CN110818280A - 多层镀膜玻璃生产工艺 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了多层镀膜玻璃生产工艺,包括如下步骤:步骤一,基板清洗;步骤二,基板安装;步骤三,抽真空处理;步骤四,镀膜;步骤五,洗涤干燥;步骤六,检测包装;玻璃基板人工检验合格后,将玻璃基板放置在超声波清洗机中的容器内,依次放入中性洗涤剂、蒸馏水、酒精进行超声波清洗,振动后除去玻璃镀膜基面的油脂和脏污,用流水冲洗基板,再放入沸腾的蒸馏水中,取出后迅速吹干,把干燥后的基板装上固定架上备用;将玻璃基板放进真空磁控溅射镀膜机的真空镀膜室;本发明,膜层耐腐蚀和耐磨性能较好,膜层与基板的附着力强,膜层纯度高,可以一次完成多层镀膜,有着极好的膜层均匀性,卓越的边缘覆盖和良好的附着力。
Description
技术领域
本发明涉及镀膜玻璃技术领域,具体为多层镀膜玻璃生产工艺。
背景技术
镀膜玻璃是采用热解法、真空法、化学镀膜法等,在玻璃表面涂以金属、金属氧化物薄膜或非金属氧化物薄膜,或采用电浮法、等离子交换方法,向玻璃表面渗入金属离子以置换玻璃表面层原有的离子而形成反射膜的玻璃,镀膜玻璃的性能原理主要是薄膜光学原理。单层膜系是利用某些薄膜材料的红外线反射性能,达到热反射功能,和利用薄膜本身的可见光谱反射特性,形成反射颜色。多层膜系是利用某些薄膜材料的红外线反射性能的同时,利用薄膜在可见光谱范围的干涉效应,通过对薄膜厚度的调整,既达到了热反射功能又可形成所需的反射颜色。
现有技术中镀膜玻璃生产加工中,在玻璃基板上仅仅形成单层薄膜,膜层的耐腐蚀和耐磨性能不好,膜层与基板的附着力不强,膜层纯度不高,不能一次完成多层镀膜,膜层不均匀,边缘覆盖不好,附着力不好,因此,设计多层镀膜玻璃生产工艺是很有必要的。
发明内容
本发明的目的在于提供多层镀膜玻璃生产工艺,以解决上述背景技术中提出的问题。
为实现上述目的,本发明提供如下技术方案:
多层镀膜玻璃生产工艺,包括如下步骤:步骤一,基板清洗;步骤二,基板安装;步骤三,抽真空处理;步骤四,镀膜;步骤五,洗涤干燥;步骤六,检测包装;
其中在上述的步骤一中,玻璃基板人工检验合格后,将玻璃基板放置在超声波清洗机中的容器内,依次放入中性洗涤剂、蒸馏水、酒精进行超声波清洗,振动5min后除去玻璃镀膜基面的油脂和脏污,然后用流水冲洗基板,再放入沸腾的蒸馏水中,取出后迅速吹干,把干燥后的基板装上固定架上备用;
其中在上述的步骤二中,将玻璃基板放进真空磁控溅射镀膜机的真空镀膜室,先向真空腔内充气一段时间,升起镀膜室钟罩,装好基板,清理镀膜室,降下钟罩;
其中在上述的步骤三中,用分子泵和机械泵对真空室连续抽真空,利用复合真空计检测真空室内的真空度,待真空室内本底真空度达到要求后,即可准备镀膜工作;
其中在上述的步骤四中,通过水平排列的滚轮对玻璃基板进行输送,将玻璃基板输送至溅射室内的多个溅射腔内,在溅射腔内安装阴极靶材,在溅射腔内分别通入氮气、氧气工作性气体和氩气反应性气体,然后对溅射阴极通电,在电场的作用下,从阳极表面发射出电子,电子在电场的加速下能量迅速提高,高能电子与阴极表面区域的空间的气体分子相碰撞,使气体分子电离,带正电的粒子在电场的加速下,高速向阴极表面撞击,将金属粒子击出,同时由于粒子碰撞靶表面产生大量二次电子,电子又在电场的加速下成为高能电子,从而维持这种异常辉光放电,被带正电的粒子从靶表面出的金属粒子沉积在玻璃表面形成镀膜层;
其中在上述的步骤五中,镀膜完毕后,关闭电源,继续抽真空0.5h-2h,通过滚轮将镀膜后的玻璃输送到镀膜室出口,通过洗涤干燥机进行洗涤干燥处理;
其中在上述的步骤六中,对洗涤干燥后的玻璃在暗室内借助透射率、反射率测量仪进行质量检测,将检测合格的镀膜玻璃包装装箱,运送到成品库保存。
根据上述技术方案,所述步骤一中,清洗后的玻璃不能用裸手触摸。
根据上述技术方案,所述步骤三中,真空室内本底真空度为10-3-10-5Pa。
根据上述技术方案,所述步骤四中,溅射腔设置有四个,第一溅射腔内安装镍铬合金阴极靶材,第一溅射腔内通入氩气,第二溅射腔内安装银阴极靶材,第二溅射腔内通入氩气,第三溅射腔内安装硅铝阴极靶材,第三溅射腔内通入氩气和氧气,且氩气和氧气量之比为1:1.2,第四溅射腔内安装硅铝阴极靶材,第四溅射腔内通入氩气和氮气,且氩气和氮气量之比为1.2:1.5。
根据上述技术方案,所述步骤二中,清洗干燥后的玻璃基板输送前等待时间不应超过10min。
根据上述技术方案,所述步骤四中,保证玻璃基板传动速度范围为90-400in/min。
根据上述技术方案,所述步骤四中,为了得到最大的沉积速率并提高膜层的附着力,在保证不会破坏辉光放电自身的前提下,基板应当尽可能放置在离阴极最近的地方。
根据上述技术方案,所述步骤四中,氩气压强为0.3-0.8Pa。
与现有技术相比,本发明的有益效果是:玻璃基板人工检验合格后,将玻璃基板放置在超声波清洗机中的容器内,依次放入中性洗涤剂、蒸馏水、酒精进行超声波清洗,振动5min后除去玻璃镀膜基面的油脂和脏污,然后用流水冲洗基板,再放入沸腾的蒸馏水中,取出后迅速吹干,对真空室连续抽真空处理,待真空室内本底真空度达到要求后,进行镀膜工作,将玻璃基板输送至溅射室内的四个溅射腔内,在电场的作用下,从阳极表面发射出电子,电子在电场的加速下能量迅速提高,高能电子与阴极表面区域的空间的气体分子相碰撞,使气体分子电离,带正电的粒子在电场的加速下,高速向阴极表面撞击,将金属粒子击出,同时由于粒子碰撞靶表面产生大量二次电子,电子又在电场的加速下成为高能电子,从而维持这种异常辉光放电,被带正电的粒子从靶表面出的金属粒子沉积在玻璃表面形成镀膜层,在第一溅射腔内形成镍铬合金金属薄膜,在第二溅射腔内形成银金属薄膜,在第三溅射腔内形成氧化硅化合物薄膜,在第四溅射腔内形成氮化硅化合物薄膜,在玻璃基板上形成多层薄膜,膜层的耐腐蚀和耐磨性能较好,真空磁控溅射保证膜层与基板的附着力强,膜层纯度高,可以一次完成多层镀膜,有着极好的膜层均匀性,卓越的边缘覆盖和良好的附着力。
附图说明
附图用来提供对本发明的进一步理解,并且构成说明书的一部分,与本发明的实施例一起用于解释本发明,并不构成对本发明的限制。在附图中:
图1是本发明的生产工艺流程图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
请参阅图1,本发明提供一种技术方案:
多层镀膜玻璃生产工艺,包括如下步骤:步骤一,基板清洗;步骤二,基板安装;步骤三,抽真空处理;步骤四,镀膜;步骤五,洗涤干燥;步骤六,检测包装;
其中在上述的步骤一中,玻璃基板人工检验合格后,将玻璃基板放置在超声波清洗机中的容器内,依次放入中性洗涤剂、蒸馏水、酒精进行超声波清洗,振动5min后除去玻璃镀膜基面的油脂和脏污,然后用流水冲洗基板,再放入沸腾的蒸馏水中,取出后迅速吹干,把干燥后的基板装上固定架上备用,步骤一中,清洗后的玻璃不能用裸手触摸;
其中在上述的步骤二中,将玻璃基板放进真空磁控溅射镀膜机的真空镀膜室,先向真空腔内充气一段时间,升起镀膜室钟罩,装好基板,清理镀膜室,降下钟罩,步骤二中,清洗干燥后的玻璃基板输送前等待时间不应超过10min;
其中在上述的步骤三中,用分子泵和机械泵对真空室连续抽真空,利用复合真空计检测真空室内的真空度,待真空室内本底真空度达到要求后,即可准备镀膜工作,步骤三中,真空室内本底真空度为10-3-10-5Pa;
其中在上述的步骤四中,通过水平排列的滚轮对玻璃基板进行输送,步骤四中,保证玻璃基板传动速度范围为90-400in/min;将玻璃基板输送至溅射室内的多个溅射腔内,在溅射腔内安装阴极靶材,步骤四中,溅射腔设置有四个,第一溅射腔内安装镍铬合金阴极靶材,第一溅射腔内通入氩气,第二溅射腔内安装银阴极靶材,第二溅射腔内通入氩气,第三溅射腔内安装硅铝阴极靶材,第三溅射腔内通入氩气和氧气,且氩气和氧气量之比为1:1.2,第四溅射腔内安装硅铝阴极靶材,第四溅射腔内通入氩气和氮气,且氩气和氮气量之比为1.2:1.5;步骤四中,为了得到最大的沉积速率并提高膜层的附着力,在保证不会破坏辉光放电自身的前提下,基板应当尽可能放置在离阴极最近的地方;在溅射腔内分别通入氮气、氧气工作性气体和氩气反应性气体,步骤四中,氩气压强为0.3-0.8Pa,然后对溅射阴极通电,在电场的作用下,从阳极表面发射出电子,电子在电场的加速下能量迅速提高,高能电子与阴极表面区域的空间的气体分子相碰撞,使气体分子电离,带正电的粒子在电场的加速下,高速向阴极表面撞击,将金属粒子击出,同时由于粒子碰撞靶表面产生大量二次电子,电子又在电场的加速下成为高能电子,从而维持这种异常辉光放电,被带正电的粒子从靶表面出的金属粒子沉积在玻璃表面形成镀膜层;
其中在上述的步骤五中,镀膜完毕后,关闭电源,继续抽真空0.5h-2h,通过滚轮将镀膜后的玻璃输送到镀膜室出口,通过洗涤干燥机进行洗涤干燥处理;
其中在上述的步骤六中,对洗涤干燥后的玻璃在暗室内借助透射率、反射率测量仪进行质量检测,将检测合格的镀膜玻璃包装装箱,运送到成品库保存。
基于上述,本发明的优点在于,玻璃基板人工检验合格后,将玻璃基板放置在超声波清洗机中的容器内,依次放入中性洗涤剂、蒸馏水、酒精进行超声波清洗,振动5min后除去玻璃镀膜基面的油脂和脏污,然后用流水冲洗基板,再放入沸腾的蒸馏水中,取出后迅速吹干,对真空室连续抽真空处理,待真空室内本底真空度达到要求后,进行镀膜工作,将玻璃基板输送至溅射室内的四个溅射腔内,在电场的作用下,从阳极表面发射出电子,电子在电场的加速下能量迅速提高,高能电子与阴极表面区域的空间的气体分子相碰撞,使气体分子电离,带正电的粒子在电场的加速下,高速向阴极表面撞击,将金属粒子击出,同时由于粒子碰撞靶表面产生大量二次电子,电子又在电场的加速下成为高能电子,从而维持这种异常辉光放电,被带正电的粒子从靶表面出的金属粒子沉积在玻璃表面形成镀膜层,在第一溅射腔内形成镍铬合金金属薄膜,在第二溅射腔内形成银金属薄膜,在第三溅射腔内形成氧化硅化合物薄膜,在第四溅射腔内形成氮化硅化合物薄膜,在玻璃基板上形成多层薄膜,膜层的耐腐蚀和耐磨性能较好,真空磁控溅射保证膜层与基板的附着力强,膜层纯度高,可以一次完成多层镀膜,有着极好的膜层均匀性,卓越的边缘覆盖和良好的附着力。
需要说明的是,在本文中,诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来,而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且,术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含,从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素,而且还包括没有明确列出的其他要素,或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。
尽管已经示出和描述了本发明的实施例,对于本领域的普通技术人员而言,可以理解在不脱离本发明的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型,本发明的范围由所附权利要求及其等同物限定。
Claims (8)
1.多层镀膜玻璃生产工艺,包括如下步骤:步骤一,基板清洗;步骤二,基板安装;步骤三,抽真空处理;步骤四,镀膜;步骤五,洗涤干燥;步骤六,检测包装;其特征在于:
其中在上述的步骤一中,玻璃基板人工检验合格后,将玻璃基板放置在超声波清洗机中的容器内,依次放入中性洗涤剂、蒸馏水、酒精进行超声波清洗,振动5min后除去玻璃镀膜基面的油脂和脏污,然后用流水冲洗基板,再放入沸腾的蒸馏水中,取出后迅速吹干,把干燥后的基板装上固定架上备用;
其中在上述的步骤二中,将玻璃基板放进真空磁控溅射镀膜机的真空镀膜室,先向真空腔内充气一段时间,升起镀膜室钟罩,装好基板,清理镀膜室,降下钟罩;
其中在上述的步骤三中,用分子泵和机械泵对真空室连续抽真空,利用复合真空计检测真空室内的真空度,待真空室内本底真空度达到要求后,即可准备镀膜工作;
其中在上述的步骤四中,通过水平排列的滚轮对玻璃基板进行输送,将玻璃基板输送至溅射室内的多个溅射腔内,在溅射腔内安装阴极靶材,在溅射腔内分别通入氮气、氧气工作性气体和氩气反应性气体,然后对溅射阴极通电,在电场的作用下,从阳极表面发射出电子,电子在电场的加速下能量迅速提高,高能电子与阴极表面区域的空间的气体分子相碰撞,使气体分子电离,带正电的粒子在电场的加速下,高速向阴极表面撞击,将金属粒子击出,同时由于粒子碰撞靶表面产生大量二次电子,电子又在电场的加速下成为高能电子,从而维持这种异常辉光放电,被带正电的粒子从靶表面出的金属粒子沉积在玻璃表面形成镀膜层;
其中在上述的步骤五中,镀膜完毕后,关闭电源,继续抽真空0.5h-2h,通过滚轮将镀膜后的玻璃输送到镀膜室出口,通过洗涤干燥机进行洗涤干燥处理;
其中在上述的步骤六中,对洗涤干燥后的玻璃在暗室内借助透射率、反射率测量仪进行质量检测,将检测合格的镀膜玻璃包装装箱,运送到成品库保存。
2.根据权利要求1所述的多层镀膜玻璃生产工艺,其特征在于:所述步骤一中,清洗后的玻璃不能用裸手触摸。
3.根据权利要求1所述的多层镀膜玻璃生产工艺,其特征在于:所述步骤三中,真空室内本底真空度为10-3-10-5Pa。
4.根据权利要求1所述的多层镀膜玻璃生产工艺,其特征在于:所述步骤四中,溅射腔设置有四个,第一溅射腔内安装镍铬合金阴极靶材,第一溅射腔内通入氩气,第二溅射腔内安装银阴极靶材,第二溅射腔内通入氩气,第三溅射腔内安装硅铝阴极靶材,第三溅射腔内通入氩气和氧气,且氩气和氧气量之比为1:1.2,第四溅射腔内安装硅铝阴极靶材,第四溅射腔内通入氩气和氮气,且氩气和氮气量之比为1.2:1.5。
5.根据权利要求1所述的多层镀膜玻璃生产工艺,其特征在于:所述步骤二中,清洗干燥后的玻璃基板输送前等待时间不应超过10min。
6.根据权利要求1所述的多层镀膜玻璃生产工艺,其特征在于:所述步骤四中,保证玻璃基板传动速度范围为90-400in/min。
7.根据权利要求1所述的多层镀膜玻璃生产工艺,其特征在于:所述步骤四中,为了得到最大的沉积速率并提高膜层的附着力,在保证不会破坏辉光放电自身的前提下,基板应当尽可能放置在离阴极最近的地方。
8.根据权利要求1所述的多层镀膜玻璃生产工艺,其特征在于:所述步骤四中,氩气压强为0.3-0.8Pa。
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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PB01 | Publication | ||
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SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20200221 |
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