CN110767832A - 显示面板、显示面板制备方法、显示屏及显示终端 - Google Patents
显示面板、显示面板制备方法、显示屏及显示终端 Download PDFInfo
- Publication number
- CN110767832A CN110767832A CN201811654739.9A CN201811654739A CN110767832A CN 110767832 A CN110767832 A CN 110767832A CN 201811654739 A CN201811654739 A CN 201811654739A CN 110767832 A CN110767832 A CN 110767832A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- region
- substrate
- area
- display panel
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 181
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 claims abstract description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 351
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 80
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 60
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 40
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims description 17
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 17
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 claims description 12
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 9
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims description 9
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 claims description 5
- 230000003068 static effect Effects 0.000 claims description 5
- 229920001621 AMOLED Polymers 0.000 claims description 3
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 abstract description 21
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 17
- 230000008569 process Effects 0.000 description 15
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 11
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 6
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 5
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 5
- 239000011149 active material Substances 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 2
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
- G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
- G09F9/30—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
- G09F9/33—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements being semiconductor devices, e.g. diodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
- H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
- H10K59/353—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels characterised by the geometrical arrangement of the RGB subpixels
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/844—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/1201—Manufacture or treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/17—Passive-matrix OLED displays
- H10K59/176—Passive-matrix OLED displays comprising two independent displays, e.g. for emitting information from two major sides of the display
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/10—Transparent electrodes, e.g. using graphene
- H10K2102/101—Transparent electrodes, e.g. using graphene comprising transparent conductive oxides [TCO]
- H10K2102/102—Transparent electrodes, e.g. using graphene comprising transparent conductive oxides [TCO] comprising tin oxides, e.g. fluorine-doped SnO2
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/10—Transparent electrodes, e.g. using graphene
- H10K2102/101—Transparent electrodes, e.g. using graphene comprising transparent conductive oxides [TCO]
- H10K2102/103—Transparent electrodes, e.g. using graphene comprising transparent conductive oxides [TCO] comprising indium oxides, e.g. ITO
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Geometry (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
本发明公开了一种显示面板、显示面板制备方法、显示屏及显示终端,其中,显示面板包括:基板,所述基板包括多个子像素区域,每一个子像素区域包括第一区域和第二区域,所述第一区域设置有基板、缓冲层和像素电路层,所述第二区域设置有所述基板;多个第一电极,在所述第二区域上第一电极与所述基板直接接触。上述显示面板,将每一个子像素区域划分为第一区域和第二区域,第一区域上设置有基板、缓冲层、像素电路层,第二区域上设置有基板以及与基板直接接触设置的第一电极,第一电极与基板之间不设置无机膜层,减少了无机膜层的覆盖面积,提高了显示面板的透明度。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域,具体涉及一种显示面板、显示面板制备方法、显示屏及显示终端。
背景技术
随着显示终端的快速发展,用户对屏幕占比的要求越来越高,全面屏显示受到业界越来越多的关注。由于屏幕上方需要安装摄像头、传感器、听筒等元件,因此现有技术中屏幕上方通常会预留一部分区域用于安装上述元件,例如苹果手机iphoneX的前刘海区域,影响了屏幕的整体一致性。
发明内容
基于此,有必要针对上述技术问题,提供一种显示面板、显示面板制备方法、显示屏以及显示终端。
本发明第一方面,提供一种显示面板,包括:基板,所述基板包括多个子像素区域,每一个子像素区域包括第一区域和第二区域,所述第一区域设置有基板、缓冲层和像素电路层,所述第二区域设置有所述基板;多个第一电极,在所述第二区域上第一电极与所述基板直接接触。
在其中一个实施例中,设置于所述基板上的引线,所述引线包括扫描线、数据线以及像素电路层中的连接线中的至少一个;设置于所述引线在所述基板上的投影交叠处的无机膜层,所述无机膜层包括栅极绝缘层、层间绝缘层以及缓冲层中的至少一个。仅在引线交叠处设置无机膜层,减少无机膜层的覆盖面积。
在其中一个实施例中,所述第二区域包括发光区域和非发光区域,设置于所述发光区域的第一电极,设置于所述非发光区域的引线与所述基板直接接触,和/或位于所述非发光区域的引线和所述基板之间设置有所述无机膜层。
在其中一个实施例中,所述非发光区域包括用于设置引线的引线区域以及非功能区域,所述非功能区域的上方不覆盖所述无机膜层。无机膜层不覆盖非功能区域,尽可能多地去除无机膜层,减少无机膜层的覆盖面积,提高了显示面板的透明度。
在其中一个实施例中,还包括:平坦化层,设置于所述基板上并露出所述引线;便于在后续工艺步骤中形成叠层设置的引线。
在其中一个实施例中,所述引线包括层叠的第一引线层和第二引线层。叠层结构的设置在保证电特性的基础上实现了高透明度。
在其中一个实施例中,所述第二引线层与所述第一电极层在同一工艺步骤中形成;节省工艺步骤、降低生产成本。
在其中一个实施例中,所述透明导电材料的透光率大于90%,从而使得整个显示面板的透光率可以在70%以上,显示面板的透明度更高。
在其中一个实施例中,所述透明导电材料为氧化铟锡、氧化铟锌、掺杂银的氧化铟锡或者掺杂银的氧化铟锌;这些透明导电材料较常见,工艺成熟、成本低。
在其中一个实施例中,还包括:像素限定层,设置于所述基板上并露出所述第一电极。
在其中一个实施例中,还包括:设置于所述第一电极上的依次层叠的发光结构层、第二电极以及封装层,所述第一区域包括像素电路区域和非像素电路区域,所述像素电路区域上和/或所述发光区域上覆盖无机膜层及有机膜层。非像素区域上不覆盖所述无机膜层及有机膜层,非发光区域上不覆盖无机膜层及有机膜层,最大程度地减少无机膜层和有机膜层的覆盖面积,提高了显示面板的透明度。
在其中一个实施例中,扫描线和/或所述数据线在其延伸方向上的至少一条边为波浪形。
在其中一个实施例中,相邻的所述扫描线间具有第一间距,所述第一间距连续变化或间断变化;和/或,相邻的数据线间具有第二间距,所述第二间距连续变化或间断变化;和/或,所述扫描线的宽度连续变化或间断变化;和/或,所述数据线的宽度连续变化或间断变化。
在其中一个实施例中,所述扫描线在所述延伸方向上的两条边均为波浪形,所述两条边的波峰相对设置,且波谷相对设置;和/或,所述数据线在所述延伸方向上的两条边均为波浪形,所述两条边的波峰相对设置,且波谷相对设置。
在其中一个实施例中,所述扫描线的波谷相对处形成有第二连接部;所述第二连接部为条状;和/或,所述数据线的波谷相对处形成有第三连接部;所述第三连接部为条状。
在其中一个实施例中,所述第一电极为圆形、椭圆形或者哑铃形。
在其中一个实施例中,所述子像素为圆形、椭圆形或者哑铃形。
本发明第二方面,提供一种显示面板制备方法,包括如下步骤:提供基板,所述基板包括多个子像素区域,每一个子像素区域包括第一区域和第二区域,所述第一区域和第二区域均设置有基板;在所述第一区域的基板上制备缓冲层和像素电路层;在所述第二区域的基板上制备第一电极,所述第一电极与所述第二区域的基板直接接触。
优选地,所述方法还包括:在所述基板上制备引线,在所述引线投影交叠处设置作为所述引线间绝缘层的无机膜层,所述无机膜层包括栅极绝缘层、层间绝缘层以及缓冲层中的至少一个,所述引线包括扫描线、数据线以及像素电路中的连接线中的至少一个。
优选地,所述第二区域包括发光区域和非发光区域,所述在所述第一区域的基板上制备缓冲层和像素电路层的步骤中,包括:在所述基板上制备第一绝缘材料(缓冲层),所述第一绝缘材料覆盖所述基板的第一区域和第二区域;在所述第一绝缘材料上制备有源层;在所述有源层上制备第二绝缘材料(栅极绝缘层),所述第二绝缘材料覆盖所述基板的第一区域和第二区域;在所述第二绝缘材料上制备栅极层;在所述栅极层上制备第三绝缘材料(层间绝缘层),所述第三绝缘材料覆盖所述基板的第一区域和第二区域;通过第一掩膜板去除所述发光区域的所述第一绝缘材料、第二绝缘材料以及第三绝缘材料。
在其中一个实施例中,所述方法还包括:通过第一掩膜板去除所述非发光区域的所述第一绝缘材料、第二绝缘材料以及第三绝缘材料。
在其中一个实施例中,所述非发光区域包括用于设置引线的引线区域以及非功能区域,所述方法还包括:通过第一掩膜板去除所述非功能区域上的所述第一绝缘材料、第二绝缘材料以及第三绝缘材料。
在其中一个实施例中,所述在所述第一区域的基板上制备缓冲层和像素电路层的步骤中,还包括:在所述基板上制备第一引线层;在所述基板上形成平坦化材料;通过第二掩膜板去除所述第一引线层上方的所述平坦化材料,以露出所述第一引线层。
在其中一个实施例中,所述在所述第二区域的基板上制备第一电极的步骤中,包括:在基板上制备第一导电材料,所述第一导电材料覆盖所述第一区域和第二区域;对所述第一导电材料图案化,形成第一电极和覆盖所述第一引线层的第二引线层。
在其中一个实施例中,在所述第二区域的基板上制备第一电极的步骤之后,还包括:在所述基板上制备像素限定层,所述像素限定层露出所述第一电极。
在其中一个实施例中,在所述基板上制备像素限定层的步骤之后,还包括:在所述第一电极上制备依次层叠的发光结构层、第二电极以及封装层。
在其中一个实施例中,所述第一区域包括像素电路区域和非像素电路区域,所述方法还包括:对所述封装层进行图案化,去除所述非像素电路区域上和/或所述非发光区域上的无机膜层及有机膜层。
本发明第三方面,提供一种显示屏,至少包括第一显示区和第二显示区,各显示区均用于显示动态或静态画面,所述第一显示区下方可设置感光器件;其中,在所述第一显示区设置有如本发明第一方面任一所述的显示面板,所述第二显示区设置的显示面板为PMOLED显示面板或AMOLED显示面板。
本发明第四方面,提供一种显示终端,包括:设备本体,具有器件区;如本发明第三方面中任一所述的显示屏,覆盖在所述设备本体上;其中,所述器件区位于所述第一显示区下方,且所述器件区中设置有透过所述第一显示区进行光线采集的感光器件。
本发明技术方案,具有如下优点:
本发明提供的显示面板,包括:基板,所述基板包括多个子像素区域,每一个子像素区域包括第一区域和第二区域,所述第一区域设置有基板、缓冲层和像素电路层,所述第二区域设置有所述基板;多个第一电极,在所述第二区域上第一电极与所述基板直接接触。上述显示面板,将每一个子像素区域划分为第一区域和第二区域,第一区域上设置有基板、缓冲层、像素电路层,第二区域上设置有基板以及与基板直接接触设置的第一电极,第一电极与基板之间不设置无机膜层,减少了无机膜层的覆盖面积,提高了显示面板的透明度。
附图说明
为了更清楚地说明本发明具体实施方式或现有技术中的技术方案,下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图是本发明的一些实施方式,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例中显示面板的一个具体示例的剖视图;
图2为本发明实施例中显示面板的一个具体示例的俯视图;
图3为本发明实施例中现有技术中的显示面板的一个具体示例的示意图;
图4为本发明实施例中显示面板的另一个具体示例的示意图;
图5为本发明实施例中显示面板的另一个具体示例的示意图;
图6为本发明实施例中显示面板的另一个具体示例的示意图;
图7为本发明实施例中显示面板的另一个具体示例的示意图;
图8为本发明实施例中显示面板的扫描线的一个具体示例的示意图;
图9为本发明实施例中显示面板的扫描线的另一个具体示例的示意图;
图10为本发明实施例中显示面板的扫描线的另一个具体示例的示意图;
图11为本发明实施例中显示面板的第一电极的一个具体示例的示意图;
图12为本发明实施例中显示面板的第一电极的另一个具体示例的示意图;
图13为本发明实施例中显示面板的第一电极的另一个具体示例的示意图;
图14为本发明实施例中显示面板的像素限定层开口的一个具体示例的示意图;
图15为本发明实施例中显示面板制备方法的一个具体示例的流程图;
图16为本发明实施例中显示屏的一个具体示例的示意图;
图17为本发明实施例中显示终端的一个具体示例的示意图;
图18为本发明实施例中设备本体的结构示意图。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
在本发明的描述中,需要理解的是,术语“中心”、“纵向”、“上”、“下”“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”以及“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本发明和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本发明的限制。此外,需要说明的是,当元件被称为“形成在另一元件上”时,它可以直接连接到另一元件上或者可能同时存在居中元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件,它可以直接连接到另一元件或者同时存在居中元件。相反,当元件被称作“直接在”另一元件“上”时,不存在中间元件。
为了实现全面屏显示,需要显示屏达到一定的透明度,以满足摄像头等对透明度的需求。但是,发明人发现,由于构成像素电路中无机膜层和有机膜层的材料透光率并非100%,上述这些膜层使得显示屏的透明度降低,影响了显示屏的整体一致性。
基于此,本发明提供了一种显示面板,在显示面板中的非必要区域上不覆盖无机膜层和有机膜层,减少无机膜层和有机膜层等膜层的覆盖面积,提高了显示面板的透明度,很好地解决了上述问题。
图1为一实施例中显示面板的剖视图,图2为一实施例中显示面板的俯视图,如图1和图2所示,显示面板包括:基板1,该基板包括多个子像素区域,每一个子像素区域包括第一区域11和第二区域12,第一区域11设置有基板1、缓冲层4和像素电路层2,第二区域12设置有基板1;多个第一电极3,在第二区域12上第一电极3与基板1直接接触。
在一实施例中,具体地,在每一个子像素区域的第一区域11上设置像素电路层,在第二区域12上设置与之对应的第一电极3,第一电极2与像素电路3为一一对应关系。
需要说明的是,本实施例中的基板可以是衬底;基板可以是柔性基板,如PI薄膜等;也可以是刚性基板,在一实施例中,基板1可以为刚性基板,如玻璃基板、石英基板或者塑料基板等透明基板;基板1也可为柔性基板,以提高器件的透明度。
上述显示面板,将每一个子像素区域划分为第一区域和第二区域,第一区域上设置有基板、缓冲层、像素电路层,第二区域上设置有基板以及与基板直接接触设置的第一电极,第一电极与基板之间不设置无机膜层,减少了无机膜层的覆盖面积,提高了显示面板的透明度。
在一实施例中,如图1所示,像素电路层2可包括依次设置于第一区域基板上的有源层21、栅极绝缘层22、栅极层23以及层间绝缘层24。栅极绝缘层和层间绝缘层仅设置于第一区域上,其具体形成过程可以为:缓冲层、栅极绝缘层和层间绝缘层采用现有技术中的常规工艺制备成完全覆盖基板的一整面的膜层,如采用旋涂或者沉积方式形成整面的缓冲层、栅极绝缘层和层间绝缘层,这三层无机膜层均覆盖在第一区域和第二区域上,如图3所示;在制备完ILD层(层间绝缘层)之后,通过掩膜板对无机膜层进行图案化,具体为在无机膜层进行光刻胶图形化、涂布、曝光、显影工步,利用干刻(刻蚀气体为CF4),或干刻+湿刻(刻蚀药液为BOE)进行无机膜层(缓冲层、栅极绝缘层GI和层间绝缘层ILD)刻蚀,去除第二区域第一电极位置上的无机膜层,得到的结构图如图1所示。当然,在其它实施例中,也可在制备完一层无机膜层后便去除第二区域第一电极位置上的该层无机膜层,还可以是在制作时直接在第一电极位置以外的区域上形成无机膜层;具体实现方式可根据实际情况合理选择,本实施例对此不作任何限制。
需要说明的是,基板上还可设置有屏蔽层(Barrier)(图中未示出),此种情况下,为了实现更高的透明度,第一电极位置上不覆盖屏蔽层。还需要说明的是,现有工艺中在形成基板的过程中会同时在基板上方制备好两层Barrier层,第一Barrier层111通常为氮化硅材料制成,第二Barrier层112通常为氧化硅材料,如图4所示;此种情况下,可采用本实施例中的上述去除方法将第二区域设置第一电极位置上的两层Barrier层部分去除或者全部去除,以进一步提高显示面板的透明度。
在一实施例中,该显示面板还包括:设置于基板1上的引线,引线包括扫描线、数据线以及像素电路层中的连接线中的至少一个;设置于引线在基板上的投影交叠处的无机膜层,无机膜层包括栅极绝缘层、层间绝缘层以及缓冲层中的至少一个。
具体地,在本实施例中,引线包括扫描线、数据线以及像素电路层中的连接线,引线可设置在第一区域,还可设置在第二区域,可根据实际需要合理设置。
在一实施例中,第二区域12包括发光区域和非发光区域,设置于发光区域的第一电极3,设置于非发光区域的引线4与基板直接接触,和/或位于非发光区域的引线和基板1之间设置有无机膜层。具体地,发光区域上不覆盖无机膜层,在发光区域上设置第一电极3;非发光区域上可以是全部覆盖无机膜层,也可以是全部不覆盖无机膜层,还可以是的部分覆盖无机膜层。
具体地,在非发光区域全部不覆盖无机膜层时,位于非发光区域上的引线直接与基板接触设置。在非发光区域全部覆盖无机膜层时,位于非发光区域上的引线与基板之间设置有无机膜层,引线与基板之间的无机膜层根据引线制备的前后步骤的不同而不同,例如,引线是在制备完缓冲层之后栅极绝缘层之间形成的,此种情况下,引线与基板之间的无机膜层为缓冲层,又例如,引线是在制备完栅极绝缘层之后、层间绝缘层之前形成的,此种情况下,引线与基板之间的无机膜层为缓冲层和栅极绝缘层。
在一实施例中,非发光区域包括用于设置引线的引线区域以及非功能区域,非功能区域的上方不覆盖无机膜层。无机膜层不覆盖非功能区域,尽可能多地去除无机膜层,减少无机膜层的覆盖面积,提高了显示面板的透明度。
在一实施例中,像素电路层设置在基板的第一区域上,第一电极、扫描线和数据线设置在基板的第二区域上,仅第一区域上覆盖在制备像素电路过程中所形成的无机膜层(如缓冲层、栅极绝缘层CI、层间绝缘层ILD),第二区域上仅在引线在所述基板上的投影交叠处设置有无机膜层。在显示面板中的非必要覆盖区域上不覆盖无机膜层和有机膜层,减少膜层的覆盖面积,提高了显示面板的透明度。
在一实施例中,为了最大化地提高显示面板的整体透明度,第一电极和引线均采用透明导电材料制成,透明导电材料的透光率大于90%,从而使得整个显示面板的透光率较佳,显示面板的透明度更高。当然,在其它可替换实施例中,透明导电材料的透光率还可设置为其它数值,如80%或者95%,具体数值可根据实际需要合理设置。
具体地,透明导电材料可为铟锡氧化物(ITO),也可为铟锌氧化物(IZO)、或者掺杂银的氧化铟锡(Ag+ITO)、或者掺杂银的氧化铟锌(Ag+IZO)。由于ITO工艺成熟、成本低,导电材料优选为铟锌氧化物。进一步的,为了在保证高透光率的基础上,减小各导电走线的电阻,透明导电材料采用铝掺杂氧化锌、掺杂银的ITO或者掺杂银的IZO等材料。
在其它可替换实施例中,透明导电材料也可采用现有技术中其它材料,根据实际需要合理设置即可,本实施例对此不作限定。在一可替换实施例中,第一电极、数据线以及扫描线中的至少一个采用透明导电材料制成。
在一实施例中,引线包括层叠的第一引线层和第二引线层,第二引线层位于第一引线层的上方。由于透明导电材料(如ITO)的电阻比金属导线的电阻大,为了实现良好的电特性,现有技术中通常会采用金属线作为连接线、数据线以及扫描线等引线,这些金属走线会严重影响显示面板的透明度;然而,本实施例中采用由透明导电材料构成的两层引线层的叠层设置可显著降低透明导电材料的电阻,在保证电特性的基础上实现了高透明度。当然,在其它可替换实施例中,还可将扫描线、数据线以及像素电路层中的连接线中的任意一个或者任意两个设置为叠层结构,具体可根据实际需要合理设置。
需要说明的是,本实施例中的叠层结构包括两层,但并不以此为限;图5为叠层结构的一个具体示例的剖视图,如图5所示,基板1、第一引线层101、第二引线层102、第一引线层下方的无机膜层103、以及第一引线层上层的有机膜层无机膜层104,具体形成过程也可采用上述去除无机膜层的方法去除有机膜层,区别仅在于选用不同的刻蚀气体或刻蚀液,本实施例在此不再赘述。当然,在其它实施例中,更多层的叠层(如三层或者三层以上)也落入本实施例的保护范围内。例如,第一引线层为数据线时,第一引线层形成于透明引线层,第一引线层下方的无机膜层103包括GI-SiO、BL-SiO/SiN,第一引线层上层的有机膜层无机膜层104可包括CI-SiN、ILD-SiO/SiN、平坦化-透明/非透明有机胶。
在一实施例中,第二引线层与第一电极层在同一工艺步骤中形成。具体地,第一电极层为OLED的阳极,第一电极层也采用透明导电材料制成,例如,数据线、扫描线均采用ITO材料制备而成,此时便形成第一引线层;由于在数据线、扫描线的上方不覆盖其它膜层,在后续工艺中制备阳极时,在数据线、扫描线的上方再形成一层ITO,该层ITO即为第二引线层。在制备阳极的过程中形成第二引线层,节省工艺步骤、降低生产成本。当然,在其它可替换实施例中,第二引线层还可在一单独的步骤中形成,根据需要合理设置即可。
在上述显示面板的基础上,该显示面板还包括:平坦化层,设置于基板上并露出引线,以便后续在露出引线的位置上形成叠层设置的引线,降低引线的电阻,提高电特性。
在上述显示面板的基础上,该显示面板还包括:设置于第一电极上的像素限定层,设置于基板上并露出第一电极,具体地,像素限定层上具有多个开口,开口处露出第一电极,以便后续在该位置上制备发光结构层。
在上述显示面板的基础上,该显示面板还包括:设置于第一电极上的依次层叠的发光结构层、第二电极以及封装层;第一区域包括像素电路区域和非像素电路区域,像素电路区域上和/或发光区域上覆盖无机膜层及有机膜层。
在一实施例中,具体地,在像素限定层的开口内设置有发光结构层,以形成多个子像素,子像素与第一电极一一对应;设置于发光结构层上方的第二电极,第二电极与发光结构层一一对应;设置于第二电极和像素电路层上的封装层。第一区域包括像素电路区域和非像素电路区域,像素电路区域上覆盖无机膜层和有机膜层,非像素区域上不覆盖无机膜层和有机膜层;并且第二区域包括发光区域和非发光区域,发光区域上无机膜层及有机膜层,非发光区域上不覆盖无机膜层和有机膜层。将第一区域分为两部分(像素电路区域和非像素电路区域),像素电路区域上形成像素电路层,在非像素电路区域上不覆盖有机膜层和无机膜层;同样地,将第二区域也分为两部分(发光区域和非发光区域),发光区域上形成第一电极,在非发光区域上不覆盖有机膜层和无机膜层;最大程度地减少无机膜层和有机膜层的覆盖面积,提高了显示面板的透明度。并且还能够减少这些膜层对光的吸收,提高了光的透过率,当感光元件(如摄像头)设置于显示面板的下方时,能够增大进光量,增加到达感光元件的光强,增强拍照效果,使得拍得的图像效果更优。
封装后,对非发光区域和非像素电路区域进行图形化,刻蚀掉相应位置的封装层、平坦化层、氧化硅和氮化硅绝缘层,得到的结构如图6和图7所示。如图6和7所示,基板1上的像素电路2、发光结构层63以及封装层61,作为该结构的一个应用场景的示意图,感光器件62设置于基板的下方,基板上的非发光区和非像素电路区上不覆盖无机膜层和有机膜层,无机膜层和有机膜层的覆盖面积进一步减少,提高了显示面板的透明度,并且还能够减少这些膜层对光的吸收,增加了到达感光器件的光强,增强拍照效果。
在一实施例中,无机膜层包括层间绝缘层、栅极绝缘层、缓冲层以及平坦化层,上述这些无机膜层的材料可为氧化硅或者氮化硅,还可为氧化硅和氮化硅的混合;当然,在其它实施例中,无机膜层还可包括上述中的部分膜层或者除上述之外的其它膜层,根据需要合理确定即可,本实施例对此不作任何限制。
在一实施例中,有机膜层包括封装层、PDL层、平坦化层。
在一实施例中,扫描线与栅极连接,为了简化工艺步骤,节省工艺流程,扫描线与栅极可在同一工艺步骤中形成。在一可选实施例中,具体可为扫描线和栅极均采用ITO材料构成,则在制作过程中可先制备一层ITO,通过第一掩膜板对ITO进行图案化同时形成扫描线和栅极。在一可替换实施例中,扫描线也可设置在栅极的上方或下方,这样便需要分别形成栅极和扫描线。
在一实施例中,为了简化工艺步骤,节省工艺流程,数据线与第一电极在同一工艺步骤中形成。在一可选实施例中,具体可为数据线与第一电极均采用ITO材料构成,制备一整面的ITO,通过第二掩膜板对ITO进行图案化同时形成数据线和第一电极;在一可替换实施例中,当数据线和第一电极材料不相同时,也可分别形成数据线和第一电极。
在一实施例中,扫描线在其延伸方向上的两条边为波浪形,并且数据线在其延伸方向上的两条边也为波浪形,波浪形的数据线和扫描线能够产生具有不同位置以及扩散方向的衍射条纹,从而弱化衍射效应,进而确保摄像头设置在该显示面板下方时,拍照得到的图形具有较高的清晰度。
在一可选实施例中,由于扫描线为波浪形,相邻的扫描线间具有第一间距,第一间距连续变化或间断变化;扫描线的宽度连续变化或间断变化。宽度连续变化是指扫描线上任意两个相邻位置处的宽度不相同。图8中,扫描线的延伸方向为其长度方向。扫描线在延伸方向上宽度连续变化。而宽度间断变化是指:在扫描线上存在部分区域内相邻两个位置的宽度相同,而在部分区域内相邻两个位置的宽度不相同。在本实施例中,多个扫描线在基板上规则排布,因此,相邻两个扫描线之间的间隙在平行于扫描线的延伸方向上也呈现为连续变化或者间断变化。扫描线在延伸方向上,无论其宽度是连续变化还是间断变化都可以为周期性变化。
扫描线在延伸方向上的两条边均为波浪形,两条边的波峰相对设置,且波谷相对设置。如图8所示,延伸方向上的两条边的波峰T相对设置且波谷B相对设置,同一个扫描线波峰之间的宽度为W1,同一个扫描线波谷之间的宽度为W2,相邻两个扫描线波峰之间的间距为D1,相邻两个扫描线波峰之间的间距为D2。本实施例中,两条边均由同一圆弧形边相连而成。在其它的实施例中,两条边也可以均由同一椭圆形边相连而成,如图9所示。通过将扫描线的两边设置成由圆弧形或者椭圆形形成的波浪形,可以确保扫描线上产生的衍射条纹能够向不同方向扩散,进而不会产生较为明显的衍射效应。
在一可选实施例中,在波浪形的扫描线的波谷相对处形成有第二连接部,第二连接部可为直线或者曲线。如图10所示,第二连接部为条状,第二连接部为扫描线与开关器件电连接区域,即开关器件的控制端连接至第二连接部的位置。在其它的实施例中,第二连接部也可以采用其他不规则结构,如中间小两端大的形状,或者采用中间大两端小的形状。
在一实施例中,由于数据线为波浪形,相邻的数据线间具有第二间距,第二间距连续变化或间断变化;数据线的宽度连续变化或间断变化。数据线与扫描线类似,详见扫描线的具体描述,在此不再赘述。数据线可采用图8-10中的任意一种波浪形。数据线在延伸方向上的两条边均为波浪形,两条边的波峰相对设置,且波谷相对设置;数据线的波谷相对处形成有第三连接部,第三连接部为数据线与开关器件电连接区域,数据线与扫描线的设置类似,详见扫描线的设置。
在一实施例中,显示面板上的扫描线、数据线采用图8-10中的任意一种波浪形,可以确保在数据线和扫描线走线的延伸方向上,光线经过在不同宽度位置处以及相邻走线的不同间隙处时能够形成具有不同位置的衍射条纹,进而减弱衍射效应,以使得放置于显示面板下方的感光器件能够正常工作。
在一实施例中,第一电极的形状可为如图11所示的圆形,或者如图12所示的椭圆形,或者如图13所示的哑铃形,可以理解,第一电极还可以由其它各处具有不同曲率半径的曲线构成。由于光在穿过狭缝、小孔或者圆盘之类的障碍物时,会发生不同程度的弯散传播,从而偏离原来的直线传播,这种现象称之为衍射。衍射过程中,衍射条纹的分布会受到障碍物尺寸的影像,例如狭缝的宽度、小孔的尺寸等,具有相同宽度的位置处产生的衍射条纹的位置一致,从而会出现较为明显的衍射效应。通过将阳极形状改为圆形、椭圆形或者哑铃形,可以确保光线经过阳极层时,在阳极的不同宽度位置处能够产生具有不同位置以及扩散方向的衍射条纹,从而弱化衍射效应,进而确保摄像头设置在该显示面板下方时,拍照得到的图形具有较高的清晰度。
像素限定层上的开口在基板上的投影的各边互不平行且各边均为曲线,也即开口在各个方向上均具有变化的宽度且在同一位置具有不同衍射扩散方向,当外部光线经过该开口时,在不同宽度位置上能够产生具有不同位置和扩散方向的衍射条纹,进而不会产生较为明显的衍射效应,从而可以确保设置于该显示面板下方的感光元件能够正常工作。
传统的像素限定层上的开口均根据像素大小设置成长方形或者正方形。以长方形的开口为例进行说明,由于长方形存在两组相互平行的边,从而使得其在长度和宽度方向上均具有相同的宽度。因此,当外部光线经过该开口时,在长度方向或者宽度方向的不同位置均产生具有相同位置且扩散方向一致的衍射条纹,从而会出现明显的衍射效应,使得位于该显示面板下方的感光元件无法正常工作。本实施例中的显示面板可以很好的解决该问题,确保显示面板下方的感光元件能够正常工作。
在一实施例中,开口在基板上的投影的各边采用的曲线可以为圆形、椭圆形和其它具有变化曲率的曲线中的至少一种。开口的各边为曲线,因此,当光线经过开口时,产生的衍射条纹不会朝着一个方向扩散,而是朝着360度方向扩散,从而使得衍射极不明显,具有较佳的衍射改善效果。
在一实施例中,开口在基板上的投影图形单元为圆形、椭圆形或者哑铃形或者波浪形,与第一电极的形状类似,请参照第一电极,参见图11-13,在此不再赘述。开口在基板上投影的形状可以根据对应的发光结构的形状来确定。例如,可以根据发光结构的长宽比来确定个数。在一实施例中,开口在基板上的投影形状还可以为轴对称结构,从而确保整个显示面板上的各像素具有一致的开口率,不会影响最终的显示效果。参见图9,开口在基板上的投影为一个圆形时,对应的发光结构形状为长宽比小于1.5的长方形或者正方形,开口投影的对称轴与相应发光结构的对称轴对应。投影中的圆的直径小于发光结构的最小宽度。具体地,投影的圆的直径可以根据发光结构的形状并综合开口率进行确定。由于确定过程可以采用传统的确定开口的尺寸的方法来确定,此处不赘述。
开口对应的子像素的长宽比在1.5到2.5之间。此时,投影为由两个圆形彼此连通形成哑铃形。两个圆分别沿对应的发光结构的长度方向排布。在一实施例中,两个圆之间有连接部,连接部的两边均为曲线,而确保光线经过连接部时,也能够向各个方向扩散,从而改善衍射效果。
开口对应的发光结构的长宽比大于2.5。此时,投影为由三个以上圆形彼此连通而成的波浪形。三个以上圆形分别沿对应的发光结构的长度方向排布。在一实施例中,投影中还形成有连接部。连接部为弧线,也即三个以上圆形的相交处采用弧线连接,从而确保光线经过连接部时,也能够向各个方向扩散,从而改善衍射效果。
当开口对应的发光结构的长宽比等于1.5时,投影可以为一个圆形,也可以为两个圆形彼此连通的哑铃形。当开口对应的发光结构的长宽比等于2.5时,投影可以为两个圆形彼此连通的哑铃形,也可以为由三个圆形彼此连通的波浪形,如图14所示。
在一可选实施例中,参见图11-13,子像素的形状与上述开口的形状相同,即子像素为圆形、椭圆形或者哑铃形。进一步的,阳极的形状设计规则也可参照上述开口的设计规则,可以进一步改善衍射效果。当然,阳极也可采用常规的矩形形状设计。
本实施例还提供了一种显示面板制备方法,如图15所示,包括步骤S1-S3。
步骤S1:提供基板,基板包括多个子像素区域,每一个子像素区域包括第一区域和第二区域,第一区域和第二区域均设置有基板。
本一实施例中,基板可以是柔性基板,如PI薄膜等;也可以是刚性基板,在一实施例中,基板1可以为刚性基板,如玻璃基板、石英基板或者塑料基板等透明基板;基板1也可为柔性基板,以提高器件的透明度。
步骤S2:在第一区域的基板上制备缓冲层和像素电路层。
在一实施例中,具体地,可在整个基板上通过化学气相沉积第一绝缘材料,对第一绝缘材料进行图形化形成缓冲层,缓冲层覆盖在第一区域的基板上。在缓冲层上制备像素电路层。
步骤S3:在第二区域的基板上制备第一电极,第一电极与第二区域的基板直接接触。
该方法,通过将每一个子像素区域划分为第一区域和第二区域,第一区域上设置有基板、缓冲层、像素电路层,第二区域上设置有基板以及与基板直接接触设置的第一电极,第一电极与基板之间不设置无机膜层,减少了无机膜层的覆盖面积,提高了显示面板的透明度。
在一实施例中,该方法还包括:在基板上制备引线,在引线投影交叠处设置作为引线间绝缘层的无机膜层,无机膜层包括栅极绝缘层、层间绝缘层以及缓冲层中的至少一个,引线包括扫描线、数据线以及像素电路中的连接线中的至少一个。减少无机膜层的覆盖面积,提高了显示效果。
为了便于理解,本实施例仅以数据线和扫描线为例进行说明,具体地,在基板上制备数据线,制备完数据线之后制备覆盖整个基板的无机膜层,在无机膜层上制备扫描线,最后,对覆盖整个基板的无机膜层进行去除,仅保留数据线和扫描线投影交叠处的无机膜层。本实施例仅作示例性说明,并不以此为限,无机膜层可根据实际需要进行去除或保留。
在一实施例中,第二区域包括发光区域和非发光区域,步骤S2在第一区域的基板上制备缓冲层和像素电路层的步骤中,包括如下步骤S21-S6。
S21:在基板上制备第一绝缘材料,第一绝缘材料覆盖基板的第一区域和第二区域。具体地,缓冲层采用第一绝缘材料制成,在基板上制备覆盖整个基板的第一绝缘材料,如采用化学气相沉积法制备覆盖整个基板的第一绝缘材料,当然,也可采用现有技术中其它方法形成覆盖整个基板的第一绝缘材料,本实施例对此不作限定。在本实施例中,第二绝缘材料可为氧化硅或者氮化硅等无机绝缘材料,并不以此为限。
S22:在第一绝缘材料上制备有源层。具体地,可以采用等离子增强化学气相淀积(PECVD)工艺制备有源材料(例如多晶硅、单晶硅),有源材料覆盖在整个基板上;当然,在其它实施例中,还可采用现有技术中其它方法形成有源材料,本实施例对此不作限定。形成有源材料后,对有源材料图形化形成有源层。
S23:在有源层上制备第二绝缘材料,第二绝缘材料覆盖基板的第一区域和第二区域。具体地,栅极绝缘层采用第二绝缘材料制成,可采用化学气相沉积法制得第二绝缘材料,第二绝缘材料覆盖在整个基板上。当然,也可采用现有技术中其它方法形成第二绝缘材料,本实施例对此不作限定。具体地,第二绝缘材料可为氧化硅或者氮化硅等无机绝缘材料;在其它可替换实施例中,第二绝缘材料也可采用现有技术中的其它无机绝缘材料构成,本实施例对此不作限定。
S24:在第二绝缘材料上制备栅极层。具体地,可通过溅射的方式在第二绝缘材料上制备覆盖整个基板的第二导电材料,对第二导电材料图形化形成栅极层。当然,也可采用现有技术中其它方法形成栅极层,本实施例对此不作限定。
在一实施例中,第二导电材料可以是金属材料或透明导电材料,如ITO或IZO;当然,在其它实施例中,也可以是现有技术中的其它导电材料,根据需要合理设置即可。
S25:在栅极层上制备第三绝缘材料,第三绝缘材料覆盖基板的第一区域和第二区域。具体地,层间绝缘层采用第三绝缘材料制成,在栅极层上形成覆盖整个基板的第三绝缘材料,可采用化学气相沉积法制得整面的第三绝缘材料,当然,也可采用现有技术中其它方法形成上述第三绝缘材料,本实施例对此不作限定。第三绝缘材料可为氧化硅或者氮化硅等无机绝缘材料;当然,在其它可替换实施例中,第三绝缘材料也可采用现有技术中的其它无机绝缘材料构成,本实施例对此不作限定。
S26:通过第一掩膜板去除发光区域的第一绝缘材料、第二绝缘材料以及第三绝缘材料。具体地,通过第一掩膜板去除位于发光区域上的第一绝缘材料、第二绝缘材料以及第三绝缘材料以暴露出发光区域的基板,使得发光区域上不覆盖缓冲层、栅极绝缘层和层间绝缘层,以便后续在发光区域上制备第一电极。
具体地,第一掩膜板可以是ILD掩膜板,无需增加新的掩膜板,只需在现有的ILD掩膜板上增加图形,去除发光区域的第一绝缘材料、第二绝缘材料以及第三绝缘材料,无需增加额外的工艺步骤,生产成本低。
在一实施例中,该方法还包括:通过第一掩膜板去除非发光区域的第一绝缘材料、第二绝缘材料以及第三绝缘材料,使得非发光区域上也不覆盖无机膜层,进一步减少无机膜层的覆盖该面积,提高了显示面板的透明度,屏幕的整体一致性更好。
在一实施例中,非发光区域包括用于设置引线的引线区域以及非功能区域,该方法还包括:通过第一掩膜板去除非功能区域上的第一绝缘材料、第二绝缘材料以及第三绝缘材料,使得非功能区域上不覆盖无机膜层,仅引线区域覆盖无机膜层,进一步减少无机膜层的覆盖该面积,提高了显示面板的透明度,屏幕的整体一致性更好。
在一实施例中,步骤S2在第一区域的基板上制备缓冲层和像素电路层的步骤中,还包括步骤S27-S29。
步骤S27:在基板上制备第一引线层。具体地,第一引线层可采用透明导电材料制成,例如ITO。
步骤S28:在基板上形成平坦化材料。具体地,平坦化材料可采用本领域常用制备平坦化层的材料。
步骤S29:通过第二掩膜板去除第一引线层上方的平坦化材料,以露出第一引线层。具体地,第二掩膜板可以是PLA掩膜板,无需增加新的掩膜板,只需在现有的PLA掩膜板上增加图形,去除第一引线层上方的平坦化层,使得第一引线层暴露出来,便于在后续在第一引线层上形成第二引线层,无需增加额外的工艺步骤,生产成本低。
在一实施例中,步骤S3在第二区域的基板上制备第一电极的步骤中,包括步骤S31-S32。
步骤S31:在基板上制备第一导电材料,第一导电材料覆盖第一区域和第二区域。具体地,可通过溅射的方式在基板上制备覆盖整个基板的第一导电材料。当然,也可采用现有技术中其它方法形成覆盖整个基板的第一导电材料,本实施例对此不作限定。
在一实施例中,第一导电材料可以是透明导电材料,如ITO;当然,在其它实施例中,也可以是现有技术中的其它导电材料,根据需要合理设置即可。
步骤S32:对第一导电材料图案化,形成第一电极和覆盖第一引线层的第二引线层。通过一次掩膜便可同时形成第一电极和第二引线层,制备过程简单、节省工艺流程,降低生产成本。
在一实施例中,步骤S3在第二区域的基板上制备第一电极的步骤之后,该方法还包括步骤S5-S6。
步骤S5:在基板上制备像素限定层,像素限定层露出第一电极。具体地,像素限定层上具有多个开口,开口处露出第一电极。
步骤S6:在第一电极上制备依次层叠的发光结构层、第二电极以及封装层。在一实施例中,具体地,可通过蒸镀的方式在开口处露出的第一电极上形成发光结构层,在发光结构层上制备第二电极,之后再制备封装层。
在一实施例中,第一区域包括像素电路区域和非像素电路区域,该方法还包括:对封装层进行图案化,去除非像素电路区域上和/或非发光区域上的无机膜层及有机膜层。
具体地,可通过图案化同时去除非像素电路区域上的无机和有机膜层,以及非发光区域上的无机和有机膜层,使得基板上无机膜层和有机膜层仅覆盖必要区域,增加显示面板的透明度,减少这些膜层的光吸收,增加到达放置于显示面板下方的感光元件的光强,增强拍照效果。
本实施例还提供一种显示屏,至少包括第一显示区和第二显示区,各显示区均用于显示动态或静态画面,第一显示区下方可设置感光器件;其中,在第一显示区设置有如上述任一实施例中所提及的显示面板,第二显示区设置的显示面板为PMOLED显示面板或AMOLED显示面板。由于第一显示区采用了前述实施例中的显示面板,因此具有较高的透明度、显示屏的整体一致性较好。
在一实施例中,如图16所示,显示屏包括第一显示区161和第二显示区162,第一显示区161和第二显示区162均用于显示静态或者动态画面,其中,第一显示区161采用上述任一实施例中所提及的显示面板,第一显示区161位于显示屏的上部。
在一可替换实施例中,显示屏还可包括三个甚至更多个显示区域,如包括三个显示区域(第一显示区域、第二显示区域和第三显示区域),第一显示区域采用上述任一实施例中所提及的显示面板,第二显示区域和第三显示区域采用何种显示面板,本实施例对此不作限定,可以为PMOLED显示面板,也可为AMOLED显示面板,当然,也可以采用本实施例中的显示面板。
本实施例还提供一种显示终端,包括覆盖在设备本体上的上述显示屏。上述显示终端可以为手机、平板、电视机、显示器、掌上电脑、ipod、数码相机、导航仪等具有显示功能的产品或者部件。
图17为一实施例中的显示终端的结构示意图,该显示终端包括设备本体810和显示屏820。显示屏820设置在设备本体810上,且与该设备本体810相互连接。其中,显示屏820可以采用前述任一实施例中的显示屏,用以显示静态或者动态画面。
图18为一实施例中的设备本体810的结构示意图。在本实施例中,设备本体810上可设有开槽区812和非开槽区814。在开槽区812中可设置有诸如摄像头930以及光传感器、光线感应器等感光器件。此时,显示屏820的第一显示区的显示面板对应于开槽区812贴合在一起,以使得上述的诸如摄像头930及光传感器等感光器件能够透过该第一显示区对外部光线进行采集等操作。由于第一显示区中的显示面板具有较高的透明度,提高了屏幕的整体一致性;同时,上述显示面板还能够有效改善外部光线透射该第一显示区所产生的衍射现象,从而可有效提升显示终端上摄像头930所拍摄图像的质量,避免因衍射而导致所拍摄的图像失真,同时也能提升光传感器感测外部光线的精准度和敏感度。
虽然结合附图描述了本发明的实施例,但是本领域技术人员可以在不脱离本发明的精神和范围的情况下作出各种修改和变型,这样的修改和变型均落入由所附权利要求所限定的范围之内。
Claims (10)
1.一种显示面板,其特征在于,包括:
基板,所述基板包括多个子像素区域,每一个子像素区域包括第一区域和第二区域,所述第一区域设置有基板、缓冲层和像素电路层,所述第二区域设置有所述基板;
多个第一电极,在所述第二区域上第一电极与所述基板直接接触。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,还包括:
设置于所述基板上的引线,所述引线包括扫描线、数据线以及像素电路层中的连接线中的至少一个;
设置于所述引线在所述基板上的投影交叠处的无机膜层,所述无机膜层包括栅极绝缘层、层间绝缘层以及缓冲层中的至少一个;
优选地,所述第二区域包括发光区域和非发光区域,设置于所述发光区域的第一电极,设置于所述非发光区域的引线与所述基板直接接触,和/或位于所述非发光区域的引线和所述基板之间设置有所述无机膜层;
优选地,所述非发光区域包括用于设置引线的引线区域以及非功能区域,所述非功能区域的上方不覆盖所述无机膜层。
3.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,还包括:
平坦化层,设置于所述基板上并露出所述引线。
4.根据权利要求2或3所述的显示面板,其特征在于,所述引线包括层叠的第一引线层和第二引线层。
5.根据权利要求4所述的显示面板,其特征在于,所述引线采用透明导电材料制成;
优选地,所述透明导电材料的透光率大于90%;
优选地,所述透明导电材料为氧化铟锡、氧化铟锌、掺杂银的氧化铟锡或者掺杂银的氧化铟锌。
6.根据权利要求2-5任一所述的显示面板,其特征在于,还包括:
像素限定层,设置于所述基板上并露出所述第一电极。
7.根据权利要求6所述的显示面板,其特征在于,还包括:
设置于所述第一电极上的依次层叠的发光结构层、第二电极以及封装层;
所述第一区域包括像素电路区域和非像素电路区域,所述像素电路区域上和/或所述发光区域上覆盖无机膜层及有机膜层。
8.一种显示面板制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
提供基板,所述基板包括多个子像素区域,每一个子像素区域包括第一区域和第二区域,所述第一区域和第二区域均设置有基板;
在所述第一区域的基板上制备缓冲层和像素电路层;
在所述第二区域的基板上制备第一电极,所述第一电极与所述第二区域的基板直接接触;
优选地,所述方法还包括:
在所述基板上制备引线,在所述引线投影交叠处设置作为所述引线间绝缘层的无机膜层,所述无机膜层包括栅极绝缘层、层间绝缘层以及缓冲层中的至少一个,所述引线包括扫描线、数据线以及像素电路中的连接线中的至少一个;
优选地,所述第二区域包括发光区域和非发光区域,所述在所述第一区域的基板上制备缓冲层和像素电路层的步骤中,包括:
在所述基板上制备第一绝缘材料,所述第一绝缘材料覆盖所述基板的第一区域和第二区域;
在所述第一绝缘材料上制备有源层;
在所述有源层上制备第二绝缘材料,所述第二绝缘材料覆盖所述基板的第一区域和第二区域;
在所述第二绝缘材料上制备栅极层;
在所述栅极层上制备第三绝缘材料,所述第三绝缘材料覆盖所述基板的第一区域和第二区域;
通过第一掩膜板去除所述发光区域的所述第一绝缘材料、第二绝缘材料以及第三绝缘材料;
优选地,所述方法还包括:通过第一掩膜板去除所述非发光区域的所述第一绝缘材料、第二绝缘材料以及第三绝缘材料;
优选地,所述非发光区域包括用于设置引线的引线区域以及非功能区域,所述方法还包括:通过第一掩膜板去除所述非功能区域上的所述第一绝缘材料、第二绝缘材料以及第三绝缘材料;
优选地,所述在所述第一区域的基板上制备缓冲层和像素电路层的步骤中,还包括:
在所述基板上制备第一引线层;
在所述基板上形成平坦化材料;
通过第二掩膜板去除所述第一引线层上方的所述平坦化材料,以露出所述第一引线层;
优选地,所述在所述第二区域的基板上制备第一电极的步骤中,包括:
在基板上制备第一导电材料,所述第一导电材料覆盖所述第一区域和第二区域;
对所述第一导电材料图案化,形成第一电极和覆盖所述第一引线层的第二引线层;
优选地,在所述第二区域的基板上制备第一电极的步骤之后,还包括:
在所述基板上制备像素限定层,所述像素限定层露出所述第一电极;
优选地,在所述基板上制备像素限定层的步骤之后,还包括:
在所述第一电极上制备依次层叠的发光结构层、第二电极以及封装层;
优选地,所述第一区域包括像素电路区域和非像素电路区域,所述方法还包括:
对所述封装层进行图案化,去除所述非像素电路区域上和/或所述非发光区域上的无机膜层及有机膜层。
9.一种显示屏,其特征在于,至少包括第一显示区和第二显示区,各显示区均用于显示动态或静态画面,所述第一显示区下方可设置感光器件;
其中,在所述第一显示区设置有如权利要求1-7任意一项所述的显示面板,所述第二显示区设置的显示面板为PMOLED显示面板或AMOLED显示面板。
10.一种显示终端,其特征在于,包括:
设备本体,具有器件区;
如权利要求9所述的显示屏,覆盖在所述设备本体上;
其中,所述器件区位于所述第一显示区下方,且所述器件区中设置有透过所述第一显示区进行光线采集的感光器件。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201811654739.9A CN110767832B (zh) | 2018-12-29 | 2018-12-29 | 显示面板、显示面板制备方法、显示屏及显示终端 |
PCT/CN2019/090869 WO2020133938A1 (zh) | 2018-12-29 | 2019-06-12 | 显示面板、显示面板制备方法、显示屏及显示终端 |
US17/159,122 US12004401B2 (en) | 2018-12-29 | 2021-01-26 | Display panel, display panel manufacturing method, and display screen |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201811654739.9A CN110767832B (zh) | 2018-12-29 | 2018-12-29 | 显示面板、显示面板制备方法、显示屏及显示终端 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN110767832A true CN110767832A (zh) | 2020-02-07 |
CN110767832B CN110767832B (zh) | 2022-05-17 |
Family
ID=69328974
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201811654739.9A Active CN110767832B (zh) | 2018-12-29 | 2018-12-29 | 显示面板、显示面板制备方法、显示屏及显示终端 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US12004401B2 (zh) |
CN (1) | CN110767832B (zh) |
WO (1) | WO2020133938A1 (zh) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111402743A (zh) * | 2020-03-24 | 2020-07-10 | 昆山国显光电有限公司 | 显示面板及显示装置 |
CN113555411A (zh) * | 2021-07-29 | 2021-10-26 | 合肥维信诺科技有限公司 | 显示面板和显示装置 |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110783484B (zh) * | 2019-09-24 | 2020-11-10 | 昆山国显光电有限公司 | 显示面板及其制作方法、显示装置 |
CN111769215B (zh) * | 2020-06-23 | 2021-10-08 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板的制造方法及显示面板 |
Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20070210706A1 (en) * | 2006-03-08 | 2007-09-13 | Seung Yong Song | Organic light emitting diode display device and method for fabricating the same |
CN101930994A (zh) * | 2010-08-12 | 2010-12-29 | 友达光电股份有限公司 | 有机发光装置的像素结构 |
TW201346410A (zh) * | 2012-05-07 | 2013-11-16 | Au Optronics Corp | 顯示面板 |
CN104218041A (zh) * | 2014-08-15 | 2014-12-17 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及制备方法和显示装置 |
CN104752463A (zh) * | 2013-12-27 | 2015-07-01 | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 | 一种有机发光显示装置及其制备方法 |
CN104867958A (zh) * | 2015-04-01 | 2015-08-26 | 京东方科技集团股份有限公司 | 有机电致发光显示基板及其制作方法和显示装置 |
CN106024835A (zh) * | 2016-06-02 | 2016-10-12 | Tcl集团股份有限公司 | 一种透明显示面板及其制备方法 |
CN108010947A (zh) * | 2017-11-29 | 2018-05-08 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | 一种有机发光显示面板和有机发光显示装置 |
CN108365123A (zh) * | 2017-09-30 | 2018-08-03 | 云谷(固安)科技有限公司 | 显示屏以及电子设备 |
CN108428729A (zh) * | 2018-05-14 | 2018-08-21 | 云谷(固安)科技有限公司 | 显示面板及其制备方法 |
CN108717244A (zh) * | 2018-05-18 | 2018-10-30 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示装置及其控制方法、存储介质 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8022621B2 (en) * | 2008-07-31 | 2011-09-20 | Lg Display Co., Ltd. | Organic light emitting display device |
KR20100035455A (ko) * | 2008-09-26 | 2010-04-05 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광 표시장치 및 그 제조방법 |
JP5527129B2 (ja) * | 2010-09-16 | 2014-06-18 | セイコーエプソン株式会社 | 電気泳動表示装置、電気泳動表示装置の駆動方法および電子機器 |
CN102253527B (zh) * | 2011-07-29 | 2013-02-27 | 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 | 半穿透半反射透明显示器的显示面板 |
CN103353699A (zh) * | 2013-06-24 | 2013-10-16 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板、其制备方法及显示装置 |
CN104201292B (zh) | 2014-08-27 | 2019-02-12 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种有机电致发光器件及其制备方法 |
CN110767672B (zh) * | 2018-08-06 | 2020-11-17 | 云谷(固安)科技有限公司 | 显示面板、显示屏及显示终端 |
-
2018
- 2018-12-29 CN CN201811654739.9A patent/CN110767832B/zh active Active
-
2019
- 2019-06-12 WO PCT/CN2019/090869 patent/WO2020133938A1/zh active Application Filing
-
2021
- 2021-01-26 US US17/159,122 patent/US12004401B2/en active Active
Patent Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20070210706A1 (en) * | 2006-03-08 | 2007-09-13 | Seung Yong Song | Organic light emitting diode display device and method for fabricating the same |
CN101930994A (zh) * | 2010-08-12 | 2010-12-29 | 友达光电股份有限公司 | 有机发光装置的像素结构 |
TW201346410A (zh) * | 2012-05-07 | 2013-11-16 | Au Optronics Corp | 顯示面板 |
CN104752463A (zh) * | 2013-12-27 | 2015-07-01 | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 | 一种有机发光显示装置及其制备方法 |
CN104218041A (zh) * | 2014-08-15 | 2014-12-17 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及制备方法和显示装置 |
CN104867958A (zh) * | 2015-04-01 | 2015-08-26 | 京东方科技集团股份有限公司 | 有机电致发光显示基板及其制作方法和显示装置 |
CN106024835A (zh) * | 2016-06-02 | 2016-10-12 | Tcl集团股份有限公司 | 一种透明显示面板及其制备方法 |
CN108365123A (zh) * | 2017-09-30 | 2018-08-03 | 云谷(固安)科技有限公司 | 显示屏以及电子设备 |
CN108010947A (zh) * | 2017-11-29 | 2018-05-08 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | 一种有机发光显示面板和有机发光显示装置 |
CN108428729A (zh) * | 2018-05-14 | 2018-08-21 | 云谷(固安)科技有限公司 | 显示面板及其制备方法 |
CN108717244A (zh) * | 2018-05-18 | 2018-10-30 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示装置及其控制方法、存储介质 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111402743A (zh) * | 2020-03-24 | 2020-07-10 | 昆山国显光电有限公司 | 显示面板及显示装置 |
CN113555411A (zh) * | 2021-07-29 | 2021-10-26 | 合肥维信诺科技有限公司 | 显示面板和显示装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2020133938A1 (zh) | 2020-07-02 |
US20210151521A1 (en) | 2021-05-20 |
CN110767832B (zh) | 2022-05-17 |
US12004401B2 (en) | 2024-06-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN110767832B (zh) | 显示面板、显示面板制备方法、显示屏及显示终端 | |
KR102672109B1 (ko) | 디스플레이 기판, 디스플레이 패널 및 디스플레이 장치 | |
CN110767714B (zh) | 透明阵列基板、透明显示面板、显示面板及显示终端 | |
JP7297067B2 (ja) | 透明な表示パネル、ディスプレイ及びマスク板 | |
CN110911440B (zh) | 显示面板、显示屏和显示终端 | |
WO2016141709A1 (zh) | 阵列基板及其制作方法、显示装置 | |
US20210048925A1 (en) | Touch structure and method for manufacturing the same, touch substrate and touch display device | |
US20150077650A1 (en) | Touch screen and manufacturing method thereof, display device | |
CN110767680B (zh) | 显示面板、显示屏及显示终端 | |
CN107390926B (zh) | 一种显示基板及其制备方法、显示面板 | |
US12004370B2 (en) | Display panels, and display screens | |
CN105845712A (zh) | 一种显示面板及其制作方法 | |
US20170271368A1 (en) | Display substrate, manufacturing method for the same, and display device | |
CN110767700B (zh) | Oled阵列基板及制备方法、显示屏及显示终端 | |
CN104238823A (zh) | 一种触控显示面板及其制备方法、触控显示装置 | |
US20220283688A1 (en) | Touch substrate and manufacturing method thereof | |
CN110783481A (zh) | 显示面板、显示屏及显示装置 | |
CN113594213A (zh) | 显示面板及显示装置 | |
CN107845644B (zh) | 一种阵列基板及其制备方法、显示装置 | |
JP7368233B2 (ja) | 基板及びその製造方法、電子装置 | |
CN110767689B (zh) | 掩膜板、显示面板、其制备方法及显示终端 | |
TW201918840A (zh) | 觸控面板及其製作方法 | |
CN111415963A (zh) | 显示面板及其制备方法 | |
CN110767701B (zh) | Oled阵列基板、显示屏及显示终端 | |
CN109117025B (zh) | 显示面板及其制作方法、显示装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |