CN110824796A - 阵列基板及其修补方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种阵列基板及其修补方法。该阵列基板的修补方法通过将阵列基板的扫描线设置为与数据线交叠且与栅极连接的第一扫描线段以及连接所述第一扫描线段的第二扫描线段，后续检测出阵列基板的扫描线与数据线的短路位置，该短路位置必定位于第一扫描线段与数据线交叠的位置，由于所述第二扫描线段的宽度小于第一扫描线段的宽度，因此可以直接切断位于短路位置两端的第二扫描线段，再形成一扫描修补线连接被切断的第二扫描线段，从而使被短路位置影响的像素区域暗点化，未被短路位置影响的像素区域正常显示，避免无法修补阵列基板而导致产品报废。

Description

阵列基板及其修补方法
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其修补方法。
背景技术
薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)是目前液晶显示装置(Liquid CrystalDisplay，LCD)和有源矩阵驱动式有机电致发光显示装置(Active Matrix Organic Light-Emitting Diode，AMOLED)中的主要驱动元件，直接关系平板显示装置的显示性能。
COA(Color-filter on Array)技术是一种将彩色滤光层直接制作在阵列基板上的一种集成技术，能够有效解决液晶显示装置对盒工艺中因对位偏差造成的漏光等问题，并能显著提升显示开口率。
在COA阵列基板制造过程中，会出现扫描线与数据线因静电或杂质而短路的现象，引起阵列基板功能异常。一般需要通过阵列基板测试机台检测出短路发生的位置，进而进行修复。例如扫描线与数据线之间存在颗粒(Particle)而短路时，但是COA阵列基板因其膜层面覆盖有色阻层，即使测试机台检测出了短路发生的位置，操作人员也无法直接从膜层面观察到短路点，从而造成无法准确地对短路点进行修复，从而导致产品报废一旦异常的阵列基板进行到后面工序，会引起更大的损失和生产浪费。
发明内容
本发明的目的在于提供一种阵列基板的修补方法，可以避免无法修补阵列基板而导致产品报废。
本发明的目的在于提供一种阵列基板，可以避免无法修补阵列基板而导致产品报废。
为实现上述目的，本发明提供了一种阵列基板的修补方法，包括如下步骤：
步骤S1、提供阵列基板；所述阵列基板包括衬底基板以及设于所述衬底基板上的TFT层；所述TFT层包括相互绝缘的第一金属层和第二金属层；
所述第一金属层包括沿水平方向延伸的扫描线以及与所述扫描线连接的栅极；所述第二金属层包括沿竖直方向延伸的数据线；
所述扫描线包括与数据线交叠且与栅极连接的第一扫描线段以及连接所述第一扫描线段的第二扫描线段；
所述第二扫描线段的宽度小于第一扫描线段的宽度；
步骤S2、检测出阵列基板的扫描线与数据线的短路位置；
步骤S3、切断位于扫描线与数据线的短路位置两端的第二扫描线段；
步骤S4、形成一扫描修补线连接被切断的第二扫描线段。
所述第一金属层还包括分别位于所述扫描线两侧的第一公共电极线和第二公共电极线；所述第一公共电极线包括与数据线交叠的第一公共电极线段以及连接所述第一公共电极线段的第二公共电极线段；所述第二公共电极线段的宽度小于第一公共电极线段的宽度。
所述阵列基板的修补方法还包括步骤S5、检测出阵列基板的第一公共电极线与数据线的短路位置；切断位于第一公共电极线与数据线的短路位置两端的第二公共电极线段；形成一公共电极修补线连接被切断的第二公共电极线段。
所述阵列基板还包括设于所述TFT层上的像素电极以及设于所述像素电极上的色阻层。
所述第二金属层还包括间隔设置的源极和漏极；所述源极连接数据线；所述漏极连接像素电极。
所述第一公共电极线位于扫描线远离像素电极的一侧；所述第二公共电极线位于扫描线靠近像素电极的一侧。
本发明还提供一种阵列基板，包括：衬底基板以及设于所述衬底基板上的TFT层；所述TFT层包括相互绝缘的第一金属层和第二金属层；
所述第一金属层包括沿水平方向延伸的扫描线以及与所述扫描线连接的栅极；所述第二金属层包括沿竖直方向延伸的数据线；
所述扫描线包括与数据线交叠且与栅极连接的第一扫描线段以及连接所述第一扫描线段的第二扫描线段；
所述第二扫描线段的宽度小于第一扫描线段的宽度。
所述第一金属层还包括分别位于所述扫描线两侧的第一公共电极线和第二公共电极线；所述第一公共电极线包括与数据线交叠的第一公共电极线段以及连接所述第一公共电极线段的第二公共电极线段；所述第二公共电极线段的宽度小于第一公共电极线段的宽度。
所述阵列基板还包括设于所述TFT层上的像素电极以及设于所述像素电极上的色阻层；
所述第二金属层还包括间隔设置的源极和漏极；所述源极连接数据线；所述漏极连接像素电极。
所述第一公共电极线位于扫描线远离像素电极的一侧；所述第二公共电极线位于扫描线靠近像素电极的一侧。
本发明的有益效果：本发明的阵列基板的修补方法通过将阵列基板的扫描线设置为与数据线交叠且与栅极连接的第一扫描线段以及连接所述第一扫描线段的第二扫描线段，后续检测出阵列基板的扫描线与数据线的短路位置，该短路位置必定位于第一扫描线段与数据线交叠的位置，由于所述第二扫描线段的宽度小于第一扫描线段的宽度，因此可以直接切断位于短路位置两端的第二扫描线段，再形成一扫描修补线连接被切断的第二扫描线段，从而使被短路位置影响的像素区域暗点化，未被短路位置影响的像素区域正常显示，避免无法修补阵列基板而导致产品报废。本发明的阵列基板可以避免无法修补阵列基板而导致产品报废。
附图说明
为了能更进一步了解本发明的特征以及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本发明加以限制。
附图中，
图1为本发明的阵列基板的修补方法的流程图；
图2和3为本发明的阵列基板的修补方法步骤S1的示意图暨本发明的阵列基板的示意图；
图4为本发明的阵列基板的修补方法步骤S2和S3的示意图；
图5为本发明的阵列基板的修补方法步骤S4的示意图；
图6为本发明的阵列基板的修补方法步骤S5的示意图。
具体实施方式
为更进一步阐述本发明所采取的技术手段及其效果，以下结合本发明的优选实施例及其附图进行详细描述。
请参阅图1至图6，本发明提供一种阵列基板的修补方法，包括如下步骤：
步骤S1、请参阅图2及图3，提供阵列基板；所述阵列基板包括衬底基板10以及设于所述衬底基板10上的TFT层20；所述TFT层20包括相互绝缘的第一金属层21和第二金属层22；
所述第一金属层21包括沿水平方向延伸的扫描线211以及与所述扫描线211连接的栅极212；所述第二金属层22包括沿竖直方向延伸的数据线221；
所述扫描线211包括与数据线221交叠且与栅极212连接的第一扫描线段2111以及连接所述第一扫描线段2111的第二扫描线段2112；
所述第二扫描线段2112的宽度小于第一扫描线段2111的宽度；
步骤S2、请参阅图4，检测出阵列基板的扫描线211与数据线221的短路位置；
步骤S3、请参阅图4，切断位于扫描线211与数据线221的短路位置两端的第二扫描线段2112；
步骤S4、请参阅图5，形成一扫描修补线50连接被切断的第二扫描线段2112。
需要说明的是，本发明通过将阵列基板的扫描线211设置为与数据线221交叠且与栅极212连接的第一扫描线段2111以及连接所述第一扫描线段2111的第二扫描线段2112，那么后续检测出阵列基板的扫描线211与数据线221的短路位置，该短路位置必定位于第一扫描线段2111与数据线221交叠的位置，由于所述第二扫描线段2112的宽度小于第一扫描线段2111的宽度，因此可以直接切断位于短路位置两端的第二扫描线段2112，再形成一扫描修补线50连接被切断的第二扫描线段2112，从而使被短路位置影响的像素区域暗点化，未被短路位置影响的像素区域正常显示，避免无法修补阵列基板而导致产品报废。
具体的，所述第一金属层21还包括分别位于所述扫描线211两侧的第一公共电极线213和第二公共电极线214；所述第一公共电极线213包括与数据线221交叠的第一公共电极线段2131以及连接所述第一公共电极线段2131的第二公共电极线段2132；所述第二公共电极线段2132的宽度小于第一公共电极线段2131的宽度。
具体的，请参阅图6，所述阵列基板的修补方法还包括步骤S5、检测出阵列基板的第一公共电极线213与数据线221的短路位置，该短路位置必定位于第一公共电极线段2131与数据线221交叠的位置；切断位于第一公共电极线213与数据线221的短路位置两端的第二公共电极线段2132；形成一公共电极修补线60连接被切断的第二公共电极线段2132。
具体的，所述阵列基板还包括设于所述TFT层20上的像素电极30以及设于所述像素电极30上的色阻层40，即本发明的阵列基板为COA型阵列基板。
具体的，所述第二金属层22还包括源极222和漏极223；所述源极222连接数据线221；所述漏极223连接像素电极30。
具体的，所述第一公共电极线213位于扫描线211远离像素电极30的一侧；所述第二公共电极线214位于扫描线211靠近像素电极30的一侧。
请参阅图2及图3，基于上述阵列基板的修补方法，本发明还提供一种阵列基板，包括：衬底基板10以及设于所述衬底基板10上的TFT层20；所述TFT层20包括相互绝缘的第一金属层21和第二金属层22；
所述第一金属层21包括沿水平方向延伸的扫描线211以及与所述扫描线211连接的栅极212；所述第二金属层22包括沿竖直方向延伸的数据线221；
所述扫描线211包括与数据线221交叠且与栅极212连接的第一扫描线段2111以及连接所述第一扫描线段2111的第二扫描线段2112；
所述第二扫描线段2112的宽度小于第一扫描线段2111的宽度。
需要说明的是，本发明通过将阵列基板的扫描线211设置为与数据线221交叠且与栅极212连接的第一扫描线段2111以及连接所述第一扫描线段2111的第二扫描线段2112，那么在后续阵列基板的修补过程中，先检测出阵列基板的扫描线211与数据线221的短路位置，该短路位置必定位于第一扫描线段2111与数据线221交叠的位置，由于所述第二扫描线段2112的宽度小于第一扫描线段2111的宽度，因此可以直接切断位于短路位置两端的第二扫描线段2112，再形成一扫描修补线50连接被切断的第二扫描线段2112，从而使被短路位置影响的像素区域暗点化，未被短路位置影响的像素区域正常显示，避免无法修补阵列基板而导致产品报废。
具体的，所述第一金属层21还包括分别位于所述扫描线211两侧的第一公共电极线213和第二公共电极线214；所述第一公共电极线213包括与数据线221交叠的第一公共电极线段2131以及连接所述第一公共电极线段2131的第二公共电极线段2132；所述第二公共电极线段2132的宽度小于第一公共电极线段2131的宽度。在后续阵列基板的修补过程中，还可以检测出阵列基板的第一公共电极线213与数据线221的短路位置，该短路位置必定位于第一公共电极线段2131与数据线221交叠的位置，由于所述第二公共电极线段2132的宽度小于第一公共电极线段2131的宽度，因此可以直接切断位于短路位置两端的第二公共电极线段2132，再形成一公共电极修补线60连接被切断的第二公共电极线段2132。
具体的，所述阵列基板还包括设于所述TFT层20上的像素电极30以及设于所述像素电极30上的色阻层40；
所述第二金属层22还包括间隔设置的源极222和漏极223；所述源极222连接数据线221；所述漏极223连接像素电极30。
具体的，所述第一公共电极线213位于扫描线211远离像素电极30的一侧；所述第二公共电极线214位于扫描线211靠近像素电极30的一侧。
综上所述，本发明的阵列基板的修补方法通过将阵列基板的扫描线设置为与数据线交叠且与栅极连接的第一扫描线段以及连接所述第一扫描线段的第二扫描线段，后续检测出阵列基板的扫描线与数据线的短路位置，该短路位置必定位于第一扫描线段与数据线交叠的位置，由于所述第二扫描线段的宽度小于第一扫描线段的宽度，因此可以直接切断位于短路位置两端的第二扫描线段，再形成一扫描修补线连接被切断的第二扫描线段，从而使被短路位置影响的像素区域暗点化，未被短路位置影响的像素区域正常显示，避免无法修补阵列基板而导致产品报废。本发明的阵列基板可以避免无法修补阵列基板而导致产品报废。
以上所述，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本发明的技术方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形，而所有这些改变和变形都应属于本发明权利要求的保护范围。

Claims (10)

1.一种阵列基板的修补方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤S1、提供阵列基板；所述阵列基板包括衬底基板(10)以及设于所述衬底基板(10)上的TFT层(20)；所述TFT层(20)包括相互绝缘的第一金属层(21)和第二金属层(22)；
所述第一金属层(21)包括沿水平方向延伸的扫描线(211)以及与所述扫描线(211)连接的栅极(212)；所述第二金属层(22)包括沿竖直方向延伸的数据线(221)；
所述扫描线(211)包括与数据线(221)交叠且与栅极(212)连接的第一扫描线段(2111)以及连接所述第一扫描线段(2111)的第二扫描线段(2112)；
所述第二扫描线段(2112)的宽度小于第一扫描线段(2111)的宽度；
步骤S2、检测出阵列基板的扫描线(211)与数据线(221)的短路位置；
步骤S3、切断位于扫描线(211)与数据线(221)的短路位置两端的第二扫描线段(2112)；
步骤S4、形成一扫描修补线(50)连接被切断的第二扫描线段(2112)。
2.如权利要求1所述的阵列基板的修补方法，其特征在于，所述第一金属层(21)还包括分别位于所述扫描线(211)两侧的第一公共电极线(213)和第二公共电极线(214)；所述第一公共电极线(213)包括与数据线(221)交叠的第一公共电极线段(2131)以及连接所述第一公共电极线段(2131)的第二公共电极线段(2132)；所述第二公共电极线段(2132)的宽度小于第一公共电极线段(2131)的宽度。
3.如权利要求2所述的阵列基板的修补方法，其特征在于，还包括：步骤S5、检测出阵列基板的第一公共电极线(213)与数据线(221)的短路位置；切断位于第一公共电极线(213)与数据线(221)的短路位置两端的第二公共电极线段(2132)；形成一公共电极修补线(60)连接被切断的第二公共电极线段(2132)。
4.如权利要求2所述的阵列基板的修补方法，其特征在于，所述阵列基板还包括设于所述TFT层(20)上的像素电极(30)以及设于所述像素电极(30)上的色阻层(40)。
5.如权利要求4所述的阵列基板的修补方法，其特征在于，所述第二金属层(22)还包括间隔设置的源极(222)和漏极(223)；所述源极(222)连接数据线(221)；所述漏极(223)连接像素电极(30)。
6.如权利要求4所述的阵列基板的修补方法，其特征在于，所述第一公共电极线(213)位于扫描线(211)远离像素电极(30)的一侧；所述第二公共电极线(214)位于扫描线(211)靠近像素电极(30)的一侧。
7.一种阵列基板，其特征在于，包括：衬底基板(10)以及设于所述衬底基板(10)上的TFT层(20)；所述TFT层(20)包括相互绝缘的第一金属层(21)和第二金属层(22)；
所述第一金属层(21)包括沿水平方向延伸的扫描线(211)以及与所述扫描线(211)连接的栅极(212)；所述第二金属层(22)包括沿竖直方向延伸的数据线(221)；
所述扫描线(211)包括与数据线(221)交叠且与栅极(212)连接的第一扫描线段(2111)以及连接所述第一扫描线段(2111)的第二扫描线段(2112)；
所述第二扫描线段(2112)的宽度小于第一扫描线段(2111)的宽度。
8.如权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述第一金属层(21)还包括分别位于所述扫描线(211)两侧的第一公共电极线(213)和第二公共电极线(214)；所述第一公共电极线(213)包括与数据线(221)交叠的第一公共电极线段(2131)以及连接所述第一公共电极线段(2131)的第二公共电极线段(2132)；所述第二公共电极线段(2132)的宽度小于第一公共电极线段(2131)的宽度。
9.如权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，还包括设于所述TFT层(20)上的像素电极(30)以及设于所述像素电极(30)上的色阻层(40)；所述第二金属层(22)还包括间隔设置的源极(222)和漏极(223)；所述源极(222)连接数据线(221)；所述漏极(223)连接像素电极(30)。
10.如权利要求9所述的阵列基板，其特征在于，所述第一公共电极线(213)位于扫描线(211)远离像素电极(30)的一侧；所述第二公共电极线(214)位于扫描线(211)靠近像素电极(30)的一侧。
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