5C所示,若一电子装置的显示区511中有背光单元B1~B45、45条扫描线scan_01~scan_45和160条数据线区段data_001~data_160,即表示扫描线scan_01~scan_45有44个间隔可用来配置160条数据线区段。若决定置中配置数据线区段data_001~data_160,且在一间隔中配置12条数据线区段,如图5C所示,数据线区段data_001~data_002可配置在扫描线scan_15~scan_16中,且数据线区段data_159~data_160可配置在扫描线scan_29~scan_30中。其余的数据线区段可每12条平均配置在扫描线scan_16~scan_29中的间隔中,但本发明不以此为限。
注意地是,在本发明的上述实施例中,仅是以数据线配置在扫描线之间隔中为例,但本发明并不以此为限。也就是说,在本发明另一些实施例中,每一扫描线也可包含两扫描线区段,且扫描线区段也可配置在数据线之间隔中。
根据本发明的实施例,电子装置的控制芯片可配置在非显示区具有较大空间的位置。此外,根据本发明的实施例,数据线或扫描线可根据配置的需求分成两区段来配置,且连接控制芯片的区段可被配置在数据线或扫描线之间隔中。因此,根据本发明的实施例,将可有效地使用电子装置的非显示区的边框区域的空间,也可降低信号线的走线所占用的面积。
本说明书中所提到的“一实施例”或“实施例”,表示与实施例有关的所述特定的特征、结构、或特性是包含在本发明的至少一实施例中,但并不表示它们存在于每一个实施例中。因此,在本说明书中不同地方出现的“在一实施例中”或“在实施例中”词组并不必然表示本发明的相同实施例。
本发明虽以各种实施例说明如上,然而其仅为范例参考而非用以限定本发明的范围,任何熟习此项技艺者,在不脱离本发明的精神和范围内,当可做些许的更动与润饰。因此上述实施例并非用以限定本发明的范围,本发明的保护范围当以后面所附的申请专利范围所界定者为准。
虽然本发明已以较佳实施例揭示如上,然其并非用以限定本发明,任何本领域技术人员,在不脱离本发明的精神和范围内,当可作些许的修改和完善,因此本发明的保护范围当以权利要求书所界定的为准。
Claims (5)
1.一种电子装置,其特征在于包括:
多个第一信号线,且该多个第一信号线的每一者包括:
一第一区段,该第一区段朝一第一方向延伸;以及
一第二区段,该第二区段朝一第二方向延伸,该第二方向不同于该第一方向,
其中于该电子装置的俯视方向上,该第二区段交错该第一区段;
多个第二信号线,朝该第二方向延伸,且沿该第一方向依序设置,
其中该多个第一信号线是扫描线,且该多个第二信号线是数据线,或该多个第一信号线是数据线,且该多个第二信号线是扫描线,且该多个第一信号线的多个第二区段中的每一者配置在该多个第二信号线的任意两者中,
一控制芯片,设置在该电子装置的一非显示区;以及
一栅极驱动电路,设置在该非显示区,以及邻近该控制芯片,其中该栅极驱动电路位于该控制芯片与该电子装置的一显示区之间,该多个第一信号线的多个第二区段横跨该栅极驱动电路电性连接至该控制芯片,且该控制芯片为时序控制芯片。
2.如权利要求1所述的电子装置,其中该非显示区邻近于该显示区设置,且该非显示区的一外边缘与该显示区之间的最小长度小于该非显示区的另一外边缘与该显示区之间的最小长度,其中该外边缘的一延伸方向平行该第二方向且该另一外边缘的一延伸方向平行该第一方向。
3.如权利要求2所述的电子装置,其特征在于,该控制芯片邻近该另一外边缘设置于该非显示区。
4.如权利要求1所述的电子装置,其特征在于,在该电子装置的剖面方向上,更包含一绝缘层,且该绝缘层设置于一第一金属层与一第二金属层之间,且该第一金属层至少包含该多个第一信号线的该多个第一区段,该第二金属层至少包含该多个第一信号线的该多个第二区段。
5.如权利要求4所述的电子装置,其特征在于,该绝缘层包含多个通孔,该多个第一区段透过该多个通孔电性连接该多个第二区段。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US16/526,938 US11069668B2 (en) | 2018-09-09 | 2019-07-30 | Electronic device for reducing a border edge of the non-display areas |
EP19194121.0A EP3621057A1 (en) | 2018-09-09 | 2019-08-28 | Electronic device |
KR1020190111458A KR20200030005A (ko) | 2018-09-09 | 2019-09-09 | 전자 장치 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201862728863P | 2018-09-09 | 2018-09-09 | |
US62/728,863 | 2018-09-09 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN110890020A CN110890020A (zh) | 2020-03-17 |
CN110890020B true CN110890020B (zh) | 2022-06-28 |
Family
ID=69745773
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201910241685.1A Active CN110890020B (zh) | 2018-09-09 | 2019-03-28 | 电子装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR20200030005A (zh) |
CN (1) | CN110890020B (zh) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN113688594B (zh) * | 2020-05-18 | 2024-06-21 | 元太科技工业股份有限公司 | 电子装置 |
CN113805378B (zh) * | 2020-06-12 | 2022-07-26 | 京东方科技集团股份有限公司 | 发光基板及显示装置 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104464603A (zh) * | 2014-12-30 | 2015-03-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示面板及显示装置 |
CN106469535A (zh) * | 2015-08-17 | 2017-03-01 | 三星显示有限公司 | 显示驱动集成电路、显示装置和驱动显示面板的方法 |
CN108109569A (zh) * | 2016-11-25 | 2018-06-01 | 元太科技工业股份有限公司 | 像素阵列 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6830765B2 (ja) * | 2015-06-08 | 2021-02-17 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
-
2019
- 2019-03-28 CN CN201910241685.1A patent/CN110890020B/zh active Active
- 2019-09-09 KR KR1020190111458A patent/KR20200030005A/ko unknown
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104464603A (zh) * | 2014-12-30 | 2015-03-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示面板及显示装置 |
CN106469535A (zh) * | 2015-08-17 | 2017-03-01 | 三星显示有限公司 | 显示驱动集成电路、显示装置和驱动显示面板的方法 |
CN108109569A (zh) * | 2016-11-25 | 2018-06-01 | 元太科技工业股份有限公司 | 像素阵列 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20200030005A (ko) | 2020-03-19 |
CN110890020A (zh) | 2020-03-17 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |