CN110804199A - 量子点膜的制备方法及量子点膜和背光模组 - Google Patents

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Abstract

本申请公开了一种量子点膜的制备方法，该方法包括：步骤一、提供量子点和高分子材料；步骤二、使所述高分子材料处于熔融状态后，向至少部分所述高分子材料中混入量子点；步骤三、挤压所述高分子材料，形成量子点基膜；步骤四、对所述量子点基膜进行电晕处理；步骤五、制得量子点膜。本申请在量子点膜的中间制作过程中对量子点基膜进行电晕处理，使得量子点基膜中的量子点与高分子材料重新排列组合，从而提高了量子点膜的发光亮度。

Description

量子点膜的制备方法及量子点膜和背光模组
技术领域
本申请涉及荧光纳米材料领域，尤其涉及一种量子点膜的制备方法。
背景技术
量子点具有优异的光学性能，比如发射峰易于调节、半峰宽窄等优点，可以将其应用于显示、照明等领域。量子点材料用于显示时，对色域等方面具有明显的提升。
量子点一般被分散在高分子材料中，再制备成量子点膜使用。现有技术中，量子点膜的发光亮度不是很理想。
为了提高量子点膜的发光亮度，目前一般采用：1)提高量子点的量子产率；2)提高高分子材料(胶水)的透光率；3)提高量子点膜中水氧阻隔层的透光率；4)加入光扩散粒子等方法实现，但上述方法都大大提高了量子点膜的制造成本。
因此，目前急需一种能够提高量子点膜的发光亮度，但又不增大量子点膜生产成本的方法。
发明内容
本申请的目的在于提供一种量子点膜的制备方法，能够提高量子点膜的发光亮度。
本申请的一方面提供了一种量子点膜的制备方法，该方法包括：
步骤一、提供量子点和高分子材料；
步骤二、使所述高分子材料处于熔融状态后，向至少部分所述高分子材料中混入量子点；
步骤三、挤压所述高分子材料，形成量子点基膜；
步骤四、对所述量子点基膜进行电晕处理；
步骤五、制得量子点膜。
可选的，所述步骤四中电晕处理的时间为1s～60s。
可选的，所述步骤四中电晕处理的电压为5000V～15000V。
可选的，所述步骤三中量子点基膜的厚度为10μm～300μm。
可选的，所述步骤三中挤压所述高分子材料的方式为多层共挤流延方式，所述高分子材料包括含量子点的高分子材料和无量子点的高分子材料，将含量子点的高分子材料和无量子点的高分子材料共挤，形成量子点基膜。
可选的，所述步骤三中挤压所述高分子材料的方式为单层挤出流延方式，将含量子点的高分子材料挤出，形成量子点基膜。
可选的，所述步骤二还包括，向所述高分子材料中混入光扩散粒子和/或烃类添加剂，所述烃类添加剂的沸点高于所述高分子材料的熔点。
可选的，所述制备方法还包括：
步骤六、在所述量子点膜上设置水氧阻隔层。
本申请另一方面还提供了一种量子点膜，量子点膜由上述量子点膜的制备方法制得。
本申请另一方面还提供了一种背光模组，背光模组包括量子点膜，量子点膜为上述的量子点膜。
本申请具有如下有益效果：
本申请在量子点膜的中间制作过程中对量子点基膜进行电晕处理，使得量子点基膜中高分子材料的碳氢链和/或碳碳链断裂重组，量子点与高分子材料重新排列组合，从而提高了量子点基膜的发光亮度。另外，对量子点基膜进行电晕处理，还移除了量子点基膜表面的水汽、油污及尘埃等，这同样能够提高量子点膜的发光亮度。并且，对量子点基膜进行电晕处理可以提高量子点基膜表面的粗糙度，便于后续在量子点基膜上设置水氧阻隔层。
附图说明
图1是本申请一具体实施例量子点膜的制作方法流程图；
图2是本申请另一具体实施例量子点膜的制作方法流程图；
图3是本申请一具体实施例量子点膜的结构示意图；
图4是本申请另一具体实施例量子点膜的结构示意图；
图5是本申请一具体实施例背光模组的示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施方式，对本申请实施例中的技术方案进行详细地描述。应注意的是，所描述的实施方式仅仅是本申请一部分实施方式，而不是全部实施方式。
如果未另外定义，说明书中的所有术语(包括技术和科学术语)可如本领域技术人员通常理解的那样定义。常用字典中定义的术语应被解释为具有与它们在相关领域的背景和本公开内容中的含义一致的含义，并且不可以理想方式或者过宽地解释，除非清楚地定义。此外，除非明确地相反描述，措辞“包括”和措辞“包含”当用于本说明书中时表明存在所陈述的特征、区域、整体、步骤、操作、要素、和/或组分，但是不排除存在或添加一个或多个其它特征、区域、整体、步骤、操作、要素、组分、和/或其集合。因此，以上措辞将被理解为意味着包括所陈述的要素，但不排除任何其它要素。
如本文中使用的，术语“和/或”包括相关列举项目的一个或多个的任何和全部组合。术语“或”意味着“和/或”。表述例如“的至少一个(种)”当在要素列表之前或之后时，修饰整个要素列表而不修饰所述列表的单独要素。
本文中使用的术语仅用于描述具体实施方式的目的且不意图为限制性的。如本文中使用的，单数形式“一个(种)”和“所述(该)”也意图包括复数形式，除非上下文清楚地另外指明。
如图1所示，为本申请一具体实施例量子点膜的制作方法流程图，该量子点膜的制备方法包括：
步骤S101、提供量子点和高分子材料；
本申请中，量子点是指三维尺寸均在1nm～100nm以内的纳米颗粒。纳米颗粒的形状包括但是不限定于球状、椭球状、多面体状等。
本申请中，量子点的尺寸优选在1～15nm。量子点可以为IIB-VIA族量子点、IIIA-VA族量子点、IVA-VIA族量子点、IVA族量子点、IB-IIIA-VIA族量子点、VIII-VIA族量子点或者钙钛矿量子点，但是不限定于此。
本申请中，IIB-VIA族量子点，不仅仅局限于指一种IIB族元素和VIA族元素组成的二元素结构，也可以是三元素结构，比如两种IIB族元素和一种VIA族元素组成或者是一种IIB族元素和两种VIA族元素组成；也可以是四元素结构，比如两种IIB元族素和两种VIA族元素组成。IIB-VIA族量子点可以为单壳层或者多壳层结构，比如单壳层为ZnS时，IIB-VIA族量子点可以为CdSe/ZnS、CdSeS/ZnS等；比如多壳层为ZnSe/ZnS时，IIB-VIA族量子点可以为CdSe/ZnSe/ZnS，CdSeS/ZnSe/ZnS等。与IIB-VIA族量子点类似，IIIA-VA族量子点、IVA-VIA族量子点、IVA族量子点、IB-IIIA-VIA族量子点、VIII-VIA族量子点也不局限于一种元素或者两种元素或者三种元素组成。
在一个示意性的实施方式中，量子点包括但是不限定于CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、PbS、HgSe、HgTe、MgSe、MgS、PbS、CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、MgZnSe、MgZnS、HgZnTeS、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe、HgZnSTe、GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs、InSb、GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InNP、InNAs、InNSb、InPAs、InPSb、GaAlNP、GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs、InAlPSb、CuInS2、C、Si、SiC，但是不限定于此。
本申请中，量子点可通过商购得到或可以任何方法合成。例如，若干纳米尺寸的量子点可通过湿化学工艺合成。在湿化学工艺中，前体在有机溶剂中反应以生长纳米晶体颗粒，且所述有机溶剂或配体化合物可配位(或结合)到纳米晶体的表面，由此控制纳米晶体的生长。
所述量子点的发光波长没有特别限制且可适当地选择。所述量子点的光致发光波长可存在于从紫外区域到近红外区域的范围内。例如，所述量子点的最大峰值波长可存在于从约420到约750nm的范围内，但其不限于此。
所述量子点可具有小于或等于约45nm、例如小于或等于约40nm、或者小于或等于约30nm的半宽度(FWHM)。尽管不想受理论束缚，但理解，在这样的范围内，包括量子点的装置可具有提升的色纯度或改善的颜色再现性。
本申请中，高分子材料可以包括乙烯基聚合物、丙烯基聚合物、硫醇烯聚合物、丙烯酸酯聚合物、氨基甲酸酯聚合物、碳酸酯聚合物、环氧聚合物和有机硅聚合物中的至少一种，但是不限定于此。具体的，高分子材料可以为聚乙烯、聚偏二氟乙烯、聚乙烯醇缩丁醛、聚乙烯醇、聚苯乙烯、聚丙烯、聚丙烯酸甲酯、聚甲基丙烯酸甲酯(有机玻璃)、聚亚癸基甲酰胺、聚癸二酰己二胺、聚对苯二甲酸乙二醇酯、二醇改性的聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、乙酸丁酸纤维素、棕榈蜡、聚甲基苯基有机硅、聚二甲基硅氧烷等。
步骤S102、使所述高分子材料处于熔融状态后，向至少部分所述高分子材料中混入量子点；
在本步骤中向至少部分所述高分子材料混入量子点，可以是向全部高分子材料中混入量子点，也可以是向高分子材料的一部分中混入量子点。
在本申请中，所述高分子材料可能为多种高分子聚合物的混合物，要使得所述高分子材料处于熔融状态，是指的高分子材料中所有高分子聚合物都处于熔融状态。
在本申请一实施例中，为了增加量子点与高分子材料的混合均匀性，制备出分散性能更好的量子点高分子复合材料。在本步骤中，所述量子点和/或高分子材料还包含溶剂，溶剂在高分子材料熔融状态下会通过常压或者减压的方式除去。例如，溶剂选自C6-C22胺化合物、含氮杂环化合物、C6-C40脂族烃、C6-C30芳族烃、C6-C22膦氧化物化合物和C12-C22芳族醚中的至少一种。具体的，C6-C22烷基伯胺如十六烷基胺，C6-C22烷基仲胺如二辛基胺，C6-C40烷基叔胺如三辛基胺，含氮杂环化合物如吡啶，C6-C40烯烃如十八碳烯，C6-C40脂族烃如十六烷、十八烷、或角鲨烷，被C6-C30烷基取代的芳族烃如甲苯、苯基十二烷、苯基十四烷、或苯基十六烷，被C6-C22烷基取代的膦如三辛基膦，被C6-C22烷基取代的膦氧化物如三辛基膦氧化物，C12-C22芳族醚如苯醚、或苄醚，或其组合。
在本申请一实施例中，为了提高量子点高分子复合材料中量子点的利用率，在本步骤中，还可向所述高分子材料中混入光扩散粒子。光扩散粒子可以为无机光扩散粒子，也可以为有机光扩散粒子，本申请不以此为限。
在本申请一实施例中，所述量子点和/或高分子材料还包括烃类添加剂。常压下，在所述高分子材料处于熔融状态下，烃类添加剂不会挥发，即烃类添加剂的沸点高于所述高分子材料的熔点。这样，烃类添加剂会留存在量子点高分子复合材料中。通过加入合适含量的烃类添加剂，可以有效增加量子点在高分子材料中的分散性，保持量子点不大量的团聚，从而保证稳定的发光性能。烃类添加剂的作用是对于量子点表面一般修饰有配体比如烷基胺、烷基酸、硫醇等而言，量子点具有较强的疏水性，量子点与高分子材料的相容性极差，即量子点在高分子材料中可能无法有效分散。而烃类添加剂的加入正好可以让量子点与高分子材料良好的相容，这样可以使得量子点不需要经过进一步的表面包覆等步骤来提高量子点在高分子材料中的分散性。另外，也可以避免熔融过程采用特殊的分散手段，比如超声等，提高量子点在高分子材料中的分散性。在本申请一实施例中，烃类添加剂可以为饱和或者不饱和的烃类，例如，白油。需要说明的是白油的别名又叫石蜡油或者白色油或者矿物油，它由石油所得精炼液态烃的混合物，主要为饱和的环烷烃与链烷烃混合物，原油经常压和减压分馏、溶剂抽提和脱蜡，加氢精制而得。
步骤S103、挤压所述高分子材料，形成量子点基膜；
在本步骤中，挤压的高分子材料，包括步骤S102中含量子点的高分子材料；另外，挤压的高分子材料还可包括无量子点的高分子材料。即，在本步骤中，可以直接对含量子点的高分子材料进行挤压形成量子点基膜，这样的挤压方式一般为单层挤出流延方式。另外，也可以将无量子点的高分子材料与含量子点的高分子材料进行共挤形成量子点基膜，这样的挤压方式一般为多层共挤流延方式。通过多层共挤流延的方式，相当于直接在量子点膜上增附了阻隔层，从而提高了量子点膜的水氧阻隔能力。
具体的，量子点基膜由挤出流延设备制得。如果是单层挤出流延方式，挤出流延设备将混有量子点的熔融高分子材料从一个模头中挤出并流延成型，制得的量子点基膜为混有量子点的一层膜结构；如果是多层共挤流延方式，例如，以三层共挤流延方式为例，挤出流延设备具有三个模头，中间的模头用于对含量子点的熔融高分子材料进行挤出，另外两个模头分别于中间模头的两侧设置，用于对无量子点的熔融高分子材料进行挤出，最终将三个模头挤出的高分子材料流延成型为一体。
简而言之，挤压所述高分子材料分为单层挤出流延和多层共挤流延两种方式，当为多层共挤流延方式时，所述高分子材料包括含量子点的高分子材料和无量子点的高分子材料，将含量子点的高分子材料和无量子点的高分子材料共挤，形成量子点基膜。当为单层挤出流延方式时，直接将含量子点的高分子材料挤出，形成量子点基膜。通过挤压流延的工艺对量子点高分子复合材料进行加工，可以很好的提高量子点膜的阻水阻氧能力，降低量子点膜中量子点被破坏猝灭的风险。关于单层挤出流延方式和多层共挤流延方式的具体工艺制程步骤，为本领域的公知常识，在此不再赘述。
另外，在上述实施例中以流延的方式形成量子点基膜，但并不以此为限，本申请还可以采用单向拉伸、双向拉伸、吹塑等方式形成量子点基膜。
在本步骤中，形成的量子点基膜的厚度一般为10μm～300μm。当然，具体量子点基膜的厚度可以根据实际需要进行调整设置。
步骤S104、对所述量子点基膜进行电晕处理；
对步骤S103形成的量子点基膜进行电晕处理。在本申请中，在量子点膜的中间制作过程中对量子点基膜进行电晕处理，使得量子点基膜中的高分子材料碳氢链和/或碳碳链断裂重组，量子点与高分子材料重新排列组合，从而提高了量子点基膜的发光亮度。
需要强调的是，本申请不同于与现有技术之处在于，现有技术中对各种化学膜进行电晕，仅仅是对化学膜表面进行处理，作用单纯是为了提高化学膜表面的附着力，以便于后续化学膜与其他膜层进行贴合，而本申请是对中间产物量子点基膜直接进行电晕处理，目的是为了改变量子点基膜中的量子点与高分子材料的排列组合结构，从而最终提高量子点膜的发光亮度。
另外，对量子点基膜进行电晕处理后，还移除了量子点基膜表面的水汽、油污及尘埃等，同样能够提高量子点膜的发光亮度。
并且，对量子点基膜进行电晕处理，也提高了量子点基膜表面的粗糙度，便于后续在量子点基膜上设置水氧阻隔层。
在本步骤中，电晕处理的时间为1s～60s，具体对量子点基膜进行电晕处理的时间，可根据量子点基膜的厚度以及高分子材料而定。
另外，在本步骤中，电晕处理的电压一般为5000V～15000V。低于这个电压范围，可能会导致电晕处理无效果，或者电晕处理时间过长，而高于这个电压范围，可能会导致电晕处理损害高分子材料或者量子点。
步骤S105、制得量子点膜。
经过本申请制作方法制备得到的量子点膜的发光亮度，获得了显著的提升。
在本申请的实验测试中，对比例中未进行电晕处理的量子点膜的发光亮度为6100流明；而实施例中进行电晕处理的量子点膜的发光亮度为7000流明，发光亮度提高了接近15％。
如图2所示，为本申请另一具体实施例中量子点膜的制作方法流程图。与上述量子点膜的制作方法区别在于，在制得量子点膜之后进一步在量子点膜上设置水氧阻隔层。
该量子点膜的制作方法具体包括如下步骤：
步骤S201、提供量子点和高分子材料；
本申请中，量子点是指三维尺寸均在1nm～100nm以内的纳米颗粒。纳米颗粒的形状包括但是不限定于球状、椭球状、多面体状等。
本申请中，量子点的尺寸优选在1～15nm。量子点可以为IIB-VIA族量子点、IIIA-VA族量子点、IVA-VIA族量子点、IVA族量子点、IB-IIIA-VIA族量子点、VIII-VIA族量子点或者钙钛矿量子点，但是不限定于此。
本申请中，量子点可通过商购得到或可以任何方法合成。例如，若干纳米尺寸的量子点可通过湿化学工艺合成。在湿化学工艺中，前体在有机溶剂中反应以生长纳米晶体颗粒，且所述有机溶剂或配体化合物可配位(或结合)到纳米晶体的表面，由此控制纳米晶体的生长。
本申请中，高分子材料可以包括乙烯基聚合物、丙烯基聚合物、硫醇烯聚合物、丙烯酸酯聚合物、氨基甲酸酯聚合物、碳酸酯聚合物、环氧聚合物和有机硅聚合物中的至少一种，但是不限定于此。具体的，高分子材料可以为聚乙烯、聚偏二氟乙烯、聚乙烯醇缩丁醛、聚乙烯醇、聚苯乙烯、聚丙烯、聚丙烯酸甲酯、聚甲基丙烯酸甲酯(有机玻璃)、聚亚癸基甲酰胺、聚癸二酰己二胺、聚对苯二甲酸乙二醇酯、二醇改性的聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、乙酸丁酸纤维素、棕榈蜡、聚甲基苯基有机硅、聚二甲基硅氧烷等。
步骤S202、使所述高分子材料处于熔融状态后，向至少部分所述高分子材料中混入量子点；
在本申请中，所述高分子材料可能为多种高分子聚合物的混合物，要使得所述高分子材料处于熔融状态，是指的高分子材料中所有高分子聚合物都处于熔融状态。
在本申请一实施例中，为了增加量子点与高分子材料的混合均匀性，制备出分散性能更好的量子点高分子复合材料。在本步骤中，所述量子点和/或高分子材料还包含溶剂，溶剂在高分子材料熔融状态下会通过常压或者减压的方式除去。例如，溶剂选自C6-C22胺化合物、含氮杂环化合物、C6-C40脂族烃、C6-C30芳族烃、C6-C22膦氧化物化合物和C12-C22芳族醚中的至少一种。具体的，C6-C22烷基伯胺如十六烷基胺，C6-C22烷基仲胺如二辛基胺，C6-C40烷基叔胺如三辛基胺，含氮杂环化合物如吡啶，C6-C40烯烃如十八碳烯，C6-C40脂族烃如十六烷、十八烷、或角鲨烷，被C6-C30烷基取代的芳族烃如甲苯、苯基十二烷、苯基十四烷、或苯基十六烷，被C6-C22烷基取代的膦如三辛基膦，被C6-C22烷基取代的膦氧化物如三辛基膦氧化物，C12-C22芳族醚如苯醚、或苄醚，或其组合。
在本申请一实施例中，为了提高量子点高分子复合材料中量子点的利用率，在本步骤中，还可向所述高分子材料中混入光扩散粒子。光扩散粒子可以为无机光扩散粒子，也可以为有机光扩散粒子，本申请不以此为限。
在本申请一实施例中，所述量子点和/或高分子材料还包括烃类添加剂。常压下，在所述高分子材料处于熔融状态下，烃类添加剂不会挥发，即烃类添加剂的沸点高于所述高分子材料的熔点。这样，烃类添加剂会留存在量子点高分子复合材料中。通过加入合适含量的烃类添加剂，可以有效增加量子点在高分子材料中的分散性，保持量子点不大量的团聚，从而保证稳定的发光性能。烃类添加剂的作用是对于量子点表面一般修饰有配体比如烷基胺、烷基酸、硫醇等而言，量子点具有较强的疏水性，量子点与高分子材料的相容性极差，即量子点在高分子材料中可能无法有效分散。而烃类添加剂的加入正好可以让量子点与高分子材料良好的相容，这样可以使得量子点不需要经过进一步的表面包覆等步骤来提高量子点在高分子材料中的分散性。另外，也可以避免熔融过程采用特殊的分散手段，比如超声等，提高量子点在高分子材料中的分散性。在本申请一实施例中，烃类添加剂可以为饱和或者不饱和的烃类，例如，白油。需要说明的是白油的别名又叫石蜡油或者白色油或者矿物油，它由石油所得精炼液态烃的混合物，主要为饱和的环烷烃与链烷烃混合物，原油经常压和减压分馏、溶剂抽提和脱蜡，加氢精制而得。
步骤S203、挤压所述高分子材料，形成量子点基膜；
在本步骤中，挤压的高分子材料，包括步骤S202中含量子点的高分子材料；另外，挤压的高分子材料还可包括无量子点的高分子材料。即，在本步骤中，可以直接对含量子点的高分子材料进行挤压形成量子点基膜，这样的挤压方式一般为单层挤出流延方式。另外，也可以将无量子点的高分子材料与含量子点的高分子材料进行共挤形成量子点基膜，这样的挤压方式一般为多层共挤流延方式。通过多层共挤流延的方式，相当于直接在量子点膜上增附了阻隔层，从而提高了量子点膜的水氧阻隔能力。
具体的，量子点基膜由挤出流延设备制得。如果是单层挤出流延方式，挤出流延设备将混有量子点的熔融高分子材料从一个模头中挤出并流延成型，制得的量子点基膜为混有量子点的一层膜结构；如果是多层共挤流延方式，例如，以三层共挤流延方式为例，挤出流延设备具有三个模头，中间的模头用于对含量子点的熔融高分子材料进行挤出，另外两个模头分别于中间模头的两侧设置，用于对无量子点的熔融高分子材料进行挤出，最终将三个模头挤出的高分子材料流延成型为一体。
另外，在上述实施例中以流延的方式形成量子点基膜，但并不以此为限，本申请还可以采用单向拉伸、双向拉伸、吹塑等方式形成量子点基膜。
步骤S204、对所述量子点基膜进行电晕处理；
对步骤S203形成的量子点基膜进行电晕处理。在本申请中，在量子点膜的中间制作过程中对量子点基膜进行电晕处理，使得量子点基膜中的高分子材料碳氢链和/或碳碳链断裂重组，量子点与高分子材料重新排列组合，从而提高了量子点基膜的发光亮度。
另外，对量子点基膜进行电晕处理后，移除了量子点基膜表面的水汽、油污及尘埃等，同样能够提高量子点膜的发光亮度。
最后，对量子点基膜进行电晕处理，也提高了量子点基膜表面的粗糙度，便于后续在量子点基膜上贴合或涂布水氧阻隔层。
步骤S205、制得量子点膜。
经过本申请量子点膜的制作方法，最终得到的量子点膜发光亮度具有显著的提升。
步骤S206、在所述量子点膜上设置水氧阻隔层。
在本步骤中，在量子点膜上设置水氧阻隔层，进一步提高量子点膜的水氧阻隔能力。例如常见的水氧阻隔层为PET层，当然在PET层贴合前还可进一步在量子点膜上沉积一层无机阻隔层，该无机阻隔层包括氧化钛纳米粒子、氧化硅纳米粒子或氧化铝纳米粒子等，该无机阻隔层的形成可以通过蒸镀的方式形成。该无机阻隔层的形成为本领域技术人员所公知的技术，在此就不赘述。
在本申请一实施例中，也可在PET层上再沉积一层无机阻隔层，从而形成无机阻隔与有机阻隔多层混合的水氧阻隔层。
在本申请一实施例中，为了降低量子点膜的厚度，也可以在量子点膜上直接涂布水氧阻隔层。涂布水氧阻隔层可能比贴合PET层或沉积无机阻隔层的阻水阻氧的能力差，但是本申请中量子点膜的制程采用的是熔融流延成膜的方式制得，量子点膜本身的阻水阻氧能力已经得到很好的提升，因而在量子点膜上再涂布一层水氧阻隔层即可满足阻水阻氧的要求，并且更不需要进行额外的贴合和压印等粘合工艺。通过涂布水氧阻隔层也能大大降低量子点膜的成本。
可以理解的是，在量子点膜上贴合阻隔层也可同时再涂布水氧阻隔层，两者并不冲突，可根据实际需要，将贴合阻隔层和涂布水氧阻隔层两者结合起来一起使用。
如图3所示，为本申请一具体实施例量子点膜的结构示意图，量子点膜包括量子点层102和水氧阻隔层101，两层水氧阻隔层101夹持量子点层102，组成类似“三明治结构”。该量子点膜是通过量子点膜的制作方法而获得的，该量子点膜的制作方法包括：步骤一、提供量子点和高分子材料；步骤二、使所述高分子材料处于熔融状态后，向所述高分子材料中混入量子点；步骤三、挤压所述高分子材料，形成量子点基膜；步骤四、对所述量子点基膜进行电晕处理；步骤五、制得量子点膜；步骤六、在量子点膜上贴合水氧阻隔层。在本实施例中，量子点基膜经过电晕处理后，再制得量子点膜，从而量子点膜的发光亮度有明显的提升。
在实验测试中，对比例中未进行电晕处理的量子点膜的发光亮度为6000流明；而实施例中进行电晕处理的量子点膜的发光亮度为6800流明，发光亮度提高了接近14％。
在本实施例中，量子点膜中的量子点层102是通过单层挤出流延的方式形成的，再在量子点层102两侧贴合水氧阻隔层101。在本申请另一实施例中，也可以以涂布的方式在量子点层102上设置具有水氧阻隔能力的材料，起到水氧阻隔层的作用，这样可以减小量子点膜的厚度，降低量子点膜的成本。
如图4所示，为本申请另一具体实施例中量子点膜的结构示意图，量子点膜包括含量子点的高分子层202、无量子点的高分子层203和水氧阻隔层201。该量子点膜是通过下述量子点膜的制作方法而获得的，该量子点膜的制作方法包括：步骤一、提供量子点和高分子材料；步骤二、使所述高分子材料处于熔融状态后，向所述高分子材料中混入量子点；步骤三、挤压所述高分子材料，形成量子点基膜；步骤四、对所述量子点基膜进行电晕处理；步骤五、制得量子点膜；步骤六、在量子点膜上涂布水氧阻隔层。在本实施例中，量子点膜通过多层共挤流延的方式形成含量子点的高分子层202和无量子点的高分子层203的一体结构，再在一体结构的上下两侧涂布水氧阻隔层201，通过多层共挤流延的方式，提前就在含量子点的高分子层202上形成无量子点的高分子层203，无量子点的高分子层203起到对量子点阻水阻氧的保护作用，从而进一步提高了量子点膜的水氧阻隔能力。
如图5所示，为本申请一具体实施例的背光模组结构示意图，背光模组包括蓝色光源(未画出)、导光板301和量子点膜303，导光板301输出蓝色光302，蓝色光302进入量子点膜303后，量子点膜303将蓝色光转换为红光和绿光，并与未转换的蓝色光混合，形成白色背光。其中，量子点膜303由下述量子点膜的制备方法制得，该方法包括：步骤一、提供量子点和高分子材料；步骤二、使所述高分子材料处于熔融状态后，向所述高分子材料中混入量子点；步骤三、挤压所述高分子材料，形成量子点基膜；步骤四、对所述量子点基膜进行电晕处理；步骤五、制得量子点膜。在量子点膜的中间制作过程中，对量子点基膜进行电晕处理，使得量子点基膜中的高分子材料碳氢链和/或碳碳链断裂重组，量子点与高分子材料重新排列组合，从而提高了量子点基膜的发光亮度；另外，对量子点基膜进行电晕处理后，移除了量子点基膜表面的水汽、油污及尘埃等，同样能够提高量子点膜的发光亮度，最后，对量子点基膜进行电晕处理，也提高了量子点基膜表面的粗糙度，便于后续在量子点基膜上贴合或涂布水氧阻隔层。
参考以下实施例更详细地描述根据本申请的一些示例性实施方式的量子点膜；然而，本申请的示例性实施方式不限于此。
实施例1
实施例1中量子点膜的制备过程如下：
取适量绿光CdZnSe/ZnS量子点的甲苯溶液(绿光CdZnSe/ZnS约为1.5g)、红光CdZnSe/ZnS量子点的甲苯溶液(红光CdZnSe/ZnS约为0.5g)、1g的白油、500g的聚丙烯(熔点约为230℃)于玻璃器皿中，在240℃下搅拌混合，搅拌过程中，使得甲苯被除去，且绿光CdZnSe/ZnS量子点和红光CdZnSe/ZnS量子点均匀的分散在熔融的聚丙烯中，空气中，采用流延成型制备厚度约为200微米的膜片，接着对膜片进行电晕处理。电晕处理步骤中采用的电压为1000V、电晕时间为3S。
对比例1
对比例1中量子点膜的制备过程与实施例1中大体相同，所不同的在于，未对膜片进行电晕处理。
实施例2
实施例2中量子点膜的制备过程如下：
取适量绿光CdZnSe/ZnS量子点的甲苯溶液(绿光CdZnSe/ZnS约为1.5g)、红光CdZnSe/ZnS量子点的甲苯溶液(红光CdZnSe/ZnS约为0.5g)、1g的白油、500g的聚丙烯(熔点约为230℃)于玻璃器皿中，在240℃下搅拌混合，搅拌过程中，使得甲苯被除去，且绿光CdZnSe/ZnS量子点和红光CdZnSe/ZnS量子点均匀的分散在熔融的聚丙烯中，再与500g的聚丙烯熔融下，采用三层共挤流延的方式制备厚度约为300微米的膜片，接着对膜片进行电晕处理。电晕处理步骤中采用的电压为1000V、电晕时间为5S。
对比例2
对比例2中量子点膜的制备过程与实施例2中大体相同，所不同的在于，未对膜片进行电晕处理。
下面分别通过2个实施例进行对比分析：
对比例1：未进行任何处理的普通量子点膜；
实施例1：通过电晕处理单层流延膜后的量子点膜；
对比例2：三层共挤流延膜后的量子点膜；
实施例2：通过电晕处理三层共挤流延膜后的量子点膜。
对比表格如下：
亮度(流明) 提升率
对比例1 6100 /
实施例1 7000 14.7％
对比例2 6000 /
对比例2 6800 13.3％
由上表可见，分别相对于对比例1和对比例2，实施例1和实施例2中量子点膜发光亮度都有明显的提升。
尽管发明人已经对本申请的技术方案做了较详细的阐述和列举，应当理解，对于本领域技术人员来说，对上述实施例作出修改和/或变通或者采用等同的替代方案是显然的，都不能脱离本申请精神的实质，本申请中出现的术语用于对本申请技术方案的阐述和理解，并不能构成对本申请的限制。

Claims (10)

1.一种量子点膜的制备方法，包括：
步骤一、提供量子点和高分子材料；
步骤二、使所述高分子材料处于熔融状态后，向至少部分所述高分子材料中混入量子点；
步骤三、挤压所述高分子材料，形成量子点基膜；
步骤四、对所述量子点基膜进行电晕处理；
步骤五、制得量子点膜。
2.根据权利要求1所述的量子点膜的制备方法，所述步骤四中电晕处理的时间为1s～60s。
3.根据权利要求1所述的量子点膜的制备方法，所述步骤四中电晕处理的电压为5000V～15000V。
4.根据权利要求1所述的量子点膜的制备方法，所述步骤三中量子点基膜的厚度为10μm～300μm。
5.根据权利要求1所述的量子点膜的制备方法，所述步骤三中挤压所述高分子材料的方式为多层共挤流延方式，所述高分子材料包括含量子点的高分子材料和无量子点的高分子材料，将含量子点的高分子材料和无量子点的高分子材料共挤，形成量子点基膜。
6.根据权利要求1所述的量子点膜的制备方法，所述步骤三中挤压所述高分子材料的方式为单层挤出流延方式，将含量子点的高分子材料挤出，形成量子点基膜。
7.根据权利要求1所述的量子点膜的制备方法，所述步骤二还包括，向所述高分子材料中混入光扩散粒子和/或烃类添加剂，所述烃类添加剂的沸点高于所述高分子材料的熔点。
8.根据权利要求1所述的量子点膜的制备方法，所述制备方法还包括：
步骤六、在所述量子点膜上设置水氧阻隔层。
9.一种量子点膜，其特征在于，所述量子点膜由上述权利要求1～8所述的制备方法制得。
10.一种背光模组，包括量子点膜，其特征在于，所述量子点膜为上述权利要求9所述的量子点膜。
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