CN110718576B - 显示装置及其修补方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种显示装置及其修补方法。显示装置包括一基板，具有相邻设置的一显示区与一周边区；多个像素单元，设置于所述基板，且位于所述显示区，其中该些像素单元分别包括：一薄膜晶体管，具有一源极、一漏极及一栅极；一像素电极，电性连接至所述薄膜晶体管的所述源极；一共同电极，电性连接至一共同电压；以及一数据线，分别电性连接至所述薄膜晶体管的所述漏极；一颗粒物，设置于所述至少一像素单元，且位于所述数据线与所述共同电极之间；一第一切割结构，形成于所述共同电极；一第二切割结构，形成于所述像素电极；其中，所述第一切割结构为一封闭形状，使得所述第一切割结构围绕于所述颗粒物。

Description

显示装置及其修补方法
技术领域
本发明是有关于一种显示装置，且特别是有关于一种能够在生产过程中进行修补的显示装置及其修补方法。
背景技术
随着科技的发展，显示装置被广泛应用在许多电子产品上，如手机、平板电脑、手表等。为了提高显示质量，大尺寸、高解析度、高亮度的显示装置应运而生。但在生产过程中难免会产生次品，需要对产生的次品进行修补，以节约生产成本。
显示装置一般在制作有源元件阵列基板的过程中，会进行检查程序以检测出缺陷(Defect)所在，并对此缺陷进行激光修补加工。对AHVA结构的设计的显示装置，在生产过程中，当有异物尤其是导电粒子落在数据线上时，会造成数据线与共同电极之间短路，使得数据线上的信号被共同电极的信号拉走，整条数据线的信号产生异常，形成暗线(DC Short)，导致产品合格率下降及报废率的提高。通常采用的修补方式是在制作像素电极之前，对阵列基板进行测试，然后用激光切割共同电极并将造成暗线的异物与共同电极电性隔离。但是，由于激光切割时会击穿共同电极与像素电极之间的介电层，可能造成共同电极与像素电极之间的短路，导致显示装置中出现异常亮点，进而造成显示装置报废。
如何能够更有效的使用激光对显示装置进行修补，避免出现异常亮点，提高显示装置的成品率实为需要解决的问题之一。
发明内容
为解决上述问题，本发明提供一种显示装置，可以更有效的对显示装置进行修补，避免出现异常亮点，提高显示装置的成品率。
本发明一实施例的一种显示装置，包括一基板，具有相邻设置的一显示区与一周边区；多个像素单元，设置于所述基板，且位于所述显示区，其中该些像素单元分别包括：一薄膜晶体管，具有一源极、一漏极及一栅极；一像素电极，电性连接至所述薄膜晶体管的所述源极；一共同电极，电性连接至一共同电压；以及一数据线，分别电性连接至所述薄膜晶体管的所述漏极；一颗粒物，设置于所述至少一像素单元，且位于所述数据线与所述共同电极之间；一第一切割结构，形成于所述共同电极；一第二切割结构，形成于所述像素电极；其中，所述第一切割结构为一封闭形状，使得所述第一切割结构围绕于所述颗粒物。
本发明一实施例的修补方法，应用于一显示装置，所述显示装置包括：一基板，具有相邻设置的一显示区与一周边区；多个像素单元，设置于所述基板，且位于所述显示区，其中该些像素单元分别包括：一薄膜晶体管，具有一源极、一漏极及一栅极；一像素电极，电性连接至所述薄膜晶体管的所述源极；一共同电极，电性连接至一共同电压；以及一数据线，分别电性连接至所述薄膜晶体管的所述漏极；所述修补方法的特征在于，包括：一颗粒物，形成于所述数据线与所述共同电极之间；采用一第一道激光照射于所述共同电极，形成一第一切割结构；以及采用一第二道激光照射于所述像素电极，形成一第二切割结构；其中，所述第一切割结构为一封闭形状，使得所述第一切割结构围绕于所述颗粒物。
以下结合附图和具体实施例对本发明进行详细描述，但不作为对本发明的限定。
附图说明
图1A为本发明一实施例未进行激光修补之前显示装置结构的俯视示意图。
图1B为本发明一实施例进行第一道激光修补后显示装置结构的俯视示意图。
图1C为本发明一实施例进行第二道激光修补后显示装置结构的俯视示意图。
图2为图1B沿A-A’剖面线的剖面示意图。
图3为本发明一实施例修补方法的流程示意图。
其中，附图标记：
100：显示装置
101：基板
102：薄膜晶体管
103：颗粒物
104：栅极绝缘层
105：第一绝缘层
106：第二绝缘层
107：第三绝缘层
S：源极
D：漏极
G：栅极
DL：数据线
CE：共同电极
PE：像素电极
CS1：第一切割结构
CS2：第二切割结构
CS3：第三切割结构
S1、S2：步骤
具体实施方式
下面结合附图对本发明的结构原理和工作原理作具体的描述：
图1A为本发明一实施例未进行激光修补之前显示装置结构的俯视示意图，图1B与图1C分别为本发明一实施例进行第一道激光与第二道激光修补后显示装置结构的俯视示意图，图2为图1B沿A-A’剖面线的剖面示意图。结合图1A至图1C、图2所示，显示装置100包括基板101，基板101分为相邻设置的显示区和周边区，可依设计或工艺需求不同，将周边区设置于显示区的单侧边、双侧边等，或者周边区环绕于显示区等，本发明不以此为限。在显示区中，形成有多个呈阵列排布的像素单元(图中未示出)。其中，每一像素单元都具有一薄膜晶体管102，薄膜晶体管102具有源极S、漏极D以及栅极G，薄膜晶体管102既可以是顶栅型薄膜晶体管也可以是底栅型薄膜晶体管，或其他类型的薄膜晶体管，本发明并不以此为限。于本实施例中，基板101上还依序形成有半导体层(可形成源极S和漏极D)、栅极绝缘层104、第一层金属层(可图案化形成栅极G)、第一绝缘层105、第二层金属层(可图案化形成数据线DL) 以及第二绝缘层106。具体而言，半导体层形成于基板，且于半导体层进行图案化与离子注入，进而形成源极S和漏极D。再分别依序设置栅极绝缘层104 与第一层金属层于半导体层上，且于第一层金属层进行图案化，以形成栅极G。然后，设置第一绝缘层105，使得第一绝缘层105覆盖于栅极G与第一绝缘层 105。之后，设置且图案化第二层金属层，以形成数据线DL，其中栅极绝缘层 104与第一绝缘层105可于适当位置形成接触孔，使得第二金属层可连接于源极S或漏极D，但本发明不以此为限。之后，第二绝缘层106形成于第二金属层与第一绝缘层105上，且共同电极CE形成于第二绝缘层106上，第三绝缘层107形成于共同电极CE上并覆盖共同电极CE，然后，像素电极PE形成于第三绝缘层107。当然，显示装置100还有许多其他膜层及制作步骤，本发明在此不进行详细描述，且为了清楚表达且助于说明，图1A至图1C、图2仅绘示部分层别。
于本实施例中，共同电极CE电性连接至一共同电压，像素电极PE电性连接至晶体管102的源极S。显示装置100中还形成有多条数据线DL，数据线DL分别电性连接至薄膜晶体管102的漏极D。于本实施例中，栅极G可采用第一层金属层(M1)制成，数据线DL可采用第二层金属层(M2)制成，共同电极CE可采用第一层透明导电金属层(ITO1)制成，而像素电极PE可采用第二层透明导电金属层(ITO2)制成。
具体的，请参阅图1A与图2，在显示装置100的生产过程中，当有颗粒物103尤其是导电粒子掉落在数据线DL上时，颗粒物103可能会穿透第二绝缘层106。尤其是颗粒物103为导电粒子时，有机会地导致数据线DL和共同电极CE之间的电性导通，从而导致该像素单元显示异常。为了对显示装置100 进行修复，需要采用一定的修补方法，将电性导通的数据线DL以及共同电极 CE与其他区域进行电性隔离。
此时，可以采用激光照射的方式对显示装置100进行修补。图1B为本发明一实施例进行第一道激光修补后显示装置结构的俯视示意图。如图1B所示，在颗粒物103的周围，采用激光照射的方式形成第一切割结构CSl。其中，第一切割结构CS1采用第一道激光照射所形成。第一切割结构CS1形成于共同电极CE中，结合图1B、图2所示，第一切割结构CS1呈环形，围绕颗粒物 103，使得第一切割结构CS1内的共同电极CE与第一切割结构CS1外的共同电极CE之间电性隔离。本实施例中，第一切割结构CS1以矩形为例，当然，第一切割结构CS1也可以为圆形、椭圆形、多边形等其他的封闭形状，本发明并不以此为限。
如图1B所示，当然，在采用第一道激光照射共同电极CE形成第一切割结构CS1时，第一道激光同时会照射到位于共同电极CE上方的像素电极PE，在像素电极PE中形成第三切割结构CS3。换言之，第一切割结构CS1与第三切割结构CS3是采用第一道激光照射时而同时形成，因此，第三切割结构CS3 与第一切割结构CS1的位置相对应。不同之处在于，第一切割结构形成于共同电极CE，而第三切割结构CS3形成于像素电极PE。
图1C为本发明一实施例进行第二道激光修补后显示装置结构的俯视示意图。如图1C所示，为了进一步减少线缺陷(Line defect)的发生机率，还需要在像素电极PE中形成第二切割结构CS2，第二切割结构CS2采用线性形状，可以为直线、弧线、或其他曲线，只要能够电性隔离位于第二切割结构CS2上下两侧的像素电极PE(按图1C中所示方向)即可，本发明并不以此为限。本发明的实施例中，第一切割结构CS1与第二切割结构CS2分别采用照射能量不同的第一道激光以及第二道激光照射所形成。第一切割结构CS1形成于共同电极CE中，第二切割结构CS2形成于像素电极PE中，由于像素电极PE 较共同电极CE位于更上层，因此，形成第一切割结构CS1的第一道激光的照射能量要大于形成第二切割结构CS2的第二道激光的照射能量。
通常，像素电极PE为具有多条支像素电极共同形成的结构，第二切割结构CS2可形成在多条支像素电极上。如图1C所示，对于本发明的实施例，第二切割结构CS2形成于邻近颗粒物103的支像素电极PE上，且第二切割结构 CS2位于第一切割结构CS1的外侧。当然，为了能更进一步确保隔离效果，第二切割结构CS2还可形成于邻近第一切割结构CS1的支像素电极PE上。
图3为本发明一实施例修补方法的流程示意图。结合图1A-图3所示，在显示装置100的生产过程中，当有颗粒物103掉落在数据线DL上时，颗粒物103可能会穿透第二绝缘层106，有机会导致数据线DL和共同电极CE之间的电性导通，从而造成该像素单元显示异常。为了对显示装置100进行修复，需要采用一定的修补方法，将电性导通的数据线DL以及共同电极CE与其他区域进行电性隔离。
具体的，如图1A-图3所示，首先进行步骤S1，采用第一道激光照射显示装置100，且第一道激光的照射能量应足以到达并照射到共同电极CE，由此，在共同电极CE中形成第一切割结构CS1，接下来，进行步骤S2，采用第二道激光照射显示装置100，且第二道激光的照射能量应足以到达并照射到像素电极PE。
由于像素电极PE较共同电极CE位于更上层，因此，形成第一切割结构 CS1的第一道激光的照射能量要大于形成第二切割结构CS2的第二道激光的照射能量。其中，第一切割结构CS1呈环形，围绕颗粒物103，使得第一切割结构CS1内的共同电极CE与第一切割结构CS1外的部分电性隔离。本实施例中，第一切割结构CS1以矩形为例，当然，第一切割结构CS1也可以为圆形、椭圆形、多边形等其他的封闭形状，本发明并不以此为限。
当然，在采用第一道激光照射共同电极CE形成第一切割结构CS1时，第一道激光同时会照射到位于共同电极CE上方的像素电极PE，在像素电极PE 中形成第三切割结构CS3。换言之，第一切割结构CS1与第三切割结构CS3 是采用第一道激光照射时而同时形成，因此，第三切割结构CS3与第一切割结构CS1的位置相对应。不同之处在于，第一切割结构形成于共同电极CE，而第三切割结构CS3形成于像素电极PE。
另外，第二切割结构CS2采用线性形状，可以为直线、弧线、或其他曲线，只要能够电性隔离位于第二切割结构CS2上下两侧的像素电极PE(按图 1C中所示方向)即可，本发明并不以此为限。
通常，像素电极PE为具有多条支像素电极共同形成的结构，第二切割结构CS2可形成在多条支像素电极上。如图1C所示，对于本发明的实施例，第二切割结构CS2形成于邻近颗粒物103的支像素电极PE上，且第二切割结构 CS2位于第一切割结构CS1的外侧。当然，为了能更进一步确保隔离效果，减少线缺陷的发生机率，第二切割结构CS2还可形成于邻近第一切割结构CS1 的支像素电极PE上。
综上，依照本发明的实施例，由于对共同电极CE以及像素电极PE均进行了激光照射，分别在共同电极CE以及像素电极PE中形成了不同的切割结构，能够隔离电性导通的数据线及共同电极，对显示装置进行更有效的修补，避免出现异常亮点，提高显示装置的成品率。
当然，本发明还可有其它多种实施例，在不背离本发明精神及其实质的情况下，熟悉本领域的技术人员当可根据本发明作出各种相应的改变和变形，但这些相应的改变和变形都应属于本发明所附的权利要求的保护范围。

Claims (12)

1.一种显示装置，其特征在于，包括：
一基板，具有相邻设置的一显示区与一周边区；
多个像素单元，设置于所述基板，且位于所述显示区，其中该些像素单元分别包括：
一薄膜晶体管，具有一源极、一漏极及一栅极；
一像素电极，电性连接至所述薄膜晶体管的所述源极；
一共同电极，电性连接至一共同电压；以及
一数据线，分别电性连接至所述薄膜晶体管的所述漏极；
一颗粒物，设置于所述至少一像素单元，且位于所述数据线与所述共同电极之间；
一第一切割结构，形成于所述共同电极；
一第二切割结构，形成于所述像素电极；其中，
所述第一切割结构为一封闭形状，使得所述第一切割结构围绕于所述颗粒物。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述第二切割结构为一线性形状，使得所述第二切割结构两侧的所述像素电极之间电性隔离。
3.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述像素电极具有多条支像素电极，所述第二切割结构形成于邻近所述颗粒物的所述支像素电极，且所述第二切割结构位于所述第一切割结构的外侧。
4.根据权利要求3所述的显示装置，其特征在于，所述第二切割结构还形成于邻近所述第一切割结构的所述支像素电极。
5.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，还包括一第三切割结构，形成于所述像素电极，且所述第一切割结构与所述第三切割结构的位置相对应。
6.根据权利要求5所述的显示装置，其特征在于，所述第一切割结构、所述第二切割结构以及所述第三切割结构采用激光照射形成。
7.一种修补方法，应用于一显示装置，其中所述显示装置包括：
一基板，具有相邻设置的一显示区与一周边区；
多个像素单元，设置于所述基板，且位于所述显示区，其中该些像素单元分别包括：
一薄膜晶体管，具有一源极、一漏极及一栅极；
一像素电极，电性连接至所述薄膜晶体管的所述源极；
一共同电极，电性连接至一共同电压；以及
一数据线，分别电性连接至所述薄膜晶体管的所述漏极；
所述修补方法的特征在于，包括：
一颗粒物，形成于所述数据线与所述共同电极之间；
采用一第一道激光照射于所述共同电极，形成一第一切割结构；以及
采用一第二道激光照射于所述像素电极，形成一第二切割结构；
其中，所述第一切割结构为一封闭形状，使得所述第一切割结构围绕于所述颗粒物。
8.根据权利要求7所述的修补方法，其特征在于，所述第二切割结构为一线性形状，使得所述第二切割结构两侧的所述像素电极之间电性隔离。
9.根据权利要求7所述的修补方法，其特征在于，所述像素电极具有多条支像素电极，所述第二切割结构形成于邻近所述颗粒物的所述支像素电极，且所述第二切割结构位于所述第一切割结构的外侧。
10.根据权利要求9所述的修补方法，其特征在于，所述第二切割结构还形成于邻近所述第一切割结构的所述支像素电极。
11.根据权利要求7所述的修补方法，其特征在于，于形成第一切割结构的步骤中，所述第一激光还形成一第三切割结构于所述像素电极，且所述第一切割结构与所述第三切割结构的位置相对应。
12.根据权利要求11所述的修补方法，其特征在于，所述第二道激光的照射能量小于所述第一道激光的照射能量。
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