CN110850690A - 去胶设备、顶针监控方法和去胶工艺 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种去胶设备，包括：腔体，位于所述腔体底部的顶针，以及位于所述腔体侧壁的光谱监控仪；所述顶针用于对晶圆进行升降作用，所述光谱监控仪用于监测所述顶针是否到达正确位置；本发明还提供了一种顶针监控方法，用于监测去胶工艺平台的顶针位置是否异常，包括：光谱监控仪接受晶圆表面的光谱信号；判断光谱信号是否异常；本发明还提供了一种去胶工艺，包括：判断所述顶针位置是否异常；如果没有异常，开始去胶。在本发明提供的去胶设备、顶针监控方法和去胶工艺中，通过对晶圆表面光谱信号的监测来判断顶针的位置是否在合适的位置，使得去胶结果速率正常。

Description

去胶设备、顶针监控方法和去胶工艺
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，尤其是涉及一种去胶设备、顶针监控方法和去胶工艺。
背景技术
光刻胶去胶工艺的机台上，由于无静电吸附盘功能，从而无法知道顶针在哪个位置，是在晶圆下面还是边缘升降异常，导致晶圆在垂直位置上位置偏差时，无法及时有效侦测到此异常点，而顶针位置的异常，会导致晶圆无法与高温工站接触从而导致去胶速率异常。
发明内容
本发明的目的在于提供一种去胶设备、顶针监控方法和去胶工艺，通过对晶圆表面光谱信号的监测来判断顶针的位置是否在合适的位置，最终使得去胶结果速率正常。
为了达到上述目的，本发明提供了一种去胶设备，包括：腔体，位于所述腔体底部的顶针，以及位于所述腔体侧壁的光谱监控仪；所述顶针用于对晶圆进行升降作用，所述光谱监控仪用于监测所述顶针是否到达正确位置。
可选的，在所述的去胶设备中，所述光谱监控仪位于所述腔体侧壁上。
可选的，在所述的去胶设备中，所述顶针数量为多个，均匀分布在所述腔体的底部。
本发明还提供了一种顶针监控方法，用于监测去胶工艺平台的顶针位置是否异常，其特征在于，包括：光谱监控仪接受晶圆表面的光谱信号；判断光谱信号是否异常。
可选的，在所述的顶针监控方法中，所述判断信号是否异常的方法包括：光谱信号曲线走向有异常。
可选的，在所述的顶针监控方法中，所述判断信号是否异常的方法包括：光谱信号幅度比正常的信号幅度高时，判断此次光谱信号异常。
本发明还提供了一种去胶工艺，包括：判断所述顶针位置是否异常；如果没有异常，开始去胶。
可选的，在所述的去胶工艺中，顶针位置是否异常包括顶针没有达到腔体最底部的位置。
可选的，在所述的去胶工艺中，所述晶圆在垂直方向的位置的不同，导致所述晶圆的去胶速度不同。
可选的，在所述的去胶工艺中，所述晶圆的去胶速度不同，导致晶圆表面的光谱信号不同。
在本发明提供的去胶设备、顶针监控方法和去胶工艺中，通过对晶圆表面光谱信号的监测来判断顶针的位置是否在合适的位置，使得去胶结果速率正常。
附图说明
图1是本发明实施例的去胶设备的结构示意图；
图中：110-腔体、120-光谱监控仪、130-顶针。
具体实施方式
下面将结合示意图对本发明的具体实施方式进行更详细的描述。根据下列描述，本发明的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。
在下文中，术语“第一”“第二”等用于在类似要素之间进行区分，且未必是用于描述特定次序或时间顺序。要理解，在适当情况下，如此使用的这些术语可替换。类似的，如果本文所述的方法包括一系列步骤，且本文所呈现的这些步骤的顺序并非必须是可执行这些步骤的唯一顺序，且一些所述的步骤可被省略和/或一些本文未描述的其他步骤可被添加到该方法。
参照图1，本发明提供了一种去胶设备，包括：腔体110，位于所述腔体110底部的顶针130，以及位于所述腔体110侧壁的光谱监控仪120；所述顶针130用于对晶圆进行升降作用，所述光谱监控仪用于监测所述顶针130是否到达正确位置。
进一步的，所述光谱监控仪120位于所述腔体110侧壁上。晶圆表面去胶过程中，表面产生的光谱在变化，所述光谱监控仪120通过获取表面的光谱，根据光谱的曲线幅度判断顶针130是否在正确位置。
进一步的，所述顶针130数量为多个，均匀分布在所述腔体110的底部。本发明实施例中，顶针130的数量为三个，均匀分布在腔体110底部，即三个顶针130分别间隔120°。
本发明还提供了一种顶针监控方法，用于监测去胶工艺平台的顶针130的位置是否异常，包括：光谱监控仪120接受晶圆表面的光谱信号；判断光谱信号是否异常。
进一步的，所述判断信号是否异常的方法包括：光谱信号曲线走向有异常。这里的光谱信号是指C-H光谱信号，因为去胶过程中C-H光谱信号的曲线会变化，而晶圆在垂直方向上的位置的不同导致晶圆的去胶速度不同，而晶圆在垂直方向上的位置可以通过顶针130的位置来判断。所以C-H光谱信号的曲线可以判断顶针130的位置。
本实施例中，所述判断信号是否异常的方法包括：光谱信号幅度比正常的信号幅度高时，判断此次光谱信号异常。主要原理时去胶过程中晶圆表面生成物的辉光反应，通过C-H光谱信号生成EPD曲线，正常去胶工艺下，随着去胶工艺过程，C的信号会变弱，从而在EPD曲线上表现会有突变变弱。所以非正常工艺下，EPD曲线上表现没有突变变弱即EPD曲线的幅度比正常情况下的EPD曲线的幅度大，证明顶针处于异常的位置。
本发明还提供了一种去胶工艺，包括：判断所述顶针130的位置是否异常；如果没有异常，开始去胶。没有异常，是指顶针130已经到达腔体110的底部，可以进行正常的去胶工艺。
进一步的，顶针130位置是否异常包括顶针130没有达到腔体110最底部的位置。
进一步的，所述晶圆在垂直方向的位置的不同，导致所述晶圆的去胶速度不同。顶针位于腔体130的底部。带动晶圆上行或者下降，所以晶圆的位置和顶针130的位置正相关。
进一步的，所述晶圆的去胶速度不同，导致晶圆表面的光谱信号不同。晶圆的去胶速度和晶圆在垂直方向的位置有关，晶圆的去胶速度又可以通过光谱信号显示出来，所以通过光谱信号的曲线可以间接判断晶圆(或顶针)位置。
综上，在本发明实施例提供的去胶设备、顶针监控方法和去胶工艺中，通过对晶圆表面光谱信号的监测来判断顶针的位置是否在合适的位置，使得去胶结果速率正常。
上述仅为本发明的优选实施例而已，并不对本发明起到任何限制作用。任何所属技术领域的技术人员，在不脱离本发明的技术方案的范围内，对本发明揭露的技术方案和技术内容做任何形式的等同替换或修改等变动，均属未脱离本发明的技术方案的内容，仍属于本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种去胶设备，其特征在于，包括：腔体，位于所述腔体底部的顶针，以及位于所述腔体侧壁的光谱监控仪；所述顶针用于对晶圆进行升降作用，所述光谱监控仪用于监测所述顶针是否到达正确位置。
2.如权利要求1所述的去胶设备，其特征在于，所述光谱监控仪位于所述腔体侧壁上。
3.如权利要求1所述的去胶设备，其特征在于，所述顶针数量为多个，均匀分布在所述腔体的底部。
4.一种顶针监控方法，用于监测去胶工艺平台的顶针位置是否异常，其特征在于，包括：光谱监控仪接受晶圆表面的光谱信号；判断光谱信号是否异常。
5.如权利要求4所述的顶针监控方法，其特征在于，所述判断信号是否异常的方法包括：光谱信号曲线走向有异常。
6.如权利要求4所述的顶针监控方法，其特征在于，所述判断信号是否异常的方法包括：光谱信号幅度比正常的信号幅度高时，判断此次光谱信号异常。
7.一种去胶工艺，其特征在于，包括：判断所述顶针位置是否异常；如果没有异常，开始去胶。
8.如权利要求7所述的去胶工艺，其特征在于，顶针位置是否异常包括顶针没有达到腔体最底部的位置。
9.如权利要求8所述的去胶工艺，其特征在于，所述晶圆在垂直方向的位置的不同，导致所述晶圆的去胶速度不同。
10.如权利要求9所述的去胶工艺，其特征在于，所述晶圆的去胶速度不同，导致晶圆表面的光谱信号不同。
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