CN110728954A - 一种amoled时序控制电路及时序控制方法 - Google Patents

一种amoled时序控制电路及时序控制方法 Download PDF

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Abstract

本发明涉及显示技术领域，公开了一种AMOLED时序控制电路及时序控制方法，该时序控制电路包括：第一薄膜晶体管(T1)、第二薄膜晶体管(T2)、第三薄膜晶体管(T3)、第四薄膜晶体管(T4)、第五薄膜晶体管(T5)、第一电容(C1)、第二电容(C2)及有机发光二极管(D1)，还包括第六薄膜晶体管(T6)和第七薄膜晶体管(T7)，第二薄膜晶体管(T2)与第六薄膜晶体管(T6)对称设置且阈值相等，能够补偿驱动薄膜晶体管的阈值电压，该AMOLED时序控制电路能够简化电路结构且能够减少面板内部的布线以适应小尺寸的像素空间。

Description

一种AMOLED时序控制电路及时序控制方法
技术领域
本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种AMOLED时序控制电路及时序控制方法。
背景技术
如图1所示，现有的一种AMOLED时序控制电路，所述AMOLED像素驱动电路为7T1C结构，即七个薄膜晶体管加一个电容的结构，包括:第一薄膜晶体管T10、第二薄膜晶体管T20、第三薄膜晶体管T30、第四薄膜晶体管T40、第五薄膜晶体管T50、第六薄膜晶体管T60、第七薄膜晶体管T70及电容C10，其中，第一薄膜晶体管T10的栅极电性连接于第二扫描控制信号线S2，第一端电性连接于数据信号线DATA，第二端经由第一节点N10电性连接于第二薄膜晶体管T20的第一端及第四薄膜晶体管T40的第一端；第二薄膜晶体管T20的栅极电性连接于第二节点N20，第一端电性连接于第一节点N10，第二端电性连接于第三节点N30；第三薄膜晶体管T30的栅极电性连接于第二扫描控制信号线S2，第一端电性连接于第三节点N30，第二端电性连接于第二节点N20及第六薄膜晶体管T60的第一端；第四薄膜晶体管T40的栅极电性连接于发光信号线En及第五薄膜晶体管T50的栅极，第一端电性连接于第一节点N10，第二端电性连接于电源电压ELVDD及电容C10的第二端；第五薄膜晶体管T50的栅极电性连接于发光信号线En及第四薄膜晶体管T40的栅极，第一端电性连接于第三节点N30，第二端电性连接于有机发光二级管D10的阳极及第七薄膜晶体管T70的第二端；第六薄膜晶体管T60的栅极电性连接于第一扫描控制信号线S1，第一端电性连接于第三薄膜晶体管T30的第二端，第二端电性连接于第七薄膜晶体管T70的第一端及参考电压信号线VINT；第七薄膜晶体管T70的栅极连接第二扫描控制信号线S2，第一端电性连接于第六薄膜晶体管T60的第二端及参考电压信号线VINT，第二端电性连接于第五薄膜晶体管T50的第二端及有机发光二级管D10的阳极；电容C10的第一端电性连接于第二节点N20，第二端连接于电源电压ELVDD及第四薄膜晶体管T40的第二端；有机发光二极管D10的阳极电性连接于第五薄膜晶体管T50的第二端及第七薄膜晶体管T70的第二端，阴极接地。
上述AMOLED时序控制电路有第一扫描控制信号线S1、两个第二扫描控制信号线S2、参考电压信号线VINT等多个信号线，布线复杂，无法满足较小的像素尺寸。
发明内容
本发明提供了一种AMOLED时序控制电路及时序控制方法，上述AMOLED时序控制电路能够简化电路结构且能够减少面板内部的布线以适应小尺寸的像素空间。
为达到上述目的，本发明提供一种AMOLED时序控制电路，包括第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体管、第五薄膜晶体管、第一电容、第二电容及有机发光二极管；
所述第一薄膜晶体管的栅极电性连接于第一扫描控制信号线，第一端电性连接于数据信号线，第二端电性连接于第一节点；
所述第二薄膜晶体管的栅极电性连接于第二节点，第一端电性连接于第一节点，第二端电性连接于第三节点；
所述第三薄膜晶体管的栅极电性连接于第一扫描控制信号线，第一端电性连接于第二节点，第二端电性连接于第三节点；
所述第四薄膜晶体管的栅极电性连接于发光信号线，第一端电性连接于电源电压，第二端电性连接于第一节点；
所述第五薄膜晶体管的栅极电性连接于发光信号线，第一端电性连接于第三节点，第二端电性连接于有机发光二极管的阳极；
所述第一电容的第一端电性连接于第二节点及第二电容的第二端；第二端电性连接于电源电压；
所述第二电容的第一端电性连接于第二扫描控制信号线；第二端电性连接于第二节点及第一电容的第一端；
所述有机发光二极管的阳极电性连接于第五薄膜晶体管的第二端，阴极接地；
所述第二薄膜晶体管为驱动薄膜晶体管。
上述AMOLED时序控制电路采用5T1C结构，通过第三薄膜晶体管来补偿驱动薄膜晶体管的阈值电压，上述AMOLED时序控制电路减少了初始化电路、扫描信号线和参考电压信号线而减少了面板内部的布线以适应小尺寸的像素空间，其中通过第二扫描控制信号线和第二电容来实现初始化，第二电容用于将第二节点的电压下拉到低于数据信号线的最低电压，第二电容的一端可用一层金属导线，不增加平面空间，从而代替了初始化电路、简化了AMOLED时序控制电路且节省了布线的空间。
上述AMOLED时序控制电路，还包括：
设置于第一薄膜晶体管第二端与第一节点之间的第七薄膜晶体管，所述第七薄膜晶体管的栅极电性连接于第二节点，第一端电性连接于第一薄膜晶体管第二端，第二端电性连接于第一节点；
设置于第一薄膜晶体管第二端与第三薄膜晶体管第二端之间的第六薄膜晶体管，所述第六薄膜晶体管的栅极电性连接于第二节点、第一电容的第一端和第二电容的第二端、且与所述第二薄膜晶体管共栅极，第一端电性连接于第一薄膜晶体管第二端，第二端电性连接于第三薄膜晶体管的第二端和第三节点。
优选地，所述第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体管、第五薄膜晶体管、第六薄膜晶体管、第七薄膜晶体管均为低温多晶硅薄膜晶体管、氧化物半导体薄膜晶体管或非晶硅薄膜晶体管。
优选地，所述第六薄膜晶体管与第二薄膜晶体管对称设置，且二者的沟道宽度相同。
优选地，所述第一扫描控制信号线的输入端、第二扫描控制信号线的输入端及发光信号线的输入端均设有用于与外部时序控制器连接的连接端子。
本发明还提供一种上述AMOLED时序控制电路的时序控制方法，包括：
进入第一初始化阶段，发光信号线提供低电位，第四薄膜晶体管及第五薄膜晶体管打开；第一扫描控制信号线提供高电位，第一薄膜晶体管及第三薄膜晶体管关闭；第二扫描控制信号线由低电位转为高电位，第二薄膜晶体管关闭；
进入第二初始化阶段，发光信号线提供低电位，第四薄膜晶体管及第五薄膜晶体管打开，第三节点的电压等于有机发光二极管阳极的电压；第一扫描控制信号线提供低电位，第一薄膜晶体管及第三薄膜晶体管打开，第二节点的电压等于有机发光二极管阳极的电压；第二扫描控制信号线提供高电位，第二薄膜晶体管关闭；
进入初始化保持阶段，发光信号线提供低电位，第四薄膜晶体管及第五薄膜晶体管打开；第一扫描控制信号线提供高电位，第一薄膜晶体管及第三薄膜晶体管关闭，第二扫描控制信号线提供高电位，第二节点的电压保持等于有机发光二极管阳极的电压，第二薄膜晶体管处于打开状态；
进入第三初始化阶段，发光信号线提供高电位，第四薄膜晶体管及第五薄膜晶体管关闭；第一扫描控制信号线提供高电位，第一薄膜晶体管及第三薄膜晶体管关闭；第二扫描控制信号线提供高电位，第二节点的电压保持等于有机发光二极管阳极的电压，第二薄膜晶体管处于打开状态；
进入第四初始化阶段，发光信号线提供高电位，第四薄膜晶体管及第五薄膜晶体管关闭；第一扫描控制信号线提供高电位，第一薄膜晶体管及第三薄膜晶体管关闭；第二扫描控制信号线提供低电位，第二薄膜晶体管处于打开状态；
进入数据写入阶段，发光信号线提供高电位，第四薄膜晶体管及第五薄膜晶体管关闭；第一扫描控制信号线提供低电位，第一薄膜晶体管及第三薄膜晶体管打开；第二扫描控制信号线提供低电位，数据信号线提供高电位，第二节点写入数据信号线提供的电压，第二薄膜晶体管由打开状态变为关闭状态；
进入保持阶段，发光信号线提供高电位，第四薄膜晶体管及第五薄膜晶体管关闭；第一扫描控制信号线提供高电位，第一薄膜晶体管及第三薄膜晶体管关闭；第二扫描控制信号线提供低电位，第二节点保持数据写入阶段写入的数据信号线提供的电压，第二薄膜晶体管处于关闭状态；
进入驱动阶段，发光信号线提供低电位，第四薄膜晶体管及第五薄膜晶体管打开；第一扫描控制信号线提供高电位，第一薄膜晶体管及第三薄膜晶体管关闭；第二扫描控制信号线提供低电位，第二节点保持数据写入阶段写入的数据信号线提供的电压，电源电压提供高电位，第二薄膜晶体管处于打开状态，有机发光二极管发光。
当AMOLED时序控制电路包括第六薄膜晶体管和第七薄膜晶体管时，本发明提供的时序控制方法包括如下步骤：
上述第一初始化阶段中，发光信号线提供低电位，第四薄膜晶体管及第五薄膜晶体管打开；第一扫描控制信号线提供高电位，第一薄膜晶体管及第三薄膜晶体管关闭；第二扫描控制信号线由低电位转为高电位，第二薄膜晶体管、第六薄膜晶体管及第七薄膜晶体管关闭；
上述第二初始化阶段中，发光信号线提供低电位，第四薄膜晶体管及第五薄膜晶体管打开，第三节点的电压等于有机发光二极管阳极的电压；第一扫描控制信号线提供低电位，第一薄膜晶体管及第三薄膜晶体管打开，第二节点的电压等于有机发光二极管阳极的电压；第二扫描控制信号线提供高电位，第二薄膜晶体管、第六薄膜晶体管及第七薄膜晶体管关闭；
上述初始化保持阶段中，发光信号线提供低电位，第四薄膜晶体管及第五薄膜晶体管打开；第一扫描控制信号线提供高电位，第一薄膜晶体管及第三薄膜晶体管关闭，第二扫描控制信号线提供高电位，第二节点的电压保持等于有机发光二极管阳极的电压，第二薄膜晶体管、第六薄膜晶体管及第七薄膜晶体管处于打开状态；
上述第三初始化阶段中，发光信号线提供高电位，第四薄膜晶体管及第五薄膜晶体管关闭；第一扫描控制信号线提供高电位，第一薄膜晶体管及第三薄膜晶体管关闭；第二扫描控制信号线提供高电位，第二节点的电压保持等于有机发光二极管阳极的电压，第二薄膜晶体管、第六薄膜晶体管及第七薄膜晶体管处于打开状态；
上述第四初始化阶段中，发光信号线提供高电位，第四薄膜晶体管及第五薄膜晶体管关闭；第一扫描控制信号线提供高电位，第一薄膜晶体管及第三薄膜晶体管关闭；第二扫描控制信号线提供低电位，第二薄膜晶体管、第六薄膜晶体管及第七薄膜晶体管处于打开状态；
上述数据写入阶段中，发光信号线提供高电位，第四薄膜晶体管及第五薄膜晶体管关闭；第一扫描控制信号线提供低电位，第一薄膜晶体管及第三薄膜晶体管打开；第二扫描控制信号线提供低电位，数据信号线提供高电位，第二节点写入数据信号线提供的电压，第二薄膜晶体管、第六薄膜晶体管及第七薄膜晶体管由打开状态变为关闭状态；
上述保持阶段中，发光信号线提供高电位，第四薄膜晶体管及第五薄膜晶体管关闭；第一扫描控制信号线提供高电位，第一薄膜晶体管及第三薄膜晶体管关闭；第二扫描控制信号线提供低电位，第二节点保持数据写入阶段写入的数据信号线提供的电压，第二薄膜晶体管、第六薄膜晶体管及第七薄膜晶体管处于关闭状态；
上述驱动阶段中，发光信号线提供低电位，第四薄膜晶体管及第五薄膜晶体管打开；第一扫描控制信号线提供高电位，第一薄膜晶体管及第三薄膜晶体管关闭；第二扫描控制信号线提供低电位，第二节点保持数据写入阶段写入的数据信号线提供的电压，电源电压提供高电位，第二薄膜晶体管、第六薄膜晶体管及第七薄膜晶体管处于打开状态，有机发光二极管发光。
优选地，所述扫描控制信号线具有大于等于两个脉冲的信号，至少包括一个所有行相同时间的脉冲和一个逐行扫描的脉冲。
附图说明
图1为一种AMOLED时序控制电路；
图2为本发明提供的第一种AMOLED时序控制电路；
图3为本发明提供的第二种AMOLED时序控制电路；
图4为图2所示的AMOLED时序控制电路的时序图；
图5为图2所示的AMOLED时序控制电路在第一初始化阶段的电路图；
图6为图2所示的AMOLED时序控制电路在第二初始化阶段的电路图；
图7为图2所示的AMOLED时序控制电路在初始化保持阶段的电路图；
图8为图2所示的AMOLED时序控制电路在第三初始化阶段的电路图；
图9为图2所示的AMOLED时序控制电路在第四初始化阶段的电路图；
图10为图2所示的AMOLED时序控制电路在数据写入阶段的电路图；
图11为图2所示的AMOLED时序控制电路在保持阶段的电路图；
图12为图2所示的AMOLED时序控制电路在驱动阶段的电路图；
图13为图2所示的AMOLED时序控制电路的第二种时序图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
请参考图2，本发明提供一种AMOLED时序控制电路，包括第一薄膜晶体管T1、第二薄膜晶体管T2、第三薄膜晶体管T3、第四薄膜晶体管T4、第五薄膜晶体管T5、第一电容C1、第二电容C2及有机发光二极管D1；
所述第一薄膜晶体管T1的栅极电性连接于第一扫描控制信号线Sn，第一端电性连接于数据信号线Data，第二端电性连接于第一节点N1；
所述第二薄膜晶体管T2的栅极电性连接于第二节点N2，第一端电性连接于第一节点N1，第二端电性连接于第三节点N3；
所述第三薄膜晶体管T3的栅极电性连接于第一扫描控制信号线Sn，第一端电性连接于第二节点N2，第二端电性连接于第三节点N3；
所述第四薄膜晶体管T4的栅极电性连接于发光信号线En，第一端电性连接于电源电压ELVDD，第二端电性连接于第一节点N1；
所述第五薄膜晶体管T5的栅极电性连接于发光信号线En，第一端电性连接于第三节点N3，第二端电性连接于有机发光二极管D1的阳极；
所述第一电容C1的第一端电性连接于第二节点N2及第二电容C2的第二端；第二端电性连接于电源电压ELVDD；
所述第二电容C2的第一端电性连接于第二扫描控制信号线SC；第二端电性连接于第二节点N2及第一电容C1的第一端；
所述有机发光二极管D1的阳极电性连接于第五薄膜晶体管T5的第二端，阴极接地；
所述第二薄膜晶体管T2为驱动薄膜晶体管。
上述AMOLED时序控制电路采用5T1C结构，通过第三薄膜晶体管来补偿驱动薄膜晶体管的阈值电压，上述AMOLED时序控制电路减少了初始化电路、扫描信号线和参考电压信号线而减少了面板内部的布线以适应小尺寸的像素空间，其中通过第二扫描控制信号线和第二电容来实现初始化，第二电容用于将第二节点的电压下拉到低于数据信号线的最低电压，第二电容的一端可用一层金属导线，不增加平面空间，从而代替了初始化电路、简化了AMOLED时序控制电路且节省了布线的空间。
参考图3，上述AMOLED时序控制电路，还包括：
设置于第一薄膜晶体管T1第二端与第一节点N1之间的第七薄膜晶体管T7，所述第七薄膜晶体管T7的栅极电性连接于第二节点N2，第一端电性连接于第一薄膜晶体管T1第二端，第二端电性连接于第一节点N1；
设置于第一薄膜晶体管T1第二端与第三薄膜晶体管T3第二端之间的第六薄膜晶体管T6，所述第六薄膜晶体管T6的栅极电性连接于第二节点N2、第一电容C1的第一端和第二电容C2的第二端、且与所述第二薄膜晶体管T2共栅极，第一端电性连接于第一薄膜晶体管T1第二端，第二端电性连接于第三薄膜晶体管T3的第二端和第三节点N3。
上述AMOLED时序控制电路采用7T1C结构，通过对称设置阈值电压相等的第六薄膜晶体管与第二薄膜晶体管来实现补偿驱动薄膜晶体管的阈值电压的功能，使得流经有机发光二极管的电流与第二薄膜晶体管即驱动晶体管的阈值电压无关；上述AMOLED时序控制电路减少了扫描信号线和参考电压信号线而减少了面板内部的布线以适应小尺寸的像素空间且省略了初始化电路，使得AMOLED时序控制电路得到了简化。
具体地，所述第一薄膜晶体管T1、第二薄膜晶体管T2、第三薄膜晶体管T3、第四薄膜晶体管T4、第五薄膜晶体管T5、第六薄膜晶体管T6、第七薄膜晶体管T7均为低温多晶硅薄膜晶体管、氧化物半导体薄膜晶体管或非晶硅薄膜晶体管。其中，第六薄膜晶体管T6与第二薄膜晶体管T2对称设置，且二者的沟道宽度相同，从而第六薄膜晶体管T6与第二薄膜晶体管T2的阈值电压相等，第六薄膜晶体管T6的阈值电压能够补偿第二薄膜晶体管T2即驱动薄膜晶体管的阈值电压，使得流经有机发光二极管的电流与第二薄膜晶体管T2的阈值电压无关。第二薄膜晶体管T2为驱动薄膜晶体管，第六薄膜晶体管T6为镜像薄膜晶体管。
具体地，所述第一扫描控制信号线Sn的输入端、第二扫描控制信号线SC的输入端及发光信号线En的输入端均设有用于与外部时序控制器连接的连接端子。第一扫描控制信号线Sn、第二扫描控制信号线SC及发光信号线En均通过外部时序电路提供。
本发明还提供一种上述技术方案中的AMOLED时序控制电路的时序控制方法，包括：
请同时参考图4和图5，进入第一初始化阶段1，发光信号线En提供低电位，第四薄膜晶体管T4及第五薄膜晶体管T5打开；第一扫描控制信号线Sn提供高电位，第一薄膜晶体管T1及第三薄膜晶体管T3关闭；第二扫描控制信号线SC由低电位转为高电位，第二薄膜晶体管T2关闭；由于第二电容的耦合作用，此时第二节点的电压上升，未达到第二薄膜晶体管的开启电压，此时第二薄膜晶体管关闭，其中，第二节点的上升电压决定于第二电容与各个寄生电容的比值；此时第二薄膜晶体管关闭、使得电源电压ELVDD与有机发光二极管D1之间没有导通回路、此时有机发光二极管D1中无电流通过，有机发光二极管D1不发光；
请同时参考图4和图6，进入第二初始化阶段2，发光信号线En提供低电位，第四薄膜晶体管T4及第五薄膜晶体管T5打开，第三节点N3的电压等于有机发光二极管D1阳极的电压；第一扫描控制信号线Sn提供低电位，第一薄膜晶体管T1及第三薄膜晶体管T3打开，第二节点N2的电压等于有机发光二极管D1阳极的电压；第二扫描控制信号线SC提供高电位，第二薄膜晶体管T2仍处于关闭状态；此时第二薄膜晶体管关闭、使得电源电压ELVDD与有机发光二极管D1之间没有导通回路、此时有机发光二极管D1中无电流通过，有机发光二极管D1不发光；
请同时参考图4和图7，进入初始化保持阶段3，发光信号线En提供低电位，第四薄膜晶体管T4及第五薄膜晶体管T5打开；第一扫描控制信号线Sn提供高电位，第一薄膜晶体管T1及第三薄膜晶体管T3关闭，第二扫描控制信号线SC提供高电位，第二节点N2的电压保持等于有机发光二极管D1阳极的电压，第二薄膜晶体管T2处于打开状态；
请同时参考图4和图8，进入第三初始化阶段4，发光信号线En提供高电位，第四薄膜晶体管T4及第五薄膜晶体管T5关闭；第一扫描控制信号线Sn提供高电位，第一薄膜晶体管T1及第三薄膜晶体管T3关闭；第二扫描控制信号线SC提供高电位，第二节点N2的电压保持等于有机发光二极管D1阳极的电压，第二薄膜晶体管T2处于打开状态；此时第四薄膜晶体管T4及第五薄膜晶体管T5关闭、使得电源电压ELVDD与有机发光二极管D1之间没有导通回路、此时有机发光二极管D1中无电流通过，有机发光二极管D1不发光；
请同时参考图4和图9，进入第四初始化阶段5，发光信号线En提供高电位，第四薄膜晶体管T4及第五薄膜晶体管T5关闭；第一扫描控制信号线Sn提供高电位，第一薄膜晶体管T1及第三薄膜晶体管T3关闭；第二扫描控制信号线SC提供低电位，第二薄膜晶体管T2处于打开状态；此时，第二扫描控制信号线SC提供低电位使得第二节点的电位被耦合到比数据信号线最低电位更低的电位，即第二节点的电位低于数据信号线的最低电压，从而保证了数据写入阶段数据信号线的电压全部写入到第二节点；
请同时参考图4和图10，进入数据写入阶段6，发光信号线En提供高电位，第四薄膜晶体管T4及第五薄膜晶体管T5关闭；第一扫描控制信号线Sn提供低电位，第一薄膜晶体管T1及第三薄膜晶体管T3打开；第二扫描控制信号线SC提供低电位，数据信号线Data提供高电位，第二节点N2写入数据信号线Data提供的电压，第二薄膜晶体管T2由打开状态变为关闭状态；
请同时参考图4和图11，进入保持阶段7，发光信号线En提供高电位，第四薄膜晶体管T4及第五薄膜晶体管T5关闭；第一扫描控制信号线Sn提供高电位，第一薄膜晶体管T1及第三薄膜晶体管T3关闭；第二扫描控制信号线SC提供低电位，第二节点N2保持数据写入阶段写入的数据信号线Data提供的电压，第二薄膜晶体管T2处于关闭状态；
请同时参考图4和图12，进入驱动阶段8，发光信号线En提供低电位，第四薄膜晶体管T4及第五薄膜晶体管T5打开；第一扫描控制信号线Sn提供高电位，第一薄膜晶体管T1及第三薄膜晶体管T3关闭；第二扫描控制信号线SC提供低电位，第二节点N2保持数据写入阶段写入的数据信号线Data提供的电压，电源电压ELVDD提供高电位，第二薄膜晶体管T2处于打开状态，此时电源电压通过第四薄膜晶体管T4、第五薄膜晶体管T5及第二薄膜晶体管T2与有机发光二极管D1构成通路，有机发光二极管发光。
此时第二节点N2电压保持Vdata-|Vth|，第二薄膜晶体管在饱和区的电流为：
IOLED＝k(VELVDD-Vdata)^2
其中IOLED为第二薄膜晶体管在饱和区的电流；K为薄膜晶体管的结构参数，对于相同结构的薄膜晶体管，K值相对稳定；Vth为第二薄膜晶体管T2的阈值电压；Vdata为数据信号Data提供的电压；VELVDD为电源电压。
由上述分析计算可知，流经有机发光二极管D1的电流与第二薄膜晶体管T2的阈值电压无关。
且上述AMOLED时序控制电路减少了扫描信号线和参考电压信号线而减少了面板内部的布线以适应小尺寸的像素空间。
在本发明提供的上述技术方案中，可将第三初始化阶段省略，同时由于第二扫描控制信号线SC在数据写入阶段之前变为低电平即可，此时可将时序图更改后形成第二种时序图，如图13所示。
当AMOLED时序控制电路包括第六薄膜晶体管T6和第七薄膜晶体管T7时，本发明提供的时序控制方法包括如下步骤：
进入第一初始化阶段1，发光信号线En提供低电位，第四薄膜晶体管T4及第五薄膜晶体管T5打开；第一扫描控制信号线Sn提供高电位，第一薄膜晶体管T1及第三薄膜晶体管T3关闭；第二扫描控制信号线SC由低电位转为高电位，第二薄膜晶体管T2、第六薄膜晶体管T6及第七薄膜晶体管T7关闭；由于第二电容的耦合作用，此时第二节点的电压上升，未达到第二薄膜晶体管的开启电压，此时第二薄膜晶体管关闭，其中，第二节点的上升电压决定于第二电容与各个寄生电容的比值；此时第二薄膜晶体管关闭、使得电源电压ELVDD与有机发光二极管D1之间没有导通回路、此时有机发光二极管D1中无电流通过，有机发光二极管D1不发光；
进入第二初始化阶段2，发光信号线En提供低电位，第四薄膜晶体管T4及第五薄膜晶体管T5打开，第三节点N3的电压等于有机发光二极管D1阳极的电压；第一扫描控制信号线Sn提供低电位，第一薄膜晶体管T1及第三薄膜晶体管T3打开，第二节点N2的电压等于有机发光二极管D1阳极的电压；第二扫描控制信号线SC提供高电位，第二薄膜晶体管T2、第六薄膜晶体管T6及第七薄膜晶体管T7关闭；此时第二薄膜晶体管关闭、使得电源电压ELVDD与有机发光二极管D1之间没有导通回路、此时有机发光二极管D1中无电流通过，有机发光二极管D1不发光；
进入初始化保持阶段3，发光信号线En提供低电位，第四薄膜晶体管T4及第五薄膜晶体管T5打开；第一扫描控制信号线Sn提供高电位，第一薄膜晶体管T1及第三薄膜晶体管T3关闭，第二扫描控制信号线SC提供高电位，第二节点N2的电压保持等于有机发光二极管D1阳极的电压，第二薄膜晶体管T2、第六薄膜晶体管T6及第七薄膜晶体管T7处于打开状态；
进入第三初始化阶段4，发光信号线En提供高电位，第四薄膜晶体管T4及第五薄膜晶体管T5关闭；第一扫描控制信号线Sn提供高电位，第一薄膜晶体管T1及第三薄膜晶体管T3关闭；第二扫描控制信号线SC提供高电位，第二节点N2的电压保持等于有机发光二极管D1阳极的电压，第二薄膜晶体管T2、第六薄膜晶体管T6及第七薄膜晶体管T7处于打开状态；此时第四薄膜晶体管T4及第五薄膜晶体管T5关闭、使得电源电压ELVDD与有机发光二极管D1之间没有导通回路、此时有机发光二极管D1中无电流通过，有机发光二极管D1不发光；
进入第四初始化阶段5，发光信号线En提供高电位，第四薄膜晶体管T4及第五薄膜晶体管T5关闭；第一扫描控制信号线Sn提供高电位，第一薄膜晶体管T1及第三薄膜晶体管T3关闭；第二扫描控制信号线SC提供低电位，第二薄膜晶体管T2、第六薄膜晶体管T6及第七薄膜晶体管T7处于打开状态；此时，第二扫描控制信号线SC提供低电位使得第二节点的电位被耦合到比数据信号线最低电位更低的电位，即第二节点的电位低于数据信号线的最低电压，从而保证了数据写入阶段数据信号线的电压全部写入到第二节点；
进入数据写入阶段6，发光信号线En提供高电位，第四薄膜晶体管T4及第五薄膜晶体管T5关闭；第一扫描控制信号线Sn提供低电位，第一薄膜晶体管T1及第三薄膜晶体管T3打开；第二扫描控制信号线SC提供低电位，数据信号线Data提供高电位，第二节点N2写入数据信号线Data提供的电压，第二薄膜晶体管T2、第六薄膜晶体管T6及第七薄膜晶体管T7由打开状态变为关闭状态；
进入保持阶段7，发光信号线En提供高电位，第四薄膜晶体管T4及第五薄膜晶体管T5关闭；第一扫描控制信号线Sn提供高电位，第一薄膜晶体管T1及第三薄膜晶体管T3关闭；第二扫描控制信号线SC提供低电位，第二节点N2保持数据写入阶段写入的数据信号线Data提供的电压，第二薄膜晶体管T2、第六薄膜晶体管T6及第七薄膜晶体管T7处于关闭状态；
进入驱动阶段8，发光信号线En提供低电位，第四薄膜晶体管T4及第五薄膜晶体管T5打开；第一扫描控制信号线Sn提供高电位，第一薄膜晶体管T1及第三薄膜晶体管T3关闭；第二扫描控制信号线SC提供低电位，第二节点N2保持数据写入阶段写入的数据信号线Data提供的电压，电源电压ELVDD提供高电位，第二薄膜晶体管T2、第六薄膜晶体管T6及第七薄膜晶体管T7处于打开状态，有机发光二极管D1发光，此时电源电压通过第四薄膜晶体管T4、第五薄膜晶体管T5及第二薄膜晶体管T2与有机发光二极管D1构成通路，有机发光二极管发光。
此时第二节点N2电压保持Vdata-|Vth|，第二薄膜晶体管在饱和区的电流为：
IOLED＝k(VELVDD-Vdata)^2
其中IOLED为第二薄膜晶体管在饱和区的电流；K为薄膜晶体管的结构参数，对于相同结构的薄膜晶体管，K值相对稳定；Vth为第二薄膜晶体管T2的阈值电压；Vdata为数据信号Data提供的电压；VELVDD为电源电压。
第六薄膜晶体管T6的阂值电压补偿了第二薄膜晶体管T2即驱动薄膜晶体管的阈值电压，使得流经有机发光二极管D1的电流与第二薄膜晶体管T2的阈值电压无关。
且上述AMOLED时序控制电路减少了扫描信号线和参考电压信号线而减少了面板内部的布线以适应小尺寸的像素空间。
具体地，所述扫描控制信号线Sn具有大于等于两个脉冲的信号，至少包括一个所有行相同时间的脉冲和一个逐行扫描的脉冲。
显然，本领域的技术人员可以对本发明实施例进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (8)

1.一种AMOLED时序控制电路，其特征在于，包括第一薄膜晶体管(T1)、第二薄膜晶体管(T2)、第三薄膜晶体管(T3)、第四薄膜晶体管(T4)、第五薄膜晶体管(T5)、第一电容(C1)、第二电容(C2)及有机发光二极管(D1)；
所述第一薄膜晶体管(T1)的栅极电性连接于第一扫描控制信号线(Sn)，第一端电性连接于数据信号线(Data)，第二端电性连接于第一节点(N1)；
所述第二薄膜晶体管(T2)的栅极电性连接于第二节点(N2)，第一端电性连接于第一节点(N1)，第二端电性连接于第三节点(N3)；
所述第三薄膜晶体管(T3)的栅极电性连接于第一扫描控制信号线(Sn)，第一端电性连接于第二节点(N2)，第二端电性连接于第三节点(N3)；
所述第四薄膜晶体管(T4)的栅极电性连接于发光信号线(En)，第一端电性连接于电源电压(ELVDD)，第二端电性连接于第一节点(N1)；
所述第五薄膜晶体管(T5)的栅极电性连接于发光信号线(En)，第一端电性连接于第三节点(N3)，第二端电性连接于有机发光二极管(D1)的阳极；
所述第一电容(C1)的第一端电性连接于第二节点(N2)及第二电容(C2)的第二端；第二端电性连接于电源电压(ELVDD)；
所述第二电容(C2)的第一端电性连接于第二扫描控制信号线(SC)；第二端电性连接于第二节点(N2)及第一电容(C1)的第一端；
所述有机发光二极管(D1)的阳极电性连接于第五薄膜晶体管(T5)的第二端，阴极接地；
所述第二薄膜晶体管(T2)为驱动薄膜晶体管。
2.根据权利要求1所述的AMOLED时序控制电路，其特征在于，还包括：
设置于第一薄膜晶体管(T1)第二端与第一节点(N1)之间的第七薄膜晶体管(T7)，所述第七薄膜晶体管(T7)的栅极电性连接于第二节点(N2)，第一端电性连接于第一薄膜晶体管(T1)第二端，第二端电性连接于第一节点(N1)；
设置于第一薄膜晶体管(T1)第二端与第三薄膜晶体管(T3)第二端之间的第六薄膜晶体管(T6)，所述第六薄膜晶体管(T6)的栅极电性连接于第二节点(N2)、第一电容(C1)的第一端和第二电容(C2)的第二端、且与所述第二薄膜晶体管(T2)共栅极，第一端电性连接于第一薄膜晶体管(T1)第二端，第二端电性连接于第三薄膜晶体管(T3)的第二端和第三节点(N3)。
3.根据权利要求2所述的AMOLED时序控制电路，其特征在于，所述第一薄膜晶体管(T1)、第二薄膜晶体管(T2)、第三薄膜晶体管(T3)、第四薄膜晶体管(T4)、第五薄膜晶体管(T5)、第六薄膜晶体管(T6)、第七薄膜晶体管(T7)均为低温多晶硅薄膜晶体管、氧化物半导体薄膜晶体管或非晶硅薄膜晶体管。
4.根据权利要求2所述的AMOLED时序控制电路，其特征在于，所述第六薄膜晶体管(T6)与第二薄膜晶体管(T2)对称设置，且二者的沟道宽度相同。
5.根据权利要求1所述的AMOLED时序控制电路，其特征在于，所述第一扫描控制信号线(Sn)的输入端、第二扫描控制信号线(SC)的输入端及发光信号线(En)的输入端均设有用于与外部时序控制器连接的连接端子。
6.一种如权利要求1-5任一项所述的AMOLED时序控制电路的时序控制方法，其特征在于，包括：
进入第一初始化阶段，发光信号线(En)提供低电位，第四薄膜晶体管(T4)及第五薄膜晶体管(T5)打开；第一扫描控制信号线(Sn)提供高电位，第一薄膜晶体管(T1)及第三薄膜晶体管(T3)关闭；第二扫描控制信号线(SC)由低电位转为高电位，第二薄膜晶体管(T2)关闭；
进入第二初始化阶段，发光信号线(En)提供低电位，第四薄膜晶体管(T4)及第五薄膜晶体管(T5)打开，第三节点(N3)的电压等于有机发光二极管(D1)阳极的电压；第一扫描控制信号线(Sn)提供低电位，第一薄膜晶体管(T1)及第三薄膜晶体管(T3)打开，第二节点(N2)的电压等于有机发光二极管(D1)阳极的电压；第二扫描控制信号线(SC)提供高电位，第二薄膜晶体管(T2)关闭；
进入初始化保持阶段，发光信号线(En)提供低电位，第四薄膜晶体管(T4)及第五薄膜晶体管(T5)打开；第一扫描控制信号线(Sn)提供高电位，第一薄膜晶体管(T1)及第三薄膜晶体管(T3)关闭，第二扫描控制信号线(SC)提供高电位，第二节点(N2)的电压保持等于有机发光二极管(D1)阳极的电压，第二薄膜晶体管(T2)处于打开状态；
进入第三初始化阶段，发光信号线(En)提供高电位，第四薄膜晶体管(T4)及第五薄膜晶体管(T5)关闭；第一扫描控制信号线(Sn)提供高电位，第一薄膜晶体管(T1)及第三薄膜晶体管(T3)关闭；第二扫描控制信号线(SC)提供高电位，第二节点(N2)的电压保持等于有机发光二极管(D1)阳极的电压，第二薄膜晶体管(T2)处于打开状态；
进入第四初始化阶段，发光信号线(En)提供高电位，第四薄膜晶体管(T4)及第五薄膜晶体管(T5)关闭；第一扫描控制信号线(Sn)提供高电位，第一薄膜晶体管(T1)及第三薄膜晶体管(T3)关闭；第二扫描控制信号线(SC)提供低电位，第二薄膜晶体管(T2)处于打开状态；
进入数据写入阶段，发光信号线(En)提供高电位，第四薄膜晶体管(T4)及第五薄膜晶体管(T5)关闭；第一扫描控制信号线(Sn)提供低电位，第一薄膜晶体管(T1)及第三薄膜晶体管(T3)打开；第二扫描控制信号线(SC)提供低电位，数据信号线(Data)提供高电位，第二节点(N2)写入数据信号线(Data)提供的电压，第二薄膜晶体管(T2)由打开状态变为关闭状态；
进入保持阶段，发光信号线(En)提供高电位，第四薄膜晶体管(T4)及第五薄膜晶体管(T5)关闭；第一扫描控制信号线(Sn)提供高电位，第一薄膜晶体管(T1)及第三薄膜晶体管(T3)关闭；第二扫描控制信号线(SC)提供低电位，第二节点(N2)保持数据写入阶段写入的数据信号线(Data)提供的电压，第二薄膜晶体管(T2)处于关闭状态；
进入驱动阶段，发光信号线(En)提供低电位，第四薄膜晶体管(T4)及第五薄膜晶体管(T5)打开；第一扫描控制信号线(Sn)提供高电位，第一薄膜晶体管(T1)及第三薄膜晶体管(T3)关闭；第二扫描控制信号线(SC)提供低电位，第二节点(N2)保持数据写入阶段写入的数据信号线(Data)提供的电压，电源电压(ELVDD)提供高电位，第二薄膜晶体管(T2)处于打开状态，有机发光二极管(D1)发光。
7.根据权利要求6所述的时序控制方法，其特征在于，当AMOLED时序控制电路包括第六薄膜晶体管(T6)和第七薄膜晶体管(T7)时：
上述第一初始化阶段中，发光信号线(En)提供低电位，第四薄膜晶体管(T4)及第五薄膜晶体管(T5)打开；第一扫描控制信号线(Sn)提供高电位，第一薄膜晶体管(T1)及第三薄膜晶体管(T3)关闭；第二扫描控制信号线(SC)由低电位转为高电位，第二薄膜晶体管(T2)、第六薄膜晶体管(T6)及第七薄膜晶体管(T7)关闭；
上述第二初始化阶段中，发光信号线(En)提供低电位，第四薄膜晶体管(T4)及第五薄膜晶体管(T5)打开，第三节点(N3)的电压等于有机发光二极管(D1)阳极的电压；第一扫描控制信号线(Sn)提供低电位，第一薄膜晶体管(T1)及第三薄膜晶体管(T3)打开，第二节点(N2)的电压等于有机发光二极管(D1)阳极的电压；第二扫描控制信号线(SC)提供高电位，第二薄膜晶体管(T2)、第六薄膜晶体管(T6)及第七薄膜晶体管(T7)关闭；
上述初始化保持阶段中，发光信号线(En)提供低电位，第四薄膜晶体管(T4)及第五薄膜晶体管(T5)打开；第一扫描控制信号线(Sn)提供高电位，第一薄膜晶体管(T1)及第三薄膜晶体管(T3)关闭，第二扫描控制信号线(SC)提供高电位，第二节点(N2)的电压保持等于有机发光二极管(D1)阳极的电压，第二薄膜晶体管(T2)、第六薄膜晶体管(T6)及第七薄膜晶体管(T7)处于打开状态；
上述第三初始化阶段中，发光信号线(En)提供高电位，第四薄膜晶体管(T4)及第五薄膜晶体管(T5)关闭；第一扫描控制信号线(Sn)提供高电位，第一薄膜晶体管(T1)及第三薄膜晶体管(T3)关闭；第二扫描控制信号线(SC)提供高电位，第二节点(N2)的电压保持等于有机发光二极管(D1)阳极的电压，第二薄膜晶体管(T2)、第六薄膜晶体管(T6)及第七薄膜晶体管(T7)处于打开状态；
上述第四初始化阶段中，发光信号线(En)提供高电位，第四薄膜晶体管(T4)及第五薄膜晶体管(T5)关闭；第一扫描控制信号线(Sn)提供高电位，第一薄膜晶体管(T1)及第三薄膜晶体管(T3)关闭；第二扫描控制信号线(SC)提供低电位，第二薄膜晶体管(T2)、第六薄膜晶体管(T6)及第七薄膜晶体管(T7)处于打开状态；
上述数据写入阶段中，发光信号线(En)提供高电位，第四薄膜晶体管(T4)及第五薄膜晶体管(T5)关闭；第一扫描控制信号线(Sn)提供低电位，第一薄膜晶体管(T1)及第三薄膜晶体管(T3)打开；第二扫描控制信号线(SC)提供低电位，数据信号线(Data)提供高电位，第二节点(N2)写入数据信号线(Data)提供的电压，第二薄膜晶体管(T2)、第六薄膜晶体管(T6)及第七薄膜晶体管(T7)由打开状态变为关闭状态；
上述保持阶段中，发光信号线(En)提供高电位，第四薄膜晶体管(T4)及第五薄膜晶体管(T5)关闭；第一扫描控制信号线(Sn)提供高电位，第一薄膜晶体管(T1)及第三薄膜晶体管(T3)关闭；第二扫描控制信号线(SC)提供低电位，第二节点(N2)保持数据写入阶段写入的数据信号线(Data)提供的电压，第二薄膜晶体管(T2)、第六薄膜晶体管(T6)及第七薄膜晶体管(T7)处于关闭状态；
上述驱动阶段中，发光信号线(En)提供低电位，第四薄膜晶体管(T4)及第五薄膜晶体管(T5)打开；第一扫描控制信号线(Sn)提供高电位，第一薄膜晶体管(T1)及第三薄膜晶体管(T3)关闭；第二扫描控制信号线(SC)提供低电位，第二节点(N2)保持数据写入阶段写入的数据信号线(Data)提供的电压，电源电压(ELVDD)提供高电位，第二薄膜晶体管(T2)、第六薄膜晶体管(T6)及第七薄膜晶体管(T7)处于打开状态，有机发光二极管(D1)发光。
8.根据权利要求6所述的AMOLED时序控制电路的时序控制方法，其特征在于，所述扫描控制信号线(Sn)具有大于等于两个脉冲的信号，至少包括一个所有行相同时间的脉冲和一个逐行扫描的脉冲。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110875014A (zh) * 2018-08-30 2020-03-10 上海和辉光电有限公司 一种像素电路及其驱动方法和显示面板

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20050113696A (ko) * 2004-05-25 2005-12-05 삼성에스디아이 주식회사 유기전계 발광 표시 패널
US20080143704A1 (en) * 2006-12-19 2008-06-19 Sang-Moo Choi Organic light emitting display device
US20090009496A1 (en) * 2007-07-04 2009-01-08 Won-Kyu Kwak Organic light emitting display and manufacturing method thereof
US20130141316A1 (en) * 2011-12-05 2013-06-06 Lg Display Co., Ltd. Organic light emitting diode display device and method of driving the same
CN103218972A (zh) * 2013-04-15 2013-07-24 京东方科技集团股份有限公司 像素电路、像素电路驱动方法及显示装置
US20140225878A1 (en) * 2013-02-08 2014-08-14 Au Optronics Corporation Pixel structure and driving method thereof
CN104064145A (zh) * 2014-06-13 2014-09-24 上海天马有机发光显示技术有限公司 一种像素驱动电路及有机发光显示装置
US20160163247A1 (en) * 2014-12-03 2016-06-09 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting display panel and method of manufacturing the same
CN105789250A (zh) * 2014-12-26 2016-07-20 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 像素电路及其驱动方法和有机发光显示器

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20050113696A (ko) * 2004-05-25 2005-12-05 삼성에스디아이 주식회사 유기전계 발광 표시 패널
US20080143704A1 (en) * 2006-12-19 2008-06-19 Sang-Moo Choi Organic light emitting display device
US20090009496A1 (en) * 2007-07-04 2009-01-08 Won-Kyu Kwak Organic light emitting display and manufacturing method thereof
US20130141316A1 (en) * 2011-12-05 2013-06-06 Lg Display Co., Ltd. Organic light emitting diode display device and method of driving the same
US20140225878A1 (en) * 2013-02-08 2014-08-14 Au Optronics Corporation Pixel structure and driving method thereof
CN103218972A (zh) * 2013-04-15 2013-07-24 京东方科技集团股份有限公司 像素电路、像素电路驱动方法及显示装置
CN104064145A (zh) * 2014-06-13 2014-09-24 上海天马有机发光显示技术有限公司 一种像素驱动电路及有机发光显示装置
US20160163247A1 (en) * 2014-12-03 2016-06-09 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting display panel and method of manufacturing the same
CN105789250A (zh) * 2014-12-26 2016-07-20 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 像素电路及其驱动方法和有机发光显示器

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110875014A (zh) * 2018-08-30 2020-03-10 上海和辉光电有限公司 一种像素电路及其驱动方法和显示面板
CN110875014B (zh) * 2018-08-30 2021-05-11 上海和辉光电股份有限公司 一种像素电路及其驱动方法和显示面板

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