CN110767840A - 一种显示面板及显示装置 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种显示面板及显示装置，其中，所述显示面板包括：显示区，所述显示区包括第一显示区和第二显示区；位于所述第一显示区的发光器件；所述发光器件包括复合阳极结构；在垂直于所述显示面板且指向所述发光器件的发光面的方向上，所述复合阳极结构包括依次层叠设置的第一电极层、反射调整层和第二电极层，其中，所述反射调整层包括晶体层；其中，所述反射调整层与外接电源电连接，在电场对所述晶体层的作用下，所述复合阳极结构包括第一状态和第二状态，所述复合阳极结构在所述第一状态下的透过率大于在所述第二状态下的透过率。用于提高成像质量。

Description

一种显示面板及显示装置

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种显示面板及显示装置。

背景技术

现有的有机发光二极管(OLED)技术普遍采用微腔效应来提高器件的整体出光效率。具体采用氧化铟锡/银/氧化铟锡(ITO/Ag/ITO)这种夹层结构形成完全不透明的复合阳极结构，以此来强化微腔效果。

随着显示技术的发展，全面屏以其具有较大的屏占比、超窄的边框，与普通的显示屏相比，可以大大提高观看者的视觉效果，从而受到了广泛的关注。目前，在采用全面屏的诸如手机的显示装置中，为了实现自拍和通话功能，通常都会在显示装置的正面设置前置摄像头、听筒等。为了实现全屏化显示，如图1所示的显示装置的平面结构示意图，在显示面板的区域1中一般设置有光学传感器10。为了进一步提高屏占比，区域1也会进行显示，这样使得光学传感器10设置在区域1的背光侧，从而使得外界环境光先通过区域1后再进入光学传感器10。然而，由于不透明的银薄层对外界环境光具有较强的反射，区域1的透过率较低，进而导致较少的光量进入光学传感器10，导致光学传感器10成像质量降低。

发明内容

本发明实施例提供了一种显示面板及显示装置，用于提高成像质量。

第一方面，本发明实施例提供了一种显示面板，包括：

显示区，所述显示区包括第一显示区和第二显示区；

位于所述第一显示区的发光器件；

所述发光器件包括复合阳极结构；

在垂直于所述显示面板且指向所述发光器件的发光面的方向上，所述复合阳极结构包括依次层叠设置的第一电极层、反射调整层和第二电极层，其中，所述反射调整层包括晶体层；

其中，所述反射调整层与外接电源电连接，在电场对所述晶体层的作用下，所述复合阳极结构包括第一状态和第二状态，所述复合阳极结构在所述第一状态下的透过率大于在所述第二状态下的透过率。

可选地，在垂直于所述显示面板且指向所述发光器件的发光面的方向上，所述反射调整层包括第三电极层、所述晶体层和第四电极层，其中，所述第三电极层和所述第四电极层分别与所述外接电源电连接。

可选地，所述复合阳极结构包括位于所述第一电极层和所述第三电极层之间的第一绝缘层，位于所述第四电极层和所述第二电极层之间的第二绝缘层。

可选地，所述晶体层包括液晶分子层或电光晶体层。

可选地，在所述复合阳极结构处于所述第一状态下，所述外接电源对所述电光晶体层供电，所述电光晶体层的折射率为第一折射率；在所述复合阳极结构处于所述第二状态下，所述外接电源未对所述电光晶体层供电，所述电光晶体层的折射率为大于所述第一折射率的第二折射率。

可选地，在所述复合阳极结构处于所述第一状态下，所述外接电源对所述液晶分子层供电，所述液晶分子层内的分子在电场作用下有序偏转；在所述复合阳极结构处于所述第二状态下，所述外接电源未对所述液晶分子层供电，所述液晶分子层内的分子无序排列。

可选地，所述复合阳极结构由所述第二状态切换为所述第一状态，所述晶体层由未通电状态切换为通电状态；在所述复合阳极结构由所述第一状态切换为所述第二状态，所述晶体层由所述通电状态切换为所述未通电状态。

可选地，所述电光晶体层的材料包括磷酸二氢钾、磷酸二氢铵、铌酸锂、钽酸钡中的至少一种。

第二方面，本发明实施例还提供了一种显示装置，包括：

如上面所述的显示面板；

设置在所述第一显示区下方的光学传感器；

其中，所述显示装置包括第一模式和第二模式，在所述显示装置处于所述第一模式时，所述光学传感器处于开启状态，所述复合阳极结构处于所述第一状态；在所述显示装置处于所述第二模式时，所述光学传感器处于关闭状态，所述复合阳极结构处于所述第二状态。

可选地，所述显示装置还包括：光学传感器信号处理模块和与所述光学传感器信号处理模块电连接的显示装置工作模式控制模块，以及与所述光学传感器信号处理模块电连接的第一开关模块和第二开关模块，在所述光学传感器处于关闭状态时，所述光学传感器信号处理模块输出高电平信号至所述显示装置工作模式控制模块，所述显示装置工作模式控制模块用于控制所述显示装置处于所述第二模式，所述第一开关模块和所述第二开关模块处于关闭状态，所述复合阳极结构处于所述第二状态；在所述光学传感器处于开启状态时，所述光学传感器信号处理模块输出低电平信号至所述显示装置工作模式控制模块，所述显示装置工作模式控制模块用于控制所述显示装置处于所述第一模式，所述第一开关模块和第二开关模块处于开启状态，所述复合阳极结构处于所述第一状态。

可选地，所述第一开关单元具体为薄膜晶体管，所述第二开关单元具体为薄膜晶体管。

可选地，所述光学传感器包括光线传感器、距离传感器、摄像头、听筒、虹膜识别传感器中的至少一种。

第三方面，本发明实施例还提供了一种如上面所述的显示装置的控制方法，包括：

调整针对所述晶体层的电场；

在电场作用下，控制所述晶体层的透过率的改变。

可选地，所述针对所述晶体层的电场，包括：

通过分别与所述第三电极层和所述第四电极层电连接的外接电源，调整针对所述晶体层的电场。

本发明有益效果如下：

本发明实施例提供的显示面板及显示装置，在垂直于显示面板且指向位于第一显示区的发光器件的发光面上，复合阳极结构包括依次层叠设置的第一电极层、反射调节层和第二电极层，其中，该反射调节层包括晶体层，而包括晶体层的反射调节层在电场对晶体层的作用下，复合阳极结构包括第一状态和第二状态，且该复合阳极结构在第一状态下的透过率大于第二状态下的透过率。也就是说，在电场对晶体层的作用下，实现反射调节层对复合阳极结构的透过率的调整，并将复合阳极结构在第一状态下的透过率进行了提高，进而提高了成像质量。

附图说明

图1为相关技术中显示装置的结构示意图；

图2为相关技术中显示装置的区域1的俯视结构示意图；

图3为图2所示的区域1中沿AA’方向上的剖视结构示意图；

图4为本发明实施例提供的显示面板的俯视结构示意图；

图5为本发明实施例提供的显示面板的一种剖视结构示意图；

图6为本发明实施例提供的显示面板的另一种剖视结构示意图；

图7为本发明实施例提供的显示面板的另一种剖视结构示意图；

图8为本发明实施例提供的显示面板中电光晶体层不受外界电场作用的其中一种示意图；

图9为本发明实施例提供的显示面板中电光晶体层受外界电场作用的其中一种示意图；

图10为本发明实施例提供的显示面板中电光晶体层受外界电场作用时透光率T_r随外加电压V变化的曲线图；

图11为本发明实施例提供的显示面板中复合阳极结构处于第一状态时的一种剖视结构示意图；

图12为本发明实施例提供的显示面板中复合阳极结构处于第二状态时的一种剖视结构示意图；

图13为本发明实施例提供的显示面板中复合阳极结构处于第一状态时的另一种剖视结构示意图；

图14为本发明实施例提供的显示面板中复合阳极结构处于第二状态时的另一种剖视结构示意图；

图15为本发明实施例提供的一种显示装置的结构示意图；

图16为本发明实施例提供的一种显示装置的电路结构示意图；

图17为本发明实施例提供的一种显示装置中光学传感器在开启状态和关闭状态下切换的其中一种时序图。

具体实施方式

为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例的附图，对本发明实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。并且在不冲突的情况下，本发明中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。基于所描述的本发明的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

除非另外定义，本发明使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本发明中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。

需要注意的是，附图中各图形的尺寸和形状不反映真实比例，目的只是示意说明本发明内容。并且自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。

结合图2和图3所示，其中，图2为显示装置区域1中的俯视结构示意图。图3为显示装置区域1中沿AA’方向上的剖视结构示意图。一般，显示装置区域1中可以包括：位于阵列基板20上的有机发光二极管21，位于有机发光二极管21上的封装层22，以及位于阵列基板20背离有机发光二极管21一侧的光学传感器10。其中，有机发光二极管21具有层叠设置的阳极01、发光层02以及阴极03。

在实际应用中，外界环境光S通过区域1后进入光学传感器10，以在光学传感器10成像。然而，由于有机发光二极管21中的阳极01一般设置为不透光的电极，从而导致光学传感器10所接收的光量较少，成像质量较差。

为此，本发明实施例提供了一种显示面板，用于提高光学传感器成像质量。

结合图4与图5所示，本发明实施例提供了一种显示面板，该显示面板包括：显示区A，显示区A包括第一显示区A1和第二显示区A2。其中，第一显示区A1包括发光器件30，发光器件30包括复合阳极结构40。在垂直于显示面板且指向发光器件30的发光面的方向上，复合阳极结构40包括依次层叠设置的第一电极层401、反射调整层402和第二电极层403，其中，反射调整层402包括晶体层。反射调整层402与外接电源电连接，在电场对晶体层的作用下，复合阳极结构40包括第一状态D1和第二状态D2。复合阳极结构40在第一状态D1下的透过率大于在第二状态D2下的透过率。也就是说，在电场对晶体层的作用下，反射调整层402对复合阳极结构40的透过率的进行调整，使得复合阳极结构40在第一状态D1下的透过率大于在第二状态D2下的透过率。在具体应用中，可以通过电场对反射调整层402的折射率进行调整，从而提高复合阳极结构40的透过率，进而提高成像质量。

在本发明实施例中，第一显示区A1和第二显示区A2可以形成连续的显示区A，以使第一显示区A1和第二显示区A2可以均显示图像。示例性地，显示区A的形状大致为矩形，比如，显示区A的顶角均为直角，则显示区A为矩形。再比如，显示区A顶角为弧形的角，则显示区A的形状大致为矩形。

在具体实施过程中，第一显示区A1可以为一个或多个。并且，第二显示区A2可以为连续的区域，或者第二显示区A2也可以为不连续的区域，这可以根据实际应用环境来设计确定，在此不做限定。

在具体实施过程中，第一显示区A1和第二显示区A2之间的相对位置关系可以是，第一显示区A1的至少部分边与显示区A的至少部分边重合，并且第一显示区A1的其余部分被第二显示区A2包围，如此一来，可以将第一显示区A1设置在显示区A的边缘。

在具体实施过程中，第一显示区A1和第二显示区A2之间的相对位置关系还可以是，第二显示区A2包围第一显示区A1，如此一来，可以将第一显示区A1设置在显示区A的内部。比如，可以将第一显示区A1设置在第二显示区A2的左上角。再比如，可以将第一显示区A1设置在第二显示区A2的右上角。再比如，可以将第一显示区A1设置在第二显示区A2的左侧。再比如，可以将第一显示区A1设置在第二显示区A2的上侧。当然，在实际应用中，第一显示区A1的具体位置可以根据实际应用环境来设计确定，在此就不做限定。

在具体实施过程中，可以将第一显示区A1的形状设置为规则的形状，比如矩形，该矩形的顶角可以为直角，或者该矩形的顶角还可以为弧形的角。再比如，还可以将第一显示区A1的形状设置为梯形，该梯形可以是正梯形，还可以是倒梯形。此外，该梯形的顶角可以为正规的夹角或者也可以为弧形的角。再比如，还可以将第一显示区A1的形状设置为不规则的形状。比如，可以将第一显示区A1的形状设置为水滴形。当然，在实际应用中，对第一显示区A1的形状可以根据第一显示区A1内设置的元件的形状进行设计，在此就不做限定了。

在具体实施过程中，第一显示区A1的面积小于第二显示区A2的面积。当然，在实际应用中，可以根据第一显示区A1内设置的元件进行设计，在此不做限定。

在本发明实施例中，发光器件30包括层叠设置的复合阳极结构40、发光功能层301和复合阴极结构302。在具体实施过程中，发光器件30可以包括：有机发光二极管(OrganicLight Emitting Diode，OLED)、量子点发光二极管(Quantum Dot Light EmittingDiodes，QLED)中的至少一种。

在本发明实施例中，第一电极层401和第二电极层403的材料可以为氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)和石墨烯中的至少一种。当然，在实际应用中，还可以根据实际应用环境选择相应材料来设计第一电极层401和第二电极层403，在此不做限定。此外，可以将第一电极层401和第二电极层403设置为透明状态，从而提高复合阳极结构40的透过率。

在本发明实施例中，如图6所示为本发明实施例提供的显示面板的另一种剖面结构示意图。具体来讲，在垂直于所述显示面板且指向发光器件30的发光面的方向上，反射调整层402包括第三电极层4021、晶体层4020和第四电极层4022，其中，第三电极层4021和第四电极层4022分别与所述外接电源电连接。其中，所述外接电源可以是提供恒定电信号的直流电源，还可以是提供脉冲电信号的电源。在具体实施过程中，在外接电源通过第三电极层4021和第四电极层4022对晶体层4020供电时，晶体层4020将在电场作用下进行透过率的调整，从而实现了对复合阳极结构40的透过率的调节。

在具体实施过程中，在第三电极层4021和第四电极层4022的材料可以为氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)和石墨烯中的至少一种。当然，在实际应用中，还可以根据实际应用环境选择相应材料来设计第三电极层4021和第四电极层4022，在此不做限定。此外，可以将第三电极层4021和第四电极层4022设置为透明状态，从而提高复合阳极结构40的透过率。

在本发明实施例中，如图7所示，复合阳极结构40还包括位于第一电极层401和第三电极层4021之间的第一绝缘层404，位于第四电极层4022和第二电极层403之间的第二绝缘层405。由于第一绝缘层404和第二绝缘层405的绝缘特性，保证了外接电源对晶体层4020的独立控制，提高了显示面板的透过率调整的性能。

在具体实施过程中，可以将第一绝缘层404和第二绝缘层405设置为透明状态，从而提高复合阳极结构40的透过率。其中，第一绝缘层404和第二绝缘层405的材料可以为二氧化硅(SiO₂)。当然，在实际应用中，还可以根据实际应用环境选择相应材料来设计第一绝缘层404和第二绝缘层405，在此不做限定。

在本发明实施例中，晶体层4020可以是液晶分子层，还可以是电光晶体层。在实际应用中，可以根据实际应用环境选择相应材料形成晶体层4020。其中，所述液晶分子层可以是列相液晶层，还可以是聚合物分散液晶层，还可以是多稳态液晶层。所述电光晶体层的材料包括磷酸二氢钾、磷酸二氢铵、铌酸锂、钽酸钡中的至少一种。

在本发明实施例中，在晶体层4020为电光晶体形成的电光晶体层40201时，电光晶体分别在不受外界电场作用和受外界电场作用时的示意图如图8和图9所示，具体来讲，电光晶体在不受外界电场作用时，通常为各向同性的、均匀的、线性的、稳定的不透光的介质，大部分入射光经电光晶体层40201反射形成反射光。当对该介质施加外加电场时，电光晶体结构的原子就会受到电场强烈的影响，原子的形状和能级结构会发生一系列畸变，从而引起光学性质的改变，电光晶体的折射率将降低，形成透光介质，大部分入射光经电光晶体层40201出射形成出射光。也就是说，电光晶体层为双折射率结构。在具体实施过程中，将具有双折射率的电光晶体作为电致开关器件，从而实现了对光线的调制。具体的调制过程遵循方程：

T_r＝I/I₀＝sin²(πV/2V₀)，其中，I₀、V₀为电光晶体的最大光通量和对应的电压，I和V分别为电压V下的光通量和施加电压，T_r为施加电压V下的透光率。T_r随外加电压V的变化趋势如图10所示。

在本发明实施例中，结合图11和图12，在复合阳极结构40处于第一状态D1下，所述外接电源对电光晶体层40201供电，电光晶体层40201的折射率为第一折射率；在复合阳极结构40处于第二状态D2下，所述外接电源未对电光晶体层40201供电，电光晶体层40201的折射率为大于所述第一折射率的第二折射率。在具体实施过程中，通过控制外界电源对电光晶体层40201的供电与否，从而实现对复合阳极结构40在两种透过率状态下的灵活切换。

如图11所示为复合阳极结构40在电光晶体层40201加电场时所处的第二状态D2结构示意图。具体来讲，在晶体层4020为电光晶体层40201时，若所述外接电源未对电光晶体层40201供电时，电光晶体层40201的折射率为n₁。此时，电光晶体层40201的折射率较高，复合阳极结构40的透过率较低，来自外界的光线基本上被反射，从而提高了显示面板在正常显示模式下的出光效率。在具体实施过程中，本领域技术人员可以根据对复合阳极结构40的透过率的实际需要，来对电光晶体层40201的折射率进行调整。只要是通过对电光晶体层40201的折射率的调整，进而实现对复合阳极结构40透过率的调整的方法均属于本发明所要保护的范围内。

如图12所示为复合阳极结构40在电光晶体层4020加电场时所处的第一状态D1结构示意图。具体来讲，在晶体层4020为电光晶体层40201时，若所述外接电源对电光晶体层40201供电，电光晶体层40201在电场作用下发生晶体折射率椭球的大小、形状和取向变化。电光晶体层40201的折射率由n₁变为小于n₁的n₂，即形成低折射率的电光晶体层40201。此时，电光晶体层40201的折射率较低，复合阳极结构40的透过率较高，来自外界的光线基本上透射至光学传感器，提高了成像质量。

在具体实施过程中，由于电光晶体具有电致响应时间快，价格低廉，调制电压低，折射率变化范围广，技术成熟等优势，在晶体层4020采用电光晶体层40201来制备复合阳极结构40，且在电场和非电场条件下实现复合阳极结构40透光和不透光之间的转换时，显示面板的使用性能相对较高。

在本发明实施例中，结合图13和图14，在复合阳极结构40处于第一状态D1下，所述外接电源对液晶分子层40202供电，液晶分子层40202内的分子在电场作用下有序偏转；在复合阳极结构40处于第二状态D2下，所述外接电源未对液晶分子层40202供电，液晶分子层40202内的分子无序排列。

如图13所示为复合阳极结构40在液晶分子层40202加电场时所处的第二状态D2结构示意图。具体来讲，在晶体层4020为液晶分子层40202时，若所述外接电源未对液晶分子层40202供电时，液晶分子层40202内的分子无序排列，液晶分子层40202形成完全不透光膜层。此时，复合阳极结构40的透过率较低，来自外界的光线基本上被反射，从而提高了显示面板在正常显示模式下的出光效率。

如图14所示为复合阳极结构40在液晶分子层40202加电场时所处的第一状态D1结构示意图。具体来讲，在晶体层4020为液晶分子层40202时，若所述外接电源对液晶分子层40202供电，液晶分子层40202内的分子在电场作用下重新排列，液晶分子层40202由无序排列变为有序排列，从而提高了复合阳极结构40的透过率，来自外界的光线基本上透射至光学传感器，提高了成像质量。

在本发明实施例中，复合阳极结构40由第二状态D2切换为第一状态D1，晶体层4020由未通电状态切换为通电状态；在复合阳极结构40由第一状态D1切换为第二状态D2，晶体层4020由所述通电状态切换为所述未通电状态。也就是说，通过控制所述外接电源对晶体层4020的供电情况，调整晶体层4020的通电状态，从而能够实现复合阳极结构40在第一状态D1和第二状态D2间的灵活切换，从而提高了显示面板的使用性能。

基于同样的发明构思，本发明实施例还提供了一种显示装置，如图15所示，该显示装置包括：本发明实施例提供的上述任一种显示面板100。该显示装置解决问题的原理与前述显示面板相似，因此该显示装置的实施可以参见前述显示面板的实施，重复之处在此不再赘述。在具体实施过程中，该显示装置还包括设置在第一显示区A1下方的光学传感器200；其中，该显示装置包括第一模式和第二模式，在该显示装置处于所述第一模式时，光学传感器200处于开启状态，复合阳极结构40处于第一状态D1；在该显示装置处于所述第二模式时，光学传感器200处于关闭状态，复合阳极结构40处于第二状态D2。

在具体实施过程中，第一模式具体为显示装置中第一显示区A1处于显示关闭模式。在显示装置处于显示关闭模式时，光学传感器200处于开启状态。比如，在光学传感器200为摄像头时，摄像头处于工作状态，也就是说，显示装置的摄像头处于开启状态。第二模式具体为显示装置处于正常显示模式，在显示装置处于正常显示模式时，光学传感器200处于关闭状态，也就是说，显示装置的摄像头处于未开启状态。

在具体实施过程中，在光学传感器200处于开启状态时，复合阳极结构40处于透过率较高的第一状态，从而保证光学传感器200接收到充足的光量，进而提高光学传感器200的成像质量。在光学传感器200处于关闭状态时，复合阳极结构40处于透过率较低的第二状态，显示装置从而形成微腔加强效应，在提高显示装置的出光效率的同时，提高了显示装置的显示效果。

在本发明实施例中，如图16所示为显示装置的其中一种电路结构示意图，具体来讲，显示装置还包括光学传感器信号处理模块50和与光学传感器信号处理模块50电连接的显示装置工作模式控制模块60，以及与光学传感器信号处理模块50电连接的第一开关模块70和第二开关模块80，在光学传感器200处于关闭状态时，光学传感器信号处理模块50输出高电平信号至显示装置工作模式控制模块60，显示装置工作模式控制模块60用于控制所述显示装置处于第二模式，第一开关模块70和第二开关模块80处于关闭状态，复合阳极结构40处于第二状态D2，此时复合阳极结构40的透过率较低；在光学传感器200处于开启状态时，光学传感器信号处理模块50输出低电平信号至显示装置工作模式控制模块60，显示装置工作模式控制模块60用于控制所述显示装置处于第一模式，第一开关模块70和第二开关模块80处于开启状态，通过加载在第一开关模块70上的开启电压VGH，和加载在第二开关模块80上的关闭电压VGL之间形成电压差对复合阳极结构40中的晶体层4020供电，复合阳极结构40处于第一状态D1，此时复合阳极结构40的透过率较高。如图17所示为光学传感器200在开启状态和关闭状态下切换的其中一种时序图。具体来讲，在T1和T3时间段内光学传感器200处于关闭状态，光学传感器信号处理模块50输出高电平信号；在T2时间段内光学传感器200处于开启状态，光学传感器信号处理模块50输出低电平信号。

在具体实施过程中，在第一开关模块70和第二开关模块80处于开启状态时，外接电源对晶体层4020施加电场，如果施加的电压足够大，比如5V左右，在0.4μm-1.5μm波长范围内晶体层4020所对应的透光率高达98％，此外，由于第一电极层401和第二电极层403为透明的电极，从而提高了复合阳极结构40的透光率，从而保证了屏下光学传感器200的使用性能。

在具体实施过程中，还可以是在光学传感器200处于关闭状态时，光学传感器信号处理模块50输出低电平信号至显示装置工作模式控制模块60，通过显示装置工作模块控制模块60控制所述显示装置处于第二模式，第一开关模块70和第二开关模块80处于关闭状态，复合阳极结构40处于第二状态D2；反之，在光学传感器200处于开启状态时，光学传感器信号处理模块50输出高电平信号至显示装置工作模式控制模块60，通过显示装置工作模式控制模块60控制所述显示装置处于第一模式，第一开关模块70和第二开关模块80处于开启状态，复合阳极结构40处于第一状态D1。当然，本领域技术人员可以根据实际应用场景采用不同的方法来控制光学传感器200在开启状态和关闭状态间灵活切换，从而实现了复合阳极结构40在第一状态D1和第二状态D2间灵活切换，在此就不做限定。

在具体实施过程中，光学传感器200位于第一显示区A1的发光器件30远离显示面板100的一侧，而且光学传感器200在显示面板100的正投影位于第一显示区A1内。在具体实施过程中，该光学传感器200包括光学传感器、距离传感器、摄像头、听筒、虹膜识别传感器和深度传感器中的至少一种。当然，本领域技术人员还可以根据实际需要选择相应的光学传感器200，在此就不再详述。

在具体实施过程中，本发明实施例提供的显示装置可以为如图15所示的手机，当然，本发明实施例提供的显示装置还可以为平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。对于该显示装置的其它必不可少的组成部分均为本领域的普通技术人员应该理解具有的，在此就不做赘述，也不应作为对本发明的限制。

本发明实施例提供的显示装置，在垂直于显示面板且指向位于第一显示区的发光器件的发光面上，复合阳极结构包括依次层叠设置的第一电极层、反射调节层和第二电极层，其中，该反射调节层包括晶体层，而包括晶体层的反射调节层在电场对晶体层的作用下，复合阳极结构包括第一状态和第二状态，且该复合阳极结构在第一状态下的透过率大于第二状态下的透过率。也就是说，在电场对晶体层的作用下，实现反射调节层对复合阳极结构的透过率的调整，并将复合阳极结构在第一状态下的透过率进行了提高，进而提高了成像质量。

显然，本领域的技术人员可以对本申请进行各种改动和变型而不脱离本申请的精神和范围。这样，倘若本申请的这些修改和变型属于本申请权利要求及其等同技术的范围之内，则本申请也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (12)

1.一种显示面板，其特征在于，包括：

显示区，所述显示区包括第一显示区和第二显示区；

位于所述第一显示区的发光器件；

所述发光器件包括复合阳极结构；

在垂直于所述显示面板且指向所述发光器件的发光面的方向上，所述复合阳极结构包括依次层叠设置的第一电极层、反射调整层和第二电极层，其中，所述反射调整层包括晶体层；

其中，所述反射调整层与外接电源电连接，在电场对所述晶体层的作用下，所述复合阳极结构包括第一状态和第二状态，所述复合阳极结构在所述第一状态下的透过率大于在所述第二状态下的透过率。

2.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，在垂直于所述显示面板且指向所述发光器件的发光面的方向上，所述反射调整层包括第三电极层、所述晶体层和第四电极层，其中，所述第三电极层和所述第四电极层分别与所述外接电源电连接。

3.如权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述复合阳极结构包括位于所述第一电极层和所述第三电极层之间的第一绝缘层，位于所述第四电极层和所述第二电极层之间的第二绝缘层。

4.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述晶体层包括液晶分子层或电光晶体层。

5.如权利要求4所述的显示面板，其特征在于，在所述复合阳极结构处于所述第一状态下，所述外接电源对所述电光晶体层供电，所述电光晶体层的折射率为第一折射率；在所述复合阳极结构处于所述第二状态下，所述外接电源未对所述电光晶体层供电，所述电光晶体层的折射率为大于所述第一折射率的第二折射率。

6.如权利要求4所述的显示面板，其特征在于，在所述复合阳极结构处于所述第一状态下，所述外接电源对所述液晶分子层供电，所述液晶分子层内的分子在电场作用下有序偏转；在所述复合阳极结构处于所述第二状态下，所述外接电源未对所述液晶分子层供电，所述液晶分子层内的分子无序排列。

7.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述复合阳极结构由所述第二状态切换为所述第一状态，所述晶体层由未通电状态切换为通电状态；在所述复合阳极结构由所述第一状态切换为所述第二状态，所述晶体层由所述通电状态切换为所述未通电状态。

8.如权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述电光晶体层的材料包括磷酸二氢钾、磷酸二氢铵、铌酸锂、钽酸钡中的至少一种。

9.一种显示装置，其特征在于，包括：

如权利要求1-8任一项所述的显示面板；

设置在所述第一显示区下方的光学传感器；

其中，所述显示装置包括第一模式和第二模式，在所述显示装置处于所述第一模式时，所述光学传感器处于开启状态，所述复合阳极结构处于所述第一状态；在所述显示装置处于所述第二模式时，所述光学传感器处于关闭状态，所述复合阳极结构处于所述第二状态。

10.如权利要求9所述的显示装置，其特征在于，所述显示装置还包括：光学传感器信号处理模块和与所述光学传感器信号处理模块电连接的显示装置工作模式控制模块，以及与所述光学传感器信号处理模块电连接的第一开关模块和第二开关模块，在所述光学传感器处于关闭状态时，所述光学传感器信号处理模块输出高电平信号至所述显示装置工作模式控制模块，所述显示装置工作模式控制模块用于控制所述显示装置处于所述第二模式，所述第一开关模块和所述第二开关模块处于关闭状态，所述复合阳极结构处于所述第二状态；在所述光学传感器处于开启状态时，所述光学传感器信号处理模块输出低电平信号至所述显示装置工作模式控制模块，所述显示装置工作模式控制模块用于控制所述显示装置处于所述第一模式，所述第一开关模块和第二开关模块处于开启状态，所述复合阳极结构处于所述第一状态。

11.一种如权利要求9所述的显示装置的控制方法，其特征在于，包括：

调整针对所述晶体层的电场；

在电场作用下，控制所述晶体层的透过率的改变。

12.如权利要求11所述的控制方法，其特征在于，所述针对所述晶体层的电场，包括：

通过分别与所述第三电极层和所述第四电极层电连接的外接电源，调整针对所述晶体层的电场。

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