CN110767690A - 显示面板、显示屏、制备显示面板的方法和显示终端 - Google Patents
显示面板、显示屏、制备显示面板的方法和显示终端 Download PDFInfo
- Publication number
- CN110767690A CN110767690A CN201811291864.8A CN201811291864A CN110767690A CN 110767690 A CN110767690 A CN 110767690A CN 201811291864 A CN201811291864 A CN 201811291864A CN 110767690 A CN110767690 A CN 110767690A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- partition
- display panel
- partition layer
- electrodes
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
- G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
- G09F9/30—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
- G09F9/33—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements being semiconductor devices, e.g. diodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/1201—Manufacture or treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/128—Active-matrix OLED [AMOLED] displays comprising two independent displays, e.g. for emitting information from two major sides of the display
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/17—Passive-matrix OLED displays
- H10K59/176—Passive-matrix OLED displays comprising two independent displays, e.g. for emitting information from two major sides of the display
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
本发明涉及显示技术领域,特别是涉及一种显示面板、显示屏、制备显示面板的方法和显示终端。上述显示面板包括基板、形成于基板上的多个第二电极;像素定义层,形成于基板的第二电极上,像素定义层上形成有多个像素开口,像素开口内形成有与第二电极接触的发光结构层;形成于像素定义层上的隔离柱,用于隔断第一电极材料层,以形成相互绝缘的多个第一电极,第一电极位于发光结构层上;隔离柱包括多层堆叠的隔断层,相邻的隔断层之间形成有台阶,且相邻的两个台阶的角度不同,这就保证了第一电极材料层能够很好地被隔离柱所隔断,不至于使得相邻的第二电极发生联结,从而能够使得显示面板能够稳定工作。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域,特别是涉及一种显示面板、显示屏、制备显示面板的方法和显示终端。
背景技术
随着电子设备的快速发展,用户对屏占比的要求越来越高,使得电子设备的全面屏显示受到业界越来越多的关注。传统的电子设备如手机、平板电脑等,由于需要集成诸如前置摄像头、听筒以及红外感应元件等,故而可通过在显示屏上开槽(Notch),在开槽区域设置摄像头、听筒以及红外感应元件等,但开槽区域并不用来显示画面,如现有技术中的刘海屏,或者采用在屏幕上开孔的方式,对于实现摄像功能的电子设备来说,外界光线可通过屏幕上的开孔处进入位于屏幕下方的感光元件。但是这些电子设备均不是真正意义上的全面屏,并不能在整个屏幕的各个区域均进行显示,如在摄像头区域不能显示画面。
发明内容
基于此,有必要提供一种显示面板、显示屏、制备显示面板的方法和显示终端,以确保显示面板的功能稳定性。
一种显示面板,包括:
基板,以及形成于所述基板上的多个第二电极;
像素定义层,形成于所述基板的第二电极上,所述像素定义层上形成有多个像素开口,所述像素开口内形成有与所述第二电极接触的发光结构层;
形成于所述像素定义层上的隔离柱,用于隔断第一电极材料层,以形成相互绝缘的多个第一电极,所述第一电极位于所述发光结构层上;
所述隔离柱包括多层堆叠的隔断层,相邻的所述隔断层之间形成有台阶,且相邻的两个台阶的角度不同。
在其中一个实施例中,所述隔离柱包括第一隔断层和位于所述第一隔断层下方的第二隔断层,所述第一隔断层上方形成有所述第二电极层材料,所述第二隔断层位于所述像素定义层上,
其中,所述第一隔断层于第一方向上的垂直截面呈矩形,且所述第二隔断层于第一方向上的垂直截面呈正梯形,该第一方向与所述第二隔断层延伸方向垂直。
在其中一个实施例中,所述隔离柱还包括:
第四隔断层;设置于所述像素定义层上;以及
第三隔断层;设置于所述第四隔断层与所述第二隔断层之间;
其中,所述第四隔断层于所述第一方向上的垂直截面呈倒梯形。
在其中一个实施例中,所述第四隔断层、所述第三隔断层和所述第二隔断层为采用同一刻蚀工艺制备的膜层;
其中,所述第四隔断层与所述第三隔断层的刻蚀选择比大于1;所述第二隔断层与所述第三隔断层的刻蚀选择比大于1。
在其中一个实施例中,所述第一隔断层的材质为光刻胶、所述第二隔断层的材质为氮化硅、所述第三隔断层的材质为氧化硅、所述第四隔断层的材质为氮化硅。
在其中一个实施例中,多个所述第一电极沿相同的方向并行延伸,且相邻的两个所述第一电极之间具有间距;在所述第一电极的延伸方向上,所述第一电极的宽度连续变化或间断变化,且所述间距连续变化或间断变化;和/或,多个所述第二电极沿相同的方向并行延伸,且相邻的两个所述第二电极之间具有间距;在所述第二电极的延伸方向上,所述第二电极的宽度连续变化或间断变化,且所述间距连续变化或间断变化。
一种制备显示面板的方法,包括:
提供基板,在所述基板上形成多个所述第一电极;
在所述第一电极上形成像素定义层,所述像素定义层上形成有多个像素开口;
在所述像素定义层上形成隔离柱,所述隔离柱包括多层堆叠的隔断层,相邻的所述隔断层之间形成有台阶,且相邻的两个台阶的角度不同;
在所述像素开口内形成与所述第一电极接触的发光结构层;
在具有所述隔离柱和发光结构层的所述基板上整层铺设第二电极材料层,所述隔离柱隔断所述第二电极材料层,形成相互绝缘的多个第二电极,所述第二电极位于所述发光结构层上。
在其中一个实施例中,在所述像素定义层上形成隔离柱的过程包括:
于所述基板上沉积氮化硅材料,形成第四隔断薄膜;
于所述第四隔断薄膜上沉积氧化硅材料,形成第三隔断薄膜;
去除部分氧化硅材料,形成第三隔断层;
在具有所述第三隔断层的基板上沉积氮化硅材料,形成第二隔断薄膜;
在所述第二隔断薄膜上形成第一隔断层,以所述第一隔断层和所述第三隔断层为掩膜,刻蚀所述第二隔断薄膜和第四隔断薄膜的氮化硅材料,得到第二隔断层和第四隔断层;和/或,所述第四隔断层与所述第三隔断层的刻蚀选择比大于1;所述第二隔断层与所述第三隔断层的刻蚀选择比大于1。
一种显示屏,具有相邻的第一显示区和第二显示区;所述第一显示区和所述第二显示区均用于显示动态或者静态画面;所述第二显示区下方可设置感光器件;所述显示屏还包括设置于所述第一显示区的第一显示面板,及设置于所述第二显示区的第二显示面板,所述第一显示面板和所述第二显示面板形成于同一基板上,所述第二显示面板的透光率大于所述第一显示面板的透光率;第二显示面板为上述的显示面板;所述第一显示面板为AMOLED显示面板,所述第二显示面板为PMOLED显示面板。
一种显示终端,包括:
设备本体,具有开槽区;
上述的显示屏,覆盖在所述设备本体上;
其中,所述开槽区位于所述第二显示面板下方,且所述开槽区中设置有透过所述第二显示面板进行光线采集的感光器件。
在上述显示面板、显示屏、制备显示面板的方法和显示终端中,由于隔离柱包括多层依次堆叠的隔断层,并且相邻两个隔断层之间可以形成台阶,而相邻的两个台阶的角度又不相同,这就保证了第一电极材料层能够很好地被隔离柱所隔断,不至于使得相邻的第二电极发生联结,从而能够使得显示面板能够稳定工作。
附图说明
图1为传统技术中显示面板的结构示意图;
图2为一个实施例中显示面板的结构示意图;
图3为一个实施例中隔离柱的结构示意图;
图4为另一个实施例中隔离柱的结构示意图;
图5为一个实施例中第一电极的平面布置示意图;
图6为一个实施例中像素定义开口在基板上的投影示意图;
图7为一个实施例中显示终端的结构示意图;
图8为图7中设备本体的结构示意图;
图9为图7中复合屏的结构示意图;
图10至图15为一个实施例中隔离柱制备过程的剖面示意图。
具体实施方式
为了便于理解本发明,下面将参照相关附图对本发明进行更全面的描述。附图中给出了本发明的较佳的实施例。但是,本发明可以以许多不同的形式来实现,并不限于本文所描述的实施例。相反地,提供这些实施例的目的是使对本发明的公开内容的理解更加透彻全面。
除非另有定义,本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的,不是旨在于限制本发明。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
在描述位置关系时,除非另有规定,否则当一元件例如层、膜或基板被指为在另一膜层“上”时,其能直接在其他膜层上或亦可存在中间膜层。进一步说,当层被指为在另一层“下”时,其可直接在下方,亦可存在一或多个中间层。亦可以理解的是,当层被指为在两层“之间”时,其可为两层之间的唯一层,或亦可存在一或多个中间层。
在使用本文中描述的“包括”、“具有”、和“包含”的情况下,除非使用了明确的限定用语,例如“仅”、“由……组成”等,否则还可以添加另一部件。除非相反地提及,否则单数形式的术语可以包括复数形式,并不能理解为其数量为一个。
应当理解,尽管本文可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件,但是这些元件不应受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件和另一个元件区分开。例如,在不脱离本发明的范围的情况下,第一元件可以被称为第二元件,并且类似地,第二元件可以被称为第一元件。
