CN110710119A - 高频模块 - Google Patents

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Abstract

作为高频模块的前端电路(1)具备：输入输出端子(4)；双工器(14)，其与输入输出端子(4)电连接；LNA(171)，其与双工器(14)电连接；PA(161)，其与双工器(14)电连接；匹配电路(23)，其设置于输入输出端子(4)与双工器(14)之间，具有电感器(231)；以及匹配电路，其设置于双工器(14)与PA(161)之间，具有电感器(162)，其中，具有电感器(162)的匹配电路是将PA(161)的输出端与双工器(14)进行阻抗匹配的输出匹配电路，电感器(231)具有串联连接的多个电感器(231a及231b)。

Description

高频模块
技术领域
本发明涉及一种高频模块。
背景技术
以往，在使用双工器、电力放大器以及高频滤波器等高频部件的高频模块中，高频部件被制造为单独的部件并离散地搭载于基板的表面。在该情况下，高频模块大型化，成本也增大。因此，在近年的高频模块中，通过将这些高频部件的一部分内置于基板、将剩余的部分搭载于该基板的表面，来实现小型化(例如，参照专利文献1)。
在专利文献1所记载的高频模块中，在基板的表面搭载有作为电力放大器的电力放大用半导体元件以及双工器。另外，配置有对电力放大用半导体元件的输出端与双工器之间的阻抗进行调整的输出匹配电路。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2007-124202号公报
发明内容
发明要解决的问题
然而，随着高频模块的高集成化和小型化的发展，安装于高频模块的基板表面的部件的数量、形成于基板内部的元件的数量和布线图案等的数量增加，从而产生在布线图案之间、布线图案与部件之间或者部件与部件之间信号相互干扰的问题。特别是，在发送侧的电力放大电路中对输出比接收侧的电路的输出高的高频发送信号进行处理，因此能够设想到：该高频发送信号、该高频发送信号的谐波分量、或者与其它高频信号的互调失真分量在配置于双工器的前后的、包括输出匹配电路的电路中进行电磁场耦合。在该情况下，产生以下问题：上述高频发送信号、该高频发送信号的谐波分量、或者与其它高频信号的互调失真分量绕过上述双工器地泄漏到接收电路，高频模块的接收灵敏度下降。
鉴于上述问题，本发明的目的在于提供一种减少高频发送信号从电力放大电路向接收电路的泄漏、接收灵敏度优异的高频模块。
用于解决问题的方案
为了实现上述目的，本发明所涉及的高频模块的一个方式具备：天线端子；分波电路，其与所述天线端子电连接；接收电路，其与所述分波电路电连接；发送电路，其与所述分波电路电连接，包括电力放大电路；第一匹配电路，其设置于所述天线端子与所述分波电路之间，具有第一电感器；以及第二匹配电路，其设置于所述分波电路与所述电力放大电路之间，具有第二电感器，其中，所述第二匹配电路是将所述电力放大电路的输出端与所述分波电路进行阻抗匹配的输出匹配电路，所述第一电感器具有串联连接的多个电感器。
由此，与第一电感器由匝数、绕线间隔以及卷绕方向等统一的1个电感器构成的情况下的第一电感器同第二电感器之间的电磁场耦合度相比，能够使由匝数、绕线间隔以及卷绕方向等不统一的2个以上的单独的电感器构成的第一电感器与第二电感器之间的电磁场耦合度低。因而，能够抑制以下情况：从电力放大电路泄漏的高频发送信号经由第一电感器绕过分波电路来传播到接收电路，由此使接收电路中的噪声水平高。因此，能够提高高频模块的接收灵敏度。
另外，也可以是，所述第一电感器与所述第二电感器通过电磁场进行耦合。
据此，与第一电感器由1个电感器构成的情况下的第一电感器同第二电感器之间的电磁场耦合度相比，即使第一电感器与第二电感器处于电磁场耦合的配置关系，也能够使由2个以上的单独的电感器构成的第一电感器与第二电感器之间的电磁场耦合度低。因此，能够提高高频模块的接收灵敏度。
另外，也可以是，所述分波电路与用于发送接收多个通信频段的高频信号的多个信号路径连接，所述高频模块具有对所述多个信号路径进行切换的开关，所述第一匹配电路连接于所述开关与所述分波电路之间，取得所述开关与所述分波电路的阻抗匹配。
由此，抑制隔着分波电路地接近的第一匹配电路与第二匹配电路之间的电磁场耦合，由此能够有效抑制接收电路中的接收灵敏度的下降。
另外，也可以是，所述第一电感器连接于所述天线端子同所述分波电路之间的节点与地之间。
由此，在匹配电路中，第一电感器连接于天线端子同分波电路之间的节点与地之间，因此与第一电感器与天线端子串联连接的情况相比，能够减少阻抗匹配所引起的损耗。
另外，也可以是，所述多个电感器中的至少2个电感器以在俯视时所述多个电感器的轴的方向交叉的方式配置在基板上。
电感器的轴的方向是指形成为电感器的线圈的中心轴所延伸的方向。根据该结构，构成第一电感器的2个电感器的轴的方向交叉，因此能够使该2个电感器中的一个电感器与第二电感器之间的耦合同该2个电感器中的另一个电感器与第二电感器之间的耦合的总量比由匝数、绕线间隔以及卷绕方向等统一的1个电感器构成的第一电感器与第二电感器之间的电磁场耦合量小。也就是说，在将电感器的轴的方向交叉的2个电感器的合成电感值设定为与由1个电感器构成的第一电感器的电感值相同的情况下，能够使该2个电感器与第二电感器之间的有效电磁场耦合量比上述1个电感器与第二电感器之间的电磁场耦合量小。因此，能够抑制以下情况：从电力放大电路泄漏的高频发送信号经由第一电感器传播到分波电路，对接收信号造成影响。因此，能够提高高频模块的接收灵敏度。
另外，也可以是，所述多个电感器中的至少2个电感器以在俯视时所述多个电感器的轴的方向相互正交的方式配置在基板上。
根据该结构，2个电感器的轴的方向相互正交，因此该2个电感器的有效合成电感值比具有将2个电感器的电感值单纯相加所得到的电感值的1个电感器的电感值小。因此，能够抑制以下情况：从电力放大电路泄漏的高频发送信号经由第一电感器传播到分波电路，对接收信号造成影响。因此，能够提高高频模块的接收灵敏度。
另外，也可以是，所述多个电感器中的一个电感器是贴片电感器，所述多个电感器中的其它电感器内置于基板。
由此，第一电感器由安装于基板的表面的贴片电感器以及内置于基板的电感器构成。因此，能够使这2个电感器中的一个电感器与第二电感器之间的耦合同该2个电感器中的另一个电感器与第二电感器之间的耦合的总量比由Q值、匝数、绕线间隔以及卷绕方向等统一的1个电感器构成的第一电感器与第二电感器之间的电磁场耦合量小。也就是说，在将上述2个电感器电感器的合成电感值设定为与由1个电感器构成的第一电感器的电感值相同的情况下，能够使该2个电感器与第二电感器之间的有效电磁场耦合量比由1个电感器构成的第一电感器与第二电感器之间的电磁场耦合量小。换言之，与第一电感器由1个电感器构成的情况相比，高频发送信号的谐波分量从第二电感器向上述2个电感器的各电感器的泄漏的总量变少。因此，能够抑制以下情况：从电力放大电路泄漏的高频发送信号经由第二电感器及第一电感器传播到接收电路，由此使接收信号的噪声水平高。因此，能够提高高频模块的接收灵敏度。另外，构成第一电感器的其它电感器是基板内置型的电感器，因此能够减少配置在基板上的部件的数量和布线的数量，因此能够使高频模块小型化。另外，能够抑制在布线图案之间高频信号发生干扰，进一步提高高频模块的接收灵敏度。
另外，也可以是，所述多个电感器中的、配置于最接近所述第二电感器的位置的电感器的电感值小于配置于最接近所述第二电感器的位置的电感器以外的所述多个电感器的电感值。
相比于多个电感器中的配置于远离第二电感器的位置的电感器，配置于接近第二电感器的位置的电感器容易传播从电力放大电路泄漏的高频发送信号的谐波分量。因而，通过使多个电感器中的配置于最接近第二电感器的位置的电感器的电感值比其它电感器的电感值小，能够抑制以下情况：从电力放大电路泄漏的高频发送信号经由多个电感器传播到分波电路。由此，能够抑制从电力放大电路泄漏的高频发送信号对接收信号造成影响，进一步提高高频模块的接收灵敏度。
另外，也可以是，所述多个电感器的电感值相同。
由此，能够均衡地使多个电感器的电感值小，能够减少第一电感器的电感值，抑制从电力放大电路泄漏的高频发送信号经由多个电感器从分波电路对接收信号造成影响。因此，能够进一步提高高频模块的接收灵敏度。
发明的效果
根据本发明，能够提供一种减少高频发送信号从电力放大电路向分波电路的泄漏、接收灵敏度优异的高频模块。
附图说明
图1是示出作为实施方式所涉及的高频模块的前端电路的结构的一例的概要结构图。
图2是作为实施方式所涉及的高频模块的前端电路的匹配电路的电路图。
图3是示出作为实施方式所涉及的高频模块的前端电路中的部件的配置关系的一例的俯视图。
图4是示出作为实施方式所涉及的高频模块的前端电路的匹配电路中的电感器的配置关系的截面图。
图5是示出作为实施方式所涉及的高频模块的前端电路中的部件的配置关系的其它例的俯视图。
图6是示出实施方式所涉及的通信装置的结构的概要结构图。
具体实施方式
下面，说明本发明的实施方式。此外，下面说明的实施方式均表示本发明的优选的一个具体例。因而，下面的实施方式所示的数值、形状、材料、结构要素、结构要素的配置位置以及连接方式等是一个例子，其主旨并不在于限定本发明。因此，将下面的实施方式的结构要素中的、未记载于表示本发明的最上位概念的独立权利要求的结构要素作为任意的结构要素来进行说明。
另外，各图是示意图，未必严格地进行了图示。在各图中，对实质上相同的结构标注相同的标记，省略或简化重复的说明。
(实施方式1)
下面，使用图1～图5来说明实施方式1。在本实施方式中，作为高频模块，以在通信装置中使用的前端电路为例来进行说明。
首先，说明作为本实施方式所涉及的高频模块的前端电路1的结构。图1是示出本实施方式所涉及的前端电路1的结构的一例的概要结构图。
[1.前端电路的结构]
前端电路1是对放大后的高频信号进行滤波、或者进行发送到接收机的发送信号与从接收机接收的接收信号之间的切换等的高频模块。从前端电路1输出的高频信号从天线2被发送到基站。在本实施方式中，前端电路1例如使用于发送接收Band8和Band26的频带的发送带和接收带的高频信号的通信装置。
前端电路1具有输入输出端子4、6、7、8及9。输入输出端子4是与天线2连接的天线端子。输入输出端子6、7、8及9与后述的RF信号处理电路(RFIC)连接。
输入输出端子6例如是用于将Band26(814MHz-849MHz)的发送带的高频信号输入到前端电路1的端子。
输入输出端子7例如是用于将Band26(859MHz-894MHz)的接收带的高频信号从前端电路1从后级的高频电路输出的端子。
输入输出端子8例如是用于将Band8(880MHz-915MHz)的发送带的高频信号输入到前端电路1的端子。
输入输出端子9例如是用于将Band8(925MHz-960MHz)的接收带的高频信号从前端电路1向后级的高频电路输出的端子。
如图1所示，前端电路1具备耦合器11、开关12、双工器14及15、PA模块16及18、LNA模块17及19以及匹配电路21、23及24。
耦合器11与输入输出端子4连接，是将利用天线2接收到的高频信号分配到不同的系统、对高频信号的功率进行监视的方向性耦合器。
匹配电路21是用于使输入输出的阻抗匹配的电路。匹配电路21例如是使用电容器、电感器来构成的。匹配电路21设置于耦合器11与开关12之间，使耦合器11侧的输入输出阻抗与开关12侧的输入输出阻抗匹配。
开关12是用于将Band26和Band8的发送接收信号传输到不同的路径的切换开关。通过切换开关12，Band26的发送接收信号通过匹配电路23和双工器14。另外，Band8的发送接收信号通过匹配电路24和双工器15。开关12例如既可以由半导体开关电路构成，也可以由物理切换的开关构成。
匹配电路23连接于开关12与双工器14之间，是用于使开关12侧的输入输出阻抗与双工器14侧的输入输出的阻抗匹配的电路。匹配电路23与匹配电路21同样地，例如是使用电容器、电感器来构成的。
同样地，匹配电路24连接于开关12与双工器15之间，是用于使开关12侧的输入输出阻抗与双工器15侧的输入输出阻抗匹配的电路。匹配电路24与匹配电路21及23同样地，例如是使用电容器、电感器来构成的。此外，匹配电路23及24的详细结构在后面详细叙述。
双工器14和双工器15是为了将发送路径与接收路径在电气上分离而使用的分波电路。双工器14和双工器15经由耦合器11、匹配电路21及开关12来与输入输出端子4电连接。
如图1所示，双工器14具备发送滤波器141和接收滤波器142。发送滤波器141例如是使Band26的发送信号的频带的信号通过的带通滤波器。同样地，接收滤波器142是使Band26的接收信号的高频带的信号通过的带通滤波器。
同样地，双工器15具备发送滤波器151和接收滤波器152。发送滤波器151例如是使Band8的发送信号的高频带的信号通过的带通滤波器。同样地，接收滤波器152是使Band8的接收信号的频带的信号通过的带通滤波器。
双工器14与用于发送接收Band26的高频信号的信号路径(发送路径和接收路径)连接，双工器15与用于发送接收Band8的高频信号的信号路径(发送路径和接收路径)连接。也就是说，分波电路与用于发送接收多个通信频段(Band26及Band8)的高频信号的多个信号路径连接。
开关12对用于发送接收Band26的高频信号的信号路径与输入输出端子4之间的连接以及用于发送接收Band8的高频信号的信号路径与输入输出端子4之间的连接进行切换。
匹配电路23连接于开关12与由双工器14及15构成的分波电路之间，取得开关12与该分波电路的阻抗匹配。
PA模块16具有PA(Power Amp：功率放大器)161和电感器162。PA模块16与双工器14电连接。更详细地说，PA模块16与双工器14的发送滤波器141连接。
PA161是对高频发送信号进行放大、向双工器14的发送滤波器141输出放大后的高频信号的电力放大电路，构成发送电路。电感器162是与PA 161串联地连接于PA 161与发送滤波器141之间的第二电感器，构成第二匹配电路。由电感器162构成的第二匹配电路是将PA 161的输出端与双工器14进行阻抗匹配的输出匹配电路。设置于PA 161的放大元件例如也可以是异质结双极晶体管(HBT：Heterojunction Bipolar Transistor)等晶体管。另外，电感器162既可以是贴片电感器，也可以是内置于后述的基板30(参照图3)的电感器。电感器162也可以连接于PA 161同发送滤波器141之间的路径与地之间。
同样地，PA模块18具有PA 181和电感器182。PA模块18与双工器15电连接。更详细地说，PA模块18与双工器15的发送滤波器151连接。
PA 181是对高频发送信号进行放大、向双工器15的发送滤波器151输出放大后的高频信号的电力放大电路，构成发送电路。电感器182是与PA 181串联地连接于PA 181与发送滤波器151之间的第二电感器，构成第二匹配电路。由电感器182构成的第二匹配电路是将PA 181的输出端与双工器15进行阻抗匹配的输出匹配电路。设置于PA 181的放大元件与设置于PA 161的放大元件同样地，例如也可以是HBT等晶体管。电感器182既可以是贴片电感器，也可以是内置于基板的电感器。电感器182也可以连接于PA 181同发送滤波器151之间的路径与地之间。
LNA模块17是与双工器14电连接的接收电路。如图1所示，LNA模块17具有LNA(LowNoise Amp：低噪声放大器)171和电感器172，该LNA 171具有放大元件。LNA 171是对通过了接收滤波器142的高频接收信号进行放大、将放大后的高频信号输出到输入输出端子7的低噪声放大电路。电感器172与LNA 171串联地连接于LNA 171与接收滤波器142之间。此外，电感器172也可以连接于LNA 171同接收滤波器142之间的路径与地之间。设置于LNA 171的放大元件例如也可以是HBT等晶体管。另外，电感器172既可以是贴片电感器，也可以是内置于基板的电感器。LNA模块17与双工器14电连接。更详细地说，LNA模块17与双工器14的接收滤波器142连接。
同样地，LNA模块19是与双工器15电连接的接收电路。如图1所示，LNA模块19具有LNA 191和电感器192，该LNA 191具有放大元件。LNA 191是对通过了接收滤波器152的高频接收信号进行放大、将放大后的高频信号输出到输入输出端子9的低噪声放大电路。电感器192与LNA 191串联地连接于LNA 191与接收滤波器152之间。此外，电感器192也可以连接于LNA 191同接收滤波器152之间的路径与地之间。设置于LNA 191的放大元件例如也可以是HBT等晶体管。另外，电感器192既可以是贴片电感器，也可以是内置于基板的电感器。LNA模块19与双工器15电连接。更详细地说，LNA模块19与双工器15的接收滤波器152连接。
此外，在本实施方式中，PA 161及181是电力放大电路，电感器162及182是第二电感器。
[2.匹配电路的结构]
在此，关于匹配电路23和匹配电路24的结构，以匹配电路23为例来进行说明。
图2是本实施方式所涉及的前端电路1的匹配电路23的电路图。如图2所示，匹配电路23具备电感器231。电感器231连接于将开关12同双工器14连接的节点与地之间。此外，在本实施方式中，电感器231是第一电感器。
电感器231具有串联连接的2个电感器231a及231b。在本实施方式中，电感器231a及231b是多个电感器。电感器231a及231b例如是贴片电感器。例如，电感器231a及231b也可以是通过在氧化铝等芯上卷绕铜线来形成线圈的绕组构造型的贴片电感器。另外，电感器231a及231b也可以是将构成线圈的导体与陶瓷材料进行层叠并一体化的层叠构造型的贴片电感器。
电感器231a及231b被配置成：配置在基板30(参照图3)上的电感器231a及231b的轴的方向与基板30平行。此外，电感器的轴的方向是指穿过形成为电感器的线圈的中心的轴所延伸的方向。电感器231a及231b与设置于PA模块16的电感器162通过电磁场进行耦合。
电感器231a的电感值与电感器231b的电感值例如是相同的值。也就是说，电感器231a的电感值和电感器231b的电感值是利用1个电感器来构成电感器231的情况下的电感值的1/2。
此外，电感器231a及电感器231b既可以是贴片电感器，也可以是在基板30的表面利用金属图案形成的电感器。另外，电感器231a及231b也可以是至少一部分内置于基板30的电感器。
另外，电感器231a的电感值和电感器231b的电感值不限于相同的值，也可以是不同的值。
此外，匹配电路23不限于仅具有电感器231的结构，也可以是具有其它电感器或电容器的结构。此时，电感器231以外的电感器或电容器既可以串联地配置连接于将开关12与双工器14连接的节点，也可以连接于将开关12同双工器14连接的节点与地之间。另外，电感器231以外的电感器或电容器也可以与电感器231并联连接。
匹配电路24与匹配电路23同样地，在将开关12同双工器15连接的节点与地之间具有电感器241(参照图1)。电感器241具有串联连接的2个电感器241a及241b。电感器241a及241b是与电感器231a及231b相同的结构，因此省略详细的说明。
图3是示出本实施方式所涉及的前端电路1中的部件的配置关系的一例的俯视图。前端电路1例如是通过在基板30之上配置上述的耦合器11、开关12(未图示)、双工器14及15、PA模块16及18、LNA模块17及19、匹配电路21、23及24、其它电感器和电容器等部件来构成的。此外，将开关12与各部件连接的布线中的一部分省略了图示。
基板30例如是LTCC(Low Temperature Co-fired Ceramics：低温共烧陶瓷)基板，是层叠多层由陶瓷构成的陶瓷片而成的层叠陶瓷。如后所述，在基板30的表面及内部，利用金属图案和通孔(via)等来形成有布线。
在此，如图3所示，在俯视基板30时，匹配电路23的构成电感器231的电感器231a及231b配置于双工器14与PA模块16之间。PA模块16的电感器162与电感器231a及231b通过电磁场进行耦合，因此能够设想到以下情况：由PA模块16放大后的高频发送信号、该高频发送信号的谐波分量、或者该高频发送信号与其它高频发送信号的互调失真分量如图3中箭头所示那样从设置于PA模块16的电感器162(图1参照)泄漏到电感器231a及231b，再绕过发送滤波器141来泄漏到接收滤波器142。
在此，在电感器231由2个串联连接的电感器231a及231b构成的情况下，与由匝数、绕线间隔以及卷绕方向等统一的1个电感器来构成电感器231的情况下的电感器231与电感器162之间的电磁场耦合度相比，能够使电感器231a及231b隔着布线相离地配置的电感器231与电感器162之间的电磁场耦合度低。也就是说，在将电感器231a及231b的合成电感值设定为与由1个电感器构成的电感器231的电感值相同的情况下，能够使电感器231a及231b与电感器162之间的有效电磁场耦合量比由1个电感器构成的电感器231与电感器162之间的电磁场耦合量小。换言之，与电感器231由1个电感器构成的情况相比，高频发送信号的谐波分量从电感器162向电感器231a及231b的各电感器的泄漏变少。因此，能够抑制以下情况：从PA 161泄漏的高频发送信号经由电感器162及231传播到接收滤波器142，使接收电路(LNA模块17)的噪声水平高。因此，能够提高前端电路1的接收灵敏度。
此外，关于PA模块18和双工器15，也与PA模块16及双工器14同样地，能够减少高频发送信号从PA模块18向接收滤波器152的泄漏，提高前端电路1的接收灵敏度。
此外，关于2个电感器是否通过电磁场进行了耦合，例如，能够通过在改变电感器的朝向时的滤波器特性存在变化的情况下判断为通过电磁场进行了耦合、在改变电感器的朝向时的滤波器特性不存在变化的情况下判断为未通过电磁场进行耦合来进行检测。
[3.效果等]
这样，根据本实施方式所涉及的前端电路1，由串联连接的多个电感器231a及231b来构成与连接于双工器14同PA 161之间的电感器162通过电磁场进行耦合的电感器231。
由此，能够抑制由PA模块16放大后的高频发送信号从双工器14对接收信号造成影响。因此，能够提高前端电路1的接收灵敏度。此外，关于PA模块18及双工器15，也与PA模块16及双工器14同样。
此外，电感器231a的电感值和电感器231b的电感值不限于相同的值，也可以是不同的值。例如，也可以使电感器231a及231b中的、配置于接近电磁场耦合的对象即电感器162的位置的电感器231a或231b的电感值比配置于远离电感器162的位置的电感器231b或231a的电感值小。
配置于接近电感器162的位置的电感器231a或231b的电感值对与电感器162之间的电磁场耦合的强度影响大。因而，通过使配置于接近电感器162的位置的电感器231a或231b的电感值小，能够进一步减少高频发送信号的谐波分量从电感器162向电感器231a及231b的泄漏。
另外，电感器231不限于由电感器231a及231b这2个电感器构成，也可以由3个以上的电感器构成。
另外，匹配电路23及24也可以除了具有电感器231以外还具有其它电感器和电容器。在该情况下，在匹配电路23中，电感器231以外的其它电感器及电容器即可以串联连接于开关12与双工器14之间的节点，也可以连接于开关12同双工器14之间的节点与地之间。关于匹配电路24，也与匹配电路23同样。
另外，并不仅限于匹配电路23及24，也可以是，匹配电路21也是与匹配电路23相同的结构。在匹配电路21具有电感器的情况下，该电感器与设置于PA模块16的电感器162及设置于PA模块18的电感器182通过电磁场进行耦合。因而，通过由串联连接的多个电感器来构成设置于匹配电路21的电感器，能够与匹配电路23同样地，使设置于匹配电路21的多个电感器与电感器162及182之间的电磁场耦合弱。由此，在前端电路1中，能够进一步减少高频发送信号从PA模块的泄漏，提高接收灵敏度。
(变形例1)
在此，说明实施方式1的变形例1。图4是示出作为本实施方式所涉及的高频模块的前端电路1的匹配电路23中的电感器231a及231b的配置关系的截面图。
在前端电路1中，如上所述，电感器231a及231b既可以由贴片电感器构成，也可以不限于贴片电感器、而是由内置于基板的电感器构成。另外，也可以将电感器231的一部分内置于基板。例如，也可以是，电感器231a和231b中的任一方由贴片电感器构成，且另一方由内置于基板的电感器构成。
如图4所示，在基板30中，电感器231a由贴片电感器构成。电感器231a例如以电感器231a的轴的方向与基板平行的方式配置于基板30的表面。电感器231a与形成于基板30的布线31电连接。并且，布线31与双工器14(参照图3)电连接。
另外，如图4所示，电感器231b形成于基板30的内部。电感器231b例如为以下形状：从上面透视基板30时，在层叠构造的基板30的各层形成的布线图案呈螺旋状地卷绕。此外，在图4中，简化地示出了电感器231b的结构，以易于理解电感器231a与231b的配置关系。
另外，在基板30的内部设置有导体32。导体32与地连接。电感器231b形成于连接电感器231a的布线31与导体32之间。此时，例如以使电感器231b的轴的方向为与基板30的表面垂直的方向的方式形成电感器231b。
此外，电感器231b的轴的方向不限于与基板30的表面垂直的方向。电感器231b也可以以电感器231b的轴的方向为与基板30的表面平行的方向的方式形成于基板30的内部。
由此，电感器231由安装于基板30的表面的芯片电感器231a以及内置于基板的电感器231b构成。因此，能够使电感器231a与电感器162的耦合同电感器231b与电感器162的耦合的总量比由Q值、匝数、绕线间隔以及卷绕方向等统一的1个电感器构成的电感器231与电感器162之间的电磁场耦合量小。也就是说，在将电感器231a及231b的合成电感值设定为与由1个电感器构成的电感器231的电感值相同的情况下，能够使电感器231a及231b与电感器162之间的有效电磁场耦合量比由1个电感器构成的电感器231与电感器162之间的电磁场耦合量小。换言之，与电感器231由1个电感器构成的情况相比，高频发送信号的谐波分量从电感器162向电感器231a及231b的各电感器的泄漏的总量变少。
因此，能够抑制以下情况：从PA 161泄漏的高频发送信号经由电感器162及231传播到接收滤波器142，由此对LNA模块17中的接收信号造成不良影响。因此，能够提高高频模块1的接收灵敏度。另外，电感器231b是基板内置型的电感器，因此能够减少配置在基板30上的部件的数量和布线的数量，因此能够使高频模块1小型化。另外，能够抑制在布线图案之间高频信号发生干扰，进一步提高高频模块1的接收灵敏度。
由此，前端电路1能够进一步减少高频发送信号从PA模块的泄漏，提高接收灵敏度。另外，通过将电感器231b形成于基板30的内部，能够减少配置于基板30的表面的电路部件的数量，因此能够使前端电路1小型化。
(变形例2)
另外，说明实施方式1的变形例2。图5是示出作为本变形例所涉及的高频模块的前端电路1a中的部件的配置关系的其它例的俯视图。
在本变形例所涉及的前端电路1a中，匹配电路23的构成电感器331的电感器331a及331b以在俯视基板30时电感器331a及331b的轴的方向相互正交的方式配置在基板30上。
具体地说，在前端电路1a中，匹配电路23具有电感器331。电感器331连接于将开关12同双工器14连接的节点与地之间。电感器331具有串联连接的2个电感器331a及331b。
另外，如图5所示，电感器331a及331b在基板30中配置于双工器14与PA模块16之间。电感器331a及331b与布线31串联连接，该布线31连结了地以及将开关12与双工器14连接的节点。
另外，如图5所示，电感器331a及331b以在俯视基板30时电感器331a及331b的轴的方向相互正交且与基板30平行的方式配置在基板30上。由此，抑制了电感器331a与331b通过电磁场进行耦合，从而抑制了电感器331的电感值增大。
电感器的轴的方向是指形成为电感器的线圈的中心轴所延伸的方向。根据上述结构，构成电感器331的2个电感器331a及331b的轴的方向正交，因此能够使电感器331a与电感器162的耦合同电感器331b与电感器162的耦合的总量比由匝数、绕线间隔以及卷绕方向等统一的1个电感器构成的电感器331与电感器162之间的电磁场耦合量小。也就是说，在将电感器331a及331b的合成电感值设定为与由1个电感器构成的电感器331的电感值相同的情况下，能够使电感器331a及331b与电感器162之间的有效电磁场耦合量比由1个电感器构成的电感器331与电感器162之间的电磁场耦合量小。换言之，与电感器331由1个电感器构成的情况相比，高频发送信号的谐波分量从电感器162向电感器331a及331b的各电感器的泄漏的总量变少。
因此，能够抑制以下情况：从PA 161泄漏的高频发送信号经由电感器162及331传播到接收滤波器142，由此对LNA模块17中的接收信号造成不良影响。因此，能够提高高频模块1a的接收灵敏度。
此外，在本变形例中，设为电感器331a及331b的轴的方向被配置成在俯视基板30的情况下正交，但是电感器331a及331b的轴的方向只要交叉即可。
据此，构成电感器331的2个电感器331a及331b的轴的方向交叉，因此能够使电感器331a与电感器162的耦合同电感器331b与电感器162的耦合的总量比由匝数、绕线间隔以及卷绕方向等统一的1个电感器构成的电感器331与电感器162之间的电磁场耦合量小。因此，能够抑制以下情况：从PA 161泄漏的高频发送信号经由电感器162及331传播到接收滤波器142，由此对LNA模块17中的接收信号造成不良影响。因此，能够提高高频模块1a的接收灵敏度。
另外，关于电感器331a及331b的电感值，也可以使配置于接近包括电感器162的PA模块16的位置的电感器331b的电感值比电感器331a的电感值小。通过使配置于接近包括电感器331a及331b的电磁场耦合的对象即电感器162的PA模块16的位置的电感器331b的电感值比电感器331a的电感值小，能够进一步减少高频发送信号的谐波分量从电感器162向电感器331b的泄漏。
由此，能够进一步减少由PA模块16放大后的高频发送信号从双工器14对接收信号造成的影响，从而进一步减少高频接收信号的损耗。
(实施方式2)
实施方式1所示的前端电路1也可以如下面所示那样被用作通信装置的前端电路1。图6是示出本实施方式所涉及的通信装置100的结构的概要结构图。
如图6所示，通信装置100具备前端电路1、RF信号处理电路(RFIC)110以及基带信号处理电路(BBIC)120。
在通信装置100中，如实施方式1所示，前端电路1的输入输出端子4与天线2连接。另外，前端电路1的输入输出端子6、7、8及9与后级的RF信号处理电路110连接。RF信号处理电路110与后级的基带信号处理电路120连接。并且，基带信号处理电路120与其它应用装置或应用软件等连接。
RF信号处理电路110将从基带信号处理电路120接收到的发送信号变换为发送RF信号后，供给到前端电路1。该变换也可以包括信号的调制和上变频。另外，RF信号处理电路110将从前端电路1接收到的接收RF信号变换为接收信号后，供给到基带信号处理电路120。该变换也可以包括信号的解调和下变频。RF信号处理电路110也可以由RFIC芯片构成。
基带信号处理电路120将由进行声音通话、图像显示等的应用装置/应用软件生成的发送数据变换为发送信号后，供给到RF信号处理电路110。该变换也可以包括数据的压缩、多路复用、纠错码的附加。另外，基带信号处理电路120将从RF信号处理电路110接收到的接收信号变换为接收数据后，供给到应用装置/应用软件。该变换也可以包括数据的解压缩、解多路复用、纠错。基带信号处理电路120也可以由BBIC芯片构成。
根据通信装置100，通过使用减少高频发送信号的电力从PA模块的泄漏、提高接收灵敏度的前端电路1，能够得到减少高频发送信号的电力的泄漏、提高接收灵敏度的通信装置。并且，能够抑制从天线2向通信装置100的外部放出的谐波分量(寄生分量(spurious))。
(其它实施方式)
此外，本发明不限定于上述的实施方式所记载的结构，也可以适当施加变更。
例如，电感器231a及231b既可以由贴片电感器构成，也可以由内置于基板的电感器构成。另外，也可以是，电感器231a和231b中的任一方由贴片电感器构成，另一方由内置于基板的电感器构成。
另外，电感器331a及331b也可以以在俯视基板30时电感器331a及331b的轴的方向相互正交的方式配置在基板30上。
另外，电感器231a的电感值和电感器231b的电感值不限于相同的值，也可以是不同的值。
另外，也可以使电感器231a及231b中的、配置于接近电磁场耦合的对象即电感器162的位置的电感器231a或231b的电感值比配置于远离电感器162的位置的电感器231b或231a的电感值小。
另外，电感器231不限于由电感器231a及231b这2个电感器构成，也可以由3个以上的电感器构成。
另外，电感器162不限于在PA 161与发送滤波器141之间同PA 161串联连接，也可以连接于PA 161同发送滤波器141之间的路径与地之间。
另外，匹配电路23及24也可以除了具有电感器231以外还具有其它电感器和电容器。在该情况下，在匹配电路23中，电感器231以外的其它电感器及电容器即可以串联连接于开关12与双工器14之间的节点，也可以连接于开关12同双工器14之间的节点与地之间。
另外，并不仅限于匹配电路23及24，也可以是，匹配电路21也是与匹配电路23相同的结构。
也可以是，除此以外，对上述的实施方式实施本领域技术人员所想到的各种变形而得到的方式、或者通过在不脱离本发明的宗旨的范围内将上述的实施方式中的结构要素和功能任意地进行组合来实现的方式也包含于本发明的方式的范围内。
产业上的可利用性
本发明能够使用于要求高集成化和小型化的高频模块、发送装置、接收装置以及具有它们的通信装置等。
附图标记说明
1、1a：前端电路(高频模块)；2：天线；4：输入输出端子(天线端子)；6、7、8、9：输入输出端子；11：耦合器；12：开关；14、15：双工器(分波电路)；16、18：PA模块；17、19：LNA模块；21、23、24：匹配电路；30：基板；31：布线；32：导体；100：通信装置；110：RF信号处理电路；120：基带信号处理电路；141、151：发送滤波器；142、152：接收滤波器；161、181：PA(电力放大电路)；162、172、182、192：电感器(第二电感器)；171、191：LNA；231、241、331：电感器(第一电感器)；231a、231b、241a、241b、331a、331b：电感器(多个电感器)。

Claims (9)

1.一种高频模块，具备：
天线端子；
分波电路，其与所述天线端子电连接；
接收电路，其与所述分波电路电连接；
发送电路，其与所述分波电路电连接，包括电力放大电路；
第一匹配电路，其设置于所述天线端子与所述分波电路之间，具有第一电感器；以及
第二匹配电路，其设置于所述分波电路与所述电力放大电路之间，具有第二电感器，
其中，所述第二匹配电路是将所述电力放大电路的输出端与所述分波电路进行阻抗匹配的输出匹配电路，
所述第一电感器具有串联连接的多个电感器。
2.根据权利要求1所述的高频模块，其特征在于，
所述第一电感器与所述第二电感器通过电磁场进行耦合。
3.根据权利要求1所述的高频模块，其特征在于，
所述分波电路与用于发送接收多个通信频段的高频信号的多个信号路径连接，
所述高频模块具有对所述多个信号路径进行切换的开关，
所述第一匹配电路连接于所述开关与所述分波电路之间，取得所述开关与所述分波电路的阻抗匹配。
4.根据权利要求1～3中的任一项所述的高频模块，其特征在于，
所述第一电感器连接于所述天线端子同所述分波电路之间的节点与地之间。
5.根据权利要求1～4中的任一项所述的高频模块，其特征在于，
所述多个电感器中的至少2个电感器以在俯视时所述多个电感器的轴的方向交叉的方式配置在基板上。
6.根据权利要求5所述的高频模块，其特征在于，
所述多个电感器中的至少2个电感器以在俯视时所述多个电感器的轴的方向相互正交的方式配置在基板上。
7.根据权利要求1～6中的任一项所述的高频模块，其特征在于，
所述多个电感器中的一个电感器是贴片电感器，
所述多个电感器中的其它电感器内置于基板。
8.根据权利要求1～7中的任一项所述的高频模块，其特征在于，
所述多个电感器中的、配置于最接近所述第二电感器的位置的电感器的电感值小于配置于最接近所述第二电感器的位置的电感器以外的所述多个电感器的电感值。
9.根据权利要求1～7中的任一项所述的高频模块，其特征在于，
所述多个电感器的电感值相同。
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2018101112A1 (ja) * 2016-11-30 2018-06-07 株式会社村田製作所 配線基板、カプラモジュール、及び通信装置
WO2021039226A1 (ja) * 2019-08-28 2021-03-04 株式会社村田製作所 高周波モジュール及び通信装置
WO2022209737A1 (ja) * 2021-03-31 2022-10-06 株式会社村田製作所 高周波モジュール及び通信装置

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004336250A (ja) 2003-05-02 2004-11-25 Taiyo Yuden Co Ltd アンテナ整合回路、アンテナ整合回路を有する移動体通信装置、アンテナ整合回路を有する誘電体アンテナ
JP2007124202A (ja) 2005-10-27 2007-05-17 Kyocera Corp 高周波モジュールおよび無線通信装置
WO2009078095A1 (ja) * 2007-12-18 2009-06-25 Fujitsu Limited デュプレクサ、およびデュプレクサを含むモジュール、通信機器
WO2010087305A1 (ja) * 2009-01-28 2010-08-05 株式会社村田製作所 デュプレクサモジュール
JP2011019004A (ja) 2009-07-07 2011-01-27 Alps Electric Co Ltd フィルタ回路
KR20110100001A (ko) * 2010-03-03 2011-09-09 삼성전기주식회사 개선된 고조파 특성을 갖는 고주파 송신 모듈
US8975981B2 (en) * 2011-09-13 2015-03-10 Qualcomm Incorporated Impedance matching circuits with multiple configurations
CN103765774B (zh) * 2011-11-28 2016-01-13 天工松下滤波方案日本有限公司 高频滤波器
US9240811B2 (en) * 2012-10-23 2016-01-19 Intel Deutschland Gmbh Switched duplexer front end
WO2016060151A1 (ja) * 2014-10-16 2016-04-21 株式会社村田製作所 高周波モジュール
JP2018019231A (ja) * 2016-07-27 2018-02-01 株式会社村田製作所 電力増幅モジュール

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