CN110797367B - 背照式图像传感器及其制作方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种背照式图像传感器及其制作方法。所述背照式图像传感器中，像素与逻辑器件衬底正面设置有互连金属层，背面设置有高K材料钝化层，并且在背面一侧设置有位于像素阵列区和外围逻辑区之间的隔离沟槽，隔离沟槽隔断高K材料钝化层且深度未超过互连金属层。高K材料钝化层可以降低图像传感器的暗电流和白点缺陷，而隔离沟槽可以避免外围电路噪声对像素阵列区的影响，有助于提高所述背照式图像传感器的性能。本发明提供的背照式图像传感器的制作方法可用于制作上述背照式图像传感器。
Description
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种背照式图像传感器及其制作方法。
背景技术
互补金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor，CMOS)图像传感器具有高图像采集速度、低功耗、高动态范围以及高抗扰性等优点，被广泛地应用于手机摄像头等数码电子、安保监控、可视通信、汽车雷达、工业视频监控、医疗设备、机器视觉等各个方面，市场前景广阔。随着3D硅通孔(TSV)技术的发展，半导体器件的集成度得到进一步提高，同时，TSV技术在互补金属氧化物半导体图像传感器(CMOS Image Sensor，CIS)上的应用使得CIS器件逐渐转变为了性能更为优异的背照式图像传感器。
优化控制电路噪声是CIS获得优异成像质量的关键要素之一。若对外围逻辑电路中所产生的噪声缺乏有效隔离，噪声进入CIS中的像素阵列区域将会影响CIS的成像质量。目前对于外围逻辑电路噪声控制常采用的方法是，设置N型注入区包围外围逻辑敏感电路区域，或者，设置N型注入区完全隔离外围逻辑区域和像素阵列区域，以达到隔离外围逻辑电路噪声源的效果。但是，这种方法要求N型注入区连接的像素阵列区域为中性，否则隔离无效。
为了优化背照式图像传感器的像素阵列的光电性能以及隔离外围电路噪声，需要对现有方案进行改进。
发明内容
为了优化背照式图像传感器像素阵列的光电性能以及隔离外围电路噪声，本发明提供一种背照式图像传感器及其制作方法。
根据本发明的一方面，提供一种背照式图像传感器，包括：
像素与逻辑器件衬底，所述像素与逻辑器件衬底包括像素阵列区和位于所述像素阵列区周围的外围逻辑区，所述像素与逻辑器件衬底包括相对的正面和背面，所述正面设置有互连金属层，所述背面设置有高K材料钝化层；
其中，从所述背面一侧在所述像素阵列区和所述外围逻辑区之间形成有隔离沟槽，所述隔离沟槽隔断所述高K材料钝化层且深度未超过所述互连金属层。
可选的，所述隔离沟槽沿厚度方向贯穿所述像素与逻辑器件衬底。
可选的，所述隔离沟槽宽度为2-4um；所述高K材料钝化层的厚度为
可选的，所述高K材料钝化层包括氧化铝或二氧化铪。
可选的，所述背照式图像传感器还包括：
第一氧化物钝化层，覆盖所述高K材料钝化层，所述隔离沟槽隔断所述第一氧化物钝化层；以及
第二氧化物钝化层，所述第二氧化物钝化层覆盖所述第一氧化物钝化层以及所述隔离沟槽的内表面。
可选的，所述第一氧化物钝化层的厚度为
所述第二氧化物钝化层的厚度为
可选的，所述互连金属层包括位于所述外围逻辑区的金属接触垫，所述背照式图像传感器还包括：
对应于所述金属接触垫从所述背面一侧形成的焊盘接触孔，所述焊盘接触孔隔断所述高K材料钝化层、所述第一氧化物钝化层和所述第二氧化物钝化层且露出所述金属接触垫；以及
形成于所述焊盘接触孔中的金属焊盘，所述金属焊盘与所述金属接触垫电接触。
根据本发明的另一方面，提供一种背照式图像传感器的制作方法，包括：
提供一像素与逻辑器件衬底，所述像素与逻辑器件衬底包括像素阵列区和位于所述像素阵列区周围的外围逻辑区，所述像素与逻辑器件衬底包括相对的正面和背面，所述正面形成有互连金属层；
在所述背面沉积高K材料钝化层；
从所述背面一侧在所述像素阵列区和所述外围逻辑区之间形成隔离沟槽，所述隔离沟槽隔断所述高K材料钝化层且深度未超过所述互连金属层。
可选的，在所述背面沉积所述高K材料钝化层之前，所述制作方法还包括：
将所述像素与逻辑器件衬底从正面一侧与一载体衬底键合；
从所述背面一侧减薄所述像素与逻辑器件衬底；
在减薄后的背面沉积第一氧化物钝化层，其中，在所述背面沉积高K材料钝化层之后，所述第一氧化物钝化层覆盖所述高K材料钝化层。
可选的，所述互连金属层包括位于所述外围逻辑区的金属接触垫，从所述背面一侧在所述像素阵列区和所述外围逻辑区之间形成隔离沟槽的步骤包括：
从所述背面一侧刻蚀所述像素与逻辑器件衬底，以在所述像素阵列区和所述外围逻辑区之间形成所述隔离沟槽，并对应于所述金属接触垫在所述外围逻辑区形成第一焊盘接触孔；
继续刻蚀所述第一焊盘接触孔，以形成与所述第一焊盘接触孔连通的第二焊盘接触孔，所述第二焊盘接触孔露出所述金属接触垫。
可选的，在形成所述第一焊盘接触孔之后、形成所述第二焊盘接触孔之前，所述制作方法还包括：
在所述背面一侧沉积第二氧化物钝化层，所述第二氧化物钝化层覆盖所述第一氧化物钝化层表面以及所述隔离沟槽和所述第一焊盘接触孔的内表面。
可选的，所述制作方法还包括：
在所述背面一侧沉积焊盘金属材料层，所述焊盘金属材料层覆盖所述第二氧化物钝化层并填充所述第二焊盘接触孔；
刻蚀所述焊盘金属材料层，剩余的焊盘金属材料层位于所述第一焊盘接触孔内并作为金属焊盘，所述金属焊盘与所述金属接触垫电接触。
本发明提供的背照式图像传感器在像素与逻辑器件衬底背面设置有高K材料钝化层，高K材料钝化层可以降低图像传感器的暗电流和白点缺陷，而像素阵列区和外围逻辑区之间还设置有隔离沟槽，可以避免外围电路噪声对像素阵列区的影响，有助于提升背照式图像传感器的成像性能。
本发明提供的背照式图像传感器的制作方法，包括提供一像素与逻辑器件衬底，所述像素与逻辑器件衬底包括像素阵列区和位于所述像素阵列区周围的外围逻辑区，所述像素与逻辑器件衬底包括相对的正面和背面，所述正面形成有互连金属层，在所述背面沉积高K材料钝化层，再从所述背面一侧在所述像素阵列区和所述外围逻辑区之间形成隔离沟槽，所述隔离沟槽隔断所述高K材料钝化层且深度未超过所述互连金属层。形成的高K材料钝化层可以降低图像传感器的暗电流和白点缺陷，而在像素阵列区和外围逻辑区之间刻蚀形成的隔离沟槽可以隔离外围电路噪声，提升背照式图像传感器的性能。
附图说明
图1为一种背照式图像传感器的剖面示意图。
图2为图1中背照式图像传感器的隔离区域的剖面示意图。
图3为本发明实施例中背照式图像传感器的制作方法的流程示意图。
图4为本发明实施例中背照式图像传感器刻蚀形成隔离沟槽前的剖面示意图。
图5为本发明实施例中背照式图像传感器刻蚀形成隔离沟槽后的剖面示意图。
图6为本发明实施例中背照式图像传感器形成第二氧化物钝化层后的剖面示意图。
图7为本发明实施例中背照式图像传感器形成焊盘接触孔后的剖面示意图。
图8为本发明实施例中背照式图像传感器的剖面示意图。
图9为本发明实施例中背照式图像传感器的平面示意图。
附图标记说明：
101-像素阵列区；102-外围逻辑区；103-像素与逻辑器件衬底；104-高K材料钝化层；105-第一氧化物钝化层；106-互连金属层；107-隔离沟槽；108-第一焊盘接触孔；109-第二氧化物钝化层；110-第二焊盘接触孔；111-金属焊盘；112-N型隔离区；113-金属接触垫。
具体实施方式
以下结合附图和具体实施例对本发明提出的图像传感器和图像传感器的制作方法作进一步详细说明。根据下面说明，本发明的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。
图1为一种背照式图像传感器的剖面示意图。如图1所示，背照式图像传感器包括像素与逻辑器件衬底103，像素与逻辑器件衬底103包括像素阵列区101和位于像素阵列区101周围的外围逻辑区102，像素与逻辑器件衬底103包括相对的正面和背面，在所述正面设置有互连金属层106，互连金属层106包括外围逻辑区的金属接触垫113，在所述背面设置有高K材料(高介电常数材料)钝化层104；在高K材料钝化层104表面依次设置有第一氧化物钝化层105和第二氧化物钝化层109；外围逻辑区设置有焊盘接触孔，焊盘接触孔包括第一焊盘接触孔108和第二焊盘接触孔110，第二焊盘接触孔110露出金属接触垫113；在第一焊盘接触孔108内设置金属焊盘111，金属焊盘111填充第二焊盘接触孔110且与金属接触垫113电相接；在像素阵列区和外围逻辑区之间设置有N型隔离区112。
图2为图1中背照式图像传感器的隔离区域的剖面示意图。如图2所示，在减薄后的像素和逻辑器件衬底背面上淀积有高K材料钝化层104。由于高K材料自身具有携带大量的负电荷的特点，高K材料钝化层104在减薄后的像素与逻辑器件衬底103表面可以感生出高密度的正电荷，类似于在像素与逻辑器件衬底103和高K材料钝化层104的界面形成P型隔离钉扎层。由于像素阵列区101和外围逻辑区102通过N型注入形成的N型隔离区112隔离，而N型隔离区112与高K材料钝化层104接触的表面上由高K材料钝化层感生形成的类似P型钉扎层使得外围逻辑区的暗电流等可以越过N型隔离区进入像素阵列区，从而导致像素阵列区和外围逻辑区的隔离失效，影响背照式图像传感器的性能。
图3为本发明实施例中背照式图像传感器的制作方法的流程示意图。为了优化背照式图像传感器像素阵列的光电性能以及隔离外围电路噪声，如图3所示，本发明提供一种背照式图像传感器的制作方法，所述制作方法包括：
S1：提供一像素与逻辑器件衬底，所述像素与逻辑器件衬底包括像素阵列区和位于所述像素阵列区周围的外围逻辑区，所述像素与逻辑器件衬底包括相对的正面和背面，所述正面形成有互连金属层；
S2：在所述背面沉积高K材料钝化层；
S3：从所述背面一侧在所述像素阵列区和所述外围逻辑区之间形成隔离沟槽，所述隔离沟槽隔断所述高K材料钝化层且深度未超过所述互连金属层。
本实施例中背照式图像传感器的制作方法，包括在背照式图像传感器上形成高K材料钝化层，高K材料钝化层可以降低图像传感器的暗电流和白点缺陷，优化背照式图像传感器的光电性能，而在像素阵列区和外围逻辑区之间刻蚀形成隔离沟槽可以隔离外围电路噪声，提升背照式图像传感器的性能。
图4为本发明实施例中背照式图像传感器刻蚀形成隔离沟槽前的剖面示意图。如图4所示，在所述背面沉积高K材料钝化层104之前，所述制作方法还可以包括将所述像素与逻辑器件衬底103从正面一侧与一载体衬底键合，再从所述背面一侧减薄所述像素与逻辑器件衬底103，在减薄后的背面沉积第一氧化物钝化层105，所述第一氧化物钝化层105覆盖所述高K材料钝化层104。本实施例中，减薄像素与逻辑器件衬底背面可以采用机械研磨或是多道酸式刻蚀的方法。
具体的，像素与逻辑器件衬底103包括像素阵列区101和位于所述像素阵列区101周围的外围逻辑区102，所述像素与逻辑器件衬底103包括相对的正面和背面，所述正面形成有互连层金属106。形成的高K材料钝化层104覆盖在像素与逻辑器件衬底103背面。本实施例中，高K材料可以为氧化铝(Al2O3)或二氧化铪(HfO2)。高K材料钝化层的厚度可以为
由于高K材料钝化层自身携带大量负电荷，能在减薄后的像素与逻辑器件衬底表面感生出高密度的正电荷，将像素单元推离衬底界面，类似于在像素与逻辑器件衬底靠近高K材料钝化层的表面形成P形隔离钉扎层，从而有效改善背照式图像传感器的光电性能。
图5为本发明实施例中背照式图像传感器刻蚀形成隔离沟槽后的剖面示意图。图6为本发明实施例中背照式图像传感器形成第二氧化物钝化层后的剖面示意图。图7为本发明实施例中背照式图像传感器形成焊盘接触孔后的剖面示意图。如图5、图6和图7所示，本实施例中，所述互连金属层可以包括位于所述外围逻辑区的金属接触垫，从所述背面一侧在所述像素阵列区和所述外围逻辑区之间形成隔离沟槽的步骤可以包括：
第一步骤：从所述背面一侧刻蚀所述像素与逻辑器件衬底103，以在所述像素阵列区101和所述外围逻辑区102之间形成所述隔离沟槽107，并对应于所述金属接触垫113在所述外围逻辑区102形成第一焊盘接触孔108；
第二步骤：继续刻蚀所述第一焊盘接触孔108，以形成与所述第一焊盘接触孔连通的第二焊盘接触孔110，所述第二焊盘接触孔110露出所述金属接触垫113。
继续参考图6，本实施例中，在形成所述第一焊盘接触孔之后、形成所述第二焊盘接触孔之前，所述制作方法还可以包括在所述背面一侧沉积第二氧化物钝化层109，所述第二氧化物钝化层109覆盖所述第一氧化物钝化层105表面以及所述隔离沟槽107和所述第一焊盘接触孔108的内表面。
具体的，由于干法刻蚀高深宽比沟槽能力强，深宽比刻蚀能力可以达到1.25：1以上，本实施例中，形成隔离沟槽107和第一焊盘接触孔108可以采用干法刻蚀。然而，在其它实施例中，本领域技术人员也可以采用湿法刻蚀等其它方法形成沟槽。本实施例中，刻蚀形成的隔离沟槽的宽度可以为2-4um，深度可以为2.5um以上。
具体的，本实施例中，第一氧化物钝化层和第二氧化物钝化层均可以是氧化硅材料，均可以通过物理气相沉积或化学气相沉积等方法得到。所述第一氧化物钝化层的厚度可以为
所述第二氧化物钝化层的厚度可以为
然而，在其他实施例中，第一氧化物钝化层和第二氧化物钝化层可以是不同的材料，也可以是除氧化硅以外的其它材料，例如第一氧化物钝化层为氧化硅材料，第二氧化物钝化层为氮化硅材料，或两者还可以都是氮化硅材料。
图8为本发明实施例中背照式图像传感器的剖面示意图。如图8所示，本实施例中，所述背照式图像传感器的制作方法还可以包括：
在所述背面一侧沉积焊盘金属材料层，所述焊盘金属材料层覆盖所述第二氧化物钝化层109并填充所述第二焊盘接触孔110；
刻蚀所述焊盘金属材料层，剩余的焊盘金属材料层位于所述第一焊盘接触孔108内并作为金属焊盘111，所述金属焊盘111与所述金属接触垫113电接触。
本实施例中背照式图像传感器的制作方法，包括在背照式图像传感器减薄后的背面形成高K材料钝化层，高K材料钝化层可以降低图像传感器的暗电流和白点缺陷，优化背照式图像传感器的光电性能，而在像素阵列区和外围逻辑区之间刻蚀形成的隔离沟槽可以隔离外围电路噪声，进一步提升背照式图像传感器的性能。另外，在刻蚀像素与逻辑器件衬底形成第一焊盘接触孔时，同时刻蚀形成隔离沟槽，不需要增加额外的光罩和工艺步骤，具有较好的经济效益。
本实施例还提供一种背照式图像传感器。图9为本发明实施例中背照式图像传感器的平面示意图。如图8和图9所示，本实施例中提供的图像传感器，包括像素与逻辑器件衬底103，像素与逻辑器件衬底103包括像素阵列区101和位于所述像素阵列区101周围的外围逻辑区102，所述像素与逻辑器件衬底103包括相对的正面和背面，所述正面设置有互连金属层106，所述背面设置有高K材料钝化层104；其中，从所述背面一侧在所述像素阵列区101和所述外围逻辑区102之间形成有隔离沟槽107，所述隔离沟槽107隔断所述高K材料钝化层104且深度未超过所述互连金属层106。
具体的，本实施例中，隔离沟槽107沿厚度方向贯穿像素与逻辑器件衬底103；隔离沟槽107的宽度可以设置为2-4um；所述高K材料钝化层的厚度为
更具体的，高K材料钝化层(高介电常数材料钝化层)可以具有一层或多层的结构，高K材料钝化层可包括各种高K材料(介电常数例如大于4)，例如稀土金属氧化物层或者镧系金属氧化物层，可以是氧化铪(hafnium oxide，HfO2)、硅酸铪氧化合物(hafniumsilicon oxide，HfSiO)、硅酸铪氮氧化合物(hafnium silicon oxynitride，HfSiOn)、氧化铝(alumium oxide，AlO)、氧化镧(lanthanum oxide，La2O3)、铝酸镧(lanthanum aluminumoxide，LaAlO)、氧化钽(tantalum oxide，Ta2O3)、氧化锆(Zirconium oxide，ZrO2)、硅酸锆氧化合物(zirconium silicon oxide，ZrSiO)、锆酸铪(hafnium zirconium oxide，HfZrO)、锶铋钽氧化物(strontium bismuth tantalate，SrBi2Ta2O9，SBT)、锆钛酸铅(leadzirconate titanate，pbZrxTi1-xO3，pZT)以及钛酸钡锶(bariumstrontium titanate，BaxSr1-xTiO3，BST)、其他合适的高K材料或它们的组合。高K材料钝化层的厚度取决于背照式图像传感器的设计要求。由于高介电常数材料自身携带大量负电荷，能在减薄后的像素与逻辑器件衬底表面感生出高密度的正电荷，将像素单元推离衬底界面，类似于在衬底界面形成P形隔离钉扎层，降低图像传感器的暗电流和百点缺陷，从而有效改善背照式图像传感器的光电性能。
本实施例中，背照式图像传感器还可以包括沉积在像素与逻辑器件衬底表面上的氧化物钝化层。所述氧化物钝化层可以是由同种材料形成的单层或者不同材料叠加沉积而形成的多层。如图8所示，本实施例中，所述氧化物钝化层可以为双层结构，包括分别依次在像素与逻辑器件衬底表面沉积形成的第一氧化物钝化层和第二氧化物钝化层，第一氧化物钝化层和第二氧化物钝化层均为氧化硅材料。
具体的，第一氧化物钝化层105覆盖所述高K材料钝化层104，隔离沟槽107隔断第一氧化物钝化层105。第二氧化物钝化层109覆盖第一氧化物钝化层105以及隔离沟槽107的内表面。第一氧化物钝化层的厚度可以设置为
第二氧化物钝化层的厚度可以设置为
继续参考图8和图9，本实施例中，互连金属层106可以包括位于所述外围逻辑区102的金属接触垫113，所述背照式图像传感器还可以包括对应于所述金属接触垫113从所述背面一侧形成的焊盘接触孔，所述焊盘接触孔隔断所述高K材料钝化层104、所述第一氧化物钝化层105和所述第二氧化物钝化层109且露出所述金属接触垫113；以及形成于所述焊盘接触孔中的金属焊盘111，所述金属焊盘111与所述金属接触垫113电接触。
需要说明的是，所述焊盘接触孔可以包括第一焊盘接触孔108和第二焊盘接触孔110。所述互连金属层可以为铜材料；所述金属焊盘为铝材料。
本发明提供的背照式图像传感器，包括像素与逻辑器件衬底，所述像素与逻辑器件衬底包括像素阵列区和位于所述像素阵列区周围的外围逻辑区，所述像素与逻辑器件衬底包括相对的正面和背面，所述正面设置有互连金属层，所述背面设置有高K材料钝化层，在所述背面一侧的所述像素阵列区和所述外围逻辑区之间设置有隔离沟槽，所述隔离沟槽隔断所述高K材料钝化层且深度未超过所述互连金属层。由于所述像素与逻辑器件衬底背面设置有高K材料钝化层，可以降低图像传感器的暗电流和白点缺陷，而像素阵列区和外围逻辑区之间通过隔离沟槽隔离，可以避免外围电路噪声对像素阵列区的影响，有助于提高所述背照式图像传感器的性能。
上述描述仅是对本发明较佳实施例的描述，并非对本发明权利范围的任何限定，任何本领域技术人员在不脱离本发明的精神和范围内，都可以利用上述揭示的方法和技术内容对本发明技术方案做出可能的变动和修改，因此，凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化及修饰，均属于本发明技术方案的保护范围。
Claims (12)
1.一种背照式图像传感器的制作方法，其特征在于，包括：
步骤一，提供一像素与逻辑器件衬底，所述像素与逻辑器件衬底包括像素阵列区和位于所述像素阵列区周围的外围逻辑区，所述像素与逻辑器件衬底包括相对的正面和背面，所述正面形成有互连金属层；
步骤二，在所述背面沉积高K材料钝化层；以及
步骤三，从所述背面一侧在所述像素阵列区和所述外围逻辑区之间形成隔离沟槽，所述隔离沟槽隔断所述高K材料钝化层且深度未超过所述互连金属层。
2.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在所述背面沉积所述高K材料钝化层之前，所述制作方法还包括：
将所述像素与逻辑器件衬底从正面一侧与一载体衬底键合；
从所述背面一侧减薄所述像素与逻辑器件衬底；
在减薄后的背面沉积第一氧化物钝化层，其中，在所述背面沉积高K材料钝化层之后，所述第一氧化物钝化层覆盖所述高K材料钝化层。
3.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述互连金属层包括位于所述外围逻辑区的金属接触垫，从所述背面一侧在所述像素阵列区和所述外围逻辑区之间形成所述隔离沟槽的步骤包括：
从所述背面一侧刻蚀所述像素与逻辑器件衬底，以在所述像素阵列区和所述外围逻辑区之间形成所述隔离沟槽，并对应于所述金属接触垫在所述外围逻辑区形成第一焊盘接触孔；
继续刻蚀所述第一焊盘接触孔，以形成与所述第一焊盘接触孔连通的第二焊盘接触孔，所述第二焊盘接触孔露出所述金属接触垫。
4.如权利要求3所述的制作方法，其特征在于，在形成所述第一焊盘接触孔之后、形成所述第二焊盘接触孔之前，所述制作方法还包括：
在所述背面一侧沉积第二氧化物钝化层，所述第二氧化物钝化层覆盖第一氧化物钝化层表面以及所述隔离沟槽和所述第一焊盘接触孔的内表面。
5.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述制作方法还包括：
在所述背面一侧沉积焊盘金属材料层，所述焊盘金属材料层覆盖第二氧化物钝化层并填充第二焊盘接触孔；
刻蚀所述焊盘金属材料层，剩余的焊盘金属材料层位于第一焊盘接触孔内并作为金属焊盘，所述金属焊盘与金属接触垫电接触。
6.一种背照式图像传感器，其特征在于，利用权利要求1至5任意一项所述的背照式图像传感器的制作方法制作，所述背照式图像传感器包括：
像素与逻辑器件衬底，所述像素与逻辑器件衬底包括像素阵列区和位于所述像素阵列区周围的外围逻辑区，所述像素与逻辑器件衬底包括相对的正面和背面，所述正面设置有互连金属层，所述背面设置有高K材料钝化层；
其中，从所述背面一侧在所述像素阵列区和所述外围逻辑区之间形成有隔离沟槽，所述隔离沟槽隔断所述高K材料钝化层且深度未超过所述互连金属层。
7.如权利要求6所述的背照式图像传感器，其特征在于，所述隔离沟槽沿厚度方向贯穿所述像素与逻辑器件衬底。
8.如权利要求6所述的背照式图像传感器，其特征在于，所述隔离沟槽宽度为2-4um；所述高K材料钝化层的厚度为50Å-150Å。
9.如权利要求6所述的背照式图像传感器，其特征在于，所述高K材料钝化层包括氧化铝或二氧化铪。
10.如权利要求6所述的背照式图像传感器，其特征在于，还包括：
第一氧化物钝化层，覆盖所述高K材料钝化层，所述隔离沟槽隔断所述第一氧化物钝化层；以及
第二氧化物钝化层，所述第二氧化物钝化层覆盖所述第一氧化物钝化层以及所述隔离沟槽的内表面。
11.如权利要求10所述的背照式图像传感器，其特征在于，所述第一氧化物钝化层的厚度为1500Å～2000Å，所述第二氧化物钝化层的厚度为500Å～1000 Å。
12.如权利要求11所述的背照式图像传感器，其特征在于，所述互连金属层包括位于所述外围逻辑区的金属接触垫，所述背照式图像传感器还包括：
对应于所述金属接触垫从所述背面一侧形成的焊盘接触孔，所述焊盘接触孔隔断所述高K材料钝化层、所述第一氧化物钝化层和所述第二氧化物钝化层且露出所述金属接触垫；以及
形成于所述焊盘接触孔中的金属焊盘，所述金属焊盘与所述金属接触垫电接触。
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