CN112242430B - 一种全彩硅基oled结构以及制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种全彩硅基OLED结构和制备方法，其中，所述全彩硅基OLED结构包括：从下至上依次叠加的金属阳极层、有机功能层、金属阴极层、封装层和滤光片层；所述有机功能层包括：发光层，以向所述金属阴极方向发射白光；所述发光层包括：红色发光单元、蓝色发光单元、绿色发光单元和发光共同传输层；所述红色发光单元和所述蓝色发光单元蒸镀在同一张FMM模板上，OLED结构上的其他结构膜层都蒸镀在CMM模板上；且在所述发光层中满足：dRB‑dG＝dEML‑R+dEML‑B。该结构克服现有技术中因RGB各自的谐振腔长不同导致的导致RGB光谱不能同时出现或者强度差异太大导致的产品的色域较低现象；以及彩色滤光片导致的光损失较大，影响产品寿命的问题。

Description

一种全彩硅基OLED结构以及制备方法
技术领域
本发明涉及OLED技术领域，具体地，涉及一种全彩硅基OLED结构以及制备方法。
背景技术
与传统的AMOLED显示技术相比，硅基OLED微显示以单晶硅芯片为基底并借助于成熟的CMOS工艺使其像素尺寸更小、集成度更高，可制作成媲美大屏显示的近眼显示产品而受到广泛关注。基于其技术优势和广阔的市场，在军事以及消费电子领域，硅基OLED微显示都将掀起近眼显示的新浪潮，为用户带来前所未有的视觉体验。
受限于金属掩膜版的制作技术，现有的高ppi硅基OLED全彩产品大多数采用WOLED(白光OLED)加CF(彩色滤光片)技术，为了实现彩色显示，WOLED的光谱通常要包含RGB 3个peak。由于RGB三种颜色的光对应不同的厚度的光学微腔，所以目前这种单一光学厚度的顶发射结构的WOLED容易出现颜色漂移的现象。
因此，提供一种在使用过程中可以克服以上技术问题，且工艺难度低，还有助于提高产品亮度和寿命的一种全彩硅基OLED结构以及制备方法是本发明亟需解决的问题。
发明内容
针对上述技术问题，本发明的目的是克服现有技术中因RGB各自的谐振腔长不同导致的导致RGB光谱不能同时出现或者强度差异太大导致的产品的色域较低现象；以及彩色滤光片导致的光损失较大，进而使产品寿命较低的问题，从而提供一种在使用过程中可以克服以上技术问题，且工艺难度低，还有助于提高产品亮度和寿命的一种全彩硅基OLED结构以及制备方法。
为了实现上述目的，本发明提供了一种全彩硅基OLED结构，所述全彩硅基OLED结构包括：从下至上依次叠加的金属阳极层、有机功能层、金属阴极层、偏振片层、封装层和滤光片层；其中，
所述有机功能层包括：发光层，以向所述金属阴极方向发射白光；
所述发光层包括：红色发光单元、蓝色发光单元、绿色发光单元和发光共同传输层；其中，
所述红色发光单元和所述蓝色发光单元蒸镀在同一张FMM模板上，以实现BR共用微腔，OLED结构上的其他结构膜层都蒸镀在CMM模板上；且在所述发光层中满足：dRB-dG＝dEML-R+dEML-B；其中，
dRB为红色发光单元和蓝色发光单元所对应的OLED结构的有机层厚度；
dG为绿色发光单元所对应的OLED结构的有机层厚度；
dEML-R为红色发光单元的厚度；
dEML-B为蓝色发光单元的厚度。
优选地，所述红色发光单元的厚度和蓝色发光单元的厚度满足以下关系：
dEML-R+dEML-B＝70N；其中，
N为正整数，所述厚度的单位为：纳米。
优选地，所述红色发光单元的厚度dEML-R的范围是35-45nm；
所述蓝色发光单元的厚度dEML-B的范围是25-35nm。
优选地，所述滤光片层包括：红色滤光片和蓝色滤光片，所述红色滤光片和所述蓝色滤光片分别涂覆在所述封装层上与所述红色发光单元和蓝色发光单元所对应的发光区域。
优选地，所述有机功能层还包括：从下到上依次排列的空穴注入层、空穴传输层、电子传输层和电子注入层。
本发明还提供了一种全彩硅基OLED结构的制备方法；所述方法包括：
通过计算公式(1)分别计算出红色发光单元、蓝色发光单元以及绿色发光单元所对应的OLED结构的有机层厚度；
通过计算公式(2)计算出红色发光单元的厚度和蓝色发光单元的厚度之和；其中，
所述计算公式(1)为：
Figure BDA0002732443710000031
其中，所述其中n为OLED器件结构中有机功能层的折射率，di为所述有机功能层的厚度，λi为OLED器件结构中微腔谐振加强波长，φ为光在OLED显示器件中金属阳极和金属阴极表面反射相移，mi为发射模的级数，也称为微腔的阶数，为正整数，i为发光单元种类；
所述计算公式(2)为：
dRB-dG＝dEML-R+dEML-B；
其中，dRB为红色发光单元和蓝色发光单元所对应的OLED结构的有机层厚度；
dG为绿色发光单元所对应的OLED结构的有机层厚度；
dEML-R为红色发光单元的厚度；
dEML-B为蓝色发光单元的厚度。
根据计算结果选取对应厚度的OLED结构中的各结构膜层；
对所述各结构膜层进行蒸镀操作。
优选地，所述对所述各结构膜层进行蒸镀操作包括：
步骤S101，使用CMM模板蒸镀空穴注入层和空穴传输层；
步骤S102，使用FMM模板蒸镀蓝色发光单元；
步骤S103，使用所述CMM模板蒸镀发光共同传输层；
步骤S104，使用所述CMM模板蒸镀绿色发光单元
步骤S105，使用所述FMM模板蒸镀红色发光单元；
步骤S106，使用所述CMM模板蒸镀电子传输层和电子注入层
步骤S107，使用所述CMM模板蒸镀金属阴极层和封装层。
优选地，所述计算公式(1)中：
n选取1.75；
λR选取618nm、λG选取530nm、λB选取460nm。
优选地，所述红色发光单元对应的微腔阶数mR为3N；
所述蓝色发光单元对应的微腔阶数mB为4N；
所述绿色发光单元对应的微腔阶数mG为3N；其中，
所述N为正整数。
优选地，在所述步骤S107，使用所述CMM模板蒸镀金属阴极层和封装层之后，所述方法还包括：
在所述步骤S108，通过黄光工艺将滤光片层涂覆在所述封装层上将滤光片层涂覆在所述封装层上与所述红色发光单元和蓝色发光单元所对应的发光区域内；其中，
所述滤光片层包括：红色滤光片和蓝色滤光片。
根据上述技术方案，本发明提供的全彩硅基OLED结构以及制备方法在使用时的有益效果为：使用一张FMM模板(高精度金属掩模板)，即R和B像素共用一张FMM，该FMM开口尺寸变大，降低了FMM制备的难度；且通过多阶微腔计算，设定的OLED器件厚度，实现R像素和B像素同步谐振加强，将G作为共同层，通过调节红色发光单元的厚度和蓝色发光单元的厚度补偿光程差，该实现补偿光程差的结构降低了工艺难度；再者利用G作为共同层，R和B使用的是FMM，所以G像素区只有G光谱发光，即在后续的涂覆彩色滤光片的工艺中可以省去绿色滤光片，只使用R和B的滤光片，简化了滤光片制程，同时G的光谱为微腔增强光谱，所以R和B的滤光片透过率波长范围要求降低；而且G像素区不使用滤光片，提高了G的发光亮度，而在产品中G发光是产品亮度和寿命的主要贡献者，从而有助于提高产品亮度和寿命。
本发明的其他特征和优点将在随后的具体实施方式部分予以详细说明；而且本发明中未涉及部分均与现有技术相同或可采用现有技术加以实现。
附图说明
附图是用来提供对本发明的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的具体实施方式一起用于解释本发明，但并不构成对本发明的限制。在附图中：
图1是本发明的一种优选的实施方式中提供的全彩硅基OLED结构的结构示意图；
图2是本发明的一种优选的实施方式中提供的FMM模板的结构示意图；
图3是本发明的一种优选的实施方式中提供的全彩硅基OLED结构的制备方法的流程图；
图4是本发明的一种优选的实施方式中提供的各结构膜层进行蒸镀操作的流程图；
图5是本发明的一种优选的实施方式中提供的OLED结构的有机层厚度为454nm时的绿色发光单元谐振增强光谱图；
图6是本发明的一种优选的实施方式中提供的OLED结构的有机层厚度为524nm时，红色发光单元和蓝色发光单元同时谐振增强的光谱图。
附图标记说明
1金属阳极层           2空穴注入层
3空穴传输层           4发光层
5电子传输层           6电子注入层
7金属阴极层           8偏振片层
9封装层               10滤光片层
401蓝色发光单元       402发光共同传输层
403绿色发光单元       404红色发光单元
具体实施方式
以下结合附图对本发明的具体实施方式进行详细说明。应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本发明，并不用于限制本发明。
在本发明中，在未作相反说明的情况下，“上、下、内、外”等包含在术语中的方位词仅代表该术语在常规使用状态下的方位，或为本领域技术人员理解的俗称，而不应视为对该术语的限制。
如图1所示，本发明提供了一种全彩硅基OLED结构，所述全彩硅基OLED结构包括：从下至上依次叠加的金属阳极层1、有机功能层、金属阴极层7、封装层9和滤光片层10；其中，
所述有机功能层包括：发光层4，以向所述金属阴极方向发射白光；
所述发光层包括：红色发光单元402、蓝色发光单元401、绿色发光单元403和发光共同传输层402；其中，
所述红色发光单元404和所述蓝色发光单元401蒸镀在同一张FMM模板上，以实现BR共用微腔，OLED结构上的其他结构膜层都蒸镀在CMM模板上；且在所述发光层中满足：dRB-dG＝dEML-R+dEML-B；其中，
dRB为红色发光单元404和蓝色发光单元401所对应的OLED结构的有机层厚度；
dG为绿色发光单元所对应的OLED结构的有机层厚度；
dEML-R为红色发光单元的厚度；
dEML-B为蓝色发光单元的厚度。
在上述方案中，使用一张FMM模板(高精度金属掩模板)，即R和B像素共用一张FMM，该FMM上开设所述R像素和B像素共用的开口区，如图2所示，其中绿色发光单元作为共同层，通过红色发光单元和蓝色发光单元的厚度调节谐振腔的厚度，以达到补偿谐振腔的作用，使R和B的像素对应的OLED结构微腔中实现R和B光谱出光，即BR共用微腔，在G像素区只有G光谱出光，这样在封装层上只需涂覆红色滤光片和蓝色滤光片即可实现全彩显示。
其中，对于所述红色发光单元的厚度和所述蓝色发光单元的厚度需要满足：dRB-dG＝dEML-R+dEML-B，从而达到厚度补偿的效果。
在本发明的一种优选的实施方式中，所述红色发光单元的厚度和蓝色发光单元的厚度满足以下关系：
dEML-R+dEML-B＝70N；其中，
N为正整数，所述厚度的单位为：纳米。
在本发明的一种优选的实施方式中，所述红色发光单元的厚度dEML-R的范围是35-45nm；所述蓝色发光单元的厚度dEML-B的范围是25-35nm。
在本发明的一种优选的实施方式中，所述滤光片层包括：红色滤光片和蓝色滤光片，所述红色滤光片和所述蓝色滤光片分别涂覆在所述封装层上与所述红色发光单元和蓝色发光单元所对应的发光区域。
在本发明的一种优选的实施方式中，所述有机功能层还包括：从下到上依次排列的空穴注入层、空穴传输层、电子传输层和电子注入层。
根据上述内容，本发明提供的全彩硅基OLED结构的工作原理为：使用一张FMM模板(高精度金属掩模板)，即R和B像素共用一张FMM，该FMM开口尺寸变大，降低了FMM制备的难度；且通过多阶微腔计算，设定的OLED器件厚度，实现R像素和B像素同步谐振加强，将G作为共同层，通过调节红色发光单元的厚度和蓝色发光单元的厚度补偿光程差，该实现补偿光程差的结构降低了工艺难度；再者利用G作为共同层，R和B使用的是FMM，所以G像素区只有G光谱发光，即在后续的涂覆彩色滤光片的工艺中可以省去绿色滤光片，只使用R和B的滤光片，简化了滤光片制程，同时G的光谱为微腔增强光谱，所以R和B的滤光片透过率波长范围要求降低；而且G像素区不使用滤光片，提高了G的发光亮度，而在产品中G发光是产品亮度和寿命的主要贡献者，从而有助于提高产品亮度和寿命。
如图3所示，本发明还提供了全彩硅基OLED结构的制备方法；所述方法包括：
通过计算公式(1)分别计算出红色发光单元、蓝色发光单元以及绿色发光单元所对应的OLED结构的有机层厚度；
通过计算公式(2)计算出红色发光单元的厚度和蓝色发光单元的厚度之和；其中，
所述计算公式(1)为：
Figure BDA0002732443710000081
其中，所述其中n为OLED器件结构中有机功能层的折射率，di为所述有机功能层的厚度，λi为OLED器件结构中微腔谐振加强波长，φ为光在OLED显示器件中金属阳极和金属阴极表面反射相移，mi为发射模的级数，也称为微腔的阶数，为正整数，i为发光单元种类；
所述计算公式(2)为：
dRB-dG＝dEML-R+dEML-B；
其中，dRB为红色发光单元和蓝色发光单元所对应的OLED结构的有机层厚度；
dG为绿色发光单元所对应的OLED结构的有机层厚度；
dEML-R为红色发光单元的厚度；
dEML-B为蓝色发光单元的厚度。
根据计算结果选取对应厚度的OLED结构中的各结构膜层；
对所述各结构膜层进行蒸镀操作。
如图4所示，在本发明的一种优选的实施方式中，所述对所述各结构膜层进行蒸镀操作包括：
步骤S101，使用CMM模板蒸镀空穴注入层和空穴传输层；
步骤S102，使用FMM模板蒸镀蓝色发光单元；
步骤S103，使用所述CMM模板蒸镀发光共同传输层；
步骤S104，使用所述CMM模板蒸镀绿色发光单元
步骤S105，使用所述FMM模板蒸镀红色发光单元；
步骤S106，使用所述CMM模板蒸镀电子传输层和电子注入层
步骤S107，使用所述CMM模板蒸镀金属阴极层和封装层。
在本发明的一种优选的实施方式中，所述计算公式(1)中：
n选取1.75；
λR选取618nm、λG选取530nm、λB选取460nm。
在本发明的一种优选的实施方式中，所述红色发光单元对应的微腔阶数mR为3N；
所述蓝色发光单元对应的微腔阶数mB为4N；
所述绿色发光单元对应的微腔阶数mG为3N；其中，
所述N为正整数。
在本发明的一种优选的实施方式中，在所述步骤S107，使用所述CMM模板蒸镀金属阴极层和封装层之后，所述方法还包括：
在所述步骤S108，通过黄光工艺将滤光片层涂覆在所述封装层上将滤光片层涂覆在所述封装层上与所述红色发光单元和蓝色发光单元所对应的发光区域内；其中，
所述滤光片层包括：红色滤光片和蓝色滤光片。
以下针对所述全彩硅基OLED结构的制备方法的工作原理进行举例说明：首先是通过计算公式(1)分别计算出红色发光单元、蓝色发光单元以及绿色发光单元所对应的OLED结构的有机层厚度；
所述计算公式(1)为：
Figure BDA0002732443710000101
其中，所述其中n为OLED器件结构中有机功能层的折射率，di为所述有机功能层的厚度，λi为OLED器件结构中微腔谐振加强波长，φ为光在OLED显示器件中金属阳极和金属阴极表面反射相移，mi为发射模的级数，也称为微腔阶数，为正整数，i为发光单元种类；
在本案例中，为了简化计算和进行理论模拟，该器件结构中：令有机层的折射率n＝1.75，令R的波长λR＝618nm，令G的波长λG＝530nm，令B的波长λB＝460nm，忽略光在阴极和阳极的相移，此时令m＝1,2,3,……,N；分别得到RGB对应的OLED的器件厚度如下表1所示。
表1
m＝1 m＝2 m＝3 m＝4 m＝5 m＝6 m＝7 m＝8 m＝9 …… m＝N
R 176.6 353.2 529.8 706.4 883 1059.6 1236.2 1412.8 1589.4 …… 176.6N
G 151.4 302.8 454.2 605.6 757 908.4 1059.8 1211.2 1362.6 …… 151.4N
B 131.4 262.8 394.2 525.6 657 788.4 919.8 1051.2 1182.6 …… 131.4N
以下根据上表得到RGB加强所需要的OLED膜层的总厚度，由于所述BR共用微腔，即所述红色发光单元和蓝色发光单元所对应的OLED结构的有机层厚度需要相等，此时对所述红色发光单元和蓝色发光单元的微腔阶数进行确定，由于所述微腔阶数为正整数，从而得到所述红色发光单元对应的微腔阶数mR为3N；所述蓝色发光单元对应的微腔阶数mB为4N，则所述绿色发光单元对应的微腔阶数mG为3N，由于需要控制所述OLED膜层的厚度，一般N取1(当然可以去其他正整数，则获得的厚度都成倍变化即可)，则获得mR＝3，mR＝4，mG＝3；从而获得所述OLED结构的有机功能层厚度为524nm，绿色发光单元所对应的OLED结构的有机层厚度即同用层厚度为454nm；再通过所述计算公式(2)dRB-dG＝dEML-R+dEML-B；计算获得dEML-R+dEML-B＝70，使用同一个FMM分别蒸镀红色发光单元和蓝色发光单元，其中，所述红色发光单元的厚度dEML-R的范围是35-45nm；所述蓝色发光单元的厚度dEML-B的范围是25-35nm。其中，
在所述OLED结构的有机层厚度为454nm时，只有绿色发光单元谐振增强，此时得到的光谱图如图5所示；而此时R像素和B像素的发光光电参数的OLED结构的光电性能如表2所示：
表2
<![CDATA[J(mA/cm<sup>2</sup>)]]> C.E(cd/A) CIE-x CIE-y R-peak G-peak B-peak FWHM-·R FWHM-·G FWHM-·B
10 20 0.41 0.23 630 / 469nm 38nm / 40nm
在所述OLED结构的有机层厚度为524nm时，红色发光单元和蓝色发光单元同时谐振增强，此时得到的光谱图如图6所示，而此时G像素的发光光电参数的OLED结构的光电性能如表3所示：
表3
<![CDATA[J(mA/cm<sup>2</sup>)]]> C.E(cd/A) CIE-x CIE-y ·R-peak G-peak B-peak FWHM-·R FWHM-·G FWHM-·B
10 43 0.22 0.71 / 529 / / 28 /
通过上述检测的实验数据也表明所述OLED结构的有机层厚度为454nm时，只有绿色发光单元谐振增强，在所述OLED结构的有机层厚度为524nm时，红色发光单元和蓝色发光单元同时谐振增强，这样再利用红色发光单元的厚度和蓝色发光单元的厚度之和进行厚度补偿，以实现在R和B的像素区实现R和B光谱出光，在G像素区只有G光谱出光，最后配合滤光片层实现全彩显示，需要说明的是，本申请文件中的R代表红色像素，B代表蓝色像素，G代表，绿色像素。
综上所述，本发明提供的全彩硅基OLED结构以及制备方法克服现有技术中因RGB各自的谐振腔长不同导致的导致RGB光谱不能同时出现或者强度差异太大导致的产品的色域较低现象；以及彩色滤光片导致的光损失较大，进而使产品寿命较低的问题。
以上结合附图详细描述了本发明的优选实施方式，但是，本发明并不限于上述实施方式中的具体细节，在本发明的技术构思范围内，可以对本发明的技术方案进行多种简单变型，这些简单变型均属于本发明的保护范围。
另外需要说明的是，在上述具体实施方式中所描述的各个具体技术特征，在不矛盾的情况下，可以通过任何合适的方式进行组合，为了避免不必要的重复，本发明对各种可能的组合方式不再另行说明。
此外，本发明的各种不同的实施方式之间也可以进行任意组合，只要其不违背本发明的思想，其同样应当视为本发明所公开的内容。

Claims (10)

1.一种全彩硅基OLED结构，其特征在于，所述全彩硅基OLED结构包括：从下至上依次叠加的金属阳极层、有机功能层、金属阴极层、偏振片层、封装层和滤光片层；其中，
所述有机功能层包括：发光层，以向所述金属阴极层方向发射白光；
所述发光层包括：红色发光单元、蓝色发光单元、绿色发光单元和发光共同传输层；其中，
所述红色发光单元和所述蓝色发光单元蒸镀在同一张FMM模板上，以实现BR共用微腔，OLED结构上的其他结构膜层都蒸镀在CMM模板上；且在所述发光层中满足：dRB-dG＝dEML-R+dEML-B；其中，
dRB为红色发光单元和蓝色发光单元所对应的OLED结构的有机层厚度；
dG为绿色发光单元所对应的OLED结构的有机层厚度；
dEML-R为红色发光单元的厚度；
dEML-B为蓝色发光单元的厚度。
2.根据权利要求1所述的全彩硅基OLED结构，其特征在于，所述红色发光单元的厚度和蓝色发光单元的厚度满足以下关系：
dEML-R+dEML-B＝70N；其中，
N为正整数，所述厚度的单位为：纳米。
3.根据权利要求2所述的全彩硅基OLED结构，其特征在于，
所述红色发光单元的厚度dEML-R的范围是35-45nm；
所述蓝色发光单元的厚度dEML-B的范围是25-35nm。
4.根据权利要求1所述的全彩硅基OLED结构，其特征在于，所述滤光片层包括：红色滤光片和蓝色滤光片，所述红色滤光片和所述蓝色滤光片分别涂覆在所述封装层上与所述红色发光单元和蓝色发光单元所对应的发光区域。
5.根据权利要求1所述的全彩硅基OLED结构，其特征在于，所述有机功能层还包括：从下到上依次排列的空穴注入层、空穴传输层、电子传输层和电子注入层。
6.一种权利要求1-5所述的全彩硅基OLED结构的制备方法；其特征在于，所述方法包括：
通过计算公式(1)分别计算出红色发光单元、蓝色发光单元以及绿色发光单元所对应的OLED结构的有机层厚度；
通过计算公式(2)计算出红色发光单元的厚度和蓝色发光单元的厚度之和；其中，
所述计算公式(1)为：
Figure FDA0004094099680000021
其中，所述其中n为OLED器件结构中有机功能层的折射率，di为所述有机功能层的厚度，λi为OLED器件结构中微腔谐振加强波长，φ为光在OLED显示器件中金属阳极和金属阴极表面反射相移，mi为发射模的级数，也称为微腔的阶数，为正整数，i为发光单元种类；
所述计算公式(2)为：
dRB-dG＝dEML-R+dEML-B；
其中，dRB为红色发光单元和蓝色发光单元所对应的OLED结构的有机层厚度；
dG为绿色发光单元所对应的OLED结构的有机层厚度；
dEML-R为红色发光单元的厚度；
dEML-B为蓝色发光单元的厚度；
根据计算结果选取对应厚度的OLED结构中的各结构膜层；
对所述各结构膜层进行蒸镀操作。
7.根据权利要求6所述的全彩硅基OLED结构的制备方法，其特征在于，所述对所述各结构膜层进行蒸镀操作包括：
步骤S101，使用CMM模板蒸镀空穴注入层和空穴传输层；
步骤S102，使用FMM模板蒸镀蓝色发光单元；
步骤S103，使用所述CMM模板蒸镀发光共同传输层；
步骤S104，使用所述CMM模板蒸镀绿色发光单元
步骤S105，使用所述FMM模板蒸镀红色发光单元；
步骤S106，使用所述CMM模板蒸镀电子传输层和电子注入层；
步骤S107，使用所述CMM模板蒸镀金属阴极层和封装层。
8.根据权利要求6所述的全彩硅基OLED结构的制备方法，其特征在于，所述计算公式(1)中：
n选取1.75；
λR选取618nm、λG选取530nm、λB选取460nm。
9.根据权利要求6或8所述的全彩硅基OLED结构的制备方法，其特征在于，
所述红色发光单元对应的微腔阶数mR为3N；
所述蓝色发光单元对应的微腔阶数mB为4N；
所述绿色发光单元对应的微腔阶数mG为3N；其中，
所述N为正整数。
10.根据权利要求7所述的全彩硅基OLED结构的制备方法，其特征在于，在所述步骤S107，使用所述CMM模板蒸镀金属阴极层和封装层之后，所述方法还包括：
步骤S108，通过黄光工艺将滤光片层涂覆在所述封装层上将滤光片层涂覆在所述封装层上与所述红色发光单元和蓝色发光单元所对应的发光区域内；其中，
所述滤光片层包括：红色滤光片和蓝色滤光片。
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