CN110739332B - 头戴式显示装置和包括在其中的显示面板 - Google Patents

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Abstract

公开了一种头戴式显示装置和包括在其中的显示面板，其中，显示表面和观看者之间的距离是固定的。各个子像素包括相同的有机堆叠体但具有不同的谐振结构，由此可以省略光强度限制构件，并且可以实现高效率和低电流的施加。

Description

头戴式显示装置和包括在其中的显示面板
本申请要求2018年7月20日提交的韩国专利申请第10-2018-0084852号的权益，该申请通过引用结合于此，如同在此完全阐述一样。
技术领域
本发明涉及一种显示装置，更具体地，涉及一种头戴式显示装置和包括在其中的显示面板，在头戴式显示装置中，显示表面和观看者之间的距离是固定的。
背景技术
随着我们最近进入信息时代，可视地显示电信息信号的显示器领域已经迅速发展，并且为了满足这种发展，具有优异的性能(例如薄、重量轻和功耗低)的各种平板显示装置正在开发并迅速取代传统的阴极射线管(CRT)。
作为平板显示装置的示例，存在液晶显示(LCD)装置、等离子体显示面板(PDP)装置、场发射显示(FED)装置、有机发光二极管(OLED)显示装置、量子点显示装置等。
其中，优选的是不需要单独的光源并且实现紧凑和清晰的颜色显示的自发光显示装置(例如，有机发光二极管显示装置)。
显示装置的应用领域不仅逐渐延伸到监视器和TV，而且还延伸到观看者佩戴以能够与观看者一起移动的可佩戴型。此外，在安装在观看者头部上的设备中包括在其被观看者佩戴的状态下显示图像的显示装置。这种显示装置压靠向观看者，并且设置显示装置的区域限于受限的物理空间，因此同时需要集成以实现具有高分辨率和高亮度的清晰显示。
这种可佩戴或头戴式显示装置显示出与大规模显示装置的视角和亮度特性以及布置密度不同的倾向，因此需要开发不同的装置结构以实现高集成度和高亮度特性。
到目前为止，专注于其特性根据视角而改变的有机发光显示装置，即诸如TV的大型显示装置或诸如监视器、手机或平板电脑的通用显示装置。可穿戴或头戴式显示装置被设置成实现虚拟现实或增强现实，并且需要在受限区域内实现高集成度和高亮度，以实现接近实际图像的图像。因此，进行了对满足可穿戴或头戴式显示装置的要求的高集成度和高亮度的研究，但是难以同时实现高集成度和高亮度二者，并且根据颜色的亮度特性由于材料的限制而不同。
发明内容
因此，本发明涉及一种头戴式显示装置以及包括在其中的显示面板，该显示装置具有在显示表面和观看者之间的距离固定的结构，其基本上消除由于相关技术的限制和缺点而引起的一个或更多个问题。
本发明的目的是提供一种头戴式显示装置和包括在其中的显示面板，在头戴式显示装置中，显示表面和观看者之间的距离是固定的以实现高亮度和高集成度两者。
本发明的其他优点、目的和特征将部分地在下面的描述中阐述，并且部分地对于本领域普通技术人员在研究下文后将变得明显，或者可以从本发明的实践中获知。通过书面描述和所附权利要求以及附图中特别指出的结构可以实现和获得本发明的目的和其他优点。
为了实现这些和其他优点并且根据本发明的目的，如本文中实现和广泛描述的，头戴式显示装置包括至少一个显示面板和被配置成容置显示面板的容置结构，其中，显示面板包括：基板，其具有第一至第三子像素；反射板，其设置在第一至第三子像素中；在第一至第三子像素中的第一电极，其通过逐渐增加的第一距离、第二距离和第三距离与反射板的下表面垂直间隔开；白色有机堆叠体，其在第一至第三子像素中的第一电极上；在白色有机堆叠体上的第二电极；以及第一滤色器，其在第三子像素中的第二电极上以使波长为600nm至650nm的光透射。
白色有机堆叠体可以包括：第一堆叠体，其包括发射峰值波长为435nm至475nm的光的第一发光层、在第一发光层下方和在第一发光层上的第一公共层和第二公共层、与第二公共层接触的电荷产生层；以及第二堆叠体，其在电荷产生层上并且包括：发射峰值波长为600nm至650nm的光的第二发光层、被配置成接触第二发光层并且发射峰值波长为500nm至590nm的光的第三发光层、在第二发光层下方的第三公共层以及设置在第三发光层上的第四公共层。
在第一子像素中，白色有机堆叠体可以发光以具有单个强腔特性，所述光从第一发光层发射并且穿过第二电极。
白色有机堆叠体的厚度可以是通过将从第一发光层发射的光的波长除以白色有机堆叠体的折射率而获得的值的m/2倍(m是整数)。
基板可以固定在距观看者眼睛指定距离处。
第一发光层可以包括具有20nm至35nm的半峰全宽(FWHM)的蓝色掺杂剂。
第一发光层可以包括硼基蓝色掺杂剂。
第一距离可以是反射板的厚度，反射板和第一电极可以在第一子像素中彼此接触，并且还可以在第二子像素和第三子像素中的反射板和第一电极之间设置透明无机膜。
头戴式显示装置还可以包括在第二子像素中的第二电极上的第二滤色器，其与第一滤色器共面，以使530nm至570nm波长的光透射。
头戴式显示装置还可以包括具有85％或更高的透射率的透明膜，该透明膜在第一子像素中的第二电极上，以与第一滤色器共面。
应理解，本发明的前述一般描述和以下详细描述都是示例性和说明性的，并且旨在提供对要求保护的本发明的进一步说明。
附图说明
本发明包括附图以提供对本发明的进一步理解，并且附图被并入且构成本申请的一部分，附图示出了本发明的实施方式，并且与说明书一起用于解释本发明的原理。在附图中：
图1是示出根据本发明第一实施方式的有机发光器件阵列的截面图；
图2是表示根据波长的硼基和芘基蓝色掺杂剂的强度特性的曲线图；
图3是表示当将硼基掺杂剂施加至根据本发明的有机发光器件阵列时，在将蓝色滤色器施加至第一子像素和不施加至第一子像素的情况下，硼基掺杂剂的根据波长的强度特性的曲线图；
图4是示出根据本发明的显示面板的截面图；
图5是示出根据本发明的第二实施方式的有机发光器件阵列的截面图；
图6是表示根据本发明的第二实施方式的有机发光器件阵列的绿色滤色器的透射率变化的几个测试例中的DCI覆盖率的曲线图；
图7是示出根据本发明的第三实施方式的有机发光器件阵列的截面图；
图8是根据本发明的一个实施方式的头戴式显示装置的透视图；
图9是图8的顶视图；
图10是根据本发明的另一实施方式的头戴式显示装置的透视图；以及
图11是示出图10的头戴式显示装置与观看者的眼睛之间的关系的视图。
具体实施方式
现在将详细参考本发明的优选实施方式，其示例在附图中示出。然而，本发明可以以许多替选形式实施，并且不应该被解释为限于这里阐述的实施方式，并且提供本发明的实施方式仅仅是为了完全公开本发明并且完全告知本领域技术人员本发明的范围。此外，考虑到易于制备说明书来选择在本发明的实施方式的以下描述中使用的元件的名称，并且因此这些名称可以与实际产品的部件的名称不同。
在附图中公开的用于描述本发明的实施方式的形状、尺寸、速率、角度、数量等仅是示例性的，并不限制本发明。在以下对实施方式和附图的描述中，相同或相似的元件由相同的附图标记表示，即使它们在不同的附图中示出亦如此。在以下对本发明实施方式的描述中，当可能使本发明的主题相当不清楚时，将省略对这里包含的已知功能和配置的详细描述。在以下对实施方式的描述中，术语“包括”、“具有”、“由......组成”等将被解释为表示存在说明书或其组合中指示的一个或更多个其他特征、数字、步骤、操作、元件或部件，并且除非使用术语“仅”，否则不排除存在特征、数字、步骤、操作、元件、部件或其组合，或添加它们的可能性。应当理解，除非另有说明，否则元件的单数表示包括元件的复数表示。
在解释包括在本发明的各种实施方式中的元件时，将解释为即使没有明确的表述，元件也包括误差范围。
在以下对实施方式的描述中，将理解，当表达位置关系时，例如，当元件在另一元件“上”、“上方”、“下方”、“旁边”等时，这两个元件可以彼此直接接触，或者可以在两个元件之间插入一个或更多个其他元件，除非使用术语“紧接”或“直接”。
在以下对实施方式的描述中，将理解，当表述时间关系时，例如，表述事件序列的术语如“之后”、“随后”、“接下来”或“之前”可以包括事件之间的连续关系，或事件之间的不连续关系，除非使用术语“紧接”或“直接”。
在以下对实施方式的描述中，应当理解，当术语“第一”、“第二”等被用于描述各种元件时，这些术语仅用于区分相同或相似的元件。因此，除非另有说明，否则在本发明的技术范围内由术语“第一”修饰的元件可以与由术语“第二”修饰的元件相同。
本发明的各种实施方式的特征可以部分地或完全地彼此连接或组合，并且在技术上不同地彼此驱动和互锁，并且各个实施方式可以独立地实现或者彼此结合在一起实现。
首先，在下面将描述的术语中，将描述有机发光器件阵列和显示面板。
在以下本发明的实施方式的描述中，有机发光器件阵列是指考虑到光学特性设置在基板上的具有发射不同颜色的光的有机发光器件的多个子像素的阵列，并且显示面板包括分别设置在子像素中以驱动有机发光器件阵列的各个子像素的驱动薄膜晶体管。
在根据本发明的头戴式显示装置中，对应于观看者的两只眼睛设置两个显示面板。
图1是示出根据本发明的第一实施方式的有机发光器件阵列的截面图。
如图1中示例性示出的，根据本发明的第一实施方式的有机发光器件阵列包括：基板100，其具有第一至第三子像素B-S、G-S和R-S；反射板110，其设置在第一至第三子像素B-S、G-S和R-S中；在第一至第三子像素B-S、G-S和R-S中的第一电极120，其定位成与反射板110的下表面垂直间隔开逐渐增加的第一距离a、第二距离b和第三距离c；白色有机堆叠体OS，其设置在第一至第三子像素B-S、G-S和R-S中的第一电极120上；第二电极190，其设置在白色有机堆叠体OS上；以及第一滤色器230，其设置在第三子像素R-S中的第二电极190上以使波长为600nm至650nm的光透射。
这里，在第一至第三子像素B-S、G-S和R-S中的每一个中，具有相同分层结构的白色有机堆叠体OS设置在第一电极120和第二电极190之间，但是反射板110的下表面与第一电极120之间的垂直距离变化，以实现反射板110和第二电极190之间的最佳光发射，并且使具有精细谐振效应的波长变化。
反射板110由反射金属即选自由Ag、Ag合金、Al、Al合金和APC(Ag：Pb：Cu)组成的组中的至少一种形成，并且用作镜，并且第二电极190由AgMg或包含AgMg的合金形成或者是由铟锡氧化物(ITO)或铟锌氧化物(IZO)形成的透明氧化膜，用作半镜，仅放大和透射形成在第二电极190下方的由谐振距离确定的特定波长的光，并且利用反射板110重复其余波长的光的反射。
在本发明中，为了改善第二电极190和反射板110之间的反射特性并根据每个子像素的谐振距离增加强腔特性，第二电极190可以由AgMg或包含AgMg的合金形成。
因此，当第一至第三子像素B-S、G-S和R-S中的每一个的白色有机堆叠体OS的发光层发光时，从发光层向上和向下透射的光被反射板110的表面和第二电极190反复反射，并且与从反射板110的下表面到第二电极190的距离对应的特定波长的光可以通过强微腔效应集中地发射到第二电极190。在这种情况下，当在各个子像素B-S、G-S和R-S中反射板110的上表面和第二电极190之间的距离被称为d时，形成等式2nd＝mλ(这里，n是白色有机堆叠体OS的平均折射率，m是整数，并且λ是通过微腔效应由相应像素中的第二电极190发射的光的波长)。也就是说，为了使得第一至第三子像素B-S、G-S和R-S能够发射不同颜色的光，第一电极120被定位成与反射板110的下表面垂直间隔开第一距离a、第二距离b和第三距离c。第一距离a对应于反射板110的厚度，因此反射板110的上表面与第一子像素B-S中的第一电极120接触。在每个子像素中，从反射板110的上表面执行光的反射，并且，根据第一透明无机膜115a或第二透明无机膜115b的存在，在反射板110和第二电极190之间谐振以具有与第一子像素B-S中的光的谐振距离不同的谐振距离的光被发射。
第二距离b和第三距离c比第一距离a长，第三距离c比第二距离b长，并且通过改变设置在第二子像素G-S和第三子像素B-S中的反射板110和第一电极120之间的透明无机膜115a和115b的厚度来调整第二距离b和第三距离c。
透明无机膜115a和115b与第一电极120具有0.3或更小的折射率差，使得在反射板110与第二电极190之间的光的谐振期间，大部分光透过第一透明无机膜115a和第二透明无机膜115b，透明无机膜115a和115b中的每一个的厚度与白色有机堆叠体OS的厚度相加，从而被用于确定相应子像素的谐振波长。
在这种情况下，第一电极120是包括铟锡氧化物(ITO)或铟锌氧化物(IZO)的透明氧化物电极或包括钛(Ti)、锌(Zn)、铟(In)等的氮化物电极，具有与白色有机堆叠体OS的首先形成的第一公共层HIL/HTL130的优异的界面匹配、透明度和与ITO相同或相似的功函数，并且在大多数情况下通过表面处理直接增强与有机层的界面处的形态。此外，在一些情况下，第一电极120可以由与第二电极190相同的材料形成，并且与反射板110具有非常短的距离，因此用于使来自反射板110的光向上直接透射或使来自第二电极190的光向下穿过第一电极120的两个表面直接透射，而不是使光反射。
在根据本发明的有机发光器件阵列中，白色有机堆叠体OS包括多个有机层，并且特别地，包括不同的发光堆叠体，即，被电荷产生层N/P-CGL160分开的第一堆叠体S1和第二堆叠体S2。
在根据本发明的有机发光器件阵列中，白色有机堆叠体OS的特征在于，各个有机层形成为共同覆盖整个子像素，而不区分子像素。在根据本发明的有机发光器件阵列中，基板100被定位成靠近观看者的每只眼睛，基板100和观看者的眼睛之间的距离由其中安装有机发光器件阵列的容置设备固定，因此，考虑到眼睛的移动和眼睛对图像的感测，基板100具有约3英寸或更小的小尺寸。此外，为了在头戴式显示装置中实现与虚拟现实和增强现实相对应的图像，需要在上述小区域中布置1000个或更多个像素(一个像素包括三个或更多个子像素)，并且在这种情况下，每个子像素应具有小于10μm的宽度。
在这种高分辨率和高集成度的有机发光器件阵列(显示面板)中，为了在各个子像素中形成不同的空穴/电子传输层或发光层，需要根据各个传输层和发光层的颜色的不同的沉积掩模。通过使用以非接触类型定位以与基板间隔开的沉积掩模沉积蒸镀的有机材料来进行使用沉积掩模的有机材料的沉积工艺。这里，难以制造具有精细宽度的开口的沉积掩模，并且即使使用具有精细开口的沉积掩模，由于在开口边缘处的干涉，开口和沉积区域也不完全彼此对应，并且因此有机材料可以沉积在比开口更大的区域上，或者可以改变开口边缘处的沉积厚度。因此，当沉积掩模和基板之间发生未对准时，有机材料在错误位置的沉积或沉积的有机材料在相同发光区域中的厚度差异导致产量降低。
因此，在需要小型化和高集成度的头戴式显示装置中使用的有机发光器件阵列中，发光层不根据子像素划分，均包括发光层的多个堆叠体被应用于所有子像素，并且如上所述，通过由于透明无机膜115a和115b的设置而使在各个子像素B-S、G-S和R-S中的反射板110的下表面和第二电极190之间的距离a、b和c改变，光在相应子像素中谐振的垂直距离被调整，以使选择性的微腔波长特性改变。
例如，白色有机堆叠体OS包括：第一堆叠体S1，其包括发射峰值波长为435nm至475nm的光的第一发光层(B-EML)140、设置在第一发光层(B-EML)140下方和第一发光层(B-EML)140上的第一公共层(HIL/HTL)130和第二公共层(ETL)150、接触第二公共层(ETL)150的电荷产生层(N/P-CGL)160；第二堆叠体S2，其设置在电荷产生层(N/P-CGL)160上并且包括发射峰值波长为600nm至650nm的光的第二发光层(R-EML)175、接触第二发光层(R-EML)175以发射峰值波长为500nm至590nm的光的第三发光层((Y)G-EML)180、设置在第二发光层(R-EML)175下方的第三公共层(HTL)170、以及设置在第三发光层((Y)G-EML)180上的第四公共层185。
在图1中，第一子像素B-S发射蓝光，第二子像素G-S发射绿光，并且第三子像素R-S发射红光。然而，本发明不限于此，第二子像素G-S可以发射相似波长范围的光，例如黄绿光、黄光等。
由每个子像素发射的光的颜色由设置在第一至第三发光层(B-EML，R-EML，(Y)G-EML)140、175和180中的掺杂剂的特性确定。第二发光层(R-EML)175可以包括峰值波长为600nm至650nm的红色掺杂剂，并且第三发光层((Y)G-EML)180可以包括峰值波长为500nm至590nm的绿色、黄绿色或黄色掺杂剂。在第一至第三发光层140、175和180中的每一个中，具有与由其发射的光的颜色相对应的波长的掺杂剂被包括在一个或更多个主体中，并且各个主体将能量传输至掺杂剂以激发掺杂剂。
特别地，根据本发明的有机发光器件阵列的第一发光层(B-EML)140使用蓝色荧光掺杂剂，并且蓝色荧光掺杂剂具有435nm至475nm的峰值波长，从而发射接近深蓝色的蓝光。蓝色掺杂剂具有以下发光特性：其具有在20nm至35nm的窄的半峰全宽(FWHM)内的峰值波长强度的50％或更高的强度，并且由第一发光层(B-EML)140发射的深蓝色的窄波长范围内的光在第一子像素B-S中的反射板110和第二电极190之间的距离中精细地谐振，被放大并因此发射到第二电极190。特别地，用于限制光强度的光学构件(例如滤色器)没有被设置在第一子像素B-S中的第二电极190的上表面上，并且其原因是由第一子像素B-S穿过第二电极190发射的光是从第一发光层(B-EML)140发射的在窄FWHM中具有单一或者几乎单一波长的光以具有强微腔特性，因此不必滤除除深蓝色范围之外的其他范围内的波长的光。因此，可以从第一子像素B-S中省略滤色器，可以完全使用通过第一子像素B-S中的白色有机堆叠体OS发射到第二电极190的蓝光而没有损耗，因此可以获得亮度增加效果。这里，白色有机堆叠体OS的厚度(d)可以成为第一子像素B-S的最佳谐振距离，并且厚度(d)可以是通过将由第一发光层(B-EML)140发射的光的波长(λb)除以白色有机堆叠体OS的平均折射率(n)获得的值的大约m/2倍(m是整数)(d＝m*λb/2n)。
另一方面，第一滤色器(也称为红色滤色器)230被设置在第三子像素R-S的第二电极190的上表面上。由于在第三子像素R-S中设置第二透明有机膜115b，因此第三子像素R-S中从反射板110到第二电极190的距离大于第一子像素B-S中的距离。这里，可以确定第二透明有机膜115b的厚度，使得红光的波长(λr)的整数倍等于通过将第三子像素RS中从反射板110到第二电极190的距离(dr)乘以白色有机堆叠体OS的平均折射率(n)然后乘以2而获得的值(2n*dr＝ma*λr)。由于第二透明无机膜115b的厚度，因此对应于长波长的红色波长(λr)的整数倍(ma*λr)可以等于对应于短波长的蓝色波长(λb)的整数倍(mb*λb)，这意味着通过第三子像素R-S中的反射板110和第二电极190之间的距离放大并通过第二电极190发射的光可能引起蓝色波长干涉。也就是说，由于可以从相同的子像素发射多个波长的光，所以在第三子像素R-S中设置透射红光并吸收除红光之外的波长的光的红色滤色器230。
此外，在根据本发明的第一实施方式的有机发光器件阵列的第二子像素G-S中也未设置滤色器。第一透明无机膜115a的厚度小于第二透明无机膜115b的厚度，第一子像素B-S和第二子像素G-S之间的谐振距离的差异小，由此容易使绿色波长的整数倍(mc*λg)与蓝色波长的整数倍(mc*λb)不同(可以避免第一子像素和第二子像素的最佳谐振距离的交叠)，并且即使宽范围内的绿色波长的光被发射到第二子像素G-S中的第二电极190，绿光的可见范围也宽，由此其他颜色的光的可见度不高。此外，在白色有机堆叠体OS的第一至第三发光层140、175和180中，与第一发光层140和第二发光层175(B-EML和R-EML)的蓝色掺杂剂含量和红色掺杂剂含量相比，通过增加发射绿光(或黄绿光或黄光)的第三发光层(G-EML或YG-EML)180的绿色(或黄绿色或黄色)掺杂剂含量，有机发光器件阵列的白光的发光效率在很大程度上取决于绿光(或黄绿光或黄光)的发光效率，并且即使从第二子像素G-S部分地发射其他颜色的光，其可见度也降低，由此可以省略绿色滤色器的使用。
在图1的有机发光器件阵列中，第一透明无机膜115a和第二透明无机膜115b可以通过使用其中透射区域和透反区域不同的掩模对相同的透明无机材料进行图案化来形成。
此外，第一透明无机膜115a和第二透明无机膜115b可以是例如透明无机绝缘膜(例如，氧化物膜或氮化物膜)或具有透明性的电极。在具有透明性的电极的情况下，反射板110、第一透明有机膜115a或第二透明有机膜115b以及第一电极120形成堆叠结构并且彼此表面接触，由此第一电极120的薄层电阻降低。
此外，在图1中，未描述的附图标记200是其中堆叠有机层和无机层的覆盖层CPL，并且未描述的附图标记2000是通过交替堆叠至少一对无机膜(PAS)210和有机膜220而形成的封装层。
封装层2000的无机膜PAS 210和有机膜220可以分别具有是包括覆盖层CPL 200的下部结构的每层的厚度的两倍或更多倍的厚度以充分覆盖并保护下部结构。特别地，封装层2000的有机膜220的厚度可以是包括覆盖层CPL 200的下部结构的每层的厚度的十倍或更多倍，由此，即使在处理期间产生颗粒或发生内部出气，也可以稳定地覆盖颗粒和气体使其不流动，并且防止由颗粒或出气引起的有机发光器件阵列的寿命缩短。尽管图1将封装层2000示出为包括单个无机膜PAS 210和单个有机膜220，但是封装层2000不限于此，并且可以包括交替设置使得无机膜作为最上层膜设置在封装层2000中的多对或N.5对(N是自然数)无机膜和有机膜。封装层2000的无机膜PAS 210可以是氧化膜或氮化膜，或者包括少量被添加到氧化物膜或氮化物膜中以保持透明性的具有覆盖性的金属组分(例如，铝)，并且具有约1μm左右的厚度。封装层2000的有机膜220可以由有机材料形成，以具有约10μm左右的厚度。在封装层2000中，无机膜210具有比有机膜220更大的面积，使得无机膜210可以防止水分从外部渗透。
在白色有机堆叠体OS的第一堆叠体S1中，第一公共层130具有辅助从第一电极120注入空穴的空穴注入功能和将注入的空穴传输至第一发光层140的空穴传输功能。因此，第一公共层130可以具有空穴注入层HIL和空穴传输层HTL。
第一发光层140可以是蓝色发光层B-EML。
此外，第二公共层150具有将从电荷产生层(N/P-CGL)160传送的电子传输至第一发光层140的功能。因此，第二公共层150也被称为电子传输层ETL。
此外，电荷产生层(N/P-CGL)160可以通过堆叠n型电荷产生层n-CGL和p型电荷产生层p-CGL形成，或者形成为单层。
此外，在第二堆叠体S2中，第三公共层(HTL)170具有将从电荷产生层(N/P-CGL)160传送的空穴传输至第二发光层(R-EML)175、第三发光层(G-EML或YG-EML)180的功能，并且第四公共层(ETL/EIL)185具有辅助从第二电极190注入电子并将注入的电子传输至第三发光层(G-EML或YG-EML)180的功能。
可以根据功能将第一至第四公共层(HIL/HTL)130、(ETL)150、(HTL)170和(ETL/EIL)185划分为多个层。
在下文中，将描述施加至根据本发明的有机发光器件阵列的第一发光层(B-EML)140的蓝色掺杂剂的特性。
图2是表示硼基和芘基蓝色掺杂剂的根据波长的强度特性的曲线图。
图2表示硼基的蓝色掺杂剂和芘基的蓝色掺杂剂，即具有不同FWHM特性的代表性蓝色掺杂剂。
尽管图2示出了具有相同峰值波长的两种掺杂剂，但是硼基蓝色掺杂剂具有20nm至35nm的FWHM，并且呈现在比具有约50nm的FWHM的芘基蓝色掺杂剂更窄的波长范围内的蓝光发射特性。
尽管图2示出了具有约25nm的FWHM的硼基蓝色掺杂剂，但是通过调整硼基蓝色掺杂剂的取代基，可以将硼基蓝色掺杂剂的FWHM调整到20nm至35nm的范围内。
硼基蓝色掺杂剂采用具有硼和氮谐振的结构的化合物，如化学式1或2所示。化学式2表示的化合物通过将联苯胺和苯基引入在化学式1中表示为取代基的DABNA-1中获得。
[化学式1]
[化学式2]
因此，根据本发明的有机发光器件阵列可以使用具有窄波长范围内的发光特性的蓝色掺杂剂(例如，设置在第一发光层140中的硼基蓝色掺杂剂)来使用发光材料本身的滤光特性，而没有设置在发光表面上的滤色器层，即第二电极190。
此外，除了上述硼基蓝色掺杂剂之外，可以使用可以具有在窄波长范围(即，在20nm至35nm的FWHM中)的发光特性的任何掺杂剂材料，并且因此，可以省略相同的滤色器。
图3是表示当将硼基掺杂剂施加至根据本发明的有机发光器件阵列时，在将蓝色滤色器施加至第一子像素和未施加至第一子像素的情况下，硼基掺杂剂的根据波长的强度特性的曲线图。
在根据本发明的有机发光器件阵列中，在第一发光层140中使用具有在窄波长范围内(即，在20nm至35nm的FWHM中)的发光特性的蓝色掺杂剂(例如，硼基蓝色掺杂剂)，并且由此从第一子像素B-S的第二电极190的上表面省略滤色器，从而防止在光穿过图3中所示的蓝色滤色器B-CL时产生的光强度的损耗并且使用蓝光发射显示器中的所有光强度。
[表1]
存在或不存在蓝色滤色器 亮度(Cd/A) CIEx CIEy 有效效率[Cd/A/CIEy]
不存在(使用硼基蓝色掺杂剂) 5.73 0.147 0.046 125
存在(使用硼基蓝色掺杂剂) 2.91 0.146 0.033 89
[表2]
存在或不存在蓝色滤色器 亮度(Cd/A) CIEx CIEy 有效效率[Cd/A/CIEy]
不存在(使用芘基蓝色掺杂剂) 9.16 0.142 0.082 111
存在(使用芘基蓝色掺杂剂) 3.50 0.140 0.047 75
表1列出了根据是否将蓝色滤色器施加至第一子像素的用作蓝色掺杂剂的硼基掺杂剂的亮度和色坐标特性，表2列出了根据是否将蓝色滤色器施加至第一子像素的用作蓝色掺杂剂的芘基掺杂剂的亮度和色坐标特性。
由于蓝光仅在其应具有足够低的亮度以及色坐标的CIEy值时才能以深蓝色呈现，因此通过将亮度(Cd/A)除以色坐标的CIEy值而获得的值被定义为有效效率。
参照表1，如果使用具有窄FWHM的硼基蓝色掺杂剂作为蓝色掺杂剂，则当使用蓝色滤色器时，蓝光的色坐标的CIEy值严重改变，并且蓝光的亮度降低是当不使用蓝色滤色器时的蓝光亮度降低的两倍。此外，当使用蓝色滤色器时，蓝光的CIEy值为0.033，这意味着蓝光可以以深蓝色呈现，但是接近紫外线范围，因此可见度降低，并且可以确认，如果使用硼基蓝色掺杂剂作为蓝色掺杂剂，则当使用蓝色滤色器时，蓝光的亮度降低并且蓝光的可见度降低。也就是说，如在根据本发明的有机发光器件阵列中，当呈现出在窄波长范围内的发光特性的硼基蓝色掺杂剂被用作施加至第一发光层的蓝色掺杂剂时，可以从第一子像素的上侧省略蓝色滤色器，由此可以同时获得蓝光的亮度的增强，滤色器的材料的减少和蓝光的可见度的增加。
参照表2，如果使用具有一般FWHM特性的芘基蓝色掺杂剂作为蓝色掺杂剂，则当使用蓝色滤色器时，蓝光的CIEy值为0.047，由此可以预期蓝光以深蓝色呈现，但是在这种情况下，可以确认，蓝光的亮度降低是当不使用蓝色滤色器时的蓝光的亮度降低的两倍以上。然而，可以理解的是，考虑到蓝色的纯度，为了以深蓝色呈现蓝色子像素发射的蓝光，当使用芘基蓝色掺杂剂作为蓝色掺杂剂时，使用蓝色滤色器是必要的。
组合表1和表2，如果使用发射深蓝光并且具有在窄波长范围内的像硼基蓝色掺杂剂那样的发光特性的蓝色掺杂剂，则即使在不使用滤色器时，蓝光的有效效率也为125，其与在使用芘基蓝色掺杂剂和蓝色滤色器的情况下的有效效率75相比提高了65％或更多，由此可以理解，与将一般的蓝色发光层施加至白色有机堆叠体的结构或其中将蓝色滤色器施加至第二电极的上表面的结构相比，根据本发明的有机发光器件阵列的结构在光学上是优异的。也就是说，当应用根据本发明的有机发光器件阵列时，可以增强发射的蓝光的纯度并且可以实现蓝光的高效率。
现在，参照表3，将描述在第三子像素中需要红色滤色器的原因。
[表3]
存在或不存在红色滤色器 亮度(Cd/A) CIEx CIEy
不存在 28.7 0.480 0.239
存在 18.3 0.674 0.311
表3列出了由第三子像素发射的光的亮度和色坐标，其中，在白色有机堆叠体中，第一发光层使用如上表1中所述的硼基蓝色掺杂剂，并且根据红色滤色器是否施加至第三子像素，第二发光层和第三发光层分别使用绿色掺杂剂和红色掺杂剂。如表3中所述，如果不使用红色滤色器，则可以根据CIEx和CIEy色坐标值确认发生蓝色波长干涉，由此不从第三子像素(红色子像素)发射纯红光，而发射接近紫色的颜色的光。因此，在根据本发明的有机发光器件阵列中，红色滤色器被设置在第三子像素中，并且滤除从第三子像素发射的光中的蓝光。
表4列出了由第二子像素发射的光的亮度和色坐标，其中，在白色有机堆叠体中，第一发光层使用如上表1中所述的硼基蓝色掺杂剂，并且第二发光层和第三发光层根据是否将绿色滤色器施加至第二子像素而分别使用绿色掺杂剂和红色掺杂剂。
[表4]
存在或不存在绿色滤色器 亮度(Cd/A) CIEx CIEy
不存在 63.3 0.280 0.680
存在 59.5 0.268 0.696
如表4中所述，根据绿色滤色器是否施加至第二子像素，色坐标的CIEx和CIEy值略有不同，但是，即使绿色滤色器未施加至第二子像素，CIEx和CIEy值也不在发射绿光的范围之外。也就是说，表4中所述的结果意味着，即使如在根据本发明第一实施方式的有机发光器件阵列中未将绿色滤色器施加至第二子像素，也可以发射具有优异可见度和亮度特性的绿光。根据上述表1至表4的结果，即使在由于长波长的影响而仅在具有另一短波长的光的干涉的第三子像素中设置红色滤色器，各个子像素也可以发射相应的颜色(即，红色、绿色和蓝色)的光，具有高纯度和改善的亮度。
在下文中，将描述应用根据本发明第一实施方式的有机发光器件阵列的显示面板。
图4是示出根据本发明的显示面板的截面图。
如图4中示例性示出的，在根据本发明的显示面板中，可以在具有规则布置的第一至第三子像素B-S、G-S和R-S的基板100上设置缓冲层101，可以在子像素B-S、G-S和R-S中的每一个中的缓冲层101上设置驱动薄膜晶体管310，并且图1所示的上述有机发光器件阵列可以设置成连接至相应的驱动薄膜晶体管310。
在根据本发明的显示面板中，基板100可以是例如透明玻璃基板、透明塑料基板和硅晶片基板中的一种。此外，基板100可以安装在头戴式显示装置中，并且根据头戴式显示装置的容置部分的曲率由具有可弯曲性的柔性材料形成。
此外，如果基板100被应用于被实现成使得观看者在基板100直接对应于观看者的双眼的条件下观看增强现实图像的头戴式显示装置，则基板100可以是透明的。
另一方面，如果基板100被应用于被实现成使得观看者在基板100直接对应于观看者的双眼的条件下观看虚拟现实图像的头戴式显示装置，则基板100可以不透明。
如果在基板100不直接对应于观看者的双眼而对应于观看者的眼睛的外部的条件下将基板100容置在头戴式显示装置中，则基板100可以不透明。在一些情况下，如果基板100采用硅晶片基板，则可以容易地将各个层的图案调整为接近纳米级的精细图案。
这里，各个驱动薄膜晶体管310导电地连接至对应的第一电极120。
尽管图示的示例示出了由反射电极形成的反射板110，使得反射板110导电地连接至第一电极120，并且驱动薄膜晶体管310实际上直接连接至反射板110，但是本发明不限于此，并且根据情况需要，反射板110可选地仅使用反射率，可以没有导电性，并且可以不导电地连接至第一电极120。即使反射板110没有导电地连接至第一电极120，与上述通过图1的描述相同的方式，在第一至第三子像素B-S、G-S和R-S中的从反射板110的下表面到第一电极120的第一至第三距离a、b和c也不同。
在第二子像素G-S和第三子像素R-S中，第一透明无机膜115a和第二透明无机膜115b也可以设置在反射板110和第一电极120之间，以调整反射板110的下表面和第二电极190之间的距离。
驱动薄膜晶体管310可以包括：半导体层311，其设置在缓冲层101的指定区域上；栅电极312，其被配置成与半导体层311的一部分交叠，在半导体层311和栅电极312之间插入有栅极绝缘膜102；以及源电极313和漏电极314，其连接至半导体层311两侧。
尽管所示示例示出了其中栅电极312位于半导体层311上的顶部栅极结构，但是本发明不限于此，并且可以形成其中栅电极312位于半导体层311下方的底部栅极结构。
此外，半导体层311可以由选自由多晶硅、非晶硅、氧化物半导体或其一些的组合组成的组中的一种形成，并且在一些情况下，半导体层311可以实现为具有仅在除沟道区域之外的区域中的晶体结构。
此后，栅电极312被覆盖在栅极绝缘膜102的上表面上，层间绝缘膜103被设置在源电极313和漏电极314的下表面上，并且覆盖源电极313和漏电极314的无机保护膜104和有机保护膜105依次形成在层间绝缘膜103上。
源电极313和漏电极314通过穿过层间绝缘膜103和栅极绝缘膜102形成的接触孔CT连接至半导体层311。
有机保护膜105形成为具有1μm或更大的足以抵消下部构造的台阶高度的厚度，并且有机保护膜105的表面可以是平坦的。
此外，由选自由铝(Al)、Al合金、银(Ag)、Ag合金和APC(Ag：Pb：Cu)组成的组中的至少一种形成以具有导电性的反射板110通过穿过有机保护膜105和无机保护膜104形成的接触孔连接至漏电极314。
在根据本发明的显示面板中，各个子像素的发光部件BEM、GEM和REM可以通过堤260彼此分开，堤260被配置为围绕相应的发光部件BEM、GEM和REM。位于相邻子像素之间的沟槽T经由堤260形成到有机保护膜105的厚度的一部分，由此将子像素彼此分开。沟槽T被设置成当形成白色有机堆叠体OS的多个有机层在小型化和高度集成的装置(如根据本发明的显示面板)中的子像素之间没有区分地形成时减少对应于沟槽T的垂直部分的有机材料的沉积，以根据子像素在结构上划分有机层。即使形成有机层的沉积掩模的开口没有根据子像素划分，有机材料的沉积也具有强的直线性，由此有机材料不能很好地积聚在沟槽T的垂直部分中，从而相邻的子像素可能在结构上彼此分开，并且可以防止相邻子像素之间的漏电流。
此外，堤260由诸如氧化物膜(SiOx)或氮化物膜(SiNx)的无机膜形成。如果堤260由有机膜形成，则难以控制细线宽度，并且如果堤260由无机膜形成，则线宽不超过几μm，此外，在分辨率较高的情况下，可以调整纳米级线宽。
设置在子像素B-S、G-S和R-S的每一个中的白色有机堆叠体OS、第二电极190、覆盖层200、封装层2000、第一滤色器230、第一电极120和反射板110的细节与上述图1的描述相同。
各个子像素B-S、G-S和R-S的发光部件BEM、GEM和REM被定义为堤260内的区域，并且可以是各个子像素B-S、G-S和R-S的实际发光区域。
在下文中，将描述根据本发明的第二实施方式的有机发光器件阵列。
图5是示出根据本发明的第二实施方式的有机发光器件阵列的截面图。
如图5中示例性示出的，与上述根据本发明的第一实施方式的有机发光器件阵列相比，根据本发明的第二实施方式的有机发光器件阵列还包括与第二子像素G-S对应的第二滤色器240。
在这种情况下，第二滤色器240不完全阻挡除绿色峰值波长之外的其他波长的光，并且可以通过调整其中包括的光吸收组分来增加透射率。
图6是表示根据本发明的第二实施方式的有机发光器件阵列的绿色滤色器的透射率变化的若干测试示例中的数字电影倡议联盟(Digital Cinema Initiatives，DCI)覆盖范围的曲线图。
下面的表5和图6表示当绿色滤色器的透射率从第一透射率逐渐降低到第四透射率时，色坐标和亮度的变化以及数字电影倡议联盟(DCI)覆盖率的变化。
DCI覆盖率是表示色域的指数，意指在以红色、绿色和蓝色表示的整个色域中适合于数字电影表达的色域标准，并且包括在CIE 1931标准比色系统中。
在测试示例中，如果未应用绿色滤色器，则透射率对应于100％，并且如果应用绿色滤色器，则第一透射率对应于97％，第二透射率对应于94.2％，第三透射率对应于94％并且第四透射率对应于91.6％。
参照表5的结果和DCI覆盖范围，可以理解，如果使用绿色滤色器并且其透射率逐渐降低，则DCI覆盖率增加，因此色域变宽。然而，由于当绿色滤色器的透射率降低时，滤光效果增加并且光强度趋于降低，因此即使施加绿色滤色器，绿色滤色器的透射率也应保持在85％或更多以可以保持指定的亮度水平。
[表5]
测试示例 具体的 CIEx CIEy 亮度(Cd/A) DCI覆盖率
(a) 没有滤色器 0.280 0.680 63.3 97.46％
(b) 滤色器的第一透射率 0.274 0.689 61.3 98.38％
(c) 滤色器的第二透射率 0.269 0.695 59.7 98.99％
(d) 滤色器的第三透射率 0.268 0.696 59.5 99.04％
(e) 滤色器的第四透射率 0.263 0.701 57.9 99.15％
也就是说，根据本发明的第二实施方式的有机发光器件阵列包括第二子像素G-S中的绿色滤色器240和第三子像素R-S中的红色滤色器230，并且可以具有增加的DCI覆盖率，同时保持与根据本发明的第一实施方式的有机发光器件阵列类似的亮度水平。增加的DCI覆盖率意味着色域的扩展和以绿色表示的未混合颜色的范围的增加，因此意味着观看者可以观看接近实际图像的图像。
图7是示出根据本发明的第三实施方式的有机发光器件阵列的截面图。
如图7中示例性示出的，与图5所示的根据第二实施方式的有机发光器件阵列相比，根据本发明的第三实施方式的有机发光器件阵列还包括透明膜250，其具有与第一滤色器230或第二滤色器240相同的厚度，并且被设置在第一子像素(蓝色子像素)中以防止表面台阶。
如果设置透明膜250，则透明膜250不具有光吸收组分，因此保持由第一子像素B-S发射的蓝光的峰值波长特性。然而，透明膜250具有85％或更高的透射率，以防止第一子像素B-S中的光强度降低。
在一些情况下，可以将覆盖膜施加至第一实施方式的结构的上侧，以实现相同的目的，即防止表面台阶。
现在，将描述应用根据本发明的有机发光器件阵列和使用该有机发光器件阵列的显示面板的各种类型的头戴式显示装置。
头戴式显示装置可以具有各种外观，即眼镜类型、头盔类型、带类型等。
图8是根据本发明的一个实施方式的头戴式显示装置的透视图，图9是图8的顶视图。
如图8和图9中示例性示出的，根据本发明的一个实施方式的头戴式显示装置1000形成为具有带400，其中观看者可以体验虚拟现实。
头戴式显示装置1000包括：容置结构550，其中容置对应于观看者的眼睛LE和RE两者的第一显示面板510和第二显示面板520；以及第一透镜单元450a和第二透镜单元450b，其设置在第一显示面板510和第二显示面板520与观看者的眼睛LE和RE之间以将图像会聚在观看者的眼睛LE和RE上。
在这种情况下，由于头戴式显示装置1000随着观看者的头部的移动而一起移动，所以第一显示面板510和第二显示面板520与观看者的眼睛LE和RE之间的垂直距离D1是相同的，而不管观看者的移动。
因此，由于当左眼LE观看第一显示面板510并且右眼RE观看第二显示面板520时视点被固定，因此观看者的眼睛LE和RE可以观看从第一显示面板510和第二显示面板520发出的图像而没有视角偏差。
图10是根据本发明的另一实施方式的头戴式显示装置的透视图，图11是示出图10的头戴式显示装置与观看者的眼睛之间的关系的视图。
如图10和图11中示例性示出的，根据本发明的另一实施方式的头戴式显示装置3000向观看者提供增强现实，并且是透明透镜610和620被设置成定位在观看者的眼睛LE和RE的前方，使得观看者可以通过双眼LE和RE观看外部环境的类型(例如，眼镜类型)。然而，头戴式显示装置3000不限于此，并且可以是其中透明透镜610和620被设置成定位在观看者的眼睛LE和RE的前方，使得观看者可以在查看外部环境时观看增强现实的头盔类型或带型。
根据本发明的另一实施方式的头戴式显示装置3000包括：透明透镜单元，其包括在观看者的眼睛LE和RE前面彼此分开的第一透明透镜610和第二透明透镜620；容置结构650，其具有围绕第一透明透镜610和第二透明透镜620的边缘630和从边缘630的两侧延伸以悬挂在观看者的耳朵上的延伸部分。
此外，图像传送单元640安装在容置结构650上，并且每个图像传送单元640包括：显示面板640a，其以相同的倾斜距离定位在观看者的眼睛LE和RE的两侧中的每一侧处；以及反射镜640b，其被配置成将由显示面板640a发射的图像传输至对应的透明透镜610或620。
上述头戴式显示装置仅是示例，并且可以进行各种修改。然而，在根据本发明的头戴式显示装置中，观看者的眼睛与相应的显示面板之间的距离不脱离垂直、倾斜或水平距离，因此观看者不会感觉到相对于各个显示面板显示的图像的观看角度特性。
从以上描述明显的是，根据本发明的头戴式显示装置和包括在其中的显示面板具有如下效果。
根据本发明的头戴式显示装置利用观看者的眼睛和显示面板之间的均匀观看距离使反射板和第二电极之间的距离改变，由此在各个子像素中保持强腔特性，从而实现不同颜色的发光特性，即使在各个子像素中设置相同的白色有机堆叠部亦如此。因此，可以省略滤色器，可以防止光强度的损失，从而可以改善亮度。
特别地，由于在红光、绿光和蓝光中，蓝光具有最差的亮度特性，因此通过将可以发射窄波长范围内的蓝光的蓝色掺杂剂施加至蓝色发光层，其他颜色的光由于蓝色子像素的强腔特性而可以从蓝色子像素中被排除，因此可以从蓝色子像素中省略单独的滤色器。此外，蓝色子像素的亮度增强增加了整个显示面板的亮度，并且，当同时发射红光、绿光和蓝光时保持白平衡，可以减小施加的电流，由此可以获得寿命增加。
此外，在根据本发明的头戴式显示装置中，为了防止由长波长的光的最佳谐振距离与短波长的光的最佳谐振距离的交叠引起的颜色混合，可以在发射长波长光的子像素中设置滤色器。
在根据本发明的头戴式显示装置中，具有高透射率和与滤色器的厚度相对应的厚度的透明膜设置在没有设置滤色器的特定子像素中，因此可以防止台阶并且改善可见度。
头戴式显示装置还可以包括堆叠在第一至第三子像素中的第二电极上的覆盖层和封装层，并且第一滤色器可以接触封装层。
显示面板可以包括第一显示面板和第二显示面板，第一显示面板和第二显示面板设置在容置结构内以对应于观看者的双眼。
头戴式显示装置还可以包括第一透镜单元和第二透镜单元，其设置在第一显示面板和第二显示面板与观看者眼睛之间，以将图像聚焦在观看者的眼睛上。
第一显示面板和第二显示面板可以设置在容置结构内的观看者眼睛的两侧，并且头戴式显示装置还可以包括第一反射镜和第二反射镜，所述第一反射镜和第二反射镜被配置成通过反射将由第一显示面板和第二显示面板发射的图像传送至第一透镜单元和第二透镜单元。
基板可以是透明玻璃基板、透明塑料基板和硅基板中的一种。
头戴式显示装置还可以包括在第一至第三子像素中连接至第一电极的驱动薄膜晶体管。
此外，显示面板可以包括：具有第一子像素、第二子像素和第三子像素的基板；分别设置在第一子像素、第二子像素和第三子像素中的驱动薄膜晶体管；在第一子像素、第二子像素和第三子像素中的驱动薄膜晶体管上的反射板；在第一子像素、第二子像素和第三子像素中的第一电极，其连接至驱动薄膜晶体管并且被定位成通过逐渐增加的第一距离、第二距离和第三距离与反射板的下表面垂直间隔开；白色有机堆叠体，其在第一子像素、第二子像素和第三子像素中的第一电极上；在白色有机堆叠体上的第二电极；以及第一滤色器，其在第三子像素中的第二电极上，以使波长为600nm至650nm的光透射。
白色有机叠层可包括：第一堆叠体，其包括：第一发光层，发射峰值波长为435nm至475nm的光以及第一公共层和第二公共层，其设置在第一发光层下方和第一发光层上；电荷产生层，其与第二公共层接触；以及第二堆叠体，其在电荷产生层上，并且包括发射峰值波长为600nm至650nm的光的第二发光层、接触第二发光层并且发射峰值波长为500nm至590nm的光的第三发光层、在第二发光层下方的第三公共层和在第三发光层上的第四公共层。
在第一子像素中，白色有机堆叠体可以发光以具有单个强腔特性，光从第一发光层发射并且穿过第二电极。
对于本领域技术人员明显的是，在不脱离本发明的精神或范围的情况下，可以在本发明中进行各种修改和变化。因此，旨在本发明覆盖落入所附权利要求及其等同物的范围内的本发明的修改和变化。

Claims (15)

1.一种头戴式显示装置，包括：
至少一个显示面板；以及
容置结构，其被配置成容置所述显示面板，
其中，所述显示面板包括：
具有第一子像素、第二子像素和第三子像素的基板，所述第一子像素显示蓝色；
设置在所述第一子像素、所述第二子像素和所述第三子像素中的反射板；
在所述第一子像素、所述第二子像素和所述第三子像素中的第一电极，其通过逐渐增加的第一距离、第二距离和第三距离与所述反射板的下表面垂直间隔开；
白色有机堆叠体，其在所述第一子像素、所述第二子像素和所述第三子像素中的第一电极上；
在所述白色有机堆叠体上的第二电极；以及
第一滤色器，其在所述第三子像素中的第二电极上，以使波长为600nm至650nm的光透射，
其中，穿过所述第一子像素中的第二电极的光是从所述白色有机堆叠发射以具有单个强腔特性的蓝光，以及
其中，所述白色有机堆叠体包括：
第一堆叠体，其包括：第一发光层，发射峰值波长为435nm至475nm并且具有窄波长范围以具有单个强腔特性的蓝光；以及第一公共层和第二公共层，其设置在所述第一发光层下方和所述第一发光层上；
电荷产生层，其与所述第二公共层接触；以及
第二堆叠体，其在所述电荷产生层上，并且包括发射峰值波长为600nm至650nm的光的第二发光层、接触所述第二发光层并且发射峰值波长为500nm至590nm的光的第三发光层、在所述第二发光层下方的第三公共层和在所述第三发光层上的第四公共层。
2.根据权利要求1所述的头戴式显示装置，其中，所述白色有机堆叠体的厚度是通过将从所述第一发光层发射的光的波长除以所述白色有机堆叠体的折射率而获得的值的m/2倍，其中，m是整数。
3.根据权利要求1所述的头戴式显示装置，其中，所述基板固定在距观看者眼睛指定的距离处。
4.根据权利要求1所述的头戴式显示装置，其中，所述第一发光层包括具有20nm至35nm的半峰全宽FWHM的蓝色掺杂剂。
5.根据权利要求1所述的头戴式显示装置，其中，所述第一发光层包括硼基蓝色掺杂剂。
6.根据权利要求1所述的头戴式显示装置，其中：
所述第一距离是所述反射板的厚度；
在所述第一子像素中，所述反射板和所述第一电极彼此接触；并且
在所述第二子像素和所述第三子像素中，在所述反射板和所述第一电极之间还设置有透明无机膜。
7.根据权利要求1所述的头戴式显示装置，还包括第二滤色器，所述第二滤色器在所述第二子像素中的第二电极上，与所述第一滤色器共面，以使530nm至570nm波长的光透射。
8.根据权利要求1所述的头戴式显示装置，还包括具有85％或更高的透射率的透明膜，所述透明膜在所述第一子像素中的第二电极上，以与所述第一滤色器共面。
9.根据权利要求1所述的头戴式显示装置，还包括堆叠在所述第一子像素、所述第二子像素和所述第三子像素中的第二电极上的覆盖层和封装层，
其中，所述第一滤色器接触所述封装层。
10.根据权利要求1所述的头戴式显示装置，其中，所述显示面板包括第一显示面板和第二显示面板，所述第一显示面板和所述第二显示面板设置在所述容置结构内，以对应于观看者的双眼。
11.根据权利要求10所述的头戴式显示装置，还包括第一透镜单元和第二透镜单元，所述第一透镜单元和所述第二透镜单元设置在所述第一显示面板和所述第二显示面板与所述观看者的眼睛之间，以将图像会聚在所述观看者的眼睛上。
12.根据权利要求11所述的头戴式显示装置，其中：
所述第一显示面板和所述第二显示面板设置在所述容置结构内的所述观看者眼睛的两侧；并且
所述头戴式显示装置还包括第一反射镜和第二反射镜，所述第一反射镜和所述第二反射镜被配置成通过反射将由所述第一显示面板和所述第二显示面板发射的图像传送至所述第一透镜单元和所述第二透镜单元。
13.根据权利要求1所述的头戴式显示装置，其中，所述基板是透明玻璃基板、透明塑料基板和硅基板中的一种。
14.根据权利要求1所述的头戴式显示装置，还包括在所述第一子像素、所述第二子像素和所述第三子像素中连接至所述第一电极的驱动薄膜晶体管。
15.一种显示面板，包括：
具有第一子像素、第二子像素和第三子像素的基板，所述第一子像素显示蓝色；
驱动薄膜晶体管，其分别设置在所述第一子像素、所述第二子像素和所述第三子像素中；
反射板，其在所述第一子像素、所述第二子像素和所述第三子像素中的所述驱动薄膜晶体管上；
在所述第一子像素、所述第二子像素和所述第三子像素中的第一电极，其连接至所述驱动薄膜晶体管，并且定位成通过逐渐增加的第一距离、第二距离和第三距离而与所述反射板的下表面垂直间隔开；
白色有机堆叠体，其在所述第一子像素、所述第二子像素和所述第三子像素中的第一电极上；
在所述白色有机堆叠体上的第二电极；以及
第一滤色器，其在所述第三子像素中的第二电极上，以使波长为600nm至650nm的光透射，
其中，穿过所述第一子像素中的第二电极的光是从所述白色有机堆叠发射以具有单个强腔特性的蓝光，以及
其中，所述白色有机堆叠体包括：
第一堆叠体，其包括：第一发光层，发射峰值波长为435nm至475nm的光；以及第一公共层和第二公共层，其设置在所述第一发光层下方和所述第一发光层上；
电荷产生层，其与所述第二公共层接触；以及
第二堆叠体，其在所述电荷产生层上，并且包括发射峰值波长为600nm至650nm的光的第二发光层、接触所述第二发光层并且发射峰值波长为500nm至590nm的光的第三发光层、在所述第二发光层下方的第三公共层和在所述第三发光层上的第四公共层。
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Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110459699B (zh) * 2019-08-30 2022-07-15 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法、显示装置
CN110783392B (zh) * 2019-11-06 2023-04-14 京东方科技集团股份有限公司 发光器件及其制造方法、显示装置
KR20210055858A (ko) * 2019-11-07 2021-05-18 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
US11264597B2 (en) * 2020-06-22 2022-03-01 Sharp Kabushiki Kaisha Multiple QD-LED sub-pixels for high on-axis brightness and low colour shift
CN112151687B (zh) * 2020-09-25 2024-02-09 京东方科技集团股份有限公司 有机电致发光器件、显示面板及显示装置
CN112242430B (zh) * 2020-10-20 2023-04-18 安徽熙泰智能科技有限公司 一种全彩硅基oled结构以及制备方法
KR20220095032A (ko) * 2020-12-29 2022-07-06 엘지디스플레이 주식회사 표시 패널 및 이를 이용한 표시 장치
KR20230169178A (ko) * 2021-04-22 2023-12-15 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
KR20230102680A (ko) * 2021-12-30 2023-07-07 엘지디스플레이 주식회사 디스플레이 장치

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101138107A (zh) * 2005-03-11 2008-03-05 出光兴产株式会社 有机电致发光彩色发光装置
WO2017110549A1 (ja) * 2015-12-25 2017-06-29 ソニー株式会社 発光素子及び表示装置
CN107068898A (zh) * 2016-02-10 2017-08-18 精工爱普生株式会社 电光学装置以及电子设备
CN108022952A (zh) * 2016-10-31 2018-05-11 乐金显示有限公司 有机发光显示装置及制造有机发光显示装置的方法
KR20180078641A (ko) * 2016-12-30 2018-07-10 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 소자 및 그를 이용한 유기 발광 표시 장치

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6661023B2 (en) * 2002-02-28 2003-12-09 Eastman Kodak Company Organic element for electroluminescent devices
KR101058109B1 (ko) * 2009-09-15 2011-08-24 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 디스플레이 장치
JP2012199231A (ja) * 2011-03-04 2012-10-18 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置
US8928240B2 (en) * 2011-08-16 2015-01-06 Abl Ip Holding Llc Method and system for driving organic LED's
KR102098139B1 (ko) * 2013-12-31 2020-04-07 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광표시장치
TWI636056B (zh) * 2014-02-18 2018-09-21 學校法人關西學院 多環芳香族化合物及其製造方法、有機元件用材料及其應用
US9570519B2 (en) * 2014-10-29 2017-02-14 Lg Display Co., Ltd. Organic light emitting display device with multi-organic layers
WO2017010488A1 (ja) * 2015-07-14 2017-01-19 シャープ株式会社 表示装置および表示装置の製造方法
KR102331042B1 (ko) * 2015-08-31 2021-11-24 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 소자
US10797113B2 (en) * 2016-01-25 2020-10-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device with layered electrode structures
JP6686497B2 (ja) * 2016-02-12 2020-04-22 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及び電子機器

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101138107A (zh) * 2005-03-11 2008-03-05 出光兴产株式会社 有机电致发光彩色发光装置
WO2017110549A1 (ja) * 2015-12-25 2017-06-29 ソニー株式会社 発光素子及び表示装置
CN107068898A (zh) * 2016-02-10 2017-08-18 精工爱普生株式会社 电光学装置以及电子设备
CN108022952A (zh) * 2016-10-31 2018-05-11 乐金显示有限公司 有机发光显示装置及制造有机发光显示装置的方法
KR20180078641A (ko) * 2016-12-30 2018-07-10 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 소자 및 그를 이용한 유기 발광 표시 장치

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