CN110767611A - 一种三维吸气剂薄膜结构及其制备方法 - Google Patents

Abstract

本发明属于高真空电子器件领域，公开了一种三维吸气剂薄膜结构及其制造方法，包括衬底、凸出部，所述凸出部以阵列排布方式分布在所述衬底的表面；以及吸气剂薄膜，所述凸出部用于增大所述吸气剂薄膜的表面积。采用本发明的三维吸气剂薄膜结构及其制备方法，具有提高吸气剂薄膜单位占用衬底面积吸气性能的优点。

Description

一种三维吸气剂薄膜结构及其制备方法

技术领域

本发明涉及高真空电子器件领域，尤其涉及一种三维吸气剂薄膜结构及其制备方法。

背景技术

在真空电子器件领域中，为了维持器件的高真空环境，一般在电子器件的封装腔体侧壁蒸镀、溅射或沉积一层吸气剂薄膜，吸气剂薄膜在电子器件的使用过程中，会吸收残余和器件重新释放出来的气体，起到稳定真空器件真空度、稳定器件特性参量、提高器件性能及延长器件使用寿命的作用。

真空电子器件的发展趋势是体积缩小、性能提高以及价格降低的类似“摩尔定律”，在体积的缩小过程中，会出现挤压吸气剂薄膜占用面积问题，但减少吸气剂薄膜的面积必然会降低吸气剂薄膜的吸气性能，常用的解决办法是提升吸气材料的吸收能力，但吸气剂材料的吸气性能基本上由材料本身性质和组分决定，提升空间有限，也有通过增加吸气剂薄膜表面积来增加吸气性能的尝试，但都局限在二维表面处理上，如增加薄膜表面的粗糙度，类似凸点、凹坑等，这些方法都不能大幅度的提高薄膜的吸气性能。

发明内容

本发明所要解决的技术问题在于，提供一种三维吸气剂薄膜结构及其制备方法，可大幅增加吸气剂薄膜的表面积，提高吸气剂薄膜的吸气性能。

为了解决上述技术问题，本发明提供了一种三维吸气剂薄膜结构，包括衬底、凸出部，所述凸出部以阵列排布方式分布在所述衬底的表面；以及，吸气剂薄膜，所述凸出部用于增大所述吸气剂薄膜的表面积。

可选地，所述衬底表面通过蚀刻形成凹槽，未被蚀刻的衬底表面相对所述凹槽形成所述凸出部。

进一步地，所述衬底表面凹槽的横截面形状为圆形、多边形、蜂窝状或多层嵌套阵列图形的一种或几种的混合。

可选地，所述凸出部具有侧壁和底面，所述凸出部的底面位于所述衬底表面，所述凸出部的侧壁垂直于所述凸出部的底面，所述凸出部的剖面呈U型。

进一步地，所述凸出部的横截面形状为圆形、多边形或其它不规则图形的一种或几种的混合。

进一步地，还包括粘附层，所述粘附层沉积在所述衬底表面，所述凸出部以阵列排布方式分布于所述粘附层表面，所述吸气剂薄膜均匀沉积在所述凸出部和未被所述凸出部覆盖的粘附层表面。

进一步地，所述凸出部有多层，所述多层凸出部纵向叠加。

本发明第二方面提供了一种三维吸气剂薄膜结构的制备方法，包括如下步骤：

(a)提供衬底，在衬底上制作光刻图形；

(b)在衬底上深硅蚀刻凹槽，未被蚀刻的衬底表面相对所述凹槽形成凸出部；

(c)衬底表面去胶并清洗；

(d)在衬底上再次制作光刻图形并对衬底进行扫胶处理；

(e)在带有凹槽和凸出部的衬底上沉积吸气剂薄膜；

(f)去除LOR胶和光刻胶，并清洗、烘干。

本发明第三方面提供了另一种三维吸气剂薄膜结构的制备方法，包括如下步骤：

(a)提供衬底，在所述衬底上沉积粘附层；

(b)在粘附层上沉积牺牲层；

(c)将牺牲层图形化；

(d)在图形化的牺牲层表面及未被牺牲层覆盖的薄膜表面沉积支撑层；

(e)蚀刻图形化牺牲层表面的支撑层以形成可以释放牺牲层的开口；

(f)通过所述开口释放牺牲层，形成多个以阵列排布方式分布的凸出部；

(g)在步骤(f)所得的薄膜结构表面沉积吸气剂薄膜。

进一步地，完成步骤(e)后，重复步骤(b)至步骤(e)，制备双层或更多层步骤(e)形成的支撑层结构。

实施本发明实施例，具有如下有益效果：通过在衬底表面形成多个以阵列排布方式分布的凸出部，增大了吸气剂薄膜的沉积面积，提升了吸气剂薄膜单位占用面积的吸气能力，同时提升了原有真空电子器件的性能及使用寿命；

在非制冷红外探测器或太赫兹、陀螺器件等真空电子器件上，如果保持相同的吸气能力，吸气剂薄膜的占用面积可成倍的压缩，解决了真空电子器件体积缩小带来的技术难题。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案和优点，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单的介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它附图。

图1-图10是本发明实施例一的具体工艺步骤剖视图，其中：

图1是本发明实施例一在衬底上制作光刻图形后的剖视图；

图2-图3是本发明实施例一衬底上可选光刻图形的剖视图；

图4是本发明实施例一衬底蚀刻直面凹槽后的剖视图；

图5是本发明实施例一衬底蚀刻曲面凹槽后的剖视图；

图6是本发明实施例一衬底蚀刻直面凹槽并经表面去胶后的剖视图；

图7是本发明实施例一衬底蚀刻曲面凹槽并经表面去胶后的剖视图；

图8是本发明实施例一衬底表面再次制作光刻图形后的剖视图；

图9是本发明实施例一衬底表面沉积吸气剂薄膜后的剖视图；

图10是本发明实施例一在沉积吸气剂薄膜的衬底表面去除光刻胶后的剖视图。

图11-图18是本发明实施例二的具体工艺步骤剖视图，其中：

图11是本发明实施例二衬底的剖视图；

图12是本发明实施例二衬底上沉积粘附层后的剖视图；

图13是本发明实施例二粘附层上沉积牺牲层后的剖视图；

图14是本发明实施例二牺牲层图形化后的剖视图；

图15是本发明实施例二在牺牲层表面沉积支撑层后的剖视图；

图16是本发明实施例二牺牲层表面支撑层形成开口后的剖视图；

图17是本发明实施例二通过开口释放完牺牲层后的剖视图；

图18是本发明实施例二在牺牲层及未被牺牲层覆盖的粘附层表面沉积吸气剂薄膜后的剖视图。

其中，图中附图对应标记为：

1-衬底 2-吸气剂薄膜 3-凸出部

4-粘附层 5-牺牲层 6-支撑层

具体实施方式

为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明作进一步地详细描述。显然，所描述的实施例仅仅是本发明一个实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

此处所称的“一个实施例”或“实施例”是指可包含于本发明至少一个实现方式中的特定特征、结构或特性。在本发明的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“左”、“右”、“顶”、“底”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含的包括一个或者更多个该特征。而且，术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本发明的实施例能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。

实施例一

如附图10所示，为本发明的一种三维吸气剂薄膜结构，包括衬底1和吸气剂薄膜2，所述吸气剂薄膜2位于所述衬底1表面；

其中，所述衬底1表面通过蚀刻形成多个以阵列排布方式分布的凹槽，每个所述凹槽的横截面形状可以是如附图2所示的多边形，例如正四边形、正六边形或星形，也可以是如附图2所示的圆形，由于蚀刻增加的凹槽的表面积为蚀刻凹槽的底面周长乘以凹槽的蚀刻深度，而增加凹槽表面积可增加位于凹槽表面的吸气剂薄膜的表面积，吸气剂薄膜的表面积可相应地增加吸气剂薄膜的吸气性能。因此，为了进一步提高所述吸气剂薄膜结构的吸气性能，凹槽可以是蜂窝结构，即由一个个正六角形排列组合而成的一种阵列结构；也可以是如附图3所示的多层嵌套的阵列图形，即由一个位于中心的多边形凹槽和一个或多个位于外环的相应形状的多边形环状凹槽组成的嵌套图形单元呈阵列排布而成的一种结构；

相应地，未被蚀刻的衬底1表面相对所述凹槽形成多个凸出部3，所述吸气剂薄膜2均匀沉积在所述凸出部3和未被所述凸出部3覆盖的衬底1表面，所述凸出部3的侧壁面积即为所述吸气剂薄膜结构增加的表面积，具体应用时可通过改变凹槽蚀刻深度或选择合适的蚀刻图形来获得需要的吸气性能。

如附图1至附图10所示，上述三维吸气剂薄膜2可以通过下述工艺步骤实现，具体地：

(a)提供衬底1，在衬底1上制作光刻图形；

在具体实施时，所述衬底1为硅片衬底，在硅片衬底上涂覆光刻胶，进行曝光显影等工序，制作如附图1所示的光刻图形，光刻图形的横截面形状可以是如附图2所示的正四边形、正六边形以及星型等多边形形状，也可以是如附图2所示的圆形，为了进一步增加吸气剂薄膜2的表面积，光刻图形也可以是蜂窝结构，或者是如附图3所示的多层嵌套的阵列图形；

(b)在衬底1上深硅蚀刻凹槽，未被蚀刻的衬底1表面相对所述凹槽形成凸出部3；

在具体实施时，在衬底1上等间距蚀刻凹槽，所用的气体为C₄F₈、SF₆和O₂，功率控制在1000-3000W，蚀刻深度控制在2-50um，深宽比控制在1:1-10:1之间；使用不同比例的C₄F₈和SF₆，深硅蚀刻图形的形貌可以是如附图4所述的侧壁为直面的凹槽，也可以是如附图5所示的侧壁为曲面的凹槽，其中，侧壁为直面的凹槽增加的表面积为凹槽的底面周长乘以凹槽的蚀刻深度，侧壁为曲面的凹槽增加的表面积大于侧壁为直面的凹槽，而且凹槽越密集，凹槽越深，增加的表面积越多，即吸气剂薄膜2增加的表面积会越多；

(c)衬底1表面去胶并清洗；

在具体实施时，利用通用的等离子体氧化法去除第一步中的光刻图形，而后通过有机溶液如乙二醇和BOE的混合溶液或EKC溶液对硅片进行清洗，以去除氧化后的光刻胶残渣及衬底1凹槽内的硅渣，附图4所示的蚀刻后的直面凹槽去胶清洗后得到如附图6所示的结构，附图5所示的蚀刻后的曲面凹槽去胶清洗后得到如附图7所示的结构；

(d)在衬底1上再次制作光刻图形并对衬底1进行扫胶处理；

在具体实施时，在硅片衬底1上依次涂覆LOR胶和光刻胶，优选地，所述光刻胶为负胶，原因是衬底1存在凹槽，如使用正胶，光刻图形后，衬底1凹槽内会存在较多的胶残留，从而影响后续工艺，涂覆光刻胶后进行曝光显影等工序，制作如附图8所示的光刻图形，为了去除衬底1凹槽内的残留胶膜或胶点，制作完光刻图形后对衬底1进行扫胶工艺处理；

(e)在带有凹槽和凸出部3的衬底1上沉积吸气剂薄膜2；

在具体实施时，在附图8所示的带光刻图形的衬底1上沉积吸气剂薄膜2，吸气剂薄膜2可以是蒸散型薄膜，也可以是非蒸散型薄膜如锆铝、锆石墨、锆镍等，或者是复合吸气剂薄膜如钡铝合金和锆铝的组合等，吸气剂薄膜沉积厚度控制在0.5-2.5um，沉积后的薄膜如附图9所示；

(f)去除LOR胶和光刻胶，并清洗、烘干。

在具体实施时，使用通用的Lift-off工艺(剥离工艺)去除LOR胶和光刻胶，得到如附图10所示的吸气剂薄膜2结构，而后清洗烘干所述吸气剂薄膜2结构。

实施例二

如附图18所示，为本发明的第二种三维吸气剂薄膜结构，包括衬底1、粘附层4、凸出部3和吸气剂薄膜2，所述粘附层4沉积在所述衬底1表面，所述凸出部3以阵列排布方式分布于所述粘附层4表面，所述吸气剂薄膜2均匀沉积在所述凸出部3和未被所述凸出部3覆盖的粘附层4表面；

其中，所述衬底1为平面结构，所述粘附层4均匀沉积在所述平面衬底1的表面，所述粘附层4为一种优良的粘附金属薄膜，例如金属钛薄膜，所述吸气剂薄膜2可牢固地附着在所述粘附层4薄膜表面；

所述凸出部3通过在粘附层4表面依次形成牺牲层5、牺牲层5图形化、牺牲层5表面沉积支撑层6、蚀刻支撑层6及释放牺牲层5后形成，所述凸出部3具有侧壁和底面，所述凸出部3的底面设于所述粘附层4表面，所述凸出部3的侧壁垂直于所述凸出部3的底面，所述凸出部3的剖面呈U型设置，所述凸出部3的横截面形状可以是多边形，例如正四边形、正六边形或星形，也可以是圆形，为了进一步增加凸出部3的表面积，所述粘附层表面可设有两层或更多层凸出部3，所述两层或更多层凸出部3纵向叠加；

所述吸气剂薄膜均匀沉积在凸出部3以及未被凸出部3覆盖的粘附层表面，根据凸出部3的横截面形状的不同，所述吸气剂薄膜结构相应地具有不同的结构，例如凸出部3的横截面为正六边形时，所述吸气剂薄膜结构为蜂窝结构，凸出部3的横截面为圆形时，所述吸气剂薄膜结构为蘑菇结构，由于凸出部3具有垂直向上的侧壁，所述吸气剂薄膜可同时沉积在所述侧壁的内外表面，从而大幅增加了所述吸气剂薄膜结构的表面积，当所述粘附层4表面具有两层或更多层纵向叠加的凸出部3时，相应地，所述吸气剂薄膜结构的表面积可进一步增加。

如附图11至附图18所示，上述三维吸气剂薄膜2可以通过下述工艺步骤实现，具体地：

(a)提供衬底1，在衬底1上沉积粘附层4；

在具体实施时，如附图11所示的衬底1为硅片衬底，对其进行清洁处理并烘干，而后在衬底1上沉积粘附层4，粘附层4选用优良的粘附金属薄膜如金属钛薄膜，金属钛薄膜同时也是一种吸气剂薄膜，在高温激活时可吸收氢、氮和氧气，粘附层的沉积厚度为

沉积后的粘附层4如附图12所示；

(b)在粘附层4上沉积牺牲层5；

在具体实施时，如附图13所示，牺牲层5为非光敏性聚酰亚胺经亚胺化形成的薄膜，厚度控制在1-5um，牺牲层5越厚，吸气剂薄膜2增加的表面积会越多；

(c)将牺牲层5图形化；

在具体实施时，通过光刻蚀刻的方法将牺牲层5蚀刻成如附图14所示的以阵列排布方式分布的光刻图形，光刻图形可以是正四边形、正六边形以及星型等多边形形状，也可以是圆形或其它不规则图形，相应地，所述吸气剂薄膜结构可以形成蜂窝结构、蘑菇结构或其它结构；

(d)在图形化的牺牲层5表面及未被牺牲层5覆盖的薄膜表面沉积支撑层6；

在具体实施时，如附图15所示，通过PECVD(离子增强化学气相沉积法)在图形化的牺牲层5表面及未被牺牲层5覆盖的粘附层4表面沉积支撑层6，支撑层6为氮化硅薄膜，支撑层6也可以替换为钛、钛钴、钛钒、二氧化硅等薄膜，薄膜厚度控制在

(e)蚀刻图形化牺牲层5表面的支撑层6以形成可以释放牺牲层5的开口；

在具体实施时，通过光刻蚀刻的方法蚀刻牺牲层5表面的支撑层6以形成如附图16所示的开口；

(f)重复步骤(b)至步骤(e)，制备双层或更多层上述步骤(e)形成的支撑层结构；

在具体实施时，在步骤(e)得到的支撑层结构表面再次沉积一层第二牺牲层，该第二牺牲层的厚度足以覆盖所有的支撑层6，然后重复步骤(c)，将位于支撑层6开口上方的第二牺牲层图形化，图形化的第二牺牲层与上述步骤(3)中首次图形化的牺牲层形状一致，再重复步骤(d)，在图形化的第二牺牲层及未被图形化的第二牺牲层覆盖的支撑层6表面沉积第二支撑层，再重复步骤(e)，将图形化的第二牺牲层上方的第二支撑层表面再次蚀刻开口，制备双层或更多层上述步骤(e)形成的支撑层结构；

(g)通过步骤(e)或步骤(f)蚀刻的开口释放所述牺牲层，形成多个以阵列排布方式分布的凸出部3；

在具体实施时，利用氧等离子体将牺牲层通过所述开口释放，得到如附图17所示的凸出部3，所述凸出部3具有底面和侧壁，所述底面沉积在所述粘附层上，所述侧壁与所述底面垂直。

(h)在步骤(g)所得的薄膜结构表面沉积吸气剂薄膜2。

在具体实施时，在附图17所示的薄膜结构或具有纵向叠加凸出部的薄膜结构表面沉积吸气剂薄膜2，吸气剂薄膜2可以是蒸散型薄膜，也可以是非蒸散型薄膜如锆铝、锆石墨、锆镍等，或者是复合吸气剂薄膜如钡铝合金和锆铝的组合等，沉积厚度为1-5um，其中，在附图17所示的薄膜结构表面沉积吸气剂薄膜后如附图18所示，在具有纵向叠加凸出部的薄膜结构表面沉积吸气剂薄膜后的结构未示出。

通过实施例一或二的方法所制备的吸气剂薄膜结构，如果凸起部的高度大于宽度，增加的吸气剂薄膜2的面积可大于200％，如果是双层的凸起部结构，可增加400％以上的吸气剂薄膜2面积，相当于吸气性能增加了近四倍，如果保持原来的吸气性能，吸气剂薄膜2的占用面积可压缩到原来的1/2甚至1/4，可减少器件的面积，同时为器件的小型化、便携等应用的发展提供了有力的技术支撑。

实施例三

本发明的另一种三维吸气剂薄膜结构，包括衬底、粘附层、凸出部和吸气剂薄膜，所述粘附层沉积在所述衬底表面，所述凸出部以阵列排布方式分布于所述粘附层表面，所述吸气剂薄膜均匀沉积在所述凸出部和未被所述凸出部覆盖的粘附层表面；

其中，所述衬底表面通过蚀刻形成多个以阵列排布方式分布的凹槽，所述凹槽的横截面形状同实施例一，可以是多边形，例如正四边形、正六边形或星形，也可以是圆形；

所述粘附层均匀沉积在所述衬底的表面，所述粘附层为一种优良的粘附金属薄膜，例如金属钛薄膜，由于所述衬底具有以阵列排布方式分布的凹槽，所述粘附层表面相应形成凹槽与凸起；

所述凸出部通过在粘附层凸起表面依次形成牺牲层、牺牲层图形化、牺牲层表面沉积支撑层、蚀刻支撑层及释放牺牲层后形成，所述凸出部的形状与实施例二相同，同样具有侧壁和底面，并且侧壁垂直于底面，所述凸出部的剖面呈U型设置，所述凸出部的横截面形状同样可以是多边形，例如正四边形、正六边形或星形，也可以是圆形，不同的是，所述凸出部的底面设于所述粘附层的凸起部位表面；

同实施例二，为了进一步增加凸出部的表面积，所述粘附层的凸起表面可设有两层或更多层凸出部，所述两层或更多层凸出部纵向叠加；

所述吸气剂薄膜均匀沉积在凸出部以及未被凸出部覆盖的粘附层表面，相对于实施例二，由于粘附层表面具有凹槽，从而进一步增加了所述吸气剂薄膜结构的表面积；

同实施例二，当所述粘附层凸起表面具有两层或更多层纵向叠加的凸出部时，所述吸气剂薄膜结构的表面积可进一步增加。

上述三维吸气剂薄膜可以通过下述工艺步骤实现，具体地：

(a)提供衬底，在衬底上制作光刻图形；

具体实施过程同实施例一的步骤(a)；

(b)在衬底上蚀刻凹槽；

具体实施过程同实施例一的步骤(b)；

(c)衬底表面去胶并清洗；

具体实施过程同实施例一的步骤(c)；

(d)在衬底上沉积粘附层；

具体实施过程同实施例二的步骤(a)；

(e)在粘附层上沉积牺牲层；

在具体实施时，牺牲层为非光敏性聚酰亚胺经亚胺化形成的薄膜，牺牲层的厚度要大于粘附层表面凹槽的深度；

(f)将牺牲层图形化；

在具体实施时，通过光刻蚀刻的方法将牺牲层蚀刻成以阵列排布方式分布的光刻图形，光刻图形位于所述粘附层表面凹槽的上方，光刻图形可以是正四边形、正六边形以及星型等多边形形状，也可以是圆形或其它不规则图形；

(g)在图形化的牺牲层表面及未被牺牲层覆盖的薄膜表面沉积支撑层；

具体实施过程同实施例二的步骤(d)；

(h)蚀刻图形化牺牲层表面的支撑层以形成可以释放牺牲层的开口；

具体实施过程同实施例二的步骤(e)；

(i)重复步骤(b)至步骤(h)，制备双层或更多层上述步骤(h)形成的支撑层结构；

(j)通过步骤(h)或步骤(i)蚀刻的开口释放所述牺牲层，形成多个以阵列排布方式分布的凸出部；

具体实施过程同实施例二的步骤(e)或(f)，不同的是，所述凸出部的底面沉积在所述粘附层的凸起表面上；

(k)在步骤(j)所得的薄膜结构表面沉积吸气剂薄膜。

具体实施过程同实施例二的步骤(h)。

以上所述是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也视为本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种三维吸气剂薄膜结构，其特征在于，包括衬底(1)、凸出部(3)，所述凸出部(3)以阵列排布方式分布在所述衬底(1)的表面；以及

吸气剂薄膜(2)，所述凸出部(3)用于增大所述吸气剂薄膜(2)的表面积。

2.根据权利要求1所述的一种三维吸气剂薄膜结构，其特征在于：所述衬底(1)表面通过深硅蚀刻工艺形成凹槽，没有蚀刻的部分形成凸出部(3)。

3.根据权利要求2所述的一种三维吸气剂薄膜结构，其特征在于：所述衬底(1)表面凹槽的横截面形状为圆形、多边形、蜂窝状或多层嵌套阵列图形的一种或几种的混合。

4.根据权利要求1所述的一种三维吸气剂薄膜结构，其特征在于：所述凸出部(3)具有侧壁和底面，所述凸出部(3)的底面位于所述衬底表面，所述凸出部(3)的侧壁垂直于所述凸出部(3)的底面，所述凸出部(3)的剖面呈U型。

5.根据权利要求4所述的一种三维吸气剂薄膜结构，其特征在于：所述凸出部(3)的横截面形状为圆形、多边形或其它不规则图形的一种或几种的混合。

6.根据权利要求4所述的一种三维吸气剂薄膜结构，其特征在于：还包括粘附层(4)，所述粘附层(4)沉积在所述衬底(1)表面，所述凸出部(3)以阵列排布方式分布于所述粘附层(4)表面，所述吸气剂薄膜(2)均匀沉积在所述凸出部(3)和未被所述凸出部(3)覆盖的粘附层(4)表面。

7.根据权利要求4所述的一种三维吸气剂薄膜结构，其特征在于：所述凸出部(3)有多层，所述多层凸出部(3)纵向叠加。

8.一种三维吸气剂薄膜结构的制备方法，其特征在于包括如下步骤：

(a)提供衬底(1)，在衬底(1)上制作光刻图形；

(b)在衬底(1)上深硅蚀刻凹槽，未被蚀刻的衬底(1)表面相对所述凹槽形成凸出部；

(c)衬底(1)表面去胶并清洗；

(d)在衬底(1)上再次制作光刻图形并对衬底(1)进行扫胶处理；

(e)在带有凹槽和凸出部(3)的衬底(1)上沉积吸气剂薄膜(2)；

(f)去除LOR胶和光刻胶，并清洗、烘干。

9.一种三维吸气剂薄膜结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

(a)提供衬底(1)，在所述衬底(1)上沉积粘附层(4)；

(b)在粘附层(4)上沉积牺牲层(5)；

(c)将牺牲层(5)图形化；

(d)在图形化的牺牲层(5)表面及未被牺牲层(5)覆盖的薄膜表面沉积支撑层(6)；

(e)蚀刻图形化牺牲层(5)表面的支撑层(6)以形成可以释放牺牲层(5)的开口；

(f)通过所述开口释放牺牲层(5)，形成多个以阵列排布方式分布的凸出部(3)；

(g)在步骤(f)所得的薄膜结构表面沉积吸气剂薄膜(2)。

10.根据权利要求9所述的一种三维吸气剂薄膜结构的制备方法，其特征在于，完成步骤(e)后，重复步骤(b)至步骤(e)，制备双层或更多层步骤(e)形成的支撑层结构。

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