CN110797433A - 一种含有钛杂质中间带的晶体硅材料及其制备方法 - Google Patents
一种含有钛杂质中间带的晶体硅材料及其制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN110797433A CN110797433A CN201910870581.7A CN201910870581A CN110797433A CN 110797433 A CN110797433 A CN 110797433A CN 201910870581 A CN201910870581 A CN 201910870581A CN 110797433 A CN110797433 A CN 110797433A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- silicon wafer
- titanium
- cleaning
- plasma
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 59
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 59
- 239000010936 titanium Substances 0.000 title claims abstract description 59
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 25
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 title claims abstract description 19
- 239000012535 impurity Substances 0.000 title claims abstract description 17
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 65
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 65
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 65
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims abstract description 24
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 22
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 20
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims abstract description 15
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 14
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 14
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 14
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 14
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 claims abstract description 13
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 claims abstract description 7
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N sulfuric acid Substances OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims abstract description 6
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims abstract description 6
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims abstract description 6
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 claims abstract description 6
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 12
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims description 10
- -1 fluorine ions Chemical class 0.000 claims description 10
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 8
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 5
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims description 2
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 claims description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 abstract description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000002791 soaking Methods 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1804—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic Table
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/0256—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by the material
- H01L31/0264—Inorganic materials
- H01L31/028—Inorganic materials including, apart from doping material or other impurities, only elements of Group IV of the Periodic Table
- H01L31/0288—Inorganic materials including, apart from doping material or other impurities, only elements of Group IV of the Periodic Table characterised by the doping material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/186—Particular post-treatment for the devices, e.g. annealing, impurity gettering, short-circuit elimination, recrystallisation
- H01L31/1864—Annealing
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
本发明公开了硅材料技术领域的一种含有钛杂质中间带的晶体硅材料的其制备方法，如下步骤，硅片准备，选取硅片，将硅片进行裁剪成所使用硅片正常大小，硅片清洗，先用双氧水和浓硫酸的混合溶液超声清洗基片10～20min，再用去离子水清洗，然后再把基片先后放入丙酮溶液、乙醇溶液和去离子水中超声10～20min，清洗结束后将基片置于烘箱干燥待用，钛薄膜的制备，在准备好的硅片表面制备生成含有钛薄膜的硅片，将带有钛薄膜的硅片用激光辐照，采用YAG，Nd一维线型连续激光，激光器的电流为20～30A，提高基片表面活性，从而增加钛薄膜薄膜与硅片的结合力，使得氮化钛薄膜表面颗粒增加的现象得到明显控制，大大提高晶体硅的整体性能。
Description
技术领域
本发明涉及硅材料技术领域，具体为一种含有钛杂质中间带的晶体硅材料及其制备方法。
背景技术
随着能源的消耗，太阳能电池出现在日常生活中，硅基太阳能电池占有市场90%的份额，但晶体硅的成本太高，非晶硅的效率太低。晶体硅在生产制备的过程中一般都会在晶体硅的表面镀一层钛薄膜，然现有工艺中晶体硅本体表面活性太低，钛薄膜很难结合在晶体硅的表面，同时一般情况下钛薄膜刻蚀在晶体硅的表面上后，空气水蒸气在刻蚀过程中容易进入钛薄膜与晶体硅的夹层中并生产颗粒。为此，我们提出一种含有钛杂质中间带的晶体硅材料及其制备方法。
发明内容
本发明的目的在于提供一种含有钛杂质中间带的晶体硅材料及其制备方法，以解决上述背景技术中提出的问题。
为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种含有钛杂质中间带的晶体硅材料的其制备方法，如下步骤：
硅片准备：选取硅片，将硅片进行裁剪成所使用硅片正常大小；
硅片清洗：先用双氧水和浓硫酸的混合溶液超声清洗基片10～20min，再用去离子水清洗，然后再把基片先后放入丙酮溶液、乙醇溶液和去离子水中超声10～20min，清洗结束后将基片置于烘箱干燥待用；
钛薄膜的制备：在准备好的硅片表面制备生成含有钛薄膜的硅片；
将带有钛薄膜的硅片用激光辐照：采用YAG：Nd一维线型连续激光，激光器的电流为20～30A，扫描速率为3～10mm/s；
脱离硅片表面钛薄膜中的氟离子：用第一等离子体对覆盖在半导体器件上氮化钛薄膜进行处理，将扩散于所述氮化钛薄膜内部的氟离子脱离；
钝化硅片表面钛薄膜：用第二等离子体对所述氮化钛薄膜进行处理，将所述氮化钛薄膜进行表面钝化处理；
退火处理：退火处理的温度为400～800℃，退火处理的时间可为10～30min。
2．根据权利要求1所述的一种含有钛杂质中间带的晶体硅材料，其特征在于：第一等离子体为H2气体与N2气体组合的等离子体。
3．根据权利要求1所述的一种含有钛杂质中间带的晶体硅材料，其特征在于：第二等离子体为CH4气体与N2气体组合的等离子体。
4．根据权利要求1所述的一种含有钛杂质中间带的晶体硅材料，其特征在于：钛薄膜的制备方法采用电子束蒸发法，且钛薄膜的厚度为30～300nm。
5．根据权利要求1所述的一种含有钛杂质中间带的晶体硅材料，其特征在于：第一等离子体与第二等离子体对硅片表面钛薄膜的处理的方法为干法刻蚀法。
与现有技术相比，本发明的有益效果是：采用双氧水和浓硫酸的混合溶 液的浸泡，并通过丙酮溶液、乙醇溶液和去离子水，提高基片表面活性，从而增加钛薄膜薄膜与硅片的结合力，对晶体硅表面的钛薄膜进行脱氟和钝化，以控制空气环境中的水蒸气进入其中来抑制刻蚀后颗粒物的生成，使得氮化钛薄膜表面颗粒增加的现象得到明显控制，大大提高晶体硅的整体性能。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本发明提供一种技术方案：一种含有钛杂质中间带的晶体硅材料的其制备方法。
实施例一：
硅片准备：选取硅片，将硅片进行裁剪成所使用硅片正常大小；
硅片清洗：先用双氧水和浓硫酸的混合溶液超声清洗基片10min，再用去离子水清洗，然后再把基片先后放入丙酮溶液、乙醇溶液和去离子水中超声10min，清洗结束后将基片置于烘箱干燥待用；
钛薄膜的制备：在准备好的硅片表面制备生成含有钛薄膜的硅片；
将带有钛薄膜的硅片用激光辐照：采用YAG：Nd一维线型连续激光，激光器的电流为20～30A，扫描速率为3～10mm/s；
脱离硅片表面钛薄膜中的氟离子：用第一等离子体对覆盖在半导体器件上氮化钛薄膜进行处理，将扩散于所述氮化钛薄膜内部的氟离子脱离；
钝化硅片表面钛薄膜：用第二等离子体对所述氮化钛薄膜进行处理，将所述氮化钛薄膜进行表面钝化处理；
退火处理：退火处理的温度为400℃，退火处理的时间可为10min。
实施例二：
硅片准备：选取硅片，将硅片进行裁剪成所使用硅片正常大小；
硅片清洗：先用双氧水和浓硫酸的混合溶液超声清洗基片15min，再用去离子水清洗，然后再把基片先后放入丙酮溶液、乙醇溶液和去离子水中超声15min，清洗结束后将基片置于烘箱干燥待用；
钛薄膜的制备：在准备好的硅片表面制备生成含有钛薄膜的硅片；
将带有钛薄膜的硅片用激光辐照：采用YAG：Nd一维线型连续激光，激光器的电流为20～30A，扫描速率为3～10mm/s；
脱离硅片表面钛薄膜中的氟离子：用第一等离子体对覆盖在半导体器件上氮化钛薄膜进行处理，将扩散于所述氮化钛薄膜内部的氟离子脱离；
钝化硅片表面钛薄膜：用第二等离子体对所述氮化钛薄膜进行处理，将所述氮化钛薄膜进行表面钝化处理；
退火处理：退火处理的温度为600℃，退火处理的时间可为20min；
实施例三：
硅片准备：选取硅片，将硅片进行裁剪成所使用硅片正常大小；
硅片清洗：先用双氧水和浓硫酸的混合溶液超声清洗基片20min，再用去离子水清洗，然后再把基片先后放入丙酮溶液、乙醇溶液和去离子水中超声20min，清洗结束后将基片置于烘箱干燥待用；
钛薄膜的制备：在准备好的硅片表面制备生成含有钛薄膜的硅片；
将带有钛薄膜的硅片用激光辐照：采用YAG：Nd一维线型连续激光，激光器的电流为20～30A，扫描速率为3～10mm/s；
脱离硅片表面钛薄膜中的氟离子：用第一等离子体对覆盖在半导体器件上氮化钛薄膜进行处理，将扩散于所述氮化钛薄膜内部的氟离子脱离；
钝化硅片表面钛薄膜：用第二等离子体对所述氮化钛薄膜进行处理，将所述氮化钛薄膜进行表面钝化处理；
退火处理：退火处理的温度为800℃，退火处理的时间可为30min。
尽管已经示出和描述了本发明的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本发明的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本发明的范围由所附权利要求及其等同物限定。
Claims (5)
1.一种含有钛杂质中间带的晶体硅材料的其制备方法，其特征在于：如下步骤：
硅片准备：选取硅片，将硅片进行裁剪成所使用硅片正常大小；
硅片清洗：先用双氧水和浓硫酸的混合溶液超声清洗基片10～20min，再用去离子水清洗，然后再把基片先后放入丙酮溶液、乙醇溶液和去离子水中超声10～20min，清洗结束后将基片置于烘箱干燥待用；
钛薄膜的制备：在准备好的硅片表面制备生成含有钛薄膜的硅片；
将带有钛薄膜的硅片用激光辐照：采用YAG：Nd一维线型连续激光，激光器的电流为20～30A，扫描速率为3～10mm/s；
脱离硅片表面钛薄膜中的氟离子：用第一等离子体对覆盖在半导体器件上氮化钛薄膜进行处理，将扩散于所述氮化钛薄膜内部的氟离子脱离；
钝化硅片表面钛薄膜：用第二等离子体对所述氮化钛薄膜进行处理，将所述氮化钛薄膜进行表面钝化处理；
退火处理：退火处理的温度为400～800℃，退火处理的时间可为10～30min。
2.根据权利要求1所述的一种含有钛杂质中间带的晶体硅材料，其特征在于：第一等离子体为H2气体与N2气体组合的等离子体。
3.根据权利要求1所述的一种含有钛杂质中间带的晶体硅材料，其特征在于：第二等离子体为CH4气体与N2气体组合的等离子体。
4.根据权利要求1所述的一种含有钛杂质中间带的晶体硅材料，其特征在于：钛薄膜的制备方法采用电子束蒸发法，且钛薄膜的厚度为30～300nm。
5.根据权利要求1所述的一种含有钛杂质中间带的晶体硅材料，其特征在于：第一等离子体与第二等离子体对硅片表面钛薄膜的处理的方法为干法刻蚀法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201910870581.7A CN110797433A (zh) | 2019-09-16 | 2019-09-16 | 一种含有钛杂质中间带的晶体硅材料及其制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201910870581.7A CN110797433A (zh) | 2019-09-16 | 2019-09-16 | 一种含有钛杂质中间带的晶体硅材料及其制备方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN110797433A true CN110797433A (zh) | 2020-02-14 |
Family
ID=69427142
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201910870581.7A Pending CN110797433A (zh) | 2019-09-16 | 2019-09-16 | 一种含有钛杂质中间带的晶体硅材料及其制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN110797433A (zh) |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20110091514A1 (en) * | 2005-12-29 | 2011-04-21 | Rong Xie | Quaternary oxides and catalysts containing quaternary oxides |
| CN102420121A (zh) * | 2011-05-26 | 2012-04-18 | 上海华力微电子有限公司 | 一种针对氟基等离子体刻蚀后的氮化钛薄膜的处理方法 |
| CN102437031A (zh) * | 2011-11-30 | 2012-05-02 | 中国科学院半导体研究所 | 一种基于超快激光掺杂的中间带材料的制备方法 |
| CN103334155A (zh) * | 2013-07-11 | 2013-10-02 | 厦门大学 | 一种含有钛杂质中间带的晶体硅材料及其制备方法 |
| CN103545163A (zh) * | 2012-07-10 | 2014-01-29 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 具有氟残留或氯残留的半导体结构的处理方法 |
| CN107747084A (zh) * | 2017-10-17 | 2018-03-02 | 南通赛可特电子有限公司 | 一种硅片化学镀铜方法 |
-
2019
- 2019-09-16 CN CN201910870581.7A patent/CN110797433A/zh active Pending
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20110091514A1 (en) * | 2005-12-29 | 2011-04-21 | Rong Xie | Quaternary oxides and catalysts containing quaternary oxides |
| CN102420121A (zh) * | 2011-05-26 | 2012-04-18 | 上海华力微电子有限公司 | 一种针对氟基等离子体刻蚀后的氮化钛薄膜的处理方法 |
| CN102437031A (zh) * | 2011-11-30 | 2012-05-02 | 中国科学院半导体研究所 | 一种基于超快激光掺杂的中间带材料的制备方法 |
| CN103545163A (zh) * | 2012-07-10 | 2014-01-29 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 具有氟残留或氯残留的半导体结构的处理方法 |
| CN103334155A (zh) * | 2013-07-11 | 2013-10-02 | 厦门大学 | 一种含有钛杂质中间带的晶体硅材料及其制备方法 |
| CN107747084A (zh) * | 2017-10-17 | 2018-03-02 | 南通赛可特电子有限公司 | 一种硅片化学镀铜方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP3958330A1 (en) | Method for passivating silicon-based semiconductor device, and silicon-based semiconductor device | |
| JP4118187B2 (ja) | 太陽電池の製造方法 | |
| CN101567408B (zh) | 光电转换装置的制造方法 | |
| CN111509090B (zh) | 电池边缘钝化方法 | |
| CN102154708B (zh) | 一种太阳能电池薄膜的生长方法 | |
| CN111081819A (zh) | 一种太阳能电池片的防损伤切割方法和装置 | |
| CN103981575B (zh) | 一种单晶硅片的退火制绒方法 | |
| CN115036396B (zh) | 一种硼掺杂发射极的制备方法 | |
| CN115332366A (zh) | 一种背钝化接触异质结太阳电池及其制备方法 | |
| CN111952408A (zh) | 一种钝化金属接触的背结太阳能电池及其制备方法 | |
| CN110957375A (zh) | 基于离子注入边缘终端的垂直AlN肖特基二极管及制作方法 | |
| WO2012040917A1 (zh) | 一种浅结太阳能电池及其制备方法 | |
| WO2022156101A1 (zh) | 一种太阳能电池叠层钝化结构及其制备方法 | |
| CN108389913A (zh) | 一种GaAs表面钝化增强石墨烯肖特基结太阳电池性能的方法 | |
| CN110797433A (zh) | 一种含有钛杂质中间带的晶体硅材料及其制备方法 | |
| CN113990981B (zh) | 一种单晶绒面光滑圆整处理工艺 | |
| CN112086541A (zh) | N型太阳能电池的后处理方法 | |
| CN104600159A (zh) | 抗pid晶体硅电池的高频放电制备法 | |
| CN113937185A (zh) | 一种采用氢钝化的异质结太阳电池的制造方法 | |
| CN212625614U (zh) | 晶硅太阳能电池片 | |
| JP2011066213A (ja) | 光電変換装置及びその製造方法 | |
| CN112635619A (zh) | 晶硅太阳能电池多层膜的等离子体处理方法及太阳能电池 | |
| JP2002280590A (ja) | 多接合型薄膜太陽電池及びその製造方法 | |
| CN110265293A (zh) | 太阳能电池的p-n结制作工艺 | |
| JP2003332605A (ja) | 半導体基板表面の凹凸形成方法および太陽電池 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20200214 |