CN110720134A - 用于加工基材的方法 - Google Patents

用于加工基材的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN110720134A
CN110720134A CN201880031139.9A CN201880031139A CN110720134A CN 110720134 A CN110720134 A CN 110720134A CN 201880031139 A CN201880031139 A CN 201880031139A CN 110720134 A CN110720134 A CN 110720134A
Authority
CN
China
Prior art keywords
substrate
major surface
carrier
bonding
major
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201880031139.9A
Other languages
English (en)
Inventor
金气南
赵东荣
金兵哲
权熙哲
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Corning Inc
Original Assignee
Corning Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Corning Inc filed Critical Corning Inc
Publication of CN110720134A publication Critical patent/CN110720134A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/185—Joining of semiconductor bodies for junction formation
    • H01L21/187—Joining of semiconductor bodies for junction formation by direct bonding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/185—Joining of semiconductor bodies for junction formation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67288—Monitoring of warpage, curvature, damage, defects or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
    • H01L21/67333—Trays for chips
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
    • H01L21/6734—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders specially adapted for supporting large square shaped substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • H01L21/6773—Conveying cassettes, containers or carriers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/6834—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used to protect an active side of a device or wafer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68345—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used as a support during the manufacture of self supporting substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68363—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used in a transfer process involving transfer directly from an origin substrate to a target substrate without use of an intermediate handle substrate

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Die Bonding (AREA)

Abstract

一种加工基材的方法，所述方法包括：将基材的第一主表面结合到第一载体的主表面；对第二载体进行定位，其中第二载体的第一主表面面向基材的第二主表面；然后向第二载体的第二主表面的某位置施加力，由此使第二载体的一部分朝向基材变形。第二载体的变形部分与基材的第二主表面接触，由此使基材的第一主表面的一部分和第二主表面的一部分朝向第一载体变形，并且基材的第一主表面的变形部分使得第一载体的主表面的一部分朝向第一载体的相背的主表面变形。

Description

用于加工基材的方法
相关申请的交叉参考
本申请根据35U.S.C.§119要求2017年5月10日提交的系列号为 10-2017-0058143的韩国专利申请的优先权权益，本文以该申请为基础并通过引用全文纳入本文。
技术领域
本公开一般地涉及用于加工基材的方法和设备，更具体地，涉及用于将基材与载体结合的方法和设备。
背景技术
玻璃片普遍用于显示应用，例如，液晶显示器(LCD)、电泳显示器(EPD)、有机发光二极管显示器(OLED)、等离子体显示器面板(PDP)、触摸传感器、光伏件等。通常，通过如下方法来制造玻璃片：使熔融玻璃流到成形主体，借此可以通过各种带成形工艺形成玻璃带，例如狭缝拉制、浮法、下拉、熔合下拉、辊轧或者上拉。然后，可以接着分离玻璃带以提供适于进一步加工成所需显示应用的薄的挠性玻璃片，包括但不限于移动装置、可穿戴设备(例如手表)、电视、电脑、平板电脑和其他显示监视器的基材。对在基材(包括挠性电子器件或其他电子装置)的制造中提供和加工薄的挠性玻璃片存在兴趣。基材的制造可以包括运输和处理薄的挠性玻璃片。因此，需要包括基材的设备以及用于加工基材的方法。
在基材加工期间处理薄的挠性玻璃的一种方式中，将挠性玻璃片结合到载体。一旦结合至载体，则载体的特性和尺寸允许在生产中处理和运输被结合的结构而不会不期望地弯曲玻璃片并且不会对玻璃片造成损坏。例如，可以将薄的挠性玻璃片结合到相对有刚性的载体，然后可以将功能性部件(例如滤色器、触摸传感器或薄膜晶体管(TFT)部件)附接于薄的挠性玻璃片，以生产可以用于电子装置生产的玻璃基材以用于显示应用。另外，通过将玻璃片结合到载体，载体的特性和尺寸使得所结合的结构在在生产设备中能够被处理和运输而不会显著地改变现有的生产设备，并因此降低了加工技术的成本并提高了效率。一旦完成运输、处理和其他加工步骤，则需要从载体移除基材以使基材可以用于例如显示应用的电子装置。
然而，鉴于基材的易碎性质，当将基材结合到载体时，在加工基材和载体期间以及当基材与载体脱结合时，基材和/或载体可能会不幸地发生损坏。另外，至少部分基于基材与载体之间的局部应变差异，当基材结合到载体时，基材可能翘曲。在加工期间，例如，当将功能性部件(例如滤色器、触摸传感器或薄膜晶体管(TFT)部件)附接于基材时，基材的翘曲可能带来问题。当基材用于显示应用的电子装置生产时，基材的翘曲也可能是不期望的。
因此，期望将基材结合到载体以及使基材与载体脱结合而不损坏载体和基材的实用解决方案。同样地，还期望将基材结合到载体以及使基材与载体脱结合以减少和/或消除基材翘曲的实际解决方案。因此，需要特定的载体和基材的设备以及加工载体和基材的方法，以减少和/或消除基材翘曲，并且允许将基材结合到载体以及将基材与载体脱结合而不会损坏载体和基材。
发明内容
阐述了基材、第一载体和第二载体的示例性实施方式，所述基材包括第一主表面和第二主表面；所述第一载体包括主表面，该主表面结合到基材的第一主表面；所述第二载体包括主表面，该主表面结合到基材的第二主表面。还提供了加工基材的方法，所述方法包括将基材结合到第一载体和第二载体。
在整个公开内容中所述的基材包括宽泛范围的基材，包括单一玻璃基材 (例如单一挠性玻璃基材或单一刚性玻璃基材)、单一玻璃陶瓷基材、单一陶瓷基材或单一硅基材。如本文中所使用的，术语“玻璃”意为包含至少部分由玻璃制成的任何材料，包括玻璃和玻璃陶瓷。“玻璃陶瓷”包括通过玻璃受控结晶所产生的材料。在实施方式中，玻璃陶瓷具有约30％至约90％的结晶度。可以使用的玻璃陶瓷体系的非限制性实例包括：Li2O×Al2O3×nSiO2(即， LAS体系)、MgO×Al2O3×nSiO2(即，MAS体系)和ZnO×Al2O3×nSiO2 (即，ZAS体系)。在一些实施方式中，基材包括材料的单一坯料基材，例如，单一坯料玻璃基材(例如，从下拉熔合工艺或其他技术所生产的玻璃带分离出的包括原始表面的玻璃片)、单一坯料玻璃陶瓷基材、单一坯料硅基材(例如单一坯料硅晶片)。如果以单一坯料玻璃基材来提供，则单一坯料玻璃基材可以是透明的、半透明的或不透明的，并且在单一坯料玻璃基材的整个厚度中可以任选地包括相同的玻璃组合物，所述整个厚度是从单一坯料玻璃基材的第一主表面到第二主表面。在一些实施方式中，单一坯料玻璃基材可以包括经过化学强化的单一坯料玻璃基材。
本公开的任何一种单一基材可以任选地包括宽泛范围的各种功能。例如，单一玻璃基材可以包括各种特征，这些特征使得基材能够改变光，或者被包含到显示装置、触摸传感器部件或其他装置中。在一些实施方式中，单一玻璃基材可以包括滤色器、偏振器、薄膜晶体管(TFT)或其他部件。在一些实施方式中，如果基材以单一硅基材提供，则硅基材可以包括能够使硅基材包含到集成电路、光伏装置或其他电气部件中的特征。
在一些实施方式中，基材可以包括各单一基材的堆叠体，例如，包括任何一个或多个单一基材。可以通过将两个或更多个单一基材相对于彼此进行堆叠，并且相邻单一基材的面对的各主表面相对于彼此结合，来构建单一基材的堆叠体。在一些实施方式中，单一基材的堆叠体可以包括单一玻璃基材的堆叠体。例如，第一单一玻璃基材可以包括滤色器，第二单一玻璃基材可以包括一个或多个薄膜晶体管。第一和第二单一玻璃基材可以作为单一基材的堆叠体结合在一起，该堆叠体可以形成为用于显示应用的显示面板。因此，本公开的基材可以包括任意一个或多个单一基材或者单一基材的堆叠体。
以下描述了本公开的一些示例性实施方式，同时应理解任意实施方式可以单独使用或彼此组合使用。
实施方式1：一种加工基材的方法，所述方法包括：将基材的第一主表面结合到第一载体的第一主表面；对第二载体进行定位，其中第二载体的第一主表面面向基材的第二主表面；然后向第二载体的第二主表面的某位置施加力，由此使第二载体的第一主表面的一部分和第二载体的第二主表面的一部分朝向基材变形。第二载体的第一主表面的变形部分与基材的第二主表面接触，由此使基材的第一主表面的一部分和基材的第二主表面的一部分朝向第一载体变形，并且基材的第一主表面的变形部分使得第一载体的第一主表面的一部分朝向第一载体的第二主表面变形。
实施方式2：如实施方式1所述的方法，其还包括：停止施加力，以使结合前沿远离所述位置传播，由此使第二载体的第一主表面结合到基材的第二主表面。
实施方式3：如实施方式1或实施方式2所述的方法，所述位置限定了第二载体的第二主表面上的点。
实施方式4：如实施方式1或实施方式2所述的方法，所述位置限定了在第二载体的第二主表面上延伸的轴线。
实施方式5：如实施方式1-4中任一个实施方式所述的方法，限定在基材的第一主表面与基材的第二主表面之间的基材厚度是约50微米至约300微米。
实施方式6：如实施方式1-5中任一个实施方式所述的方法，基材的材料选自下组：玻璃、玻璃陶瓷、陶瓷和硅。
实施方式7：如实施方式1-6中任一个实施方式所述的方法，第一载体包括聚氨酯。
实施方式8：如实施方式1-7中任一个实施方式所述的方法，第一载体包括：含有第一材料的第一层和含有第二材料的第二层。第一材料限定了第一载体的第一主表面，并且第二材料的刚度大于第一材料的刚度。
实施方式9：如实施方式8所述的方法，第一材料是聚氨酯。
实施方式10：如实施方式8或实施方式9所述的方法，第二材料选自下组：玻璃、玻璃陶瓷、陶瓷、硅、塑料和金属。
实施方式11：一种加工基材的方法，所述方法包括：将基材的第一主表面结合到第一载体的主表面。第一载体包括：含有第一材料的第一层和含有第二材料的第二层。第一材料限定了第一载体的主表面，并且第二材料的刚度大于第一材料的刚度。所述方法包括接着将基材的第二主表面结合到第二载体的主表面，然后使基材的第一主表面与第一载体的主表面脱结合。
实施方式12：如实施方式11所述的方法，限定在基材的第一主表面与基材的第二主表面之间的基材厚度是约50微米至约300微米。
实施方式13：如实施方式11或实施方式12所述的方法，基材的材料选自下组：玻璃、玻璃陶瓷、陶瓷和硅。
实施方式14：如实施方式11-13中任一个实施方式所述的方法，第一材料是聚氨酯。
实施方式15：如实施方式11-14中任一个实施方式所述的方法，第二材料选自下组：玻璃、玻璃陶瓷、陶瓷、硅、塑料和金属。
实施方式16：如实施方式11-15中任一个实施方式所述的方法，第一载体的外周边缘侧向包围基材的外周边缘。
实施方式17：如实施方式11-16中任一个实施方式所述的方法，基材的外周边缘侧向包围第二载体的外周边缘。
实施方式18：如实施方式11-17中任一个实施方式所述的方法，将基材的第一主表面结合到第一载体的主表面的第一结合力小于将基材的第二主表面结合到第二载体的主表面的第二结合力。
实施方式19：如实施方式11-18中任一个实施方式所述的方法，其还包括：在基材的第一主表面与第一载体的主表面脱结合之前，先使基材的外周围部分与基材的中心部分分离。
实施方式20：如实施方式11-19中任一个实施方式所述的方法，其还包括：在将基材的第一主表面结合到第一载体的主表面之后，并且在将基材的第二主表面结合到第二载体的主表面之前，加工基材的第二主表面的暴露区域。
实施方式21：如实施方式20所述的方法，加工基材的第二主表面的暴露区域包括：用液体洗涤基材的第二主表面的暴露区域。
实施方式22：如实施方式11-21中任一个实施方式所述的方法，其还包括：在基材的第一主表面与第一载体的主表面脱结合之后，加工基材的第一主表面的暴露区域。
实施方式23：如实施方式22所述的方法，加工基材的第一主表面的暴露区域包括：在高于或等于约300℃的温度下，加热基材的第一主表面的暴露区域。
实施方式24：如实施方式11-23中任一个实施方式所述的方法，其还包括：在基材的第一主表面与第一载体的主表面脱结合之后，使基材的第二主表面与第二载体的主表面脱结合。
实施方式25：如实施方式11-24中任一个实施方式所述的方法，将基材的第二主表面结合到第二载体的主表面包括：对第二载体进行定位，并且使第二载体的主表面面向基材的第二主表面。所述方法接着包括：向第二载体的相背的主表面的某位置施加力，由此使第二载体的主表面的一部分和相背的主表面的一部分朝向基材变形。第二载体的主表面的变形部分与基材的第二主表面接触，由此使基材的第一主表面的一部分和第二主表面的一部分朝向第一载体变形，并且基材的第一主表面的变形部分使得第一载体的主表面的一部分朝向第一载体的相背的主表面变形。
实施方式26：如实施方式25所述的方法，其还包括：停止施加力，以使结合前沿远离所述位置传播，由此使第二载体的主表面结合到基材的第二主表面。
实施方式27：如实施方式25或实施方式26所述的方法，所述位置限定了第二载体的相背的主表面上的点。
实施方式28：如实施方式25或实施方式26所述的方法，所述位置限定了在第二载体的相背的主表面上延伸的轴线。
附图说明
参照附图阅读下文的具体实施方式，可以更好地理解本公开的实施方式的上述特征和优点以及其他特征和优点，其中：
图1根据本公开的实施方式，例示了示例性基材和示例性第一载体的侧视示意图；
图2根据本公开的实施方式，例示了图1的一个示例性实施方式，其中，基材结合到第一载体；
图3根据本公开的实施方式，示出了沿着图2的线3-3的结合到第一载体的基材的顶视图；
图4根据本公开的实施方式，示出了沿着图2的线4-4的结合到第一载体的基材的部分截面图；
图5根据本公开的实施方式，例示了图2的结合到第一载体的基材并且包括第二载体的示例性实施方式；
图6根据本公开的实施方式，例示了图5的一个示例性实施方式，其中，基材结合到第一载体，并且第二载体定位成面向基材；
图7根据本公开的实施方式，示出了沿着图6的线7-7的结合到第一载体的基材以及定位成面向基材的第二载体的顶视图；
图8根据本公开的实施方式，示出了沿着图6的线8-8的结合到第一载体的基材和定位成面向基材的第二载体的部分截面图；
图9根据本公开的实施方式，例示了图6的一个示例性实施方式，其中，基材结合到第一载体，第二载体定位成面向基材，并且具有力正在施加于第二载体的主表面；
图10根据本公开的实施方式，示出了沿着图9的线10-10的结合到第一载体的基材、定位成面向基材的第二载体、以及正施加于第二载体的主表面的力的顶视图；
图11根据本公开的实施方式，示出了沿着图10的线11-11的结合到第一载体的基材、定位成面向基材的第二载体、以及正施加于第二载体的主表面的力的部分截面图；
图12根据本公开的实施方式，例示了在停止向第二载体的主表面施加力之后，并且基材结合到第一载体和第二载体的情况下，图11的部分截面图的示例性实施方式；
图13根据本公开的实施方式，例示了在停止向第二载体的主表面施加力之后，并且基材结合到第一载体和第二载体的情况下，图9的示例性实施方式；
图14根据本公开的实施方式，示出了在停止向第二载体的主表面施加力之后，沿着图13的线14-14的结合到第一载体和第二载体的基材的顶视图；
图15根据本公开的实施方式，例示了第一载体与基材脱结合后，结合到第二载体的基材的示例性实施方式；
图16根据本公开的实施方式，例示了第二载体与基材脱结合后，图15的基材的示例性实施方式；以及
图17根据本公开的实施方式，示出了加工基材的示例性方法的流程图。
具体实施方式
在此将参照附图更完整地描述各实施方式，附图中给出了示例性实施方式。只要可能，在所有附图中使用相同的附图标记来表示相同或类似的部分。但是，权利要求可以包含各个实施方式的许多不同方面，并且不应被理解成受限于本文提出的实施方式。
如上简述，在各个实施方式中，提供了用于加工基材的方法和设备。为了能够在加工期间处理和运输基材，可以将基材结合到载体。相对于基材，载体的特性和尺寸可以使得经结合的基材在加工期间能够被处理和运输而不会使基材显著地弯曲，基材的弯曲可损坏基材和/或损坏可安装于基材的部件。除非另有说明，否则本公开的任何实施方式的基材可以包括单一基材或两个或更多个单一基材的堆叠体。单一基材的厚度可以是约50微米至约300微米，但是在一些实施方式中也可以提供其他厚度。
在一些实施方式中，可以使用粘结剂，例如聚合物粘结剂、硅酮粘结剂、在一个或多个邻接表面(例如粗糙化的邻接表面)之间自然产生的力、或其他粘结剂，将单一挠性玻璃基材或单一挠性玻璃基材的堆叠体可移除地结合到载体。在一些实施方式中，可以在无粘结剂的情况下将基材结合到载体，并且基于基材与载体之间的直接接触的结合力可以将载体结合到基材。在一些实施方式中，可以将基材结合到由玻璃、树脂或者能够承受得住基材加工期间的条件的其他材料所制造的载体。因此，通过提供具有附加厚度的载体，载体可以任选地引入所需的刚性水平，所述附加厚度可以与可移除地结合到载体的基材的厚度相组合(或一起起作用)。在一些实施方式中，载体可以包含板(例如刚性板)，其厚度可以大于结合到载体的单一基材的厚度。此外，在一些实施方式中，可以对载体进行选择以包含某厚度，其中，载体以及结合到载体的基材的总厚度可以在某个范围内，该范围可以与被构造成加工相对较厚的玻璃基材的加工机器和设备一起使用，所述相对较厚的玻璃基材的厚度在载体和结合到载体的基材的总厚度的范围内。
在基材结合到载体后，可能期望随后从基材移除载体而不损坏基材。例如，在加工基材(例如，通过增加一个或多个功能性部件来加工)之前，可能期望从载体移除基材。或者，在一些实施方式中，在将基材加工成具有一个或多个功能性部件的单一基材之后并且在将基材形成为单一基材的堆叠体之前，可能期望从载体移除单一基材。另外，在一些实施方式中，可能期望从包括单一基材的堆叠体的基材移除载体。
本公开提供了用于加工基材的方法和设备。例如，图1例示了基材100的示例性特征，所述基材100包括第一主表面101和第二主表面102。在一些实施方式中，基材100可以包括选自下组的材料：玻璃、玻璃陶瓷、陶瓷和硅。另外，在一些实施方式中，限定在基材100的第一主表面101与基材100的第二主表面102之间的基材100的厚度“t1”(示于图4和图12)可以是约50 微米至约300微米。在一些实施方式中，可以提供第一载体105。第一载体105 可以包括：含有第一材料的第一层110和含有第二材料的第二层115。在一些实施方式中，第一层110可以包括第一主表面111和第二主表面112，并且第二层115可以包括第一主表面116和第二主表面117。
在一些实施方式中，第一载体105的第一层110的第二主表面112可以结合到第一载体105的第二层115的第一主表面116。例如，在一些实施方式中，第二主表面112可以与第一主表面116直接接触。在一些实施方式中，至少基于第二主表面112与第一主表面116之间的直接接触，第二主表面112可以直接结合到第一主表面116。替代或附加地，在一些实施方式中，第一载体105 可以包括位于第二主表面112与第一主表面116之间的粘合剂(未示出)，以将第二主表面112结合到第一主表面116。在一些实施方式中，可以通过层压、压制、加热或者使第一层110附接于第二层115的其他结合方法来将第一层110 结合到第二层115。在一些实施方式中，第二主表面112与第一主表面116之间的结合可以被认为在一定程度上是永久的，使得一旦结合，可能不打算使第二主表面112与第一主表面116脱结合。
另外，在一些实施方式中，第一载体105可以仅包括单个层，或者不止两层，这不会偏离本公开的范围。例如，在一些实施方式中，取决于第一载体105 的机械、化学和物理性质中的一种或多种，单个层、两个层(例如第一层110、第二层115)或多于两个层可以提供一些特性，根据本公开的实施方式，这些特性促进第一载体105与基材100之间的结合，第一载体105和基材100的加工，以及使第一载体105与基材100脱结合。因此，虽然在附图中例示为包含第一层110和第二层115，但应理解，在一些实施方式中，第一载体105可以包括第一层110和第二层115(单独或组合)中的一个或多个特征，并且可以作为单个层或多于两层来提供而不会偏离本公开的范围。
如图2所示，在一些实施方式中，第一材料可以限定第一载体105的第一主表面111，并且加工基材100的方法可以包括将基材100的第一主表面101 结合到第一载体105的第一主表面111。在一些实施方式中，将基材100的第一主表面101结合到第一载体105的第一主表面111可以包括向基材100施加压力以将基材100结合到第一载体105。因此，可以对第一层110进行选择，以提供促进基材100的第一主表面101与第一载体105的第一层110的第一主表面111之间的结合的一种或多种机械、化学和物理性质。同样地，可以因此对第二层115进行选择，以提供促进基材100的加工、处理和运输的一种或多种机械、化学和物理性质。
例如，在一些实施方式中，第一层110的第一材料可以是聚氨酯。另外，在一些实施方式中，第二层115的第二材料可以选自下组：玻璃、玻璃陶瓷、陶瓷、硅、塑料和金属。在一些实施方式中，聚氨酯可以提供促进基材100的第一主表面101与第一载体105的第一层110的第一主表面111之间的结合的一种或多种机械、化学和物理性质。同样地，在一些实施方式中，玻璃、玻璃陶瓷、陶瓷、硅、塑料和金属可以提供促进基材100的加工、处理和运输的一种或多种机械、化学和物理性质。例如，在一些实施方式中，虽然聚氨酯可以提供促进基材100的第一主表面101与第一载体105的第一层110的第一主表面111之间的结合的一种或多种机械、化学和物理性质，但是聚氨酯可提供一种或多种其他机械、化学和物理性质，其相比于例如玻璃、玻璃陶瓷、陶瓷、硅、塑料和金属不那么适于加工、处理和运输基材100。替代性地，在一些实施方式中，虽然玻璃、玻璃陶瓷、陶瓷、硅、塑料和金属可以提供促进基材100的加工、处理和运输的一种或多种其他机械、化学和物理性质，但是玻璃、玻璃陶瓷、陶瓷、硅、塑料和金属可提供一种或多种机械、化学和物理性质，其相比于例如聚氨酯，不那么适于使基材100的第一主表面101与第一载体105 的第一层110的第一主表面111之间结合。因此，在一些实施方式中，制造第一载体105以包括含有第一材料的第一层110和含有第二材料的第二层115可以提供满足特定特性的一种或多种机械、化学和物理性质的组合，根据本公开的实施方式，所述特定特性促进基材100的结合、加工、处理和运输。
例如，在一些实施方式中，第二层115的第二材料的刚度(例如弹性模量) 可以大于第一层110的第一材料的刚度(例如弹性模量)。因此，在一些实施方式中，第二层115可以向第一载体105提供刚性比第一层110更大的层，同时，第一层110向基材100提供挠性比第二层115更强的层。因此，在一些实施方式中，可以对第一载体105的有效刚度(例如第一层110的刚度和第二层 115的刚度的组合刚度)进行选择，以使第一载体105具备促进根据本公开实施方式所述的基材100的结合、加工、处理和运输的刚度(例如有效挠性、有效刚性)。
使第一载体105的第二层115具备的刚度大于第一载体105的第一层110 的刚度可以提供多个优点。例如，在加工、处理和运输基材100期间，可能期望具有减少和/或消除基材100的弯曲的刚性结构。另外，在一些实施方式中，在基材100的加工、处理和运输期间，基材100可能受到物体和外力的接触。因此，第二层115——单独或与第一层110组合地——可以提供第一载体105 的刚度，使得第一载体105的刚性足以在加工、处理和运输基材100期间减少和/或消除基材100的弯曲。
转到图3，该图例示了沿着图2的线3-3的结合到第一载体105的基材100 的顶视图，在一些实施方式中，第一载体105的外周边缘305可以侧向包围基材100的外周边缘300。在本公开中，“侧向包围”第二边缘的第一边缘旨在表示在垂直于堆叠体中的彼此分解和/或结合的基材或载体的一个或多个主表面的方向上的顶视图中，由第一边缘限定的外周围绕由第二边缘限定的外周。因此，例如，如图3的顶视图所示，由第一载体105的外周边缘305限定的外周围绕由基材100的外周边缘300所限定的外周。因此，参考图1和2，第一载体105的外周边缘305显示为侧向包围基材100的外周边缘300。
通过侧向包围基材100的外周边缘300，第一载体105的外周边缘305可以隔离基材100的外周边缘300以不接触基材100和/或第一载体105可能经受的物体和外力。例如，在处理、加工和运输结合到第一载体105的基材100期间，基材100和/或第一载体105可能经受物体和外力的接触。在一些实施方式中，如果基材100直接受到物体和外力接触，则基材100可能至少出于与物体和外力的接触而受损坏(例如开裂、碎裂、刮擦等)。然而，通过侧向包围基材100的外周边缘300，第一载体105的外周边缘305可以接触物体和外力，并且隔离基材100的外周边缘300而不直接接触物体和外力，由此防止和/或减少对基材100的损坏。
使第一载体105的第一层110具备的刚度小于第一载体105的第二层115 的刚度可以提供多个优点。例如，图4例示了结合到第一载体105的基材100 的沿着图2的线4-4的部分截面图。如图所示，在一些实施方式中，第一层110 可以变形而包含凹处401，不期望的碎屑400(例如灰尘、污垢、颗粒等)可以沉积在凹处401中。例如，至少基于第一层110的刚度(例如弹性)，在结合期间，第一层可以变形而包含凹处401，该凹处401容纳有可能存在于基材 100的第一主表面101和/或第一载体105的第一主表面111上的不期望的碎屑 400。由于所形成的凹处401容纳有碎屑400，因此基材100可以保持平面轮廓 (例如，第一主表面101可以是平坦的，第二主表面102可以是平坦的，并且第一主表面101可以平行于第二主表面102)。也就是说，如果第一层110的第一材料具有的刚度使得第一材料不变形以包含凹处401，则碎屑400可造成基材100翘曲，并且具有非平面轮廓(例如第一主表面101可能是非平坦的，第二主表面102可能是非平坦的，并且第一主表面101可能不平行于第二主表面102)。在加工期间，例如，当将功能性部件(例如滤色器、触摸传感器或薄膜晶体管(TFT)部件)附接于基材100时，基材的翘曲可能带来问题。当基材用于例如显示应用的电子装置生产时，基材的翘曲也可能是不期望的。因此，以减少和/或消除基材100的翘曲的方式将基材100结合到第一载体105可以提供与基材100的加工和利用相关的优点。
另外，在一些实施方式中，聚氨酯可以提供促进基材100的第一主表面101 与第一载体105的第一层110的第一主表面111之间的结合的一种或多种机械、化学和物理性质。例如，在一些实施方式中，聚氨酯可以提供自粘性质，其中基材100的第一主表面101与第一载体105的第一层110的第一主表面111结合而无需粘结剂(例如粘合剂)以及无需加热、湿润或其他外界影响。因此，聚氨酯可以提供可供基材100结合和脱结合而不会在基材100上留下残余物的表面。在一些实施方式中，基材100上的残余物可能干扰或降低基材100的光学特性，可能期望将其从基材清洁掉，并因此可能增加加工基材100的费用和时间。因此，在一些实施方式中，聚氨酯的自粘性质可以提供相对于将基材100 的第一主表面101结合到第一载体105的第一主表面111而言的另外的优点，所述优点减少和/或消除了基材100上的残余物。因此，本公开的特征可以提高基材100的加工质量和效率，由此降低成本并增加基材的产量以例如用于各种显示应用。
如图2-4所示，在一些实施方式中，在基材100的第一主表面101结合到第一载体105的第一主表面111后，可以对基材100进行加工。例如，可以对基材100的第二主表面102的暴露区域200进行加工。在一些实施方式中，可以通过采用现有的生产设备来进行加工，其中包含有结合到第一载体105的基材100的经结合的结构提供了例如特性和尺寸，该特性和尺寸允许在生产设备中处理和运输经结合的结构而无需显著改动生产设备。例如，在一些实施方式中，现有的生产设备可以被构造用于加工具有预定厚度的结构。在一些实施方式中，可以选择基材100的厚度“t1”并结合第一载体105的厚度，以在基材 100的第二主表面102与第一载体105的第二主表面117之间提供经结合的结构的厚度“t2”，使得该厚度“t2”等于现有生产设备被构造用于加工的预定厚度。在一些实施方式中，厚度“t2”可以是约300微米至约750微米、约300 微米至约1毫米、约1毫米至约2毫米；然而，在一些实施方式中，经结合的结构的厚度“t2”可以大于或小于本公开中提供的明确尺寸而不会偏离本公开的范围。
在一些实施方式中，加工基材100的第二主表面102的暴露区域200可以包括用液体洗涤暴露区域200。在一些实施方式中，用液体洗涤暴露区域200 可以移除可能沉积在暴露区域200上的碎屑(例如污垢、灰尘、颗粒等)。另外，在一些实施方式中，对基材100进行加工可以包括：在高于约300摄氏度的温度下加热。例如，在一些实施方式中，对基材100进行加工可以包括：将功能性部件(例如滤色器、触摸传感器或薄膜晶体管(TFT)部件)附接于基材100，在这期间，可以在高于约300摄氏度的温度下加热基材100。然而，在第一载体105包含聚氨酯材料的实施方式中，在高于约300摄氏度的温度下加热可能使聚氨酯降解。因此，在加工包括在高于约300摄氏度的温度下加热的实施方式中，可能期望先使第一载体105与基材100脱结合，再在高于约300 摄氏度的温度下加热以避免聚氨酯材料的降解。然而，将基材100结合到载体使得经结合的结构例如具有某些特性和尺寸，这些特性和尺寸允许在生产设备中处理和运输经结合的结构而无需显著改动现有生产设备。因此，在一些实施方式中，可能期望将基材100结合到由可以经受得住加工的材料所制造的载体，所述加工包括在高于约300摄氏度的温度下加热而不会使材料降解。
图5-12例示了将基材100结合到第二载体500的示例性方法。在一些实施方式中，第二载体500可以由可经受得住加工的材料制造，所述加工包括在高于约300摄氏度的温度下加热而不会使材料降解。例如，在一些实施方式中，第二载体500可以包含选自下组的材料：玻璃、玻璃陶瓷、陶瓷、硅、塑料和金属。如图5和图6所示，第二载体500可以包括第一主表面501和第二主表面502。在一些实施方式中，在将基材100的第一主表面101结合到第一载体 105的第一主表面111之后，所述方法可以包括将第二载体500定位成使得第二载体500的第一主表面501面向基材100的第二主表面102。图7例示了沿着图6的线7-7的基材100的顶视图，其中第二载体500的第一主表面501面向基材100的第二主表面102。如图所示，在一些实施方式中，基材100的外周边缘300可以侧向包围第二载体500的外周边缘700。通过侧向包围第二载体500的外周边缘700，在随后的处理、加工和运输结合到第二载体500的基材100期间，可以暴露出基材100的外周边缘300。附加地，通过侧向包围第二载体500的外周边缘700，第二载体500可以侧向完全位于基材100的外周边缘300内，从而使第二载体500的整个第一主表面501可以结合到基材100 的第二主表面102。
或者，在一些实施方式中，第二载体500的外周边缘700可以侧向包围基材100的外周边缘300。通过侧向包围基材100的外周边缘300，第二载体500 的外周边缘700可以隔离基材100的外周边缘300以不接触基材100和/或第二载体500可能经受的物体和外力。例如，在处理、加工和运输结合到第二载体 500的基材100期间，基材100和/或第二载体500可能经受物体和外力的接触。在一些实施方式中，如果基材100直接受到物体和外力接触，则基材100可能至少出于与物体和外力的接触而受损坏(例如开裂、碎裂、刮擦等)。然而，通过侧向包围基材100的外周边缘300，第二载体500的外周边缘700可以接触物体和外力，并且将基材100的外周边缘300隔离而不直接接触物体和外力，由此防止和/或减少对基材100的损坏。在一些实施方式中，第二载体500的外周边缘700和基材100的外周边缘300基本上可以彼此对齐，即，外周边缘700 不侧向包围外周边缘300，而外周边缘300也不侧向包围外周边缘700。外周边缘300、700可以是基本对齐的，就如同当基材100已经结合到载体500上之后，对基材100进行裁切以符合载体500的尺寸那样。
图8例示了沿着图6的线8-8的第二载体500的部分截面图，所述第二载体500被定位成使第二载体500的第一主表面501面向基材100的第二主表面 102。如图所示，在一些实施方式中，当第二载体500被定位成使第一主表面 501面向第二主表面102时，在第二载体500的第一主表面501的至少一部分与基材100的第二主表面102之间可以存在间隙800。无意囿于理论，认为在一些实施方式中，当第二载体500被定位成使第一主表面501面向第二主表面 102，并且无外力(重力除外)作用在基材100上时，在第二载体500的第一主表面501与基材100的第二主表面102之间可以存在间隙800，这至少部分是出于在第一主表面501与第二主表面102之间滞留有气体(例如空气)的原因。至少基于在第一主表面501与第二主表面102之间存在间隙800，因此，可以认为第二载体500还未结合到基材100。
如图9所示，在一些实施方式中，将第二载体500结合到基材100可以包括向第二载体500的第二主表面502的某个位置施加力“F”。如图10所示，在一些实施方式中，可以施加力“F”的位置可以限定为第二载体500的第二主表面502上的点1001。附加地，在一些实施方式中，可以施加力“F”的位置可以限定为在第二载体500的第二主表面502上延伸的轴线1002。虽然所述位置例示为沿着第二载体500的第二主表面502的几何中心线定位，但是应理解，可以施加力“F”的位置可以位于第二载体500的第二主表面502上并且是在第二载体500的外周边缘700之内的任何位置处。在一些实施方式中，可以在朝向基材100的方向上，垂直于第二载体500的第二主表面502施加力“F”。在一些实施方式中，可以在朝向基材100的方向上，相对于第二载体500的第二主表面502呈某角度(例如45度、60度、75度、80度、85度)来施加力“F”。另外，在一些实施方式中，可以利用工具(未示出)向第二载体500 的第二主表面502的位置施加力“F”，所述工具可以包括接触第二载体500 的第二主表面502的一种或多种机械结构。在一些实施方式中，例如，所述工具可以包括人手的指尖、机器人装置或者接触第二载体500的第二主表面502 并且向所述位置施加力“F”的任何其他机械结构。
转到图11，该图沿着图10的线11-11例示了部分截面图，在一些实施方式中，向第二载体500的第二主表面502的位置(例如点1001、轴线1002) 施加力“F”可以使第二载体500的第二主表面502的部分1101变形。至少基于第二载体500的第二主表面502的部分1101的变形，第二载体500的第一主表面501的部分1102也可以朝向基材100变形。第二载体500的第一主表面501的变形部分1102可以接触基材100的第二主表面102。至少基于第二载体500的第一主表面501的部分1102与基材100的第二主表面102之间的接触，第二载体500的第一主表面501的部分1102可以结合到基材100的第二主表面102。
另外，至少基于第二载体500的第一主表面501的部分1102与基材100 的第二主表面102之间的接触，基材100的第二主表面102的部分1103可以朝向第一载体105变形。至少基于基材100的第二主表面102的部分1103的变形，基材100的第一主表面101的部分1104也可以朝向第一载体105变形。至少基于基材100的第一主表面101的部分1104的变形，第一载体105的第一主表面111的部分1105也可以变形。例如，在第一载体105包括第一层110 和第二层115的实施方式中，至少基于基材100的第一主表面101的部分1104 的变形，第一层110的第一主表面111的部分1105可以朝向第二层115变形。也就是说，在一些实施方式中，至少基于基材100的第一主表面101的部分1104 的变形，第一载体105的第一层110的第一主表面111的部分1105可以朝向下述中的至少一者变形：第一载体105的第一层的第二主表面112、第一载体 105的第二层115的第一主表面116和第一载体105的第二层115的第二主表面117。在一些实施方式中，第一层110的第一主表面111的部分1105可以变形而第二层115不变形。例如，如前所述，第二层115的材料的刚度可以大于第一层110的材料的刚度，以使得第一层110变形而第二层115没有相应的变形。
在向第二载体500的第二主表面502的位置(例如点1001、轴线1002) 施加力“F”后，所述方法接着可以包括：停止施加力“F”，以使结合前沿(使第二载体500的第一主表面501结合到基材100的第二主表面102的结合前沿) 远离所述位置传播。例如，如图10所示，对于限定点1001的位置，在停止施加力“F”之后，结合前沿可远离点1001传播，如箭头1001a、1001b、1001c 和1001d示意性所示。类似地，对于限定轴线1002的位置，在停止施加力“F”之后，结合前沿可远离轴线1002传播，如箭头1002a、1002b、1002c和1002d 示意性所示。
在一些实施方式中，在停止施加力“F”之后，使第一载体105的第一主表面111的部分1105变形的力可以得到平衡。至少基于力的平衡，第一载体 105的第一主表面111的变形部分1105可以在与其变形的方向相反的方向上移动，以提供处于平衡状态的第一主表面111，其中作用在第一主表面111上的所有力得到平衡和/或为零。
类似地，在停止施加力“F”之后，使基材100的第一主表面101的部分 1104变形的力以及使基材100的第二主表面102的部分1103变形的力可以得到平衡。至少基于力的平衡，基材100的第一主表面101的变形部分1104和基材100的第二主表面102的变形部分1103可以在与它们变形的方向相反的方向上移动，以提供处于平衡状态的基材100的第一主表面101和第二主表面 102，其中作用在第一主表面101和第二主表面102上的所有力得到平衡和/或为零。
同样地，在停止施加力“F”之后，使第二载体500的第一主表面501的部分1102变形的力以及使第二载体500的第二主表面502的部分1101变形的力可以得到平衡。至少基于力的平衡，第二载体500的第一主表面501的变形部分1102和第二载体500的第二主表面502的变形部分1101可以在与它们变形的方向相反的方向上移动，以提供处于平衡状态的第一主表面501和第二主表面502，其中作用在第一主表面501和第二主表面502上的所有力得到平衡和/ 或为零。
无意囿于理论，在停止施加力“F”后，至少基于基材100、第一载体105 和第二载体500的各变形部分中的一个或多个变形部分的平衡，结合前沿可以从所述位置自然传播(例如，无需外界影响)。另外，如图11中的箭头800a 和800b所示，当结合前沿远离所述位置自然传播时，在间隙800(如图8所示) 中的气体可以从第二载体500的第一主表面501与基材100的第二主表面102 之间排出。因此，随着基材100、第一载体105和第二载体500的变形部分平衡，气体可以从第二载体500的第一主表面501与基材100的第二主表面102 之间的间隙800排出，结合前沿可以远离所述位置自然传播，并且第二载体500 的第一主表面501结合到基材100的第二主表面102。
第二载体500的第一主表面501与基材100的第二主表面102之间的结合可以包括：使第一主表面501与第二主表面102之间直接接触，例如，其中，范德华力使第一主表面501结合到第二主表面102。替代性地或附加地，在一些实施方式中，粘结剂，例如聚合物粘结剂、硅酮粘结剂或其他粘结剂可以位于第二载体500的第一主表面501与基材100的第二主表面102之间，以在第一主表面501与第二主表面102之间形成结合。
如图12和图13所示，一旦结合前沿完成了自然传播，则第二载体500的第一主表面501和基材100的第二主表面102可以结合在一起。在一些实施方式中，结合前沿的自然传播可以在第一主表面501与第二主表面102之间提供结合界面，使得在第一主表面501与第二主表面102之间可以基本上不含气泡 (例如滞留的些许气体)。在一些实施方式中，相比于基本不含气泡的区域处的第一主表面501与第二主表面102之间的结合力，在气泡区域处的第一主表面501与第二主表面102之间的结合力可以有所减小和/或不存在。因此，在一些实施方式中，结合前沿的自然传播可以在第二载体500的第一主表面501与基材100的第二主表面102之间提供结合界面，其可以比通过其他结合方法实现的结合界面更牢固。
另外，在一些实施方式中，结合前沿的自然传播可以在基材100结合到第二载体500之后提供具有平坦轮廓的基材100。例如，在基材100结合到第二载体500上后，基材100基本上可以是无翘曲的，并且基材100的第一主表面 101可以是平坦的，基材100的第二主表面102可以是平坦的，且第一主表面 101可以平行于第二主表面102。由于在加工期间，例如，当将功能性部件(例如滤色器、触摸传感器或薄膜晶体管(TFT)部件)附接于基材100时，基材 100的翘曲可能带来问题，因此在加工基材100时，基本上无翘曲的基材100 可以提供多个优点。另外，由于当将基材100用于生产显示应用的电子装置时，基材100的翘曲也是不期望的，因此，当将基材100用于显示应用的电子装置时，基本上无翘曲的基材100可以提供多个优点。
在一些实施方式中，现有的生产设备可以被构造用于加工具有预定厚度的结构。回到图12，在一些实施方式中，可以因此选择基材100的厚度“t1”并结合第二载体500的厚度，以在基材100的第一主表面101与第二载体500的第二主表面502之间提供经结合的结构的厚度“t3”，使得该厚度“t3”等于现有生产设备被构造用于加工的预定厚度。因此，在一些实施方式中，可以通过采用现有的生产设备来进行加工，其中包含有结合到第二载体500的基材100 的经结合的结构例如提供了特性和尺寸，所述特性和尺寸允许在生产设备中处理和运输经结合的结构而无需显著改动生产设备。在一些实施方式中，厚度“t3”可以是约300微米至约750微米、约300微米至约1毫米、约1毫米至约2毫米；然而，在一些实施方式中，经结合的结构的厚度“t3”可以大于或小于本公开中提供的明确尺寸而不会偏离本公开的范围。
所述方法还可以包括使基材100的第一主表面101与第一载体105的第一主表面111脱结合。可以通过以下中的一种或多种来进行脱结合：剥离、撬开和提起基材100和/或第一载体105以克服将基材100的第一主表面101结合到第一载体105的第一主表面111的第一结合力。至少基于对基材100和/或第一载体105进行剥离、撬开和提起中的一种或多种，基材100和第一载体105具有相对位移，该相对位移可以使基材100与第一载体105脱结合并分离(例如完全分离)。在一些实施方式中，将基材100的第一主表面101结合到第一载体105的第一主表面111的第一结合力可以小于将基材100的第二主表面102 结合到第二载体500的第一主表面501的第二结合力。因此，如果将基材100 的第二主表面102结合到第二载体500的第一主表面501的第二结合力大于将基材100的第一主表面101结合到第一载体105的第一主表面111的第一结合力，则对基材100和/或第一载体105进行的所述剥离、撬开和提起中的一种或多种将先克服第一结合力，再克服第二结合力。因此，在一些实施方式中，可以使第一载体105与基材100脱结合而不会干扰第二结合力并且不会使基材 100与第二载体500脱结合。
转到图4，在一些实施方式中，在第一载体105与基材100脱结合之前，所述方法可以包括：使基材100的外周围部分100a与基材100的中心部分100b 分离。在一些实施方式中，使外周围部分100a与中心部分100b分离可以包括：沿着分离路径1400，利用工具(例如刻划轮、激光等)刻划基材100(例如，第二主表面102)，然后沿着分离路径1400使外周围部分100a与中心部分100b 分离。在一些实施方式中，先使外周围部分100a与中心部分100b分离，再使第一载体105的第一主表面111与基材100的第一主表面101脱结合可以提供多个优点。例如，在一些实施方式中，在沿着分离路径1400使外周围部分100a 与中心部分100b分离时，第一载体105可以支承基材100。例如，第一载体 105可以保持外周围部分100a和中心部分100b，并且在沿着分离路径1400使外周围部分100a与中心部分100b分离时，可以防止和/或减少外周围部分100a 和/或中心部分100b的移动(例如，抑制振动)。
无意囿于理论，在一些实施方式中，相比于例如在外周围部分100a和/或中心部分100b没有支承的情况下使外周围部分100a与中心部分100b分离，通过防止和/或减少外周围部分100a和/或中心部分100b的移动，可以更高的成功率使基材100的外周围部分100a与基材100的中心部分100b分离。例如，在使外周围部分100a与中心部分100b分离时支承外周围部分100a和/或中心部分100b，可以防止和/或减少由分离导致的沿着分离路径1400的基材100中的裂纹、缺口和破裂，如果外周围部分100a和/或中心部分100b未被第一载体105支承，则原本可能存在这些裂纹、缺口和破裂。替代性地或附加地，在一些实施方式中，在基材100结合到第一载体105时使外周围部分100a与中心部分100b分离可以有利地使第一载体105起到用于外周围部分100a的把持件的作用。也就是说，通过操纵第一载体105，可以使外周围部分100a相对于中心部分100b移动(例如远离中心部分100b)。因此，在一些实施方式中，第一载体105可以容纳外周围部分100a的材料，以使其不破裂开并且不会形成可能落在中心部分100b上的碎屑。
图15示出了在基材100的外周围部分100a与基材的中心部分100b分离后，以及在第一载体的第一主表面111与基材100的第一主表面101脱结合后，结合到第二载体500的第一主表面501的基材100的第二主表面102。在一些实施方式中，在第一载体105的第一主表面111与基材100的第一主表面101 脱结合后，基材100的第一主表面101可以包括暴露区域1500。加工基材100 的方法接着可以包括：加工基材100的第一主表面101的暴露区域1500。在一些实施方式中，加工暴露区域1500可以包括：在高于约300摄氏度的温度下加热暴露区域1500。在一些实施方式中，加工暴露区域1500可以包括：将功能性部件(例如滤色器、触摸传感器或薄膜晶体管(TFT)部件)附接于基材 100的第一主表面101。在一些实施方式中，加工暴露区域1500可以包括：用液体洗涤暴露区域1500。在一些实施方式中，用液体洗涤暴露区域1500可以移除可能沉积在暴露区域1500上的碎屑(例如污垢、灰尘、颗粒等)。
在一些实施方式中，可以在基材100的外周围部分100a与基材100的中心部分100b未分离的情况下，使第一载体105的第一主表面111与基材100 的第一主表面101脱结合。另外，至少基于将基材100结合于第一载体105和第二载体500的方法，在第一载体105与基材100脱结合后，基材100(包括基材100的第一主表面101的暴露区域1500)可以基本上无翘曲。例如，在第一载体105与基材100脱结合后，基材100的第一主表面101可以是平坦的，基材100的第二主表面102可以是平坦的，且第一主表面101可以平行于第二主表面102。
如图16所示，在对基材100的第一主表面101的暴露区域1500进行加工之后，在一些实施方式中，所述方法可以包括：使第二载体500的第一主表面 501与基材100的第二主表面102脱结合。脱结合可以通过以下中的一种或多种来进行：剥离、撬开和提起基材100和/或第二载体500以克服将基材100的第二主表面102结合到第二载体500的第一主表面501的第二结合力。至少基于对基材100和/或第二载体500进行剥离、撬开和提起中的一种或多种，基材 100和第二载体500具有相对位移，该相对位移可以使基材100与第二载体500脱结合并分离(例如完全分离)。
至少基于将基材100结合于第一载体105和第二载体500的方法，在第二载体500与基材100脱结合后，基材100(包括基材100的第一主表面101的暴露区域1500)可以基本上无翘曲。例如，在第一载体105与基材100脱结合后，基材100的第一主表面101可以是平坦的，基材100的第二主表面102可以是平坦的，且第一主表面101可以平行于第二主表面102。因此，在分离基材100和第二载体500后，可以提供基材100，包括附接于基材100的第一主表面101和/或基材100的第二主表面102的任何功能性部件(例如滤色器、触摸传感器或薄膜晶体管(TFT)部件)，并将其用于电子装置以用于显示应用或者基材100可在其中找到用处的任何其他应用。
图17根据本公开的实施方式，示出了加工基材100的示例性方法步骤的流程图。例如，步骤1701可以对应于将基材100的第一主表面101结合到第一载体105的第一主表面111的一个或多个特征。步骤1703可以对应于在将基材100的第一主表面101结合到第一载体105的第一主表面111的步骤1701 之后，将基材100的第二主表面102结合于第二载体500的第一主表面501的一个或多个特征。步骤1702可以对应于在将基材100的第一主表面101结合到第一载体105的第一主表面111的步骤1701之后，以及在将基材100的第二主表面102结合于第二载体500的第一主表面501的步骤1703之前，对基材100的第二主表面102的暴露区域200进行加工的任选步骤的一个或多个特征。步骤1705可以对应于使基材100与第一载体105脱结合的一个或多个特征，例如在将基材100的第二主表面102结合到第二载体500的第一主表面501 的步骤1703之后进行。步骤1704可以对应于在将基材100的第二主表面102结合到第二载体500的第一主表面501的步骤1703之后，以及在使基材100 与第一载体105脱结合的步骤1705之前，使基材100的外周围部分100a与基材100的中心部分100b分离的任选步骤的一个或多个特征。步骤1707可以对应于使基材100与第二载体500脱结合的一个或多个特征，例如在使基材100 与第一载体105脱结合的步骤1705之后进行。步骤1706可以对应于在使基材 100与第一载体105脱结合的步骤1705之后以及在使基材100与第二载体500脱结合的步骤1707之前，对基材100的第一主表面101的暴露区域1500进行加工的任选步骤的一个或多个特征。
可以单独或组合采用步骤1701、1702、1703、1704、1705和1706中的任何一个或多个步骤的一个或多个特征来根据本公开的实施方式加工基材100，以提供可以用于电子装置的基材100以用于显示应用或基材100在其中可以找到用处的任何其他应用。
本文所用的方向术语，例如上、下、右、左、前、后、顶、底，仅仅是参照绘制的附图而言，并不用来表示绝对的取向。
本文所用的冠词“该”、“一个”或“一种”表示“至少一个(一种)”，并且不应局限为“仅一个(一种)”，除非有明确相反的说明。因此，例如，提到的“一个部件”包括具有两个或更多个这类部件的实施方式，除非上下文有另外明确的表示。
如本文所用，术语“约”指量、尺寸、公式、参数和其他数量和特征不是精确的且无需精确的，但可按照要求是大致的和/或更大或者更小，如反射公差、转化因子、四舍五入、测量误差等，以及本领域技术人员所知的其他因子。当使用术语“约”来描述范围的值或端点时，应理解本公开包括所参考的具体值或者端点。无论说明书中的范围的数值或端点是否使用“约”列举，范围的数值或端点旨在包括两种实施方式：一种用“约”修饰，另一种未用“约”修饰。还应理解，每个范围的端点相对于另一个端点都是重要的，并且独立于另一个端点。
本文所用的术语“基本”、“基本上”及其变化形式旨在表示所述的特征等于或近似等于一数值或描述。例如，“基本上平坦的”表面旨在表示平坦的或大致平坦的表面。此外，如上文所定义，“基本上相似”旨在表示两个值相等或近似相等。在一些实施方式中，“基本上相似”可以表示彼此相差在约10％以内的值，例如彼此相差在约5％以内，或彼此相差在约2％以内的值。
以上实施方式及这些实施方式的特征是示例性的，并且可单独或与本文提供的其他实施方式的任意一个或多个特征以任意形式组合来提供而不会偏离本公开的范围。
对本领域的技术人员而言，显而易见的是，可以对本公开进行各种修改和变动而不偏离本公开的范围和精神。因此，本公开旨在涵盖对本公开的这些修改和变动，只要这些修改和变动在所附权利要求及其等同方案的范围之内。

Claims (28)

1.一种加工基材的方法，所述方法包括：
将基材的第一主表面结合到第一载体的第一主表面；
对第二载体进行定位，其中第二载体的第一主表面面向基材的第二主表面；然后
向第二载体的第二主表面的位置施加力，由此使第二载体的第一主表面的一部分和第二载体的第二主表面的一部分朝向基材变形，第二载体的第一主表面的变形部分与基材的第二主表面接触，由此使基材的第一主表面的一部分和基材的第二主表面的一部分朝向第一载体变形，基材的第一主表面的变形部分使得第一载体的第一主表面的一部分朝向第一载体的第二主表面变形。
2.如权利要求1所述的方法，其还包括：停止施加力，以使结合前沿远离所述位置传播，由此使第二载体的第一主表面结合到基材的第二主表面。
3.如权利要求1所述的方法，所述位置限定了第二载体的第二主表面上的点。
4.如权利要求1所述的方法，所述位置限定了在第二载体的第二主表面上延伸的轴线。
5.如权利要求1-4中任一项所述的方法，限定在基材的第一主表面与基材的第二主表面之间的基材厚度是约50微米至约300微米。
6.如权利要求1-4中任一项所述的方法，基材的材料选自下组：玻璃、玻璃陶瓷、陶瓷和硅。
7.如权利要求1-4中任一项所述的方法，第一载体包括聚氨酯。
8.如权利要求1-4中任一项所述的方法，第一载体包括：含有第一材料的第一层和含有第二材料的第二层，第一材料限定了第一载体的第一主表面，并且第二材料的刚度大于第一材料的刚度。
9.如权利要求8所述的方法，第一材料是聚氨酯。
10.如权利要求9所述的方法，第二材料选自下组：玻璃、玻璃陶瓷、陶瓷、硅、塑料和金属。
11.一种加工基材的方法，所述方法包括：
将基材的第一主表面结合到第一载体的主表面，所述第一载体包括：含有第一材料的第一层和含有第二材料的第二层，第一材料限定了第一载体的主表面，并且第二材料的刚度大于第一材料的刚度；然后
将基材的第二主表面结合到第二载体的主表面；以及接着
使第一载体的主表面与基材的第一主表面脱结合。
12.如权利要求11所述的方法，限定在基材的第一主表面与基材的第二主表面之间的基材厚度是约50微米至约300微米。
13.如权利要求11所述的方法，基材的材料选自下组：玻璃、玻璃陶瓷、陶瓷和硅。
14.如权利要求11-13中任一项所述的方法，第一材料是聚氨酯。
15.如权利要求11-13中任一项所述的方法，第二材料选自下组：玻璃、玻璃陶瓷、陶瓷、硅、塑料和金属。
16.如权利要求11-13中任一项所述的方法，第一载体的外周边缘侧向包围基材的外周边缘。
17.如权利要求11-13中任一项所述的方法，基材的外周边缘侧向包围第二载体的外周边缘。
18.如权利要求11-13中任一项所述的方法，将基材的第一主表面结合到第一载体的主表面的第一结合力小于将基材的第二主表面结合到第二载体的主表面的第二结合力。
19.如权利要求11-13中任一项所述的方法，其还包括：在第一载体的主表面与基材的第一主表面脱结合之前，先使基材的外周围部分与基材的中心部分分离。
20.如权利要求11-13中任一项所述的方法，其还包括：在将基材的第一主表面结合到第一载体的主表面之后，以及在将基材的第二主表面结合到第二载体的主表面之前，加工基材的第二主表面的暴露区域。
21.如权利要求20所述的方法，加工基材的第二主表面的暴露区域包括：用液体洗涤基材的第二主表面的暴露区域。
22.如权利要求11-13中任一项所述的方法，其还包括：在第一载体的主表面与基材的第一主表面脱结合之后，加工基材的第一主表面的暴露区域。
23.如权利要求22所述的方法，加工基材的第一主表面的暴露区域包括：在高于或等于约300℃的温度下，加热基材的第一主表面的暴露区域。
24.如权利要求11-13中任一项所述的方法，其还包括：在第一载体的主表面与基材的第一主表面脱结合之后，使第二载体的主表面与基材的第二主表面脱结合。
25.如权利要求11-13中任一项所述的方法，将基材的第二主表面结合到第二载体的主表面包括：将第二载体定位成使第二载体的主表面面向基材的第二主表面；然后
向第二载体的相背的主表面的位置施加力，由此使第二载体的主表面的一部分和相背的主表面的一部分朝向基材变形，第二载体的主表面的变形部分与基材的第二主表面接触，由此使基材的第一主表面的一部分和第二主表面的一部分朝向第一载体变形，并且基材的第一主表面的变形部分使得第一载体的主表面的一部分朝向第一载体的相背的主表面变形。
26.如权利要求25所述的方法，其还包括：停止施加力，以使结合前沿远离所述位置传播，由此使第二载体的主表面结合到基材的第二主表面。
27.如权利要求25所述的方法，所述位置限定了第二载体的相背的主表面上的点。
28.如权利要求25所述的方法，所述位置限定了在第二载体的相背的主表面上延伸的轴线。
CN201880031139.9A 2017-05-10 2018-05-10 用于加工基材的方法 Pending CN110720134A (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170058143A KR20180124198A (ko) 2017-05-10 2017-05-10 기판 처리 방법들
KR10-2017-0058143 2017-05-10
PCT/US2018/032058 WO2018209080A2 (en) 2017-05-10 2018-05-10 Methods for processing a substrate

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN110720134A true CN110720134A (zh) 2020-01-21

Family

ID=64105596

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201880031139.9A Pending CN110720134A (zh) 2017-05-10 2018-05-10 用于加工基材的方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20200105569A1 (zh)
KR (1) KR20180124198A (zh)
CN (1) CN110720134A (zh)
TW (1) TW201900401A (zh)
WO (1) WO2018209080A2 (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7280787B2 (ja) * 2019-09-20 2023-05-24 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9263314B2 (en) * 2010-08-06 2016-02-16 Brewer Science Inc. Multiple bonding layers for thin-wafer handling
US20140150244A1 (en) * 2012-11-30 2014-06-05 General Electric Company Adhesive-free carrier assemblies for glass substrates
KR102082271B1 (ko) * 2013-05-24 2020-04-16 엘지디스플레이 주식회사 캐리어기판 분리 시스템 및 분리 방법
US20180016179A1 (en) * 2015-01-06 2018-01-18 Corning Incorporated A glass-carrier assembly and methods for processing a flexible glass sheet
CN107428120A (zh) * 2015-01-22 2017-12-01 康宁股份有限公司 用于将高度柔性衬底接合至载体的方法以及由此形成的产品

Also Published As

Publication number Publication date
KR20180124198A (ko) 2018-11-21
TW201900401A (zh) 2019-01-01
WO2018209080A2 (en) 2018-11-15
WO2018209080A3 (en) 2018-12-20
US20200105569A1 (en) 2020-04-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5949894B2 (ja) ガラス積層体及びその製造方法、並びに表示パネルの製造方法及びその製造方法により得られる表示パネル
JP6003675B2 (ja) 基板の剥離装置及び剥離方法並びに電子デバイスの製造方法
CN110461606B (zh) 用于处理基板的方法
TWI627058B (zh) 玻璃結構以及製造與處理玻璃結構之方法
KR20160086855A (ko) 유리 필름 적층체 및 액정 패널의 제조 방법
KR102535656B1 (ko) 적층체의 박리 장치 및 박리 방법, 및 전자 디바이스의 제조 방법
CN110720134A (zh) 用于加工基材的方法
JP6016108B2 (ja) 基板の剥離装置及び剥離方法並びに電子デバイスの製造方法
JP6003604B2 (ja) 積層板の加工方法、加工された積層板
JP6471606B2 (ja) 積層体の剥離装置及び剥離方法並びに電子デバイスの製造方法
JP2019178018A (ja) 薄型ガラス基板製造方法
JP6459145B2 (ja) 積層体の剥離装置及び剥離方法並びに電子デバイスの製造方法
WO2017066924A1 (en) Method for post-processing of bonded article
WO2018093653A1 (en) Apparatus and method for processing the apparatus
JP2015063427A (ja) ガラスフィルムの表面処理方法、ガラスフィルム積層体、およびガラスフィルム

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20200121

WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication