CN110719070A - 一种基于动态阈值技术的低功耗压控振荡器 - Google Patents

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Abstract

本发明公开一种基于动态阈值技术的低功耗压控振荡器，包括提供负阻弥补谐振腔振荡时的功率损耗的CMOS交叉耦合对、用于产生压控振荡器的谐振信号的LC谐振腔，电容分压动态阈值模块；CMOS交叉耦合对的两个差分输出端口分别与LC谐振腔的两个输入端口并联，且将该两个差分输出端口作为LC压控振荡器的输出端口。本发明能实现通过检测输出信号波形来动态的调节晶体管衬底电压，从而改变晶体管阈值电压，实现在低电源电压情况下提高电路起振速度，且降低输出信号的相位噪声和功耗。

Description

一种基于动态阈值技术的低功耗压控振荡器
技术领域
本发明涉及压控振荡器技术领域，特别是涉及一种基于动态阈值技术的低功耗压控振荡器。
背景技术
在射频通信技术中，压控振荡器VCO是为芯片提供本地稳定的本振信号的电路，是锁相环模块中的重要组成部分，可以产生所需要的时钟信号，其功耗、调节灵敏度、相位噪声时刻影响着收发机的性能，如何有效改善压控振荡器的性能是射频通信技术的关键之一。
目前常用的VCO类型为环形VCO和LC VCO两种。环路VCO反馈环节不包含电容和电感器件可以有效的节省芯片空间，但是其相位噪声较差并且会消耗更大的功耗。LC VCO的调谐范围没有环路VCO的大，但是其噪声性能表现更加好，以及功耗更加低，被广泛应用于射频技术中。
VCO相位噪声严重影响着系统性能表现，因此射频电路设计中关于如何提高相位噪声是一直是技术难题，电路不同拓补结构对其性能有着不同的影响。采用CMOS交叉耦合对结构的LC VCO，可通过提高品质因数来减少其相位噪声，但会增加电路功耗。但在应用电源电压下降、功耗降低的电路时，电路起振速度会变慢，同时电路的品质因数降低会使相位噪声性能变差。
发明内容
本发明的目的是针对现有技术中存在的技术缺陷，而提供一种基于动态阈值技术的低功耗压控振荡器，通过对典型LC压控振荡器结构的改进与优化，解决压控振荡器在低电源电压情况下相位噪声差、起振速度慢的问题，且降低电路的功耗。
为实现本发明的目的所采用的技术方案是：
一种基于动态阈值技术的低功耗压控振荡器，包括提供负阻弥补谐振腔振荡时的功率损耗的CMOS交叉耦合对、用于产生压控振荡器的谐振信号的LC谐振腔，采用电容分压技术来实现动态阈值电压的电容分压动态阈值模块；CMOS交叉耦合对的两个差分输出端口分别与LC谐振腔的两个输入端口并联，且将该两个差分输出端口作为LC压控振荡器的输出端口；
CMOS交叉耦合对为NMOS及PMOS互补交叉耦合管，包括第一NMOS管M1、第二NMOS管M2、第一PMOS管M3、第二PMOS管M4；第一NMOS管M1的漏极和第一PMOS管M3的漏极相连，第二NMOS管M2的漏极和第二PMOS管M4的漏极相连，第一NMOS管M1和第一PMOS管M3的栅极连接至第二NMOS管M2和第二PMOS管M4的漏极，第二NMOS管M2和第二PMOS管M4的栅极连接至第一NMOS管M1和第一PMOS管M3的漏极；第一NMOS管M1和第一PMOS管M3的漏极以及第二NMOS管M2和第二PMOS管M4的漏极为压控振荡器的差分输出端口；
LC谐振腔包括第一电容C1、第二电容C2、第一变容管Cvar1、第二变容管Cvar2和电感L；第一电容C1和第二电容C2串联后两端与第一变容管Cvar1和第二变容管Cvar2串联后两端以及电感L差分端口并联构成谐振腔；第一变容管Cvar1和第二变容管Cvar2一端相连后作为控制电压的输入端，通过外部控制电压实现压控振荡器的频率调节；
电容分压动态阈值模块包括第三电容C3、第四电容C4、第五电容C5、第六电容C6、第七电容C7、第八电容C8、第九电容C9、第十电容C10；第三电容C3和第四电容C4相连端连至第一NMOS管M1的衬底端，第三电容C3和第四电容C4两端分别连至第一NMOS管M1的栅端和源端；所述第五电容C5和第六电容C6相连端连至第二NMOS管M2的衬底端，第五电容C5和第六电容C6两端分别连至第二NMOS管M2的栅端和源端；所述第七电容C7和第八电容C8相连端连至第一PMOS管M3的衬底端，第七电容C7和第八电容C8两端分别连至第一PMOS管M3的漏端和源端；第九电容C9和第十电容C10相连端连至第二PMOS管M4的衬底端，第九电容C9和第十电容(C10)两端分别连至第二PMOS管M4的漏端和源端。
其中，所有的NMOS的源端都接地，所有的PMOS的源端都接电源VDD。
本发明能实现通过检测输出信号波形来动态的调节晶体管衬底电压，从而改变晶体管阈值电压，实现在低电源电压情况下提高电路起振速度，且降低输出信号的相位噪声和功耗。
附图说明
图1为本发明的基于动态阈值技术的低功耗压控振荡器的结构图。
图2-5所示为分别为本发明中各外电容分压动态阈值模块的结构图。
具体实施方式
以下结合附图和具体实施例对本发明作进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
如图1-5所示，本发明一种基于动态阈值技术的低功耗压控振荡器，包括提供负阻弥补谐振腔振荡时的功率损耗的CMOS交叉耦合对、用于产生压控振荡器的谐振信号的LC谐振腔，采用电容分压技术来实现动态阈值电压的电容分压动态阈值模块；CMOS交叉耦合对的两个差分输出端口分别与LC谐振腔的两个输入端口并联，且将该两个差分输出端口作为LC压控振荡器的输出端口；
CMOS交叉耦合对为NMOS及PMOS互补交叉耦合管，包括第一NMOS管M1、第二NMOS管M2、第一PMOS管M3、第二PMOS管M4；第一NMOS管M1的漏极和第一PMOS管M3的漏极相连，第二NMOS管M2的漏极和第二PMOS管M4的漏极相连，第一NMOS管M1和第一PMOS管M3的栅极连接至第二NMOS管M2和第二PMOS管M4的漏极，第二NMOS管M2和第二PMOS管M4的栅极连接至第一NMOS管M1和第一PMOS管M3的漏极；第一NMOS管M1和第一PMOS管M3的漏极以及第二NMOS管M2和第二PMOS管M4的漏极为压控振荡器的差分输出端口；
LC谐振腔包括第一电容C1、第二电容C2、第一变容管Cvar1、第二变容管Cvar2和电感L；第一电容C1和第二电容C2串联后两端与第一变容管Cvar1和第二变容管Cvar2串联后两端以及电感L差分端口并联构成谐振腔；第一变容管Cvar1和第二变容管Cvar2一端相连后作为控制电压的输入端，通过外部控制电压实现压控振荡器的频率调节；
电容分压动态阈值模块包括第三电容C3、第四电容C4、第五电容C5、第六电容C6、第七电容C7、第八电容C8、第九电容C9、第十电容C10；第三电容C3和第四电容C4相连端连至第一NMOS管M1的衬底端，第三电容C3和第四电容C4两端分别连至第一NMOS管M1的栅端和源端；所述第五电容C5和第六电容C6相连端连至第二NMOS管M2的衬底端，第五电容C5和第六电容C6两端分别连至第二NMOS管M2的栅端和源端；所述第七电容C7和第八电容C8相连端连至第一PMOS管M3的衬底端，第七电容C7和第八电容C8两端分别连至第一PMOS管M3的漏端和源端；第九电容C9和第十电容C10相连端连至第二PMOS管M4的衬底端，第九电容C9和第十电容(C10)两端分别连至第二PMOS管M4的漏端和源端。
上述的电容分压动态阈值模块，通过检测输出信号的变化，改变晶体管M1、M2、M3、M4衬底电压，从而实现动态阈值电压。
其中，所有的NMOS的源端都接地，所有的PMOS的源端都接电源VDD。
需要说明的是，压控振荡器VCO的相位噪声与很多因素有关，如电路品质因数Q、元器件个数以及电流源噪声等都，时刻影响着相位噪声好坏。Leeson基于线性时不变(LinerTime Invariant,LTI)理论提出相位噪声公式表示为，
Figure BDA0002221055180000051
其中，F为噪声系数,k为玻尔兹曼常数，Q为品质因数。提高相位噪声性能的一个可行方式是提高电路的品质因数，振荡器的品质因数可以通过降低晶体管的阈值电压(Vth)以及提高电路的负电导(Gm)来改善。
本发明的电路采用CMOS交叉耦合型结构可以得到更好的Q值以及提高电路的负电阻，其负阻抗由NMOS管和PMOS管共同作用提供，提出的电路的负阻抗可以表示为，
传统的动态阈值MOSFET需要较低输出摆幅来避免给MOS器件引入正向偏置的PN结而影响电路性能，为了避免这种情况的发生，本发明采用电容分压技术来实现动态阈值，在保持高摆幅的输出基础上提高相位噪声性能，MOSFET的阈值电压可以表示为：
Figure BDA0002221055180000053
式中Vth0是在零偏压下的阈值电压，γ是体效应系数，ΦF是反型层的电势，Vbs是衬底和源端的电压。式中Vth可以通过改变Vbs而得到改变，采用电容分压技术来实现动态阈值电压，其NMOS的衬底和源端的电压可表示为，
Figure BDA0002221055180000054
Vg和Vs分别为栅端和源端的电压，当输出幅度减小时，其NMOS管的衬底电压会增加，使得阈值电压减小以及增大NMOS的跨导。同时PMOS管也同样采用了电容分压技术，当输出幅度减小时，其PMOS管的衬底电压会减小，使得阈值电压减小并且增大PMOS的跨导。动态阈值MOSFET的另一个优点是可以提高振荡器的启动速度，在初始状态下，NMOS管和PMOS管的Vbs都为最大值，则阈值电压为最小值，因此使电路的负跨导足够大到满足振荡条件，振荡条件可以表示为，
Figure BDA0002221055180000061
其中Gm为电路的跨导，RP是电路的消耗电阻。DTMOS也可以降低所提出电路的最小电源电压，但是为了使NMOS管和PMOS管工作，其最小电源电压必须大于|VthP|和VthN的总和。在初始振荡时交叉耦合晶体管的阈值电压为最低值，因此与传统的VCO结构相比本文结构可以在更低的电源电压下工作，并且在振荡开始之后会随着振幅自动调节MOS管的阈值电压，消耗更少的功耗。
本发明中，CMOS交叉耦合对和LC谐振腔并联，提供负阻弥补谐振腔振荡时的功率损耗，构成压控振荡器的核心电路。压控振荡器核心电路的输出分别与电容C3、C5、C7、C9相连，通过检测输出信号峰值来调节晶体管衬底电压。衬底电压变化会改变晶体管的阈值电压，实现动态阈值电压达到提升电路起振速度和降低功耗的目的，采用NMOS及PMOS互补交叉耦合对结构降低了相位噪声。
以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出的是，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

Claims (2)

1.一种基于动态阈值技术的低功耗压控振荡器，其特征在于，包括提供负阻弥补谐振腔振荡时的功率损耗的CMOS交叉耦合对、用于产生压控振荡器的谐振信号的LC谐振腔，采用电容分压技术来实现动态阈值电压的电容分压动态阈值模块；CMOS交叉耦合对的两个差分输出端口分别与LC谐振腔的两个输入端口并联，且将该两个差分输出端口作为LC压控振荡器的输出端口；
CMOS交叉耦合对为NMOS及PMOS互补交叉耦合管，包括第一NMOS管M1、第二NMOS管M2、第一PMOS管M3、第二PMOS管M4；第一NMOS管M1的漏极和第一PMOS管M3的漏极相连，第二NMOS管M2的漏极和第二PMOS管M4的漏极相连，第一NMOS管M1和第一PMOS管M3的栅极连接至第二NMOS管M2和第二PMOS管M4的漏极，第二NMOS管M2和第二PMOS管M4的栅极连接至第一NMOS管M1和第一PMOS管M3的漏极；第一NMOS管M1和第一PMOS管M3的漏极以及第二NMOS管M2和第二PMOS管M4的漏极为压控振荡器的差分输出端口；
LC谐振腔包括第一电容C1、第二电容C2、第一变容管Cvar1、第二变容管Cvar2和电感L；第一电容C1和第二电容C2串联后两端与第一变容管Cvar1和第二变容管Cvar2串联后两端以及电感L差分端口并联构成谐振腔；第一变容管Cvar1和第二变容管Cvar2一端相连后作为控制电压的输入端，通过外部控制电压实现压控振荡器的频率调节；
电容分压动态阈值模块包括第三电容C3、第四电容C4、第五电容C5、第六电容C6、第七电容C7、第八电容C8、第九电容C9、第十电容C10；第三电容C3和第四电容C4相连端连至第一NMOS管M1的衬底端，第三电容C3和第四电容C4两端分别连至第一NMOS管M1的栅端和源端；所述第五电容C5和第六电容C6相连端连至第二NMOS管M2的衬底端，第五电容C5和第六电容C6两端分别连至第二NMOS管M2的栅端和源端；所述第七电容C7和第八电容C8相连端连至第一PMOS管M3的衬底端，第七电容C7和第八电容C8两端分别连至第一PMOS管M3的漏端和源端；第九电容C9和第十电容C10相连端连至第二PMOS管M4的衬底端，第九电容C9和第十电容(C10)两端分别连至第二PMOS管M4的漏端和源端。
2.根据权利要求1所述基于动态阈值技术的低功耗压控振荡器，其特征在于，所有的NMOS的源端都接地，所有的PMOS的源端都接电源VDD。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112653455A (zh) * 2020-12-04 2021-04-13 电子科技大学 一种高频低功耗自混频毫米波压控振荡器

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101056090A (zh) * 2007-04-06 2007-10-17 清华大学 使用背靠背串联型mos变容管的低噪声数控lc振荡器
WO2009104839A1 (en) * 2008-02-21 2009-08-27 Electronics And Telecommunications Research Institute The differential vco and quadrature vco using center-tapped cross-coupling of transformer
US20090256643A1 (en) * 2008-04-14 2009-10-15 Takayuki Tsukizawa Voltage controlled oscillator, and pll circuit and radio communication device each including the same
CN104242924A (zh) * 2013-07-26 2014-12-24 西安电子科技大学 具有自动频率校准功能的多频带电感-电容压控振荡器
CN106130483A (zh) * 2016-06-20 2016-11-16 南京邮电大学 一种压控振荡器调谐电路中的可变电容电路
CN106712719A (zh) * 2016-12-05 2017-05-24 中国科学技术大学 低功耗低相位噪声的正交电感电容压控振荡器
CN107248847A (zh) * 2017-05-23 2017-10-13 电子科技大学 一种差分考比兹压控振荡器
CN108768301A (zh) * 2018-05-08 2018-11-06 东南大学 一种衬底动态偏置的lc压控振荡器
CN109995324A (zh) * 2019-03-12 2019-07-09 东南大学 一种动态偏置调节的lc压控振荡器

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101056090A (zh) * 2007-04-06 2007-10-17 清华大学 使用背靠背串联型mos变容管的低噪声数控lc振荡器
WO2009104839A1 (en) * 2008-02-21 2009-08-27 Electronics And Telecommunications Research Institute The differential vco and quadrature vco using center-tapped cross-coupling of transformer
US20090256643A1 (en) * 2008-04-14 2009-10-15 Takayuki Tsukizawa Voltage controlled oscillator, and pll circuit and radio communication device each including the same
CN104242924A (zh) * 2013-07-26 2014-12-24 西安电子科技大学 具有自动频率校准功能的多频带电感-电容压控振荡器
CN106130483A (zh) * 2016-06-20 2016-11-16 南京邮电大学 一种压控振荡器调谐电路中的可变电容电路
CN106712719A (zh) * 2016-12-05 2017-05-24 中国科学技术大学 低功耗低相位噪声的正交电感电容压控振荡器
CN107248847A (zh) * 2017-05-23 2017-10-13 电子科技大学 一种差分考比兹压控振荡器
CN108768301A (zh) * 2018-05-08 2018-11-06 东南大学 一种衬底动态偏置的lc压控振荡器
CN109995324A (zh) * 2019-03-12 2019-07-09 东南大学 一种动态偏置调节的lc压控振荡器

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
CHANG-HUN LEE，ET AL: "Swing and Phase-Noise Enhanced VCO With Capacitive-Division Dynamic-Threshold MOS" *
SHENG-LYANG JANG AND CHEIN-FENG LEE: "A Low Voltage and Power LC VCO Implemented With Dynamic Threshold Voltage MOSFETS" *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112653455A (zh) * 2020-12-04 2021-04-13 电子科技大学 一种高频低功耗自混频毫米波压控振荡器

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Publication number Publication date
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