还应当理解的是,在解释元件时,尽管没有明确描述,但元件解释为包括误差范围,该误差范围应当由本领域技术人员所确定的特定值可接受的偏差范围内。例如,“大约”、“近似”或“基本上”可以意味着一个或多个标准偏差内,在此不作限定。
此外,在说明书中,短语“平面示意图”是指当从上方观察目标部分时的附图,短语“截面示意图”是指从侧面观察通过竖直地切割目标部分截取的剖面时的附图。
此外,附图并不是1:1的比例绘制,并且各元件的相对尺寸在附图中仅以示例地绘制,而不一定按照真实比例绘制。
图1为传统技术中显示面板的结构示意图。正如背景技术中所述,传统的显示面板一般包括基板、设置在基板上的第二电极、设置在第二电极上的像素定义层、设置在像素定义层上的隔离柱,以及设置在隔离柱上的多个第一电极。在传统技术中,隔离柱一般都是采用负性光刻胶制备而成,然而,由负性光刻胶制备成隔离柱需要用到曝光工艺,但负性光刻胶本身的材料特性以及曝光工艺的本身的机制问题,导致隔离柱无法取得较好的高度以及倾斜角度。如图1所示,这就极易使得隔离柱之上的多个第一电极发生联结,从而使得显示面板功能失常。
为了解决上述技术问题,发明人创造性地提供了一种显示面板、显示屏、制备显示面板的方法和显示终端,以提高显示面板的可控性和稳定性。
图2为一个实施例中显示面板的结构示意图。如图2所示,本实施例提供一显示面板,可以包括:基板11、第一电极、像素定义层、隔离柱12以及第二电极13。其中,第一电极可以被设置在基板11上,像素定义层可以设置在第一电极上;并且,像素定义层上可以形成有多个像素开口,在该多个像素开口中可以设置有发光结构层,该发光结构层可以与第一电极相接触。隔离柱12可以被设置在像素定义层上。隔离柱12可以用于隔断第二电极材料层,并形成如图2中所示的多个相互绝缘的第一电极。请继续参阅图2,隔离柱12可以为堆叠结构,其可以包括有多层依次堆叠的隔断层,并且相邻两个隔断层之间可以形成台阶;进一步地,相邻的两个台阶的角度可以不相同。
在上述实施例中,由于隔离柱包括多层依次堆叠的隔断层,并且相邻两个隔断层之间可以形成台阶,而相邻的两个台阶的角度又不相同,这就保证了第一电极材料层能够很好地被隔离柱所隔断,不至于使得相邻的第二电极发生联结,从而能够使得显示面板能够稳定工作。
图3为一个实施例中隔离柱的结构示意图,如图3所示,在一个实施例中,隔离柱20可以包括依次堆叠的第一隔断层21和第二隔断层22,其中第二隔断层22可以位于第一隔断层21下方。请继续参阅图3,在本实施例中,第二隔断层22可以被设置在像素定义层上,第一隔断层21可以设置在第二隔断层22之上。在第一隔断层的上方可以形成有第一电极材料层,该第一电极材料层可以被第一隔断层隔断为多个相互绝缘的第一电极。进一步地,可以设置与第二隔断层延伸方向垂直的方向为第一方向,第一隔断层21在第一方向上的垂直截面可以呈矩形,而第二隔断层22在第一方向上的垂直截面可以呈正梯形,换句话说,第二隔断层22靠近像素定义层的边可以为长底边,第二隔断层22靠近第一隔断层21的边可以为短底边。
在上述实施例中,通过在像素定义层上设置隔离柱,且该隔离柱至少具有上下两层隔断层,其中第一隔断层在第一方向上的垂直截面呈矩形,第二隔断层在第一方向上的垂直截面呈正梯形,且两个隔断层之间形成有台阶。通过该隔离柱的隔断作用,这就使得相邻的两个第一电极不容易发生联结,从而能够很好地保持彼此绝缘,并进而使得显示面板能够稳定工作。
图4为另一个实施例中隔离柱的结构示意图。如图4所示,在一个实施例中,隔离柱30可以至少包括四层从下往上依次堆叠的隔断层:第四隔断层34、第三隔断层33、第二隔断层32和第一隔断层31。其中,第四隔断层34可以被设置在像素定义层上,第一隔断层31可以用于将第一电极材料层隔断为多个相互绝缘的第一电极。请继续参阅图4,在本实施例中,可以设置与第二隔断层延伸方向垂直的方向为第一方向,第四隔断层34在第一方向上的垂直截面可以呈倒梯形(该垂直截面上,靠近像素定义层的底边为短底边,背离像素定义层的底边为长底边),第三隔断层33在第一方向上的垂直截面可以呈矩形,第二隔断层32在第一方向上的垂直截面可以呈正梯形(该垂直截面上,靠近像素定义层的底边为长底边,背离像素定义层的底边为短底边),第一隔断层31在第一方向上的垂直截面可以呈矩形。
在上述实施例中,隔离柱至少包括四层依次堆叠的隔断层,且相邻两个隔断层之间形成有台阶,相邻两个台阶的角度不同,这就使得隔离柱能够进一步将第一电极材料层予以隔断,使得形成的多个第一电极能够彼此绝缘,提高了显示面板的性能稳定性。
请继续参阅图4,在一个实施例中,第四隔断层34、第三隔断层33和第二隔断层32可以是采用同一刻蚀工艺制备而成的膜层。在本实施例中,该刻蚀工艺可以为离子铣刻蚀、等离子刻蚀、反应离子刻蚀等干法刻蚀工艺,其中,在采用等离子刻蚀时,可以保持环境气压为10~100Pa,或200~300Pa,或300~900Pa,或900~1000Pa。进一步地,在本实施例中,第四隔断层34与第三隔断层33的刻蚀选择比大于1;第二隔断层32与第三隔断层33的刻蚀选择比大于1。而为了满足上述的刻蚀选择比,在一些实施例中,第一隔断层31的材质可以为光刻胶、第二隔断层32的材质可以为氮化硅、第三隔断层33的材质为氧化硅、第四隔断层的材质可以与第二隔断层32相同。
在上述实施例中,通过采用刻蚀工艺同时制备第四隔断层、第三隔断层和第二隔断层,有效的降低了制备成本;同时,通过选择第四隔断层与第三隔断层的刻蚀选择比大于1、第二隔断层与第三隔断层的刻蚀选择比大于1,也使得刻蚀后所形成的隔离柱能够很好地对第一电极材料层进行隔断,使得显示面板的稳定性提高。
图5示出了本发明一实施例中的第一电极的平面布置示意图;为便于描述,附图仅示出了与本发明实施例相关的结构。
参阅附图5,在本发明的一些实施例中,第一电极41呈波浪形延伸;多个第一电极41沿相同的方向并行延伸,且相邻的第一电极41间具有间距;在第一电极41的延伸方向上,第一电极41的宽度连续变化或间断变化,且间距连续变化或间断变化。
容易理解,由于第一电极41为波浪形,因此在第一电极41的延伸方向上,其宽度为连续变化或者间断变化。宽度连续变化是指第一电极41上任意两个相邻位置处的宽度不相同。
在在一个实施例中,第一电极41在延伸方向上宽度间断变化。而宽度间断变化是指:在第一电极41上存在部分区域内相邻两个位置的宽度相同,而在部分区域内相邻两个位置的宽度不相同。例如,一些实施例中,多个第一电极41在基板42上规则排布,因此,相邻两个第一电极41之间的间隙在平行于第一电极41的延伸方向上也呈现为连续变化或者间断变化。第一电极41在延伸方向上,无论其宽度是连续变化还是间断变化都可以为周期性变化,一个变化周期的长度可以对应于一个像素的宽度。
在上述实施例中,设置有多个波浪形的第一电极41,在第一电极41的延伸方向上,第一电极41的宽度连续变化或者间断变化,从而使得相邻第一电极41具有连续变化的间距或者间断变化的间距。因此在第一电极41的不同宽度位置以及相邻第一电极41的不同间距之间,产生的衍射条纹的位置不同,不同位置处的衍生效应相互抵消,从而可以有效减弱衍射效应,进而确保摄像头设置在该透明显示面板下方时,拍照得到的图形具有较高的清晰度。
基于上述实施例中的显示面板,在一个实施例中,还可以设置第二电极沿相同的方向并行延伸,且相邻的两个第二电极之间具有间距;在第二电极的延伸方向上,第二电极的宽度可以连续变化或间断变化,且相邻两个第二电极之间的间距亦可以连续变化或间断变化。本实施例中的第二电极与上述实施例中关于第一电极的结构相类似,在此不做赘述。
为了便于本领域技术人员进一步理解本发明,本实施例进一步提供一种制备显示面板的方法,该方法可以具体包括:
步骤S1:提供基板,在基板上形成多个第二电极。
具体地,在本实施例中,基板可以由诸如玻璃材料、金属材料或包括聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)或聚酰亚胺等的塑胶材料中合适的材料形成。
在形成基板后,可以在基板上形成多个第二电极。在一些实施例中,第二电极可以为阳极,并可以采用氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(IGO)或氧化铝锌(AZO)等材料制备而成。
步骤S2:在第一电极上形成像素定义层,像素定义层上形成有多个像素开口。
具体地,图6示出了本发明一实施例中的像素定义开口在基板上的投影示意图;为便于描述,附图仅示出了与本发明实施例相关的结构。
参阅附图6,在本发明的一些实施例中,像素开口包括第一类型像素开口51;第一类型像素开口51在基板50上的投影的各边均为曲线,且各边互不平行。
其中,第一类型像素开口51在基板50上的投影的各边互不平行且各边均为曲线,也即第一类型像素开口51在各个方向上均具有变化的宽度且在同一位置具有不同衍射扩散方向。衍射过程中,衍射条纹的分布会受到障碍物尺寸的影像,例如狭缝的宽度、小孔的尺寸等。具有相同宽度的位置处产生的衍射条纹的位置一致,从而会出现较为明显的衍射效应。当外部光线经过该像素开口时,在不同宽度位置上能够产生具有不同位置和扩散方向的衍射条纹,进而不会产生较为明显的衍射效应,从而可以确保设置于该显示面板下方的感光元件能够正常工作。
在一些实施例中,第一类型像素开口51在基板50上的投影为一个图形单元或者多个彼此连通的图形单元。该图形单元可以为圆形或者椭圆形。可以理解,图形单元还可以有其他各处具有不同曲率半径的曲线构成。图形单元的个数可以根据对应的子像素的形状来确定。例如,可以根据子像素的长宽比来确定个数。在确定图形单元的个数的同时需要兼顾到像素的开口率。具体到一实施例中,图形单元还可以为轴对称结构,从而确保整个显示面板上的各像素具有一致的开口率,不会影响最终的显示效果。
步骤S3:在像素定义层上形成隔离柱,隔离柱包括多层堆叠的隔断层,相邻的隔断层之间形成有台阶,且相邻的两个台阶的角度不同。
具体地,隔离柱可以由多层隔断层依次堆叠而成,并且相邻两个隔断层之间可以形成台阶;进一步地,相邻的两个台阶的角度可以不相同。
步骤S4:在像素开口内形成与第二电极接触的发光结构层。
具体地,可以在像素开口内填充能够电致发光的有机材料,以形成发光结构层,并且该发光结构层可以与第二电极相接触。
步骤S5:在具有隔离柱和发光结构层的基板上整层铺设第一电极材料层,隔离柱隔断第一电极材料层,形成相互绝缘的多个第一电极,第一电极位于发光结构层上。
具体地,可以形成隔离柱之后,在隔离柱的上方整层铺设第一电极材料层,隔离柱可以将第一电极材料层进行隔断,并形成多个相互绝缘的第一电极。在本实施例中,第一电极可以为阴极,其具体材料可以为银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)等。
在上述实施例中,由于隔离柱包括多层依次堆叠的隔断层,并且相邻两个隔断层之间可以形成台阶,而相邻的两个台阶的角度又不相同,这就保证了第一电极材料层能够很好地被隔离柱所隔断,不至于使得相邻的第二电极发生联结,从而能够使得显示面板能够稳定工作。
基于上述实施例中的方法,在一个实施例中,在像素定义层上形成隔离柱的过程还可以具体包括以下:
步骤S10:于基板上沉积氮化硅材料,形成第四隔断薄膜。
图10至图15为一个实施例中隔离柱制备过程的剖面示意图。具体地,如图10所示,可以采用氮化硅材料,在基板100上制备第四隔断薄膜104。
步骤S11:于所述第四隔断薄膜上沉积氧化硅材料,形成第三隔断薄膜。
具体地,如图11所示,可以采用氧化硅材料,在已经制备完成的第四隔断薄膜104上形成第三隔断薄膜103。
步骤S12:去除部分氧化硅材料,形成第三隔断层。
具体地,如图12所示,可以采用干法刻蚀、湿法刻蚀等工艺将部分氧化硅材料予以去除,也即基于第三隔断薄膜103形成第三隔断层1030。
步骤S13:在具有第三隔断层的基板上沉积氮化硅材料,形成第二隔断薄膜。
具体地,如图13所示,在形成第三隔断层1030后,可以进一步采用氮化硅材料制备第二隔断薄膜102,该第二隔断薄膜102可以设置在第三隔断层1030上。
步骤S14:在第二隔断薄膜上形成第一隔断层,以第一隔断层和第三隔断层为掩膜,刻蚀第二隔断薄膜和第四隔断薄膜的氮化硅材料,得到第二隔断层和第四隔断层;和/或,第四隔断层与第三隔断层的刻蚀选择比大于1;第二隔断层与第三隔断层的刻蚀选择比大于1。
具体地,如图14所示,可以采用负性光刻胶材料,在第二隔断薄膜102上制备第一隔断层1010。在一个实施例中,如图15所示,可以以第一隔断层1010和第三隔断层1030为掩膜,对第二隔断薄膜102和第四隔断薄膜104进行刻蚀,从而得到第二隔断层1020和第四隔断层1040。在一个实施例中,还可以设置第四隔断层与第三隔断层的刻蚀选择比大于1;第二隔断层与第三隔断层的刻蚀选择比大于1。
在上述实施例中,隔离柱至少包括四层依次堆叠的隔断层,且相邻两个隔断层之间形成有台阶,相邻两个台阶的角度不同,这就使得隔离柱能够进一步将第一电极材料层予以隔断,使得形成的多个第一电极能够彼此绝缘,提高了显示面板的性能稳定性。
本实施例提供一种显示屏,具有相邻的第一显示区和第二显示区;第一显示区和第二显示区均用于显示动态或者静态画面;第二显示区下方可设置感光器件;显示屏还包括设置于第一显示区的第一显示面板,及设置于第二显示区的第二显示面板,第一显示面板和第二显示面板形成于同一基板上,第二显示面板的透光率大于所述第一显示面板的透光率。
进一步地,第二显示面板可以包括基板,以及形成于基板上的多个第一电极;像素定义层,形成于基板的第一电极上,像素定义层上形成有多个像素开口,像素开口内形成有与第一电极接触的发光结构层;形成于像素定义层上的隔离柱,用于隔断第二电极材料层,以形成相互绝缘的多个第二电极,第二电极位于发光结构层上;隔离柱包括多层堆叠的隔断层,相邻的隔断层之间形成有台阶,且相邻的两个台阶的角度不同。
上述实施例的显示屏中,由于隔离柱包括多层依次堆叠的隔断层,并且相邻两个隔断层之间可以形成台阶,而相邻的两个台阶的角度又不相同,这就保证了第一电极材料层能够很好地被隔离柱所隔断,不至于使得相邻的第二电极发生联结,从而能够使得显示屏能够稳定工作。
基于上述实施例中的显示屏,在一个实施例中,所述第一显示面板可以为AMOLED显示面板,第二显示面板可以为PMOLED显示面板。
图7是一个可选的实施例中显示终端的结构示意图,图8是图7中所示设备本体的结构示意图,图9是图7中所示复合屏的结构示意图。
在另一个可选的实施例中,基于图2~7所示结构的基础上,本申请还提供了一种复合屏,该复合屏为图9所示的复合屏64,如图9所示,该复合屏64可包括一体化的AM屏体642和PM屏体644,且该PM屏体644中可设置有本申请中任一实施例所阐述显示面板以提升复合屏的显示性能及效果。
在另一个可选的实施例中,如图7~8所示,本申请还提供了一种显示终端60,可包括设备本体62和复合屏64,复合屏64覆盖在设备本体62上并相互连接,且该设备本体62上可开设有非器件区622和器件区624(如开槽区),且在器件区624中可设置有诸如摄像头626及光线传感器等感光器件。继续参见图9所示,上述的复合屏64可包括AM屏体642和PM屏体644。参见图7~8所示,当复合屏64贴合固定在设备本体62上时,PM屏体644可作为开槽区对应上述的器件区624贴合在一起,以使得上述的诸如摄像头626及光线传感器等感光器件能够透过该PM屏体644,对外部光线进行光线采集及感测等操作。其中,上述的PM屏体644中可包括上述任意一个实施例所描述的显示面板,即通过在显示面板的侧壁形成诸如凹槽或阶梯等曲面结构,来有效提升隔断第一电极的效果,避免相邻第一电极出现短接而影响显示终端的显示性能及效果。
在一个可选的实施例中,参见图7~8,在一个可选的实施例中,上述的显示终端可为手机、个人电脑、智能手表、智能手环等具有显示屏的电子设备。另外,如图9所示,为了提升感光器件透过上述的PM屏体644所采集光线的数量,可在感光器件工作时使得PM屏体644处于非显示状态,以提升PM屏体644的透光率,进而提升感光器件采集外部光线的性能。
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合,为使描述简洁,未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述,然而,只要这些技术特征的组合不存在矛盾,都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式,其描述较为具体和详细,但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是,对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明构思的前提下,还可以做出若干变形和改进,这些都属于本发明的保护范围。因此,本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (10)
1.一种显示面板,其特征在于,包括:
基板,以及形成于所述基板上的多个第二电极;
像素定义层,形成于所述基板的第二电极上,所述像素定义层上形成有多个像素开口,所述像素开口内形成有与所述第二电极接触的发光结构层;
形成于所述像素定义层上的隔离柱,用于隔断第一电极材料层,以形成相互绝缘的多个第一电极,所述第一电极位于所述发光结构层上;
所述隔离柱包括多层堆叠的隔断层,相邻的所述隔断层之间形成有台阶,且相邻的两个台阶的角度不同。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述隔离柱包括第一隔断层和位于所述第一隔断层下方的第二隔断层,所述第一隔断层上方形成有所述第二电极层材料,所述第二隔断层位于所述像素定义层上,
其中,所述第一隔断层于第一方向上的垂直截面呈矩形,且所述第二隔断层于第一方向上的垂直截面呈正梯形,该第一方向与所述第二隔断层延伸方向垂直。
3.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述隔离柱还包括:
第四隔断层;设置于所述像素定义层上;以及
第三隔断层;设置于所述第四隔断层与所述第二隔断层之间;
其中,所述第四隔断层于所述第一方向上的垂直截面呈倒梯形。
4.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述第四隔断层、所述第三隔断层和所述第二隔断层为采用同一刻蚀工艺制备的膜层;
其中,所述第四隔断层与所述第三隔断层的刻蚀选择比大于1;所述第二隔断层与所述第三隔断层的刻蚀选择比大于1。
5.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述第一隔断层的材质为光刻胶、所述第二隔断层的材质为氮化硅、所述第三隔断层的材质为氧化硅、所述第四隔断层的材质为氮化硅。
6.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,多个所述第一电极沿相同的方向并行延伸,且相邻的两个所述第一电极之间具有间距;在所述第一电极的延伸方向上,所述第一电极的宽度连续变化或间断变化,且所述间距连续变化或间断变化;和/或,多个所述第二电极沿相同的方向并行延伸,且相邻的两个所述第二电极之间具有间距;在所述第二电极的延伸方向上,所述第二电极的宽度连续变化或间断变化,且所述间距连续变化或间断变化。
7.一种制备显示面板的方法,其特征在于,包括:
提供基板,在所述基板上形成多个所述第一电极;
在所述第一电极上形成像素定义层,所述像素定义层上形成有多个像素开口;
在所述像素定义层上形成隔离柱,所述隔离柱包括多层堆叠的隔断层,相邻的所述隔断层之间形成有台阶,且相邻的两个台阶的角度不同;
在所述像素开口内形成与所述第一电极接触的发光结构层;
在具有所述隔离柱和发光结构层的所述基板上整层铺设第二电极材料层,所述隔离柱隔断所述第二电极材料层,形成相互绝缘的多个第二电极,所述第二电极位于所述发光结构层上。
8.根据权利要求7所述的方法,其特征在于,在所述像素定义层上形成隔离柱的过程包括:
于所述基板上沉积氮化硅材料,形成第四隔断薄膜;
于所述第四隔断薄膜上沉积氧化硅材料,形成第三隔断薄膜;
去除部分氧化硅材料,形成第三隔断层;
在具有所述第三隔断层的基板上沉积氮化硅材料,形成第二隔断薄膜;
在所述第二隔断薄膜上形成第一隔断层,以所述第一隔断层和所述第三隔断层为掩膜,刻蚀所述第二隔断薄膜和第四隔断薄膜的氮化硅材料,得到第二隔断层和第四隔断层;和/或,所述第四隔断层与所述第三隔断层的刻蚀选择比大于1;所述第二隔断层与所述第三隔断层的刻蚀选择比大于1。
9.一种显示屏,其特征在于,具有相邻的第一显示区和第二显示区;所述第一显示区和所述第二显示区均用于显示动态或者静态画面;所述第二显示区下方可设置感光器件;所述显示屏还包括设置于所述第一显示区的第一显示面板,及设置于所述第二显示区的第二显示面板,所述第一显示面板和所述第二显示面板形成于同一基板上,所述第二显示面板的透光率大于所述第一显示面板的透光率;第二显示面板为如权利要求1-6任一项所述的显示面板;所述第一显示面板为AMOLED显示面板,所述第二显示面板为PMOLED显示面板。
10.一种显示终端,其特征在于,包括:
设备本体,具有开槽区;
如权利要求9所述的显示屏,覆盖在所述设备本体上;
其中,所述开槽区位于所述第二显示面板下方,且所述开槽区中设置有透过所述第二显示面板进行光线采集的感光器件。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201811291864.8A CN110767690B (zh) | 2018-10-31 | 2018-10-31 | 显示面板、显示屏、制备显示面板的方法和显示终端 |
PCT/CN2019/076357 WO2020087814A1 (zh) | 2018-10-31 | 2019-02-27 | 显示面板、显示屏及制备显示面板的方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201811291864.8A CN110767690B (zh) | 2018-10-31 | 2018-10-31 | 显示面板、显示屏、制备显示面板的方法和显示终端 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN110767690A true CN110767690A (zh) | 2020-02-07 |
CN110767690B CN110767690B (zh) | 2023-09-22 |
Family
ID=69328926
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201811291864.8A Active CN110767690B (zh) | 2018-10-31 | 2018-10-31 | 显示面板、显示屏、制备显示面板的方法和显示终端 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN110767690B (zh) |
WO (1) | WO2020087814A1 (zh) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN112242098A (zh) * | 2020-10-14 | 2021-01-19 | Tcl华星光电技术有限公司 | 基板及其制备方法、显示面板 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105552107A (zh) * | 2016-02-29 | 2016-05-04 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | 一种显示面板、制作方法以及电子设备 |
CN107134532A (zh) * | 2017-04-10 | 2017-09-05 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种有机发光显示面板 |
CN107369702A (zh) * | 2017-08-16 | 2017-11-21 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种oled显示面板及其制作方法 |
CN107394057A (zh) * | 2017-07-28 | 2017-11-24 | 武汉天马微电子有限公司 | 有机发光显示面板及其制作方法 |
CN207781599U (zh) * | 2017-09-30 | 2018-08-28 | 云谷(固安)科技有限公司 | 显示屏以及电子设备 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6642537B1 (en) * | 1996-08-27 | 2003-11-04 | California Institute Of Technology | Dual band QWIP focal plane array |
CN1181707C (zh) * | 2002-11-12 | 2004-12-22 | 清华大学 | 一种有机电致发光器件及其制备方法 |
CN105470284B (zh) * | 2015-12-31 | 2019-02-19 | 固安翌光科技有限公司 | 一种薄膜封装的oled屏体及其制备方法 |
CN107622975B (zh) * | 2017-09-05 | 2020-01-14 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种显示面板及其制程 |
CN108376696B (zh) * | 2017-09-30 | 2020-08-25 | 云谷(固安)科技有限公司 | 终端及显示屏 |
-
2018
- 2018-10-31 CN CN201811291864.8A patent/CN110767690B/zh active Active
-
2019
- 2019-02-27 WO PCT/CN2019/076357 patent/WO2020087814A1/zh active Application Filing
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105552107A (zh) * | 2016-02-29 | 2016-05-04 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | 一种显示面板、制作方法以及电子设备 |
CN107134532A (zh) * | 2017-04-10 | 2017-09-05 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种有机发光显示面板 |
CN107394057A (zh) * | 2017-07-28 | 2017-11-24 | 武汉天马微电子有限公司 | 有机发光显示面板及其制作方法 |
CN107369702A (zh) * | 2017-08-16 | 2017-11-21 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种oled显示面板及其制作方法 |
CN207781599U (zh) * | 2017-09-30 | 2018-08-28 | 云谷(固安)科技有限公司 | 显示屏以及电子设备 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN112242098A (zh) * | 2020-10-14 | 2021-01-19 | Tcl华星光电技术有限公司 | 基板及其制备方法、显示面板 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2020087814A1 (zh) | 2020-05-07 |
CN110767690B (zh) | 2023-09-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP3734662B1 (en) | Display panel and display screen | |
US11296184B2 (en) | Display panels, display screens, and display terminals | |
CN110767836B (zh) | 半导体结构、显示面板及其制备方法和显示终端 | |
CN108984038B (zh) | 一种显示基板、内嵌式触摸屏及显示装置 | |
EP3502851B1 (en) | In-cell transparent touch control display panel, and manufacturing method and driving method therefor | |
CN110767827A (zh) | 显示面板、复合屏、显示终端和复合屏的制备方法 | |
CN107844219B (zh) | 触控基板及其制作方法、显示装置 | |
EP2950187A1 (en) | Touch panel and display device | |
CN110783482B (zh) | 显示面板及其制作方法、显示屏及显示装置 | |
US10216339B2 (en) | Display substrate and manufacturing method thereof, and display device | |
US10139965B2 (en) | Touch panel, manufacturing method thereof and display device | |
US9194985B1 (en) | Color filter substrate, manufacturing method thereof, and display panel | |
CN110783483B (zh) | 显示面板及其制作方法和显示装置 | |
CN110783481A (zh) | 显示面板、显示屏及显示装置 | |
US11023073B2 (en) | Touch panel, manufacturing method thereof, and touch display device | |
CN110767832B (zh) | 显示面板、显示面板制备方法、显示屏及显示终端 | |
CN108231846B (zh) | 一种显示基板及其制备方法、显示装置 | |
CN204945980U (zh) | 一种光触控基板、内嵌式触摸屏及显示装置 | |
EP3537270A1 (en) | Touch structure and manufacturing method therefor, and touch device | |
US10025129B2 (en) | Array substrates and touch panels | |
CN111293155A (zh) | 显示基板及其制备方法、显示装置 | |
CN110767690B (zh) | 显示面板、显示屏、制备显示面板的方法和显示终端 | |
WO2022027932A1 (en) | Display panel and display apparatus | |
CN110767689A (zh) | 掩膜板、显示面板、其制备方法及显示终端 | |
CN110767828B (zh) | 显示面板、显示屏及显示终端 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